JP2013073965A - 光電変換装置及びその製造方法 - Google Patents
光電変換装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013073965A JP2013073965A JP2011209848A JP2011209848A JP2013073965A JP 2013073965 A JP2013073965 A JP 2013073965A JP 2011209848 A JP2011209848 A JP 2011209848A JP 2011209848 A JP2011209848 A JP 2011209848A JP 2013073965 A JP2013073965 A JP 2013073965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- light emitting
- light
- layer
- receiving element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 24
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 15
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 159
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 108010054147 Hemoglobins Proteins 0.000 description 6
- 102000001554 Hemoglobins Human genes 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- -1 amorphous silicon Chemical class 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229940043430 calcium compound Drugs 0.000 description 2
- 150000001674 calcium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 2
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yl)-[2-[13-[2-tri(propan-2-yl)silylethynyl]pentacen-6-yl]ethynyl]silane Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)=C(C=C4C(C=CC=C4)=C4)C4=C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)C3=CC2=C1 FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6-pentafluorobenzenethiol Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(S)C(F)=C1F UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001239379 Calophysus macropterus Species 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910016024 MoTa Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100483033 Mus musculus Tpbpa gene Proteins 0.000 description 1
- 238000004497 NIR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXCSDJOTXUWERI-UHFFFAOYSA-N [1]benzothiolo[3,2-b][1]benzothiole Chemical compound C12=CC=CC=C2SC2=C1SC1=CC=CC=C21 NXCSDJOTXUWERI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010036302 hemoglobin AS Proteins 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- WFSINHKCRBEPDX-UHFFFAOYSA-N pt-tetraphenyltetrabenzoporphyrin Chemical compound [Pt+2].C1=CC=CC=C1C(C1=NC(C2=CC=CC=C21)=C(C=1C=CC=CC=1)C=1[N-]C([C]2C=CC=CC2=1)=C(C=1C=CC=CC=1)C=1[N-]C([C]2C=CC=CC2=1)=C1C=2C=CC=CC=2)=C2C3=CC=CC=C3C1=N2 WFSINHKCRBEPDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000011896 sensitive detection Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K65/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element and at least one organic radiation-sensitive element, e.g. organic opto-couplers
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
- A61B5/145—Measuring characteristics of blood in vivo, e.g. gas concentration, pH value; Measuring characteristics of body fluids or tissues, e.g. interstitial fluid, cerebral tissue
- A61B5/1455—Measuring characteristics of blood in vivo, e.g. gas concentration, pH value; Measuring characteristics of body fluids or tissues, e.g. interstitial fluid, cerebral tissue using optical sensors, e.g. spectral photometrical oximeters
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
- A61B5/68—Arrangements of detecting, measuring or recording means, e.g. sensors, in relation to patient
- A61B5/6801—Arrangements of detecting, measuring or recording means, e.g. sensors, in relation to patient specially adapted to be attached to or worn on the body surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/13—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising photosensors that control luminance
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Public Health (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Surgery (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 不透明な配線層107,108を有する基板100上に、複数の発光素子200と複数の受光素子300を基板面内方向に離間して形成した光電変換装置であって、発光素子200及び受光素子300は基板100上に形成したバンク202,302の開口部にそれぞれ形成されている。発光層の半導体材料203〜205と受光層の半導体材料303,305とは異なり、発光素子200及び受光素子300の上部電極層207,307とは共通である。さらに、配線層107,108は、バンク202,302の開口部で規定される各領域の外側の領域に形成されている。
【選択図】 図3
Description
図1は、第1の実施形態に係わる光源−センサ一体型の光電変換装置の素子配列例を示す模式図である。
図6は、第2の実施形態に係わる光電変換装置の基本素子構成を示す断面図である。また、図7は、本実施形態の平面レイアウト図を示している。図7のA−A’の断面が図6に相当するようになっている。なお、前記図3及び図5と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
図11は、第3の実施形態に係わる光電変換装置の画素部の回路構成を示す図である。また、図12は対応する画素部のレイアウト図を示す。
図15は、第4の実施形態の画素の平面レイアウト図を示し、A−A’の断面図を図16で示す。
図21は、第5の実施形態に係わる光電変換装置の基本素子構成を示す断面図である。
図22は、第6の実施形態に係わる光電変換装置の基本素子構成を示す断面図である。
図23は、第7の実施形態に係わる光電変換装置の基本素子構成を示す断面図である。
図24は、第8の実施形態に係わる光電変換装置の基本素子構成を示す断面図である。
図25は、第9の実施形態に係わる光電変換装置における画素部の回路構成を示す図である。
図26は、第10の実施形態に係わる光電変換装置における画素部の回路構成を示す図である。
図27は、第11の実施形態に係わる光電変換装置における画素部の回路構成を示す図である。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。
20,200…発光素子
30,300…受光素子
101…ゲート
102…ゲート絶縁層
103…ソース
104…ドレイン
105…半導体層
110,111,112…受光素子側トランジスタ
114…センサ用走査線
115…センサ用信号線
116…受光素子用電源線
120,121…発光素子側トランジスタ
122…蓄積容量
124…発光素子用走査線
125…発光素子用信号線
126…発光素子用電源線
134…走査線
201,301…透明電極
202,302…バンク
203,303…ホール注入層
204…ホール輸送層
205…発光層
206,306…電子注入層
207,307,407…カソード電極
305…光電変換層
500,510,520,530,540…溝
Claims (10)
- 不透明な配線層を有する基板上に、複数の発光素子と複数の受光素子を基板面内方向に離間して形成した光電変換装置であって、
前記発光素子及び前記受光素子は前記基板上に形成したバンクの開口部にそれぞれ形成され、
前記発光素子の発光層の半導体材料と前記受光素子の受光層の半導体材料とは異なり、前記発光素子の上部電極層と前記受光素子の上部電極層とは共通であり、且つ前記基板上の不透明な配線層は、前記バンクの開口部で規定される各領域の外側の領域に形成されていることを特徴とする光電変換装置。 - 不透明な配線層を有する基板上に、複数の発光素子と複数の受光素子を基板面内方向に離間して形成した光電変換装置であって、
前記発光素子及び前記受光素子は前記基板上に形成したバンクの開口部にそれぞれ形成され、
前記発光素子の発光層の半導体材料と前記受光素子の受光層の半導体材料とは異なり、前記発光素子の上部電極層と前記受光素子の上部電極層とは共通であり、且つ前記発光素子と前記受光素子との間のバンクの一部に溝が形成されていることを特徴とする光電変換装置。 - 前記発光素子及び前記受光素子は、前記発光層又は前記受光層として有機半導体を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の光電変換装置。
- 前記発光素子及び前記受光素子は、前記上部電極層と共に、電荷注入層を共通にしたことを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の光電変換装置。
- 前記発光素子のバンクと前記受光素子のバンクは同じ材料であることを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の光電変換装置。
- 前記受光素子は、バルクへテロ接合の活性層を含むことを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の光電変換装置。
- 前記バンクの溝に、前記発光素子と前記受光素子の共通な上部電極層が形成されていることを特徴とする請求項2記載の光電変換装置。
- 前記受光素子はバルクへテロ接合の活性層を含み、前記バンクの溝に前記受光素子の活性層が形成されていることを特徴とする請求項2記載の光電変換装置。
- 前記バンクの溝の底面と前記基板上の不透明な配線層とは平面的に重なっていることを特徴とする請求項2記載の光電変換装置。
- 基板上に薄膜トランジスタ及び不透明な配線を有するアクティブマトリクス層を形成する工程と、
前記アクティブマトリクス層が形成された前記基板上に、発光素子用の下部電極層及び受光素子用の下部電極層をそれぞれ形成する工程と、
前記各下部電極層が形成された前記基板上に、前記発光素子用の下部電極層上に第1の開口を有し、且つ前記受光素子用の下部電極層上に第2の開口を有するバンクを形成する工程と、
前記バンクの第2の開口内に前記受光素子の受光層を形成する工程と、
前記バンクの第1の開口内に前記発光素子の発光層を形成する工程と、
前記発光層、前記受光層、及び前記バンク上に前記発光素子及び前記受光素子で共通のの上部電極層を同時に形成する工程と、
を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011209848A JP5558446B2 (ja) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | 光電変換装置及びその製造方法 |
US13/487,618 US9167994B2 (en) | 2011-09-26 | 2012-06-04 | Light-source sensor integrated photoelectric conversion device |
TW103127752A TWI511277B (zh) | 2011-09-26 | 2012-06-20 | 光電轉換裝置及其製造方法 |
TW101122071A TWI487096B (zh) | 2011-09-26 | 2012-06-20 | 光電轉換裝置及其製造方法 |
CN201410392402.0A CN104157665A (zh) | 2011-09-26 | 2012-06-29 | 活体传感器 |
CN201210224418.1A CN103022072B (zh) | 2011-09-26 | 2012-06-29 | 光电转换装置及其制备方法 |
KR1020120070791A KR101421794B1 (ko) | 2011-09-26 | 2012-06-29 | 광전 변환 장치 및 그 제조 방법 |
CN201410841822.2A CN104681593A (zh) | 2011-09-26 | 2012-06-29 | 光电转换装置 |
US14/458,913 US9155498B2 (en) | 2011-09-26 | 2014-08-13 | Living body sensor for obtaining information of a living body |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011209848A JP5558446B2 (ja) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | 光電変換装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013073965A true JP2013073965A (ja) | 2013-04-22 |
JP5558446B2 JP5558446B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=47910286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011209848A Expired - Fee Related JP5558446B2 (ja) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | 光電変換装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9167994B2 (ja) |
JP (1) | JP5558446B2 (ja) |
KR (1) | KR101421794B1 (ja) |
CN (3) | CN104157665A (ja) |
TW (2) | TWI487096B (ja) |
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016103648A1 (ja) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | 京セラ株式会社 | センサ、センサ装置およびセンサシステム |
JP2016134532A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | 新日本無線株式会社 | 反射型センサ装置及びその製造方法 |
JP2016149443A (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 株式会社日立製作所 | 放射線検出素子、放射線検出器および核医学診断装置ならびに放射線検出素子の製造方法 |
US9466796B2 (en) | 2014-03-19 | 2016-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic device having thin film transistor using organic semiconductor and method of manufacturing the same |
JP2017506426A (ja) * | 2013-11-05 | 2017-03-02 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 静脈認識技術のためのディテクタ配列 |
JP2017208173A (ja) * | 2016-05-16 | 2017-11-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2018180577A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置および電子機器 |
JP2019033071A (ja) * | 2017-07-04 | 2019-02-28 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 近赤外線有機光センサが組み込まれた有機発光ダイオードパネル及びこれを含む表示装置 |
KR20190040832A (ko) * | 2017-10-11 | 2019-04-19 | 삼성전자주식회사 | 광원 일체형 광 센싱 시스템 및 이를 포함하는 전자 기기 |
JP2019514200A (ja) * | 2016-03-24 | 2019-05-30 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 光電子デバイス及び使用方法 |
JP2019530234A (ja) * | 2016-09-19 | 2019-10-17 | アップル インコーポレイテッドApple Inc. | シリコン制御バックプレーン上に一体化された垂直エミッタ |
WO2020053692A1 (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
WO2020075009A1 (ja) * | 2018-10-11 | 2020-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | センサ装置および半導体装置 |
WO2020075002A1 (ja) * | 2018-10-11 | 2020-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、及び認証装置 |
WO2020075000A1 (ja) * | 2018-10-10 | 2020-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 検査装置および検査装置の動作方法 |
JP2020092080A (ja) * | 2018-10-08 | 2020-06-11 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 可視光センサが埋め込まれた有機発光ダイオードパネル及びこれを含む表示装置並びにこれを用いたユーザの生体認識方法 |
WO2020137129A1 (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
WO2020148600A1 (ja) * | 2019-01-18 | 2020-07-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
JPWO2020208466A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | ||
WO2020229909A1 (ja) * | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び電子機器 |
JP2021002571A (ja) * | 2019-06-21 | 2021-01-07 | 学校法人立命館 | 光センサ |
WO2021005434A1 (ja) * | 2019-07-05 | 2021-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
JP2021034613A (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
WO2021079626A1 (ja) * | 2019-10-23 | 2021-04-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
WO2021191735A1 (ja) * | 2020-03-27 | 2021-09-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2021168407A (ja) * | 2014-06-30 | 2021-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2022001944A (ja) * | 2013-12-24 | 2022-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
JP2022171656A (ja) * | 2017-01-25 | 2022-11-11 | 日本電気株式会社 | 撮像装置、生体画像処理システム、生体画像処理方法、および生体画像処理プログラム |
WO2022248974A1 (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2022269408A1 (ja) * | 2021-06-25 | 2022-12-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示装置の作製方法、表示モジュール、及び電子機器 |
WO2023002280A1 (ja) * | 2021-07-20 | 2023-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示装置の作製方法、表示モジュール、及び電子機器 |
JP2023043171A (ja) * | 2021-09-15 | 2023-03-28 | レイナジー テック インコーポレイション | フォトダイオードの構造 |
WO2023171506A1 (ja) * | 2022-03-11 | 2023-09-14 | スタンレー電気株式会社 | パルスオキシメーター用プローブ |
JP7350753B2 (ja) | 2018-09-07 | 2023-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
JP7482733B2 (ja) | 2019-09-27 | 2024-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Families Citing this family (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5953923B2 (ja) * | 2012-05-15 | 2016-07-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
US9005357B2 (en) * | 2012-05-24 | 2015-04-14 | Agency For Science, Technology And Research | Method of preparing molybdenum oxide films |
US9129578B2 (en) * | 2012-09-28 | 2015-09-08 | Innocom Technology (Shenzhen) Co., Ltd. | Shift register circuit and display device using the same |
TW201432898A (zh) * | 2013-02-08 | 2014-08-16 | Wintek Corp | 具有太陽能電池之有機發光顯示器 |
US9496247B2 (en) * | 2013-08-26 | 2016-11-15 | Optiz, Inc. | Integrated camera module and method of making same |
JP2015065202A (ja) | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 株式会社東芝 | 半導体素子、表示装置、半導体素子の製造方法及び表示装置の製造方法 |
CN104752445B (zh) * | 2013-12-25 | 2018-08-17 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 交互式电子装置 |
CN105204673B (zh) * | 2014-06-12 | 2019-03-01 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 触控面板 |
CN104112742B (zh) * | 2014-06-30 | 2017-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板、柔性显示面板和柔性显示装置 |
KR20170003997A (ko) * | 2014-07-18 | 2017-01-10 | 코니카 미놀타 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 |
TWI578508B (zh) * | 2014-08-12 | 2017-04-11 | Adjust the optical band of the signal conversion device | |
CN112987984A (zh) * | 2014-09-17 | 2021-06-18 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 一种触控面板 |
US9293422B1 (en) * | 2014-09-26 | 2016-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Optoelectronic packages having magnetic field cancelation |
KR102295537B1 (ko) * | 2014-09-30 | 2021-08-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN104409475A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-03-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示器件、有机电致发光显示装置 |
SG11201704406WA (en) * | 2014-12-17 | 2017-07-28 | Carver Scient Inc | Method for chemical binding of the dielectric to the electrode after their assembly |
WO2016108122A1 (en) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device having semiconductor device |
KR102327583B1 (ko) * | 2015-01-16 | 2021-11-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102414780B1 (ko) * | 2015-06-10 | 2022-06-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN105006468B (zh) * | 2015-06-29 | 2018-01-26 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种多层硅片封装结构中的信息传输装置 |
TWI608244B (zh) * | 2015-08-07 | 2017-12-11 | 佳能股份有限公司 | 光電轉換設備、測距裝置、及資訊處理系統 |
CN105161011B (zh) * | 2015-08-11 | 2018-12-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置和智能穿戴设备 |
EP3163633B1 (en) * | 2015-10-28 | 2021-09-01 | Nokia Technologies Oy | A light-based sensor apparatus and associated methods |
KR102471111B1 (ko) * | 2015-11-23 | 2022-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
FR3048818B1 (fr) * | 2016-03-14 | 2018-11-16 | Pi Lighting | Circuit integre de type cmos apte a transmettre de l'information a distance par l'intermediaire de faisceaux lumineux de facon bidirectionnelle en utilisant un ou plusieurs canaux de transmission |
TWI744296B (zh) | 2016-03-24 | 2021-11-01 | 美商陶氏全球科技責任有限公司 | 光電子裝置及使用方法 |
TWI751144B (zh) * | 2016-03-24 | 2022-01-01 | 美商陶氏全球科技責任有限公司 | 光電子裝置及使用方法 |
JP6616496B2 (ja) * | 2016-04-04 | 2019-12-04 | 京セラ株式会社 | 計測センサ用パッケージおよび計測センサ |
KR20170140495A (ko) | 2016-06-10 | 2017-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
CN107550498B (zh) * | 2016-06-30 | 2024-02-09 | 北京超思电子技术有限责任公司 | 一种血氧测量装置及其测量方法 |
WO2018047504A1 (ja) | 2016-09-09 | 2018-03-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
US10825952B2 (en) | 2017-01-16 | 2020-11-03 | Apple Inc. | Combining light-emitting elements of differing divergence on the same substrate |
CN106601783A (zh) * | 2017-02-27 | 2017-04-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
US11381060B2 (en) | 2017-04-04 | 2022-07-05 | Apple Inc. | VCSELs with improved optical and electrical confinement |
US10910507B2 (en) * | 2017-06-09 | 2021-02-02 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package device and method of manufacturing the same |
GB201809007D0 (en) * | 2018-06-01 | 2018-07-18 | Smith & Nephew | Restriction of sensor-monitored region for sensor-enabled wound dressings |
CN109309102A (zh) * | 2017-07-26 | 2019-02-05 | Tcl集团股份有限公司 | 光转换的器件及其制备方法、红外成像设备 |
CN109309106A (zh) * | 2017-07-26 | 2019-02-05 | Tcl集团股份有限公司 | 光转换的器件及其制备方法、红外成像设备 |
CN109309105A (zh) * | 2017-07-26 | 2019-02-05 | Tcl集团股份有限公司 | 光转换的器件及其制备方法、红外成像设备 |
CN109509767A (zh) * | 2017-09-15 | 2019-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
KR102435798B1 (ko) * | 2017-11-20 | 2022-08-25 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
CN108493201B (zh) * | 2018-03-12 | 2020-10-16 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、其制造方法及显示装置 |
CN108807556B (zh) * | 2018-06-11 | 2021-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光学传感器件及其制作方法、显示器件、显示设备 |
CN108845466B (zh) * | 2018-06-28 | 2021-08-31 | 珠海市魅族科技有限公司 | 显示屏幕和显示装置 |
KR102664064B1 (ko) * | 2018-10-25 | 2024-05-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수광화소영역을 포함하는 표시장치 |
CN109461751B (zh) * | 2018-11-14 | 2021-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光电检测装置及其制备方法、心率检测装置和电子设备 |
JP7240151B2 (ja) * | 2018-11-22 | 2023-03-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置及び表示装置 |
US10845934B2 (en) * | 2018-12-03 | 2020-11-24 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED display panel |
US11789568B2 (en) | 2018-12-28 | 2023-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
CN109891487B (zh) * | 2019-01-29 | 2022-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板、显示基板的制备方法及驱动方法 |
EP3888138A1 (en) | 2019-02-21 | 2021-10-06 | Apple Inc. | Indium-phosphide vcsel with dielectric dbr |
WO2020205166A1 (en) | 2019-04-01 | 2020-10-08 | Apple Inc. | Vcsel array with tight pitch and high efficiency |
CN110047906B (zh) * | 2019-05-21 | 2022-10-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基于透明光电二极管的显示装置、显示面板及其制造方法 |
US11374381B1 (en) | 2019-06-10 | 2022-06-28 | Apple Inc. | Integrated laser module |
US11329242B2 (en) * | 2019-06-12 | 2022-05-10 | Lg Display Co., Ltd. | Lighting device comprising plurality of light emitting layers |
CN110245610A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制作方法和全面屏指纹识别显示装置 |
US11659758B2 (en) * | 2019-07-05 | 2023-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display unit, display module, and electronic device |
WO2021024070A1 (ja) * | 2019-08-02 | 2021-02-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
US11394014B2 (en) | 2019-08-29 | 2022-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display unit, display module, and electronic device |
FR3100383A1 (fr) * | 2019-09-02 | 2021-03-05 | Isorg | Pixel d’écran d’affichage |
CN111653602B (zh) * | 2020-06-17 | 2023-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示面板及其制造方法、显示装置 |
US20210393978A1 (en) * | 2020-06-22 | 2021-12-23 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Bio-signal detection and stimulation device |
FR3113189B1 (fr) | 2020-07-29 | 2022-08-12 | Tecmoled | Oxymètre |
EP4006994A1 (en) * | 2020-11-26 | 2022-06-01 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Optoelectronic device |
KR20220125839A (ko) * | 2021-03-03 | 2022-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20220152591A (ko) * | 2021-05-07 | 2022-11-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
TWI798767B (zh) * | 2021-07-25 | 2023-04-11 | 袁知賢 | 光電轉換元件及其製作方法 |
KR20230121663A (ko) * | 2022-02-11 | 2023-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN118020403A (zh) * | 2022-09-07 | 2024-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
FR3141525A1 (fr) * | 2022-10-27 | 2024-05-03 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Capteur optique intégré pour la spectroscopie par réflectance diffuse |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007081203A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Fujifilm Corp | エリアセンサ、画像入力装置、およびそれを組み込んだ電子写真装置等 |
JP2010153449A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Seiko Epson Corp | 光源一体型光電変換装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6747638B2 (en) * | 2000-01-31 | 2004-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor |
JP4854947B2 (ja) | 2000-01-31 | 2012-01-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
JP2003332560A (ja) | 2002-05-13 | 2003-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びマイクロプロセッサ |
JP4911445B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2012-04-04 | 富士フイルム株式会社 | 有機と無機のハイブリッド光電変換素子 |
JP2008028025A (ja) | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Canon Inc | 反射型センサ |
DE102008039337A1 (de) * | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Vorrichtung zum Besprühen, Verfahren dazu sowie organisches elektronisches Bauelement |
KR101074799B1 (ko) | 2009-08-18 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 터치 스크린 디스플레이 장치, 및 이의 제조 방법 |
-
2011
- 2011-09-26 JP JP2011209848A patent/JP5558446B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-06-04 US US13/487,618 patent/US9167994B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-06-20 TW TW101122071A patent/TWI487096B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-06-20 TW TW103127752A patent/TWI511277B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-06-29 CN CN201410392402.0A patent/CN104157665A/zh active Pending
- 2012-06-29 CN CN201210224418.1A patent/CN103022072B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-06-29 KR KR1020120070791A patent/KR101421794B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2012-06-29 CN CN201410841822.2A patent/CN104681593A/zh active Pending
-
2014
- 2014-08-13 US US14/458,913 patent/US9155498B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007081203A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Fujifilm Corp | エリアセンサ、画像入力装置、およびそれを組み込んだ電子写真装置等 |
JP2010153449A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Seiko Epson Corp | 光源一体型光電変換装置 |
Cited By (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017506426A (ja) * | 2013-11-05 | 2017-03-02 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 静脈認識技術のためのディテクタ配列 |
JP2022001944A (ja) * | 2013-12-24 | 2022-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
US9466796B2 (en) | 2014-03-19 | 2016-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic device having thin film transistor using organic semiconductor and method of manufacturing the same |
JP2021168407A (ja) * | 2014-06-30 | 2021-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2016103648A1 (ja) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | 京セラ株式会社 | センサ、センサ装置およびセンサシステム |
JPWO2016103648A1 (ja) * | 2014-12-25 | 2017-04-27 | 京セラ株式会社 | センサ、センサ装置およびセンサシステム |
US11246498B2 (en) | 2014-12-25 | 2022-02-15 | Kyocera Corporation | Sensor, sensor device, and sensor system |
JP2016134532A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | 新日本無線株式会社 | 反射型センサ装置及びその製造方法 |
JP2016149443A (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 株式会社日立製作所 | 放射線検出素子、放射線検出器および核医学診断装置ならびに放射線検出素子の製造方法 |
JP2019514200A (ja) * | 2016-03-24 | 2019-05-30 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 光電子デバイス及び使用方法 |
TWI753890B (zh) * | 2016-03-24 | 2022-02-01 | 美商陶氏全球科技責任有限公司 | 光電子裝置及使用方法 |
JP2017208173A (ja) * | 2016-05-16 | 2017-11-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2019530234A (ja) * | 2016-09-19 | 2019-10-17 | アップル インコーポレイテッドApple Inc. | シリコン制御バックプレーン上に一体化された垂直エミッタ |
JP7392779B2 (ja) | 2017-01-25 | 2023-12-06 | 日本電気株式会社 | 撮像装置、生体画像処理システム、生体画像処理方法、および生体画像処理プログラム |
JP2022171656A (ja) * | 2017-01-25 | 2022-11-11 | 日本電気株式会社 | 撮像装置、生体画像処理システム、生体画像処理方法、および生体画像処理プログラム |
WO2018180577A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置および電子機器 |
JP2019033071A (ja) * | 2017-07-04 | 2019-02-28 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 近赤外線有機光センサが組み込まれた有機発光ダイオードパネル及びこれを含む表示装置 |
JP7245611B2 (ja) | 2017-07-04 | 2023-03-24 | 三星電子株式会社 | 近赤外線有機光センサが組み込まれた有機発光ダイオードパネル及びこれを含む表示装置 |
US11469277B2 (en) | 2017-07-04 | 2022-10-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Near-infrared light organic sensors, embedded organic light emitting diode panels, and display devices including the same |
US11749775B2 (en) | 2017-10-11 | 2023-09-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light source-integrated light sensing system and electronic device including the same |
KR102523975B1 (ko) * | 2017-10-11 | 2023-04-20 | 삼성전자주식회사 | 광원 일체형 광 센싱 시스템 및 이를 포함하는 전자 기기 |
JP2019075557A (ja) * | 2017-10-11 | 2019-05-16 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 光源一体型光センシングシステム、及びそれを含む電子機器 |
KR20190040832A (ko) * | 2017-10-11 | 2019-04-19 | 삼성전자주식회사 | 광원 일체형 광 센싱 시스템 및 이를 포함하는 전자 기기 |
JP7350753B2 (ja) | 2018-09-07 | 2023-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
JP7478097B2 (ja) | 2018-09-14 | 2024-05-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JPWO2020053692A1 (ja) * | 2018-09-14 | 2021-09-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
WO2020053692A1 (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
JP2020092080A (ja) * | 2018-10-08 | 2020-06-11 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 可視光センサが埋め込まれた有機発光ダイオードパネル及びこれを含む表示装置並びにこれを用いたユーザの生体認識方法 |
US11716892B2 (en) | 2018-10-08 | 2023-08-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Visible light sensor embedded organic light emitting diode display panels and display devices including the same |
US11900642B2 (en) | 2018-10-10 | 2024-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Inspection device and method for operating inspection device |
WO2020075000A1 (ja) * | 2018-10-10 | 2020-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 検査装置および検査装置の動作方法 |
JPWO2020075000A1 (ja) * | 2018-10-10 | 2021-10-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 検査装置および検査装置の動作方法 |
US20210374378A1 (en) * | 2018-10-11 | 2021-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and authentication device |
WO2020075009A1 (ja) * | 2018-10-11 | 2020-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | センサ装置および半導体装置 |
JPWO2020075009A1 (ja) * | 2018-10-11 | 2021-10-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | センサ装置および半導体装置 |
US11997910B2 (en) | 2018-10-11 | 2024-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sensor device and semiconductor device |
JP7376498B2 (ja) | 2018-10-11 | 2023-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | センサ装置 |
WO2020075002A1 (ja) * | 2018-10-11 | 2020-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、及び認証装置 |
JP7144814B2 (ja) | 2018-12-28 | 2022-09-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
US11888080B2 (en) | 2018-12-28 | 2024-01-30 | Japan Display Inc. | Detection device including light sources along an outer circumference of two detection areas each of the detection areas having a specific scan direction |
WO2020137129A1 (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
CN113228307A (zh) * | 2018-12-28 | 2021-08-06 | 株式会社日本显示器 | 检测装置 |
JPWO2020137129A1 (ja) * | 2018-12-28 | 2021-10-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
WO2020148600A1 (ja) * | 2019-01-18 | 2020-07-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
US11882755B2 (en) | 2019-04-12 | 2024-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and system |
JPWO2020208466A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | ||
JP7462619B2 (ja) | 2019-05-10 | 2024-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び電子機器 |
US11825726B2 (en) | 2019-05-10 | 2023-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
WO2020229909A1 (ja) * | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び電子機器 |
JP7333052B2 (ja) | 2019-06-21 | 2023-08-24 | 学校法人立命館 | 光センサ |
JP2021002571A (ja) * | 2019-06-21 | 2021-01-07 | 学校法人立命館 | 光センサ |
WO2021005434A1 (ja) * | 2019-07-05 | 2021-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
JP2021034613A (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
JP7377025B2 (ja) | 2019-08-27 | 2023-11-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
JP7482733B2 (ja) | 2019-09-27 | 2024-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2021079626A1 (ja) * | 2019-10-23 | 2021-04-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
JP7458164B2 (ja) | 2019-10-23 | 2024-03-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
WO2021191735A1 (ja) * | 2020-03-27 | 2021-09-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2022248974A1 (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2022269408A1 (ja) * | 2021-06-25 | 2022-12-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示装置の作製方法、表示モジュール、及び電子機器 |
WO2023002280A1 (ja) * | 2021-07-20 | 2023-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示装置の作製方法、表示モジュール、及び電子機器 |
JP7470752B2 (ja) | 2021-09-15 | 2024-04-18 | レイナジー テック インコーポレイション | 特定の波長を有する光を自己フィルタリングするフォトダイオードの構造 |
JP2023043171A (ja) * | 2021-09-15 | 2023-03-28 | レイナジー テック インコーポレイション | フォトダイオードの構造 |
WO2023171506A1 (ja) * | 2022-03-11 | 2023-09-14 | スタンレー電気株式会社 | パルスオキシメーター用プローブ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI511277B (zh) | 2015-12-01 |
JP5558446B2 (ja) | 2014-07-23 |
TWI487096B (zh) | 2015-06-01 |
US9167994B2 (en) | 2015-10-27 |
CN103022072B (zh) | 2015-08-19 |
TW201316495A (zh) | 2013-04-16 |
TW201444321A (zh) | 2014-11-16 |
CN104157665A (zh) | 2014-11-19 |
US20130075761A1 (en) | 2013-03-28 |
CN103022072A (zh) | 2013-04-03 |
US20140350366A1 (en) | 2014-11-27 |
KR20130033278A (ko) | 2013-04-03 |
KR101421794B1 (ko) | 2014-07-22 |
US9155498B2 (en) | 2015-10-13 |
CN104681593A (zh) | 2015-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5558446B2 (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
US11037012B2 (en) | Image acquisition system | |
US9614115B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP7320006B2 (ja) | 画像センサ及びディスプレイスクリーンを備えたデバイス | |
JP2016513361A (ja) | 溶液処理法による硫化鉛光検出器を用いた新規の赤外線画像センサー | |
US9490442B2 (en) | Organic photoelectronic device and image sensor | |
KR20140048193A (ko) | 투명한 적외선-가시광 업-컨버전 장치 | |
US10957743B2 (en) | Optoelectronic array device having an upper transparent electrode | |
KR20110070473A (ko) | 엑스레이 검출기 | |
US8450746B2 (en) | Pixel array substrate and detecting module | |
US20210202582A1 (en) | Imaging device | |
JP2022160898A (ja) | 検出装置及び撮像装置 | |
JP2008277381A (ja) | 有機薄膜トランジスタの製造方法、表示デバイスの製造方法及び撮像デバイスの製造方法 | |
KR101468592B1 (ko) | 유기 광전 변환막, 광전 변환 소자 및 이미지 센서 | |
EP3885971B1 (en) | A light emitter/sensor unit, a display, and a method for producing a display | |
US20230014108A1 (en) | Organic photodetector and electronic device including the same | |
US20220238576A1 (en) | Imaging device | |
JP2023012380A (ja) | 検出装置 | |
KR20200030880A (ko) | 암전류를 감소시키기 위한 버퍼층을 구비한 유기 광전 소자 및 전자 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20130731 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131022 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140311 |
|
RD07 | Notification of extinguishment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7427 Effective date: 20140319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140403 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140604 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5558446 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |