JP2011165928A - 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 IGBT100は、第1導電型のドリフト領域8と、ドリフト領域8上に設けられている第2導電型のボディ領域10と、ボディ領域10を貫通してドリフト領域8に接しており、平面視したときに第1方向に沿って間隔を置いて配置されている複数のダミートレンチ26と、平面視したときに第1方向に直交する第2方向に沿って間隔を置いて配置されており、ダミートレンチ26を間に置いて設けられている複数の絶縁ゲート23と、ボディ領域10上に設けられており、平面視したときに第1方向に隣り合うダミートレンチ26間に配置されており、ボディ領域10よりも不純物濃度が濃い第2導電型の第1ボディコンタクト領域30と、第1ボディコンタクト領域30に接触するエミッタ電極を備えている。
【選択図】図4
Description
(特徴1)IGBTは、複数のトレンチゲートと複数のダミートレンチとボディコンタクト領域を備えている。トレンチゲートは、平面視したときに、素子領域の一端から他端まで第1方向に沿って連続して伸びている。複数のトレンチゲートは、平面視したときに、第1方向に直交する第2方向に間隔を置いて設けられており、ストライプ状に配置されている。複数のダミートレンチは、平面視したときに、第1方向に沿って間隔を置いて配置されている。ボディコンタクト領域の少なくとも一部は、第1方向に隣り合うダミートレンチ間に設けられている。
(特徴2)ダミートレンチの深さとトレンチゲート電極の深さが同じである。
(特徴3)第1ボディコンタクト領域の不純物濃度と第2ボディコンタクト領域の不純物濃度が同じである。
10:ボディ領域
16:エミッタ電極
23:ダミートレンチ
26:絶縁ゲート
30,230:第1ボディコンタクト領域
32:第2ボディコンタクト領域
36,236:繰返し部
100,200,300:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
Claims (7)
- 絶縁ゲートバイポーラトランジスタであって、
第1導電型のドリフト領域と、
ドリフト領域上に設けられている第2導電型のボディ領域と、
ボディ領域を貫通してドリフト領域に接しており、平面視したときに第1方向に沿って間隔を置いて配置されている複数のダミートレンチと、
平面視したときに前記第1方向に直交する第2方向に沿って間隔を置いて配置されており、前記ダミートレンチを間に置いて設けられている複数の絶縁ゲートと、
ボディ領域上に設けられており、平面視したときに前記第1方向に隣り合う前記ダミートレンチ間に配置されており、前記ボディ領域よりも不純物濃度が濃い第2導電型の第1ボディコンタクト領域と、
第1ボディコンタクト領域に接触するエミッタ電極と、を備えている絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 前記ボディ領域上に設けられており、平面視したときに前記第2方向で前記第1ボディコンタクト領域に隣接して配置されており、前記ボディ領域よりも不純物濃度が濃い第2導電型の第2ボディコンタクト領域をさらに備えており、
前記第2ボディコンタクト領域は、平面視したときに前記第1方向に隣り合う前記ダミートレンチ間に配置されていない請求項1に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 平面視したときに前記第1方向に隣り合う前記ダミートレンチは、前記第1ボディコンタクト領域の下方において連結している請求項2に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
- 前記第1ボディコンタクト領域は、前記第2ボディコンタクト領域よりも深い請求項3に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
- 前記第1方向に沿って前記第1ボディコンタクト領域と前記ダミートレンチが繰返す繰返し部が、前記第2方向に沿って間隔を置いて複数設けられており、
前記第2方向に隣り合う前記繰返し部の前記第1ボディコンタクト領域が前記第2ボディコンタクト領域を介して連結している請求項2〜4のいずれか一項に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 前記ダミートレンチが前記エミッタ電極に電気的に接続されている請求項1〜5のいずれか一項に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
- 前記絶縁ゲートは、前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に接するトレンチ型であり、
前記絶縁ゲートは、平面視したときに、前記第1方向に沿って伸びている請求項1〜6のいずれか一項に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
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Cited By (19)
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---|---|---|---|---|
JP2011181583A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2013211512A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-10-10 | Toshiba Corp | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
JP2014060386A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-04-03 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014060387A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-04-03 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014157883A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2015138789A (ja) * | 2014-01-20 | 2015-07-30 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2015173291A (ja) * | 2015-06-02 | 2015-10-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
EP2953166A1 (en) * | 2014-05-22 | 2015-12-09 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
DE102016109642A1 (de) | 2015-05-26 | 2017-01-19 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Halbleitervorrichtung |
CN106449741A (zh) * | 2015-08-06 | 2017-02-22 | 常州中明半导体技术有限公司 | 一种绝缘栅双极型晶体管器件结构 |
JP2018195798A (ja) * | 2017-05-16 | 2018-12-06 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2019033140A (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CN109473475A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-03-15 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 能提高加工良率的igbt器件 |
JPWO2018147466A1 (ja) * | 2017-02-13 | 2019-06-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN113394277A (zh) * | 2020-03-11 | 2021-09-14 | 珠海格力电器股份有限公司 | 沟槽栅igbt的元胞结构、其制备方法及沟槽栅igbt |
US20210359117A1 (en) * | 2020-05-14 | 2021-11-18 | Infineon Technologies Ag | Vertical power semiconductor device and manufacturing method |
GB2596295A (en) * | 2020-06-22 | 2021-12-29 | Global Energy Interconnection Res Institute Europe Gmbh | Power semiconductor device with segmented MESA trenches |
CN113871469A (zh) * | 2021-09-16 | 2021-12-31 | 上海擎茂微电子科技有限公司 | 一种用于优化饱和电压/关断损耗的绝缘栅双极型晶体管 |
CN116779649A (zh) * | 2023-08-18 | 2023-09-19 | 深圳市锐骏半导体股份有限公司 | 半导体功率器件版图 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6677615B2 (ja) | 2016-09-20 | 2020-04-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005109521A1 (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | 半導体装置 |
JP2005327806A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
JP2007074006A (ja) * | 1996-04-11 | 2007-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 高耐圧半導体装置およびその製造方法 |
-
2010
- 2010-02-10 JP JP2010027505A patent/JP5604892B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007074006A (ja) * | 1996-04-11 | 2007-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 高耐圧半導体装置およびその製造方法 |
WO2005109521A1 (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | 半導体装置 |
JP2005327806A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9024382B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-05-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2011181583A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2013211512A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-10-10 | Toshiba Corp | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
US10923582B2 (en) | 2012-08-21 | 2021-02-16 | Rohm Co., Ltd. | Trench-type insulated gate semiconductor device including an emitter trench and an overlapped floating region |
JP2014060386A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-04-03 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014060387A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-04-03 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
US10062774B2 (en) | 2012-08-21 | 2018-08-28 | Rohm Co., Ltd. | Trench-type insulated gate semiconductor device including an emitter trench and an overlapped floating region |
JP2014157883A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2015138789A (ja) * | 2014-01-20 | 2015-07-30 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
EP2953166A1 (en) * | 2014-05-22 | 2015-12-09 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
US9368595B2 (en) | 2014-05-22 | 2016-06-14 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device provided with an IE type trench IGBT |
US9614066B2 (en) | 2014-05-22 | 2017-04-04 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device provided with an IE type trench IGBT |
TWI638455B (zh) * | 2014-05-22 | 2018-10-11 | 日商瑞薩電子股份有限公司 | Semiconductor device |
DE102016109642A1 (de) | 2015-05-26 | 2017-01-19 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Halbleitervorrichtung |
US10002951B2 (en) | 2015-05-26 | 2018-06-19 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
DE102016109642B4 (de) | 2015-05-26 | 2019-01-24 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Halbleitervorrichtung |
JP2015173291A (ja) * | 2015-06-02 | 2015-10-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN106449741B (zh) * | 2015-08-06 | 2019-04-05 | 常州中明半导体技术有限公司 | 一种绝缘栅双极型晶体管器件结构 |
CN106449741A (zh) * | 2015-08-06 | 2017-02-22 | 常州中明半导体技术有限公司 | 一种绝缘栅双极型晶体管器件结构 |
JPWO2018147466A1 (ja) * | 2017-02-13 | 2019-06-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2018195798A (ja) * | 2017-05-16 | 2018-12-06 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2019033140A (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CN109473475A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-03-15 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 能提高加工良率的igbt器件 |
CN113394277A (zh) * | 2020-03-11 | 2021-09-14 | 珠海格力电器股份有限公司 | 沟槽栅igbt的元胞结构、其制备方法及沟槽栅igbt |
CN113394277B (zh) * | 2020-03-11 | 2022-05-20 | 珠海格力电器股份有限公司 | 沟槽栅igbt的元胞结构、其制备方法及沟槽栅igbt |
US20210359117A1 (en) * | 2020-05-14 | 2021-11-18 | Infineon Technologies Ag | Vertical power semiconductor device and manufacturing method |
US11575032B2 (en) * | 2020-05-14 | 2023-02-07 | Infineon Technologies Ag | Vertical power semiconductor device and manufacturing method |
GB2596295A (en) * | 2020-06-22 | 2021-12-29 | Global Energy Interconnection Res Institute Europe Gmbh | Power semiconductor device with segmented MESA trenches |
CN113871469A (zh) * | 2021-09-16 | 2021-12-31 | 上海擎茂微电子科技有限公司 | 一种用于优化饱和电压/关断损耗的绝缘栅双极型晶体管 |
CN116779649A (zh) * | 2023-08-18 | 2023-09-19 | 深圳市锐骏半导体股份有限公司 | 半导体功率器件版图 |
CN116779649B (zh) * | 2023-08-18 | 2023-12-01 | 深圳市锐骏半导体股份有限公司 | 半导体功率器件版图 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5604892B2 (ja) | 2014-10-15 |
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