WO2022248974A1 - 表示装置 - Google Patents

Abstract

精度の高い光検出機能を有する表示装置を提供する。　受光デバイスと、第１の発光デバイスと、絶縁層と、を有する表示装置とする。受光デバイスは、第１の電極と、受光層と、共通電極と、を有する。第１の発光デバイスは、第２の電極と、第１のＥＬ層と、共通電極と、を有する。受光層は、第１の機能層と、第２の機能層と、これらの間の活性層と、を有する。第１の機能層は、正孔輸送性を有する第１の物質を含む。第２の機能層は、電子輸送性を有する第２の物質を含む。活性層の端部、第１の機能層の端部、及び第２の機能層の端部は、互いに一致または概略一致する。第１のＥＬ層は、第３の機能層と、第４の機能層と、これらの間の第１の発光層と、を有する。第３の機能層は、正孔輸送性を有する第３の物質を含む。第４の機能層は、電子輸送性を有する第４の物質を含む。絶縁層は、受光層の側面及び第１のＥＬ層の側面と接する領域を有する。

Description

表示装置

　本発明の一態様は、表示装置に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。

　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野として、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。

　近年、表示装置は、スマートフォン、タブレット型端末、ラップトップＰＣ等の情報端末機器、テレビジョン装置、モニタ装置等、様々な機器に用いられている。また、タッチセンサとしての機能、又は、認証のために指紋を撮像する機能等、画像を表示するだけでなく、様々な機能が付加された表示装置が求められている。

　表示装置として、例えば、発光デバイス（発光素子ともいう）を有する発光装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）現象を利用した発光デバイス（ＥＬデバイス、またはＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置に応用されている。例えば、特許文献１に、有機ＥＬデバイス（有機ＥＬ素子ともいう）が適用された、可撓性を有する発光装置が開示されている。

特開２０１４−１９７５２２号公報

　本発明の一態様は、光検出機能を有し、精細度の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、精度の高い光検出機能を有する表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、光検出機能を有し、消費電力の低い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、光検出機能を有し、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、新規な表示装置を提供することを課題の一つとする。

　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項等の記載から抽出することが可能である。

　本発明の一態様は、受光デバイスと、第１の発光デバイスと、絶縁層と、を有する表示装置である。受光デバイスは、第１の電極と、受光層と、共通電極と、をこの順に積層して有する。第１の発光デバイスは、第２の電極と、第１のＥＬ層と、共通電極と、をこの順に積層して有する。受光層は、第１の機能層と、第２の機能層と、第１の機能層と第２の機能層の間の活性層と、を有する。第１の機能層は、正孔輸送性を有する第１の物質を含む。第２の機能層は、電子輸送性を有する第２の物質を含む。活性層の端部、第１の機能層の端部、及び第２の機能層の端部は、互いに一致または概略一致する。第１のＥＬ層は、第３の機能層と、第４の機能層と、第３の機能層と第４の機能層の間の第１の発光層と、を有する。第３の機能層は、正孔輸送性を有する第３の物質を含む。第４の機能層は、電子輸送性を有する第４の物質を含む。絶縁層は、受光層の側面及び第１のＥＬ層の側面と接する領域を有する。

　前述の表示装置において、第１の物質は、第３の物質と同じであることが好ましい。

　前述の表示装置において、第２の物質は、第４の物質と同じであることが好ましい。

　前述の表示装置において、活性層は、第５の物質を有し、第１の発光層は、第５の物質と異なる第６の物質を有することが好ましい。

　前述の表示装置において、受光層の側面は、受光層の被形成面に対して垂直または概略垂直であることが好ましい。

　前述の表示装置において、第１のＥＬ層の側面は、第１のＥＬ層の被形成面に対して垂直または概略垂直であることが好ましい。

　前述の表示装置において、第１の発光層の端部、第３の機能層の端部、及び第４の機能層の端部は、互いに一致または概略一致することが好ましい。

　前述の表示装置において、第１の発光層の絶縁層と接する領域における膜厚は、第１の発光層の絶縁層と接しない領域における膜厚より薄いことが好ましい。

　前述の表示装置において、第１の発光層の端部は、第３の機能層の端部、及び第４の機能層の端部より内側に位置することが好ましい。

　前述の表示装置において、受光層の端部は、第１の電極の端部より内側に位置することが好ましい。また、絶縁層は、受光層の側面、並びに第１の電極の上面及び側面と接する領域を有することが好ましい。

　前述の表示装置において、第１のＥＬ層の端部は、第２の電極の端部より内側に位置することが好ましい。また、絶縁層は、第１のＥＬ層の側面、並びに第２の電極の上面及び側面と接する領域を有することが好ましい。

　前述の表示装置において、活性層は、第１の機能層を介して第１の電極と重なる領域を有することが好ましい。

　前述の表示装置において、活性層は、第２の機能層を介して第１の電極と重なる領域を有することが好ましい。

　前述の表示装置において、第１の発光層は、第３の機能層を介して第２の電極と重なる領域を有することが好ましい。

　前述の表示装置において、第１の発光層は、第３の機能層を介して第２の電極と重なる領域を有することが好ましい。

　前述の表示装置において、第２の発光デバイスを有することが好ましい。第２の発光デバイスは、第３の電極と、第２のＥＬ層と、共通電極と、をこの順に積層して有する。第２のＥＬ層は、第５の機能層と、第６の機能層と、第５の機能層と第６の機能層の間の第２の発光層と、を有する。第５の機能層は、第３の物質を含む。第６の機能層は、第４の物質を含む。

　前述の表示装置において、第２の発光デバイスを有することが好ましい。第２の発光デバイスは、第３の電極と、第２のＥＬ層と、共通電極と、をこの順に積層して有する。第２のＥＬ層は、第３の機能層と、第４の機能層と、第３の機能層と第４の機能層の間の第２の発光層と、を有する。

　本発明の一態様により、光検出機能を有し、精細度の高い表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、精度の高い光検出機能を有する表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、光検出機能を有し、消費電力の低い表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、光検出機能を有し、信頼性の高い表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、新規な表示装置を提供することができる。

　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項等の記載から抽出することが可能である。

図１Ａ乃至図１Ｄは、表示装置の構成例を示す断面図である。図１Ｅは、撮像した画像の例を示す図である。
図２Ａ乃至図２Ｄは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図３Ａ及び図３Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図４Ａは、表示装置の構成例を示す上面図である。図４Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図５Ａ乃至図５Ｄは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図６Ａ乃至図６Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図７Ａ乃至図７Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図８Ａ乃至図８Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図９Ａ乃至図９Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１０Ａ乃至図１０Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１３Ａ乃至図１３Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１４Ａ乃至図１４Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１５Ａ乃至図１５Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１６Ａ乃至図１６Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１７Ａ乃至図１７Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｅは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１９Ａ乃至図１９Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図２０Ａ乃至図２０Ｅは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図２１Ａ乃至図２１Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図２２Ａ及び図２２Ｂは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図２３Ａ乃至図２３Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図２４Ａ乃至図２４Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図２５Ａ乃至図２５Ｅは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図２６Ａ及び図２６Ｂは、表示装置の構成例を示す上面図である。
図２７Ａ及び図２７Ｂは、表示装置の一例を示す斜視図である。
図２８は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２９は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３０は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３１は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３２は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３３は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３４は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図３５Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図３５Ｂ及び図３５Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図３６は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３７Ａ乃至図３７Ｄは、発光デバイスの構成例を示す断面図である。
図３８Ａ乃至図３８Ｇは、受発光デバイスの構成例を示す断面図である。
図３９Ａ乃至図３９Ｅは、電子機器の一例を示す図である。

　以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

　本明細書で説明する各図において、各構成要素の大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

　本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

　本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」又は「絶縁層」という用語は、「導電膜」又は「絶縁膜」という用語に相互に交換することが可能な場合がある。

　本明細書等において、ＥＬ層とは発光デバイスの一対の電極間に設けられ、少なくとも発光性の物質を含む層（発光層とも呼ぶ）、又は発光層を含む積層体を示すものとする。

　本明細書等において、表示装置の一態様である表示パネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。

　本明細書等において、表示パネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクターが取り付けられたもの、又は基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣが実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュール、又は単に表示パネル等と呼ぶ場合がある。

（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。

　本発明の一態様の表示装置は表示部を有し、表示部はマトリクス状に配置された複数の画素を有する。画素は、発光デバイスと、受光デバイス（受光素子ともいう）と、を有する。発光デバイスは、表示デバイス（表示素子ともいう）として機能する。本発明の一態様の表示装置は、表示部に発光デバイスがマトリクス状に配置されており、当該表示部で画像を表示することができる。また、本発明の一態様の表示装置は、受光デバイスを用いて、光を検出する機能を有する。

　本発明の一態様の表示装置の表示部には、受光デバイスがマトリクス状に配置されており、表示部は、画像表示機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方を有する。表示部は、イメージセンサまたはタッチセンサに用いることができる。つまり、表示部で光を検出することで、画像を撮像すること、または、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。さらに、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスをセンサの光源として利用することができる。したがって、表示装置と別に受光部及び光源を設けなくてもよく、電子機器の部品点数を削減することができる。

　受光デバイスをイメージセンサに用いる場合、表示装置は、受光デバイスを用いて、画像を撮像することができる。例えば、本実施の形態の表示装置は、スキャナとして用いることができる。

　例えば、イメージセンサを用いて、指紋、掌紋などの生体情報に係るデータを取得することができる。つまり、表示装置に、生体認証用センサを内蔵させることができる。表示装置が生体認証用センサを内蔵することで、表示装置とは別に生体認証用センサを設ける場合に比べて、電子機器の部品点数を少なくでき、小型、かつ軽量な電子機器とすることができる。

　受光デバイスをタッチセンサに用いる場合、表示装置は、受光デバイスを用いて、対象物の近接または接触を検出することができる。

　なお、本明細書等において、メタルマスク又はＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスを、ＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク又はＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスを、ＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

　以下ではより具体的な例について、図面を用いて説明する。

＜構成例１＞
　本発明の一態様の表示装置の構成例を示す断面図を、図１Ａ乃至図１Ｄに示す。

　図１Ａに示す表示装置１００は、基板５０と基板５９との間に、受光デバイスを有する層５３と、発光デバイスを有する層５７と、を有する。

　図１Ａは、発光デバイスを有する層５７から、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の光が射出され、受光デバイスを有する層５３に光が入射する構成を示している。なお、図１Ａは、層５７から射出する光、及び層５３に入射する光をそれぞれ矢印で示している。

　なお、本明細書等において、青色（Ｂ）の波長領域は、４００ｎｍ以上４９０ｎｍ未満であり、青色（Ｂ）の光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する。緑色（Ｇ）の波長領域は、４９０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満であり、緑色（Ｇ）の光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する。赤色（Ｒ）の波長領域は、５８０ｎｍ以上７００ｎｍ未満であり、赤色（Ｒ）の光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する。また、本明細書等において、可視光の波長領域は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ未満であり、可視光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する。赤外（ＩＲ）の波長領域は、７００ｎｍ以上９００ｎｍ未満であり、赤外（ＩＲ）光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する。

　本発明の一態様の表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素が表示部に設けられる。１つの画素は、１つ以上の副画素を有する。それぞれの副画素は発光デバイス、又は受光デバイスを有する。例えば、画素は、副画素を４つ有する構成とすることができる。具体的には、１つの画素が、赤色（Ｒ）の光を射出する発光デバイスを有する副画素と、緑色（Ｇ）の光を射出する発光デバイスを有する副画素と、青色（Ｂ）の光を射出する発光デバイスを有する副画素と、受光デバイスを有する副画素と、を有する構成とすることができる。受光デバイスは、可視光の波長域に感度を有することが好ましい。または、受光デバイスは、可視光及び赤外光の波長域に感度を有することが好ましい。

　なお、画素が有する発光デバイスが射出する光の色の組み合わせは赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の３種に限定されない。画素が有する発光デバイスが射出する光の色の組み合わせは、例えば、黄色（Ｙ）、シアン色（Ｃ）、及びマゼンタ色（Ｍ）の３種とすることができる。なお、画素が有する発光デバイスが射出する光の色を４種以上としてもよい。

　画素は、副画素を５つ以上有する構成としてもよい。具体的には、１つの画素が、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、及び白色（Ｗ）の４種の発光デバイスと、受光デバイスと、を有する構成とすることができる。また、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、及び赤外（ＩＲ）の４種の発光デバイスと、受光デバイスと、を有する構成とすることができる。なお、受光デバイスは、全ての画素に設けられていてもよく、一部の画素に設けられていてもよい。なお、１つの画素が複数の受光デバイスを有していてもよい。例えば、１つの画素が、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の３種の発光デバイスと、可視光の波長域に感度を有する受光デバイスと、赤外光の波長域に感度を有する受光デバイスとを有する構成とすることができる。

　本発明の一態様の表示装置は、表示装置に接触している対象物を検出する機能を有することができる。対象物は特に限定されず、生体または物体とすることができる。対象物が生体の場合、表示装置は、例えば、指、または掌を検出する機能を有することができる。図１Ｂに示すように、層５７が有する発光デバイスが発した光を、表示装置１００に接触した指５２が反射し、層５３が有する受光デバイスがその反射光を検出する。これにより、表示装置１００に指５２が接触したことを検出することができる。つまり、本発明の一態様の表示装置は、タッチセンサ（ダイレクトタッチセンサともいう）としての機能を有することができる。また、図１Ｃに示すように、層５７が有する発光デバイスが発した光を、表示装置１００に近接した指５２が反射し、層５３が有する受光デバイスがその反射光を検出する。これにより、表示装置１００に指５２が近接したことを検出することができる。つまり、本発明の一態様の表示装置は、ニアタッチセンサ（ホバーセンサ、ホバータッチセンサ、非接触センサ、またはタッチレスセンサともいう）としての機能を有することができる。

　表示装置１００がニアタッチセンサとしての機能を有する場合、表示装置１００に指５２が接触しなくても、近接することにより指５２を検出することができる。表示装置１００と指５２との間の距離が、例えば、０．１ｍｍ以上３００ｍｍ以下、好ましくは３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で、表示装置１００が指５２を検出できる構成であることが好ましい。当該構成とすることで、表示装置１００に指５２を直接触れずに操作することが可能となる、別言すると、非接触（タッチレス）で表示装置１００を操作することが可能となる。上記構成とすることで、表示装置１００に汚れ、または傷がつくリスクを低減することができる、または、指５２が表示装置１００に付着しうる汚れ（例えば、ゴミ、またはウィルスなど）に直接触れずに、表示装置１００を操作することが可能となる。

　本発明の一態様の表示装置は、表示装置に接触している対象物を撮像する機能を有することができる。表示装置は、例えば、指５２の指紋を検出する機能を有することができる。図１Ｄは、基板５９に指５２が触れている状態における接触部の拡大図を模式的に示している。また、図１Ｄは、発光デバイスを有する層５７と、受光デバイスを有する層５３と、が交互に配列する様子を示している。

　指５２は凹部及び凸部により指紋が形成されている。そのため、図１Ｄに示すように指紋の凸部が基板５９に触れている。

　ある表面、または界面から反射される光には、正反射と拡散反射がある。正反射光は入射角と反射角が一致する、指向性の高い光であり、拡散反射光は、強度の角度依存性が低い、指向性の低い光である。指５２の表面から反射される光は、正反射と拡散反射のうち拡散反射の成分が支配的となる。一方、基板５９と大気との界面から反射される光は、正反射の成分が支配的となる。

　指５２と基板５９との接触面又は非接触面で反射され、これらの直下に位置する層５３に入射される光の強度は、正反射光と拡散反射光とを足し合わせたものとなる。上述のように指５２の凹部では基板５９と指５２が接触しないため、正反射光（実線矢印で示す）が支配的となり、凸部ではこれらが接触するため、指５２からの拡散反射光（破線矢印で示す）が支配的となる。したがって、凹部の直下に位置する層５３が有する受光デバイスで受光する光の強度は、凸部の直下に位置する層５３が有する受光デバイスで受光する光の強度よりも高くなる。よって、受光デバイスを用いて指５２の指紋を撮像することができる。

　層５３が有する受光デバイスの配列間隔は、指紋の２つの凸部間の距離、好ましくは隣接する凹部と凸部間の距離よりも小さい間隔とすることで、鮮明な指紋の画像を取得することができる。人の指紋の凹部と凸部の間隔は概ね１５０μｍから２５０μｍの間であることから、受光デバイスの配列間隔は、例えば、４００μｍ以下、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１２０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下とする。配列間隔は小さいほど好ましいが、例えば、１μｍ以上、１０μｍ以上、又は２０μｍ以上とすることができる。

　図１Ｅは、本発明の一態様の表示装置で撮像した指紋の画像の例である。図１Ｅでは、領域６５に、指５２の輪郭を破線で、接触部６９の輪郭を一点鎖線で示している。領域６５において、受光デバイスに入射する光量の違いによって、コントラストの高い指紋６７を撮像することができる。また、取得した指紋の画像を用いて、指紋認証を行うことができる。なお、ここでは対象物を指として指紋を撮像する例を挙げて説明したが、本発明の一態様はこれに限られない。例えば、表示装置は、表示部に接触又は近接する掌を検出することができる。また、表示装置は、掌紋を撮像することができ、取得した掌紋の画像を用いて、掌紋認証を行うことができる。

　以上のように、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが発し、対象物に照射され、当該対象物により反射された光を受光デバイスが検出することができる。よって、暗い場所でも、表示部に接触又は近接する対象物を検出することができる。さらに、表示装置は、例えば、指紋認証、及び掌紋認証等の認証を行うことができる。

　受光デバイスを表示部に設けることにより、センサを表示装置に外付けする必要が無くなる。よって、部品点数を少なくできるため、小型、かつ軽量の表示装置とすることができる。

　基板５０は、発光デバイス、及び受光デバイスの形成に耐えうる耐熱性を有する基板を用いることができる。基板５０として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、有機樹脂基板などを用いることができる。また、シリコンまたは炭化シリコンなどを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などの半導体基板を用いることができる。

　特に、基板５０として、前述の絶縁性基板または半導体基板上に、トランジスタなどの半導体素子を含む半導体回路が形成された基板を用いることが好ましい。当該半導体回路は、例えば、画素回路、ゲート線駆動回路（ゲートドライバ）、ソース線駆動回路（ソースドライバ）などを構成していることが好ましい。また、上記に加えて演算回路、記憶回路などが構成されていてもよい。

＜構成例２＞
［構成例２−１］
　本発明の一態様の表示装置に適用できる発光デバイス、及び受光デバイスの構成について、説明する。本発明の一態様の表示装置の断面概略図を、図２Ａに示す。図２Ａは、表示装置に適用できる発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、発光デバイス２０Ｂ、及び受光デバイス３０ＰＳの構成を示している。

　発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂはそれぞれ、光を発する機能（以下、発光機能とも記す）を有する。発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂは、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、又はＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等のＥＬ素子を用いることが好ましい。ＥＬ素子が有する発光物質として、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、無機化合物（量子ドット材料等）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ：Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　Ａｃｔｉｖａｔｅｄ　Ｄｅｌａｙｅｄ　Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）材料）等が挙げられる。なお、ＴＡＤＦ材料として、一重項励起状態と三重項励起状態が熱平衡状態にある材料を用いてもよい。このようなＴＡＤＦ材料は発光寿命（励起寿命）が短くなるため、発光デバイスにおける高輝度領域での効率低下を抑制することができる。

　発光デバイス２０Ｒは、電極２１ａ、ＥＬ層２５Ｒ、及び電極２３を有する。発光デバイス２０Ｇは、電極２１ｂ、ＥＬ層２５Ｇ、及び電極２３を有する。発光デバイス２０Ｂは、電極２１ｃ、ＥＬ層２５Ｂ、及び電極２３を有する。発光デバイス２０Ｒにおいて、電極２１ａと電極２３との間に挟持されるＥＬ層２５Ｒは、少なくとも発光層を有する。当該発光層は光を発する発光物質を有し、電極２１ａと電極２３との間に電圧を印加することにより、ＥＬ層２５Ｒから光が射出される。同様に、ＥＬ層２５Ｇは、少なくとも発光層を有する。当該発光層は、光を発する発光物質を有し、電極２１ｂと電極２３との間に電圧を印加することにより、ＥＬ層２５Ｇから光が射出される。ＥＬ層２５Ｂは、少なくとも発光層を有する。当該発光層は、光を発する発光物質を有し、電極２１ｃと電極２３との間に電圧を印加することにより、ＥＬ層２５Ｂから光が射出される。

　ＥＬ層２５Ｒ、ＥＬ層２５Ｇ、及びＥＬ層２５Ｂはそれぞれ、さらに、正孔注入性の高い物質を含む層（以下、正孔注入層と記す）、正孔輸送性の高い物質を含む層（以下、正孔輸送層と記す）、電子輸送性の高い物質を含む層（以下、電子輸送層と記す）、電子注入性の高い物質を含む層（以下、電子注入層と記す）、キャリアブロック層、励起子ブロック層、及び電荷発生層の一または複数を有してもよい。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、キャリアブロック層、励起子ブロック層、及び電荷発生層は、機能層ともいうことができる。

　なお、本明細書等において、発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂに共通の事柄を説明する場合、またはこれらを区別する必要が無い場合、単に発光デバイス２０と記す場合がある。同様に、ＥＬ層２５Ｒ、ＥＬ層２５Ｇ、及びＥＬ層２５Ｂなど、アルファベットで区別する構成要素についても、これらに共通する事項を説明する場合には、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。

　受光デバイス３０ＰＳは、光を検出する機能（以下、受光機能とも記す）を有する。受光デバイス３０ＰＳは、可視光を検出する機能を有する。受光デバイス３０ＰＳは、可視光に感度を有する。受光デバイス３０ＰＳは、可視光及び赤外光を検出する機能を有するとさらに好ましい。受光デバイス３０ＰＳは、可視光、及び赤外光に感度を有することが好ましい。受光デバイス３０ＰＳは、例えば、ｐｎ型またはｐｉｎ型のフォトダイオードを用いることができる。

　受光デバイス３０ＰＳは、電極２１ｄ、受光層３５ＰＳ、及び電極２３を有する。電極２１ｄと電極２３との間に挟持される受光層３５ＰＳは、少なくとも活性層を有する。受光デバイス３０ＰＳは、光電変換デバイスとして機能し、受光層３５ＰＳに入射する光によって電荷を発生させ、電流として取り出すことができる。この時、電極２１ｄと電極２３との間に電圧を印加してもよい。受光層３５ＰＳに入射する光量に基づき、発生する電荷量が決まる。

　受光層３５ＰＳは、さらに、正孔輸送層、電子輸送層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）を含む層、及びキャリアブロック層の一または複数を有してもよい。受光層３５ＰＳは、正孔注入層に用いることができる物質を含む層を有してもよい。受光デバイス３０ＰＳにおいて、当該層は正孔輸送層として機能することができる。また、受光層３５ＰＳは、電子注入層に用いることができる物質を含む層を有してもよい。受光デバイス３０ＰＳにおいて、当該層は電子輸送層として機能することができる。なお、正孔注入性を有する物質は、正孔輸送性を有するとも言える。電子注入性を有する物質は、電子輸送性を有するとも言える。したがって、本明細書等において、正孔注入性を有する物質を、正孔輸送性を有する物質と記す場合がある。同様に、電子注入性を有する物質を、電子輸送性を有する物質と記す場合がある。

　活性層は、半導体を含む。当該半導体として、シリコンなどの無機半導体、及び、有機化合物を含む有機半導体が挙げられる。特に、受光デバイス３０ＰＳとして、有機半導体を含む層を有する有機フォトダイオードを用いることが好ましい。有機フォトダイオードは、薄型化、軽量化、及び大面積化が容易であり、また、形状及びデザインの自由度が高いため、様々な表示装置に適用できる。また、有機半導体を用いることで、発光デバイス２０が有するＥＬ層と、受光デバイス３０ＰＳが有する受光層と、を同じ方法（例えば、真空蒸着法）で形成することができ、共通の製造装置を使用できるため好ましい。

　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂとして有機ＥＬデバイスを用い、受光デバイス３０ＰＳとして有機フォトダイオードを好適に用いることができる。有機ＥＬデバイス及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬデバイスを用いた表示装置に有機フォトダイオードを内蔵することができる。本発明の一態様である表示装置は、画像を表示する機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方も有する。

　電極２１ａ、電極２１ｂ、電極２１ｃ、及び電極２１ｄは、同一面上に設けられる。図２Ａは、電極２１ａ、電極２１ｂ、電極２１ｃ、及び電極２１ｄが基板５０上に設けられる構成を示している。電極２１ａ、電極２１ｂ、電極２１ｃ、及び電極２１ｄは、同じ材料を用いることができる。また、電極２１ａ、電極２１ｂ、電極２１ｃ、及び電極２１ｄは、同じ工程を経て形成することができる。例えば、電極２１ａ、電極２１ｂ、電極２１ｃ、及び電極２１ｄは、基板５０上に形成された導電膜を島状に加工することにより形成できる。電極２１ａ、電極２１ｂ、電極２１ｃ、及び電極２１ｄを同一の工程で形成することにより、表示装置の生産性を高めることができる。

　なお、電極２１ａ、電極２１ｂ、電極２１ｃ、及び電極２１ｄを異なる工程で形成してもよい。また、電極２１ａ、電極２１ｂ、電極２１ｃ、及び電極２１ｄで膜厚を異ならせてもよい。電極２１ａ、電極２１ｂ、電極２１ｃ、及び電極２１ｄの膜厚を異ならせることにより、光学調整層として用いることができる。

　電極２１ａ、電極２１ｂ、電極２１ｃ、及び電極２１ｄはそれぞれ、画素電極ということができる。電極２３は、発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、発光デバイス２０Ｂ、及び受光デバイス３０ＰＳで共通する層であり、共通電極ということができる。画素電極と共通電極のうち、光を射出させる、または光を入射させる側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用いる。光を射出させない、または光を入射させない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

　図２Ａは、発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、発光デバイス２０Ｂ、及び受光デバイス３０ＰＳのそれぞれにおいて、電極２１ａ、電極２１ｂ、電極２１ｃ、及び電極２１ｄが陽極として機能し、電極２３が陰極として機能する構成を模式的に示している。図２Ａでは、陽極と陰極の向きを分かりやすくするため、発光デバイス２０Ｒの左側に発光ダイオードの回路記号を示し、受光デバイス３０ＰＳの右側にフォトダイオードの回路記号を示している。また、電子を−（マイナス）を付した丸印で示し、ホールを＋（プラス）を付した丸印で示し、電子及びホールの流れる向きを模式的に矢印で示している。

　発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂにおいて、陽極として機能する電極２１ａ、電極２１ｂ、及び電極２１ｃは、第１の電位を供給する第１の配線と電気的に接続される。発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、発光デバイス２０Ｂ、及び受光デバイス３０ＰＳにおいて、陰極として機能する電極２３は、第２の電位を供給する第２の配線と電気的に接続される。第２の電位は、第１の電位より低い電位とする。受光デバイス３０ＰＳにおいて、陽極として機能する電極２１ｄは、第３の電位を供給する第３の配線と電気的に接続される。ここで、受光デバイス３０ＰＳには逆バイアス電圧を印加する。つまり、第３の電位は、第２の電位より低い電位とする。

　図２Ａに示す構成の具体例を、図２Ｂに示す。発光デバイス２０Ｒにおいて、ＥＬ層２５Ｒは、第１の機能層２７ａと、発光層４１Ｒと、第２の機能層２９ａと、をこの順に積層して有する。発光デバイス２０Ｇにおいて、ＥＬ層２５Ｇは、第１の機能層２７ｂと、発光層４１Ｇと、第２の機能層２９ｂと、をこの順に積層して有する。発光デバイス２０Ｂにおいて、ＥＬ層２５Ｂは、第１の機能層２７ｃと、発光層４１Ｂと、第２の機能層２９ｃと、をこの順に積層して有する。

　なお、発光デバイス２０Ｒにおいて、一対の電極（電極２１ａ及び電極２３）の間に設けられた第１の機能層２７ａ、発光層４１Ｒ、及び第２の機能層２９ａを有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書等において発光デバイス２０Ｒの構成をシングル構造と呼ぶ場合がある。発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂも同様である。

　第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃは、発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂにおいて、陽極として機能する電極２１ａ、電極２１ｂ、及び電極２１ｃ側に位置する。第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃはそれぞれ、正孔輸送層または正孔注入層とすることができる。または、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃはそれぞれ、正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、の積層構造としてもよい。さらに、正孔注入層が積層構造を有してもよく、正孔輸送層が積層構造を有してもよい。または、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃはそれぞれ、正孔輸送性を有する物質、及び正孔注入性を有する物質を有してもよい。

　第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃは、同じ材料を用いることができる。また、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃは、同じ工程を経て形成することができる。例えば、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃは、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃとなる膜を加工することにより形成できる。第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃを同一の工程で形成することにより、表示装置の生産性を高めることができる。

　第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃは、発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂにおいて、陰極として機能する電極２３側に位置する。第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃはそれぞれ、電子輸送層または電子注入層とすることができる。または、第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃはそれぞれ、電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、の積層構造としてもよい。さらに、電子注入層が積層構造を有してもよく、電子輸送層が積層構造を有してもよい。または、第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃはそれぞれ、電子輸送性を有する物質、及び電子注入性を有する物質を有してもよい。

　第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃは、同じ材料を用いることができる。また、第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃは、同じ工程を経て形成することができる。例えば、第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃは、第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃとなる膜を加工することにより形成できる。第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃを同一の工程で形成することにより、表示装置の生産性を高めることができる。

　図２Ｂに示すように、受光デバイス３０ＰＳにおいて、受光層３５ＰＳは、第３の機能層３７ＰＳと、活性層４３ＰＳと、第４の機能層３９ＰＳと、をこの順に積層して有する。

　受光デバイス３０ＰＳの陽極として機能する電極２１ｄ側に位置する第３の機能層３７ＰＳは、正孔輸送層とすることができる。第３の機能層３７ＰＳが含む正孔輸送性を有する物質は、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃが含む正孔輸送性を有する物質と異なってもよい。受光デバイス３０ＰＳが有する第３の機能層３７ＰＳは、発光デバイス２０を構成する層（例えば、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃ）と異なる工程で形成することが好ましい。異なる工程で形成することにより、受光デバイス３０ＰＳにより適した材料を第３の機能層３７ＰＳに適用することができる。同様に、発光デバイス２０により適した材料を第１の機能層２７に適用することができる。

　第３の機能層３７ＰＳは、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃに用いることができる材料を用いることができる。第３の機能層３７ＰＳが含む正孔輸送性を有する物質は、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃが含む正孔輸送性を有する物質と異なってもよく、同じであってもよい。第３の機能層３７ＰＳが積層構造を有してもよい。

　第３の機能層３７ＰＳが含む正孔輸送性を有する物質と、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃが含む正孔輸送性を有する物質と、が異なる場合、それぞれのデバイスに最適な正孔電子輸送性を有する物質を選択することができ、好適である。一方で、第３の機能層３７ＰＳが含む正孔輸送性を有する物質と、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃが含む正孔輸送性を有する物質と、が同じ場合、共通の装置（例えば、共通の蒸着装置）を用いて作製することができ、製造コストを抑制することができるため好適である。

　受光デバイス３０ＰＳの陰極として機能する電極２３側に位置する第４の機能層３９ＰＳは、電子輸送層とすることができる。第４の機能層３９ＰＳが含む電子輸送性を有する物質は、第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃが含む電子輸送性を有する物質と異なってもよい。受光デバイス３０ＰＳが有する第４の機能層３９ＰＳは、発光デバイス２０を構成する層（例えば、第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃ）と異なる工程で形成することが好ましい。異なる工程で形成することにより、受光デバイス３０ＰＳにより適した材料を第４の機能層３９ＰＳに適用することができる。同様に、発光デバイス２０により適した材料を第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃに適用することができる。

　第４の機能層３９ＰＳは、第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃに用いることができる材料を用いることができる。第４の機能層３９ＰＳが含む電子輸送性を有する物質は、第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃが含む電子輸送性を有する物質と異なってもよく、同じであってもよい。第４の機能層３９ＰＳが積層構造を有してもよい。

　第４の機能層３９ＰＳが含む電子輸送性を有する物質と、第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃが含む電子輸送性を有する物質と、が異なる場合、それぞれのデバイスに最適な電子輸送性を有する物質を選択することができ、好適である。一方で、第４の機能層３９ＰＳが含む電子輸送性を有する物質と、第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃが含む電子輸送性を有する物質と、が同じ場合、共通の装置（例えば、共通の蒸着装置）を用いて作製することができ、製造コストを抑制することができるため好適である。

　なお、第３の機能層３７ＰＳは、発光デバイスにおいて正孔注入層として機能する層、つまり正孔注入性の高い物質を含む層を有してもよい。正孔注入層は、受光デバイスにおいて正孔輸送層として機能することができる。第４の機能層３９ＰＳは、発光デバイスにおいて電子注入層として機能する層、つまり電子注入性の高い物質を含む層を有してもよい。電子注入層は、受光デバイスにおいて電子輸送層として機能することができる。

　図２Ｂ等に示すように、ＥＬ層２５Ｒ、ＥＬ層２５Ｇ、ＥＬ層２５Ｂ、及び受光層３５ＰＳは、互いに共通する層を有さないことが好ましい。また、ＥＬ層２５Ｒ、ＥＬ層２５Ｇ、ＥＬ層２５Ｂ、及び受光層３５ＰＳは、互いに接する領域を有さないことが好ましい。つまり、ＥＬ層２５Ｒ、ＥＬ層２５Ｇ、ＥＬ層２５Ｂ、及び受光層３５ＰＳは、分離していることが好ましい。

　隣接する２つの発光デバイス２０のＥＬ層２５が分離していることにより、発光デバイス２０間でリーク電流が発生することを抑制することができる。つまり、所望の発光デバイス以外が発光してしまう現象（クロストークともいう）を抑制することができ、表示品質の高い表示装置とすることができる。

　受光デバイス３０ＰＳの受光層３５ＰＳが、隣接する発光デバイス２０のＥＬ層２５と分離していることにより、発光デバイス２０から受光デバイス３０ＰＳにリーク電流が流れ込むこと（サイドリークともいう）を抑制できる。したがって、ＳＮ比（Ｓｉｇｎａｌ　ｔｏ　Ｎｏｉｓｅ　Ｒａｔｉｏ）が高く、精度の高い受光デバイス３０ＰＳとすることができる。

　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイス２０と受光デバイス３０ＰＳとの間のサイドリークが抑制されることから、発光デバイス２０と受光デバイス３０ＰＳの間隔を狭くすることができる。つまり、画素に占める発光デバイス２０、及び受光デバイス３０ＰＳの割合（以下、開口率ともいう）をそれぞれ高めることができる。また、画素のサイズを小さくすることができ、表示装置の精細度を高めることができる。したがって、光検出機能を有し、高開口率の表示装置を実現することができる。また、光検出機能を有し、高精細の表示装置を実現することができる。

　受光デバイス３０ＰＳの精細度は、１００ｐｐｉ以上、好ましくは２００ｐｐｉ以上、より好ましくは３００ｐｐｉ以上、より好ましくは４００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは５００ｐｐｉ以上であって、２０００ｐｐｉ以下、１０００ｐｐｉ以下、または６００ｐｐｉ以下などとすることができる。特に、受光デバイス３０ＰＳの精細度を２００ｐｐｉ以上６００ｐｐｉ以下、好ましくは３００ｐｐｉ以上６００ｐｐｉ以下とすることで、指紋の撮像に好適に用いることができる。

　本発明の一態様の表示装置を用いて指紋認証を行う場合、受光デバイス３０ＰＳの精細度を高くすることで、例えば、指紋の特徴点（Ｍｉｎｕｔｉａ）を高い精度で抽出でき、指紋認証の精度を高めることができる。また、精細度が５００ｐｐｉ以上であると、米国国立標準技術研究所（ＮＩＳＴ：Ｎａｔｉｏｎａｌ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｓｔａｎｄａｒｄｓ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）などの規格に準拠できるため、好適である。なお、受光デバイスの精細度を５００ｐｐｉと仮定した場合、１画素あたり５０．８μｍのサイズとなり、指紋の幅（代表的には、３００μｍ以上５００μｍ以下）を撮像するには、十分な精細度であることがわかる。

［構成例２−２］
　図２Ａ及び図２Ｂに示す構成と異なる構成を、図２Ｃに示す。図２Ｃに示す表示装置は、発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂにおいて、電極２１ａ、電極２１ｂ、及び電極２１ｃが陽極として機能し、電極２３が陰極として機能し、受光デバイス３０ＰＳにおいて、電極２１ｄが陰極として機能し、電極２３が陽極として機能する構成を模式的に示している。

　発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂにおいて、陽極として機能する電極２１ａ、電極２１ｂ、及び電極２１ｃは、第１の電位を供給する第１の配線と電気的に接続される。発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂにおいて、陰極として機能し、かつ受光デバイス３０ＰＳにおいて、陽極として機能する電極２３は、第２の電位を供給する第２の配線と電気的に接続される。第２の電位は、第１の電位より低い電位とする。受光デバイス３０ＰＳにおいて、陰極として機能する電極２１ｄは、第３の電位を供給する第３の配線と電気的に接続される。第３の電位は、第２の電位より高い電位とする。

　図２Ｃに示すように、共通電極として機能する電極２３が、発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂにおいて陽極または陰極の一方として機能し、受光デバイス３０ＰＳにおいて陽極または陰極の他方として機能する構成とすることができる。このような構成とすることにより、発光デバイス２０の画素電極（電極２１ａ、電極２１ｂ及び電極２１ｃ）と、受光デバイス３０ＰＳの画素電極（電極２１ｄ）の電位差を小さくすることができ、画素電極間のリーク（以下、サイドリークともいう）を抑制することができる。したがって、ＳＮ比が高く、精度の高い受光デバイス３０ＰＳとすることができる。

　例えば、第１の電位（電極２１ａ、電極２１ｂ及び電極２１ｃに供給される電位）を１２Ｖ、第２の電位（電極２３に供給される電位）を０Ｖ、第３の電位（電極２１ｄに供給される電位）を４Ｖとすることができる。このような構成とすることにより、発光デバイス２０の画素電極（電極２１ａ、電極２１ｂ及び電極２１ｃ）と受光デバイス３０ＰＳの画素電極（電極２１ｄ）の電位差を小さくすることができ、発光デバイス２０と受光デバイス３０ＰＳとの間のサイドリークを抑制することができる。

　さらに、第１の電位、第２の電位、及び第３の電位の最も高い電位と最も低い電位の差を小さくすることができるため、消費電力の低い表示装置とすることができる。

　図２Ｃに示す構成の具体例を、図２Ｄに示す。発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂについては、前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　受光デバイス３０ＰＳの陰極として機能する電極２１ｄ側に位置する第３の機能層３７ＰＳは、電子輸送層とすることができる。第３の機能層３７ＰＳが含む電子輸送性を有する物質は、第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃが含む電子輸送性を有する物質と異なってもよい。なお、第３の機能層３７ＰＳは、第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃに用いることができる材料を用いることができる。第３の機能層３７ＰＳが含む電子輸送性を有する物質は、第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃが含む電子輸送性を有する物質と同じであってもよい。

　受光デバイス３０ＰＳの陽極として機能する電極２３側に位置する第４の機能層３９ＰＳは、正孔輸送層とすることができる。第４の機能層３９ＰＳが含む正孔輸送性を有する物質は、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃが含む正孔輸送性を有する物質と異なってもよい。なお、第４の機能層３９ＰＳは、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃに用いることができる材料を用いることができる。第４の機能層３９ＰＳが含む正孔輸送性を有する物質は、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃが含む正孔輸送性を有する物質と同じであってもよい。

　なお、第３の機能層３７ＰＳは、発光デバイスにおいて電子注入層として機能する層、つまり電子注入性の高い物質を含む層を有してもよい。第４の機能層３９ＰＳは、発光デバイスにおいて正孔注入層として機能する層、つまり正孔注入性の高い物質を含む層を有してもよい。

　本実施の形態では、発光デバイス２０において、電極２１ａ、電極２１ｂ及び電極２１ｃが陽極として機能し、電極２３が陰極として機能する構成を説明したが、本発明の一態様はこれに限られない。発光デバイス２０において、電極２１ａ、電極２１ｂ及び電極２１ｃが陰極として機能し、電極２３が陽極として機能する構成とすることもできる。その場合、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃは、電子輸送層及び電子注入層の一または双方とすることができる。第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃは、正孔輸送層または正孔注入層の一または双方とすることができる。

［構成例２−３］
　図２Ｂに示す構成と異なる構成を、図３Ａに示す。図３Ａに示す発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂは、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃに代わり、第１の機能層２７を有し、第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃに代わり、第２の機能層２９を有する。第１の機能層２７は、発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂで共通する層であり、第１の共通層と呼ぶことができる。同様に、第２の機能層２９は、発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂで共通する層であり、第２の共通層と呼ぶことができる。

　図３Ａに示すように、発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂの陽極として機能する電極２１ａ、電極２１ｂ、及び電極２１ｃ側に位置する第１の機能層２７は、正孔輸送層または正孔注入層とすることができる。または、第１の機能層２７は、正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、の積層構造としてもよい。第１の機能層２７については、第１の機能層２７ａ、第１の機能層２７ｂ、及び第１の機能層２７ｃの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂの陰極として機能する電極２３側に位置する第２の機能層２９は、電子輸送層または電子注入層とすることができる。または、第２の機能層２９は、電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、の積層構造としてもよい。第２の機能層２９については、第２の機能層２９ａ、第２の機能層２９ｂ、及び第２の機能層２９ｃの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　なお、電極２３と第２の機能層２９との間、及び電極２３と第４の機能層３９ＰＳとの間に、第３の共通層を設けてもよい。第３の共通層は、例えば、電子注入層を有する。または、第３の共通層は、電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層の積層構造としてもよい。第３の共通層は、発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、発光デバイス２０Ｂ、及び受光デバイス３０ＰＳに共通する層である。なお、第３の共通層に電子注入層を用いる場合、当該電子注入層は受光デバイス３０ＰＳにおいて電子輸送層として機能する。

　なお、図３Ｂに示すように、受光デバイス３０ＰＳにおいて、電極２１ｄが陰極として機能し、電極２３が陽極として機能する構成としてもよい。

　なお、電極２３と第２の機能層２９との間、及び電極２３と第４の機能層３９ＰＳとの間に、第３の共通層を設けてもよい。第３の共通層は、前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。なお、第３の共通層に電子注入層を用いる場合、当該電子注入層は受光デバイス３０ＰＳにおいて特定の機能を有さなくてもよい。

　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料として、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

　発光デバイスにおいて、正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。受光デバイスにおいて、正孔輸送層は、活性層において入射した光に基づき発生した正孔を陽極に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料は、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料は、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

　発光デバイスにおいて、電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。受光デバイスにおいて、電子輸送層は、活性層において入射した光に基づき発生した電子を陰極に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料は、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料は、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。

　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料として、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料として、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

　電子注入層は、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層は、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造として、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成とすることができる。

　または、電子注入層は、電子輸送性材料を用いてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも一つを有する化合物を用いることができる。

　なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）が、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移点（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

　電荷発生層は、例えば、リチウムなどの電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、電荷発生層は、例えば、正孔注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、電荷発生層には、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む層を用いることができる。また、電荷発生層には、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を用いることができる。このような層を有する電荷発生層を形成することにより、発光ユニットが積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。

　活性層は、半導体を含む。当該半導体として、シリコンなどの無機半導体、及び、有機化合物を含む有機半導体が挙げられる。本実施の形態では、活性層が有する半導体として、有機半導体を用いる例を示す。有機半導体を用いることで、発光層と、活性層と、を同じ方法（例えば、真空蒸着法）で形成することができ、製造装置を共通化できるため好ましい。

　活性層が有するｎ型半導体の材料として、フラーレン（例えばＣ_６０、Ｃ_７０等）、フラーレン誘導体等の電子受容性の有機半導体材料が挙げられる。フラーレンは、サッカーボールのような形状を有し、当該形状はエネルギー的に安定である。フラーレンは、ＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位の双方が深い（低い）。フラーレンは、ＬＵＭＯ準位が深いため、電子受容性（アクセプター性）が極めて高い。通常、ベンゼンのように、平面にπ電子共役（共鳴）が広がると、電子供与性（ドナー性）が高くなるが、フラーレンは球体形状であるため、π電子共役が大きく広がっているにも関わらず、電子受容性が高くなる。電子受容性が高いと、電荷分離を高速に効率よく起こすため、受光デバイスとして有益である。Ｃ_６０、Ｃ_７０ともに可視光領域に広い吸収帯を有しており、特にＣ_７０はＣ_６０に比べてπ電子共役系が大きく、長波長領域にも広い吸収帯を有するため好ましい。そのほか、フラーレン誘導体として、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ−Ｃ_７１−ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ（略称：ＰＣ_７０ＢＭ）、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ−Ｃ_６１−ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ（略称：ＰＣ_６０ＢＭ）、１’，１’’，４’，４’’−Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ−ｄｉ［１，４］ｍｅｔｈａｎｏｎａｐｈｔｈａｌｅｎｏ［１，２：２’，３’，５６，６０：２’’，３’’］［５，６］ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ−Ｃ_６０（略称：ＩＣＢＡ）などが挙げられる。

　ｎ型半導体の材料として、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｍｅ−ＰＴＣＤＩ）などのペリレンテトラカルボン酸誘導体が挙げられる。

　ｎ型半導体の材料として、例えば、２，２’−（５，５’−（チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル）ビス（チオフェン−５，２−ジイル））ビス（メタン−１−イル−１−イリデン）ジマロノニトリル（略称：ＦＴ２ＴＤＭＮ）が挙げられる。

　ｎ型半導体の材料として、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、クマリン誘導体、ローダミン誘導体、トリアジン誘導体、キノン誘導体等が挙げられる。

　活性層が有するｐ型半導体の材料として、銅（ＩＩ）フタロシアニン（Ｃｏｐｐｅｒ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＣｕＰｃ）、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（Ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｄｉｂｅｎｚｏｐｅｒｉｆｌａｎｔｈｅｎｅ；ＤＢＰ）、亜鉛フタロシアニン（Ｚｉｎｃ　Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＺｎＰｃ）、スズフタロシアニン（ＳｎＰｃ）、キナクリドン、ルブレン等の電子供与性の有機半導体材料が挙げられる。

　ｐ型半導体の材料として、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体、芳香族アミン骨格を有する化合物等が挙げられる。さらに、ｐ型半導体の材料として、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、ピロール誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンゾチオフェン誘導体、インドール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、キナクリドン誘導体、ルブレン誘導体、テトラセン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。

　電子供与性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。電子供与性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。

　電子受容性の有機半導体材料として、球状のフラーレンを用い、電子供与性の有機半導体材料として、平面に近い形状の有機半導体材料を用いることが好ましい。似た形状の分子同士は集まりやすい傾向にあり、同種の分子が凝集すると、分子軌道のエネルギー準位が近いため、キャリア輸送性を高めることができる。

　例えば、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体と共蒸着して形成することが好ましい。または、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体とを積層して形成してもよい。

　発光デバイス及び受光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイス及び受光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　例えば、正孔輸送性材料または電子ブロック材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などの高分子化合物、及び、モリブデン酸化物、ヨウ化銅（ＣｕＩ）などの無機化合物を用いることができる。また、電子輸送性材料または正孔ブロック材料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの無機化合物、ポリエチレンイミンエトキシレート（ＰＥＩＥ）などの有機化合物を用いることができる。受光デバイスは、例えば、ＰＥＩＥとＺｎＯとの混合膜を有していてもよい。

　活性層に、ドナーとして機能するＰｏｌｙ［［４，８−ｂｉｓ［５−（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）−２−ｔｈｉｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｏ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２，６−ｄｉｙｌ］−２，５−ｔｈｉｏｐｈｅｎｅｄｉｙｌ［５，７−ｂｉｓ（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）−４，８−ｄｉｏｘｏ−４Ｈ，８Ｈ−ｂｅｎｚｏ［１，２−ｃ：４，５−ｃ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−１，３−ｄｉｙｌ］］ｐｏｌｙｍｅｒ（略称：ＰＢＤＢ−Ｔ）、または、ＰＢＤＢ−Ｔ誘導体などの高分子化合物を用いることができる。例えば、ＰＢＤＢ−ＴまたはＰＢＤＢ−Ｔ誘導体にアクセプター材料を分散させる方法などが使用できる。

　本発明の一態様の表示装置のより具体的な構成例について、説明する。

＜構成例３＞
［構成例３−１］
　本発明の一態様の表示装置１００Ａの構成例を示す上面概略図を、図４Ａに示す。表示装置１００Ａは、複数の画素１０３がマトリクス状に配置された表示部と、表示部の外側の接続部１４０と、を有する。

　それぞれの画素１０３は、複数の副画素を有する。図４Ａは、画素１０３が、副画素１２０Ｒ、副画素１２０Ｇ、副画素１２０Ｂ、及び副画素１３０を有する例を示している。副画素１２０Ｒは、赤色の光を発する発光デバイス１１０Ｒを有する。副画素１２０Ｇは、緑色の光を発する発光デバイス１１０Ｇを有する。副画素１２０Ｂは、青色の光を発する発光デバイス１１０Ｂを有する。副画素１３０は、受光デバイス１５０を有する。図４Ａでは、各デバイスの区別を簡単にするため、発光デバイス１１０の発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。また、受光デバイス１５０の受光領域内にＰＳの符号を付している。

　図４Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２、及び一点鎖線Ｄ１−Ｄ２に対応する断面図を、図４Ｂに示す。発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、発光デバイス１１０Ｂ、及び受光デバイス１５０は、基板１０１上に設けられる。

　なお、本明細書等において、例えば「Ａ上のＢ」、又は「Ａ下のＢ」という場合、必ずしもＡとＢが接する領域を有さなくてもよい。

　発光デバイス１１０Ｒは、電極１１１ａと、共通電極１２３と、電極１１１ａと共通電極１２３との間に挟持されるＥＬ層１７５Ｒと、を有する。ＥＬ層１７５Ｒは、第１の機能層１１５ａと、第２の機能層１１６ａと、第１の機能層１１５ａと第２の機能層１１６ａとの間に挟持される発光層１１２Ｒと、を有する。

　発光デバイス１１０Ｇは、電極１１１ｂと、共通電極１２３と、電極１１１ｂと共通電極１２３との間に挟持されるＥＬ層１７５Ｇと、を有する。ＥＬ層１７５Ｇは、第１の機能層１１５ｂと、第２の機能層１１６ｂと、第１の機能層１１５ｂと第２の機能層１１６ｂとの間に挟持される発光層１１２Ｇと、を有する。

　発光デバイス１１０Ｂは、電極１１１ｃと、共通電極１２３と、電極１１１ｃと共通電極１２３との間に挟持されるＥＬ層１７５Ｂと、を有する。ＥＬ層１７５Ｂは、第１の機能層１１５ｃと、第２の機能層１１６ｃと、第１の機能層１１５ｃと第２の機能層１１６ｃとの間に挟持される発光層１１２Ｂと、を有する。

　受光デバイス１５０は、電極１１１ｄと、共通電極１２３と、電極１１１ｄと共通電極１２３との間に挟持される受光層１７７と、を有する。受光層１７７は、第３の機能層１５５と、第４の機能層１５６と、第３の機能層１５５と第４の機能層１５６との間に挟持される活性層１５７と、を有する。

　電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、及び電極１１１ｄはそれぞれ、発光デバイス１１０または受光デバイス１５０の画素電極として機能する。

　発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂは、前述の発光デバイス２０Ｒ、発光デバイス２０Ｇ、及び発光デバイス２０Ｂの構成を適用することができる。受光デバイス１５０は、前述の受光デバイス３０ＰＳの構成を適用することができる。

　共通電極１２３は、発光デバイス１１０及び受光デバイス１５０に共通して設けられる。発光デバイス１１０及び受光デバイス１５０を構成する共通電極１２３以外の要素は、発光デバイス１１０及び受光デバイス１５０で共通せず、分離して設けられる。

　具体的には、電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、及び電極１１１ｄは、発光デバイス１１０及び受光デバイス１５０で共通せず、分離して設けられる。第１の機能層１１５ａ、第１の機能層１１５ｂ、及び第１の機能層１１５ｃは、発光デバイス１１０で共通せず、分離して設けられる。同様に、発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、及び発光層１１２Ｂは、発光デバイス１１０で共通せず、分離して設けられる。同様に、第２の機能層１１６ａ、第２の機能層１１６ｂ、及び第２の機能層１１６ｃは、発光デバイス１１０で共通せず、分離して設けられる。

　受光デバイス１５０が有する第３の機能層１５５、活性層１５７、及び第４の機能層１５６はいずれも発光デバイス１１０と共通せず、分離して設けられる。受光デバイス１５０が有する第３の機能層１５５、活性層１５７、及び第４の機能層１５６が発光デバイス１１０と分離して設けられることにより、発光デバイス１１０から受光デバイス１５０にリーク電流が流れ込むことを抑制できる。したがって、ＳＮ比が高く、精度の高い受光デバイス１５０とすることができる。

　受光デバイス１５０が有する第３の機能層１５５は、発光デバイス１１０が有する機能層（例えば、第１の機能層１１５ａ、第１の機能層１１５ｂ、及び第１の機能層１１５ｃ）と異なる工程で形成することが好ましい。異なる工程で形成することにより、受光デバイス１５０により適した材料を第３の機能層１５５に適用することができる。つまり、第３の機能層１５５は、発光デバイス１１０の機能層が有する有機化合物と異なる有機化合物を有する構成とすることができる。

　同様に、受光デバイス１５０が有する第４の機能層１５６は、発光デバイス１１０が有する機能層（例えば、第２の機能層１１６ａ、第２の機能層１１６ｂ、及び第２の機能層１１６ｃ）と異なる工程で形成することが好ましい。異なる工程で形成することにより、受光デバイス１５０により適した材料を第４の機能層１５６に適用することができる。つまり、第４の機能層１５６は、発光デバイス１１０の機能層が有する有機化合物と異なる有機化合物を有する構成とすることができる。

　第１の機能層１１５ａ、第１の機能層１１５ｂ、第１の機能層１１５ｃ、及び第３の機能層１５５はそれぞれ、電極１１１の上面に接する領域を有する。

　電極１１１と共通電極１２３のいずれか一方に可視光に対して透光性を有する導電膜を用い、他方に反射性を有する導電膜を用いる。電極１１１を透光性、共通電極１２３を反射性とすることで、表示装置１００Ａを下面射出型（ボトムエミッション型）の表示装置とすることができる。一方、電極１１１を反射性、共通電極１２３を透光性とすることで、表示装置１００Ａを上面射出型（トップエミッション型）の表示装置とすることができる。なお、電極１１１と共通電極１２３の双方を透光性とすることで、表示装置１００Ａを両面射出型（デュアルエミッション型）の表示装置とすることもできる。

　電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、及び電極１１１ｄの膜厚を異ならせ、光学調整層として用いてもよい。光学調整層を設けることにより、マイクロキャビティ構造（微小共振器構造）を有する発光デバイス１１０及び受光デバイス１５０とすることができる。マイクロキャビティ構造を適用する場合、例えば、電極１１１は、可視光に対して反射性を有する導電層と、当該導電層上の透光性を有する導電層（光学調整層ともいう）との積層構造を用いることができる。電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、及び電極１１１ｄで光学調整層の膜厚を異ならせることで、それぞれの光路長を異ならせることができる。共通電極１２３に、反射性及び透光性を有する導電膜を用いることができる。

　マイクロキャビティ構造を適用することにより、発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂは、特定の波長の光が強められ、色純度の高い発光デバイスとすることができる。受光デバイス１５０は、検出したい特定の波長の光が強められ、感度の高い受光デバイスとすることができる。

　図４Ｂに示すように、隣接する２つの発光デバイス１１０の間、及び隣接する発光デバイス１１０と受光デバイス１５０の間に埋め込まれるように、絶縁層１８２が設けられる。２つの受光デバイス１５０が隣接する構成とする場合も同様に、受光デバイスの間も絶縁層１８２を設けてもよい。絶縁層１８２は、ＥＬ層１７５Ｒの側面、ＥＬ層１７５Ｇの側面、ＥＬ層１７５Ｂの側面、受光層１７７の側面、電極１１１ａの側面、電極１１１ｂの側面、電極１１１ｃの側面、及び電極１１１ｄの側面と接する領域を有することが好ましい。絶縁層１８２を設けることで、ＥＬ層１７５及び受光層１７７の側面から内部へ不純物が侵入することを抑制でき、信頼性の高い表示装置とすることができる。特に、絶縁層１８２は、発光層１１２、及び活性層１５７の側面と接する領域を有することが好ましい。当該不純物は、例えば、酸素、及び水が挙げられる。絶縁層１８２上に、共通電極１２３が設けられる。

　隣接する発光デバイス１１０間に絶縁層１８２を設けることにより、ＥＬ層１７５Ｒ、ＥＬ層１７５Ｇ、及びＥＬ層１７５Ｇが、互いに接しない構成とすることができる。これにより、隣接する２つのＥＬ層１７５を介して電流が流れ、意図しない発光が生じることを防ぐことができる。したがって、コントラストが高く、表示品位の高い表示装置とすることができる。

　同様に、隣接する発光デバイス１１０と受光デバイス１５０の間に絶縁層１８２を設けることにより、ＥＬ層１７５と受光層１７７が接しない構成とすることができる。これにより、隣接する発光デバイス１１０から受光デバイス１５０にリーク電流が流れ込むこと（サイドリーク）を抑制できる。したがって、ＳＮ比が高く、精度の高い受光デバイス１５０とすることができる。

　隣接する発光デバイス１１０間において、ＥＬ層１７５の端部近傍では、ＥＬ層１７５が設けられる領域と、ＥＬ層１７５が設けられない領域で段差が生じる。本発明の一態様の表示装置は、絶縁層１８２を設けることで当該段差を小さくし、その上に形成される共通電極１２３の段差被覆性を高めることができる。したがって、共通電極１２３の段切れによる接続不良を抑制することができる。または、段差によって共通電極１２３の膜厚が局所的に薄くなり、電気抵抗が上昇してしまうことを抑制することができる。

　本発明の一態様は、隣接して配置されるＥＬ層１７５の間に絶縁層１８２を設けることにより、共通電極１２３の形成面の凹凸を小さくすることができるため、ＥＬ層１７５の端部近傍における共通電極１２３の段差被覆性を高めることができ、共通電極１２３の良好な導電性を実現することができる。

　同様に、隣接する発光デバイス１１０と受光デバイス１５０の間、及び隣接する受光デバイス１５０間においても、受光層１７７が設けられる領域と、受光層１７７が設けられない領域で段差が生じる。絶縁層１８２を設けることで当該段差を小さくし、その上に形成される共通電極１２３の段差被覆性を高めることができる。

　ＥＬ層１７５の端部において、ＥＬ層１７５の上面と絶縁層１８２の上面の段差を小さくする、つまり、ＥＬ層１７５の上面の高さと絶縁層１８２の上面の高さを一致または概略一致させることにより、共通電極１２３の段差被覆性を高めることができる。同様に、受光層１７７の端部において、受光層１７７の上面と絶縁層１８２の上面の段差を小さくする、つまり、受光層１７７の上面の高さと絶縁層１８２の上面の高さを一致または概略一致させることにより、共通電極１２３の段差被覆性を高めることができる。

　図４Ｂは、絶縁層１８２の上面の高さが、ＥＬ層１７５の上面の高さ、及び受光層１７７の上面の高さと一致または概略一致する構成を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。絶縁層１８２の上面の高さが、ＥＬ層１７５の上面の高さ、及び受光層１７７の上面の高さと一致していなくてもよい。絶縁層１８２の上面の高さが、ＥＬ層１７５の上面の高さより高くてもよく、低くてもよい。絶縁層１８２の上面の高さが、受光層１７７の上面の高さより高くてもよく、低くてもよい。また、絶縁層１８２が、ＥＬ層１７５の上面と接する領域を有してもよく、受光層１７７の上面と接する領域を有してよい。

　なお、ＥＬ層１７５Ｒ、ＥＬ層１７５Ｇ、ＥＬ層１７５Ｂ、及び受光層１７７の上面の高さがそれぞれ異なってもよい。また、ＥＬ層１７５Ｒの端部、ＥＬ層１７５Ｇの端部、ＥＬ層１７５Ｂの端部、及び受光層１７７の端部のそれぞれにおいて、絶縁層１８２の上面の高さが異なってもよい。例えば、ＥＬ層１７５Ｒの端部において、ＥＬ層１７５Ｒの上面の高さが絶縁層１８２の上面の高さより高く、ＥＬ層１７５Ｇの端部において、ＥＬ層１７５Ｇの上面の高さが絶縁層１８２の上面の高さより高く、ＥＬ層１７５Ｂの端部において、ＥＬ層１７５Ｂの上面の高さが絶縁層１８２の上面の高さと一致または概略一致し、受光層１７７の端部において、受光層１７７の上面の高さが絶縁層１８２の上面の高さより低くてもよい。

　絶縁層１８２は、絶縁層１８２ａと、絶縁層１８２ａ上の絶縁層１８２ｂとの積層構造とすることができる。絶縁層１８２ａは、ＥＬ層１７５の側面、及び受光層１７７の側面と接する領域を有することが好ましい。絶縁層１８２ａは、電極１１１の側面と接する領域を有することが好ましい。絶縁層１８２ｂは、絶縁層１８２ａ上に設けられる。絶縁層１８２ｂは、断面視において、絶縁層１８２ａの凹部を充填するように、絶縁層１８２ａ上に接して設けられる。

　絶縁層１８２ａは、ＥＬ層１７５及び受光層１７７の保護絶縁層として機能する。絶縁層１８２ａは、酸素及び水の少なくとも一方に対してバリア性を有することが好ましい。絶縁層１８２ａを設けることにより、ＥＬ層１７５及び受光層１７７の側面から内部へ酸素、水、またはこれらの構成元素が侵入することを抑制でき、信頼性の高い表示装置とすることができる。絶縁層１８２ａは、特に発光層１１２層、及び活性層１５７の側面を覆うことが好ましい。

　断面視において、ＥＬ層１７５または受光層１７７の側面と接する領域における絶縁層１８２ａの幅（膜厚）が大きいと、ＥＬ層１７５及び受光層１７７の間隔が大きくなり、開口率が低くなってしまう場合がある。また、絶縁層１８２ａの幅（膜厚）が小さいと、ＥＬ層１７５及び受光層１７７の側面から内部へ酸素、水、またはこれらの構成元素が侵入することを抑制する効果が小さくなってしまう場合がある。ＥＬ層１７５または受光層１７７の側面と接する領域における絶縁層１８２ａの幅（膜厚）は、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらには３ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましい。絶縁層１８２ａの幅（膜厚）を前述の範囲とすることで、高い開口率を有し、かつ信頼性の高い表示装置とすることができる。

　絶縁層１８２ａは、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１８２ａとして、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウム、インジウムガリウム亜鉛酸化物、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、または窒化酸化シリコンなどを単層で、又は積層して用いることができる。特に、酸化アルミニウムは、エッチングにおいて、ＥＬ層１７５との選択比が高く、後述する絶縁層１８２ａの形成において、ＥＬ層１７５を保護する機能を有するため、好ましい。特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を絶縁層１８２ａとして用いることにより、ピンホールの少ない膜とすることができ、ＥＬ層１７５及び受光層１７７を保護する機能に優れた絶縁層１８２ａとすることができる。

　なお、本明細書中において、酸化窒化物とは、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

　絶縁層１８２ａの形成は、スパッタリング法、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｂｅａｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法、パルスレーザ堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などを用いることができる。絶縁層１８２ａの形成は、被覆性が良好なＡＬＤ法を好適に用いることができる。

　絶縁層１８２ａ上に設けられる絶縁層１８２ｂは、絶縁層１８２ａの凹部を充填し、絶縁層１８２の平坦性を高める機能を有する。絶縁層１８２の平坦性を高めることにより、その上に形成される共通電極１２３の段差被覆性を高めることができる。絶縁層１８２ｂとして、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、絶縁層１８２ｂとして、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれらの樹脂の前駆体の一または複数を用いることができる。また、絶縁層１８２ｂとして、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。感光性の樹脂として、フォトレジストを用いてもよい。

　絶縁層１８２ｂに感光性の樹脂を用いることにより、露光及び現像の工程のみで絶縁層１８２ｂを作製することができる。また、ネガ型の感光性樹脂（例えばレジスト材料など）を用いて絶縁層１８２ｂを形成してもよい。また、絶縁層１８２ｂとして、有機材料を有する絶縁層を用いる場合、可視光を吸収する材料を用いると好適である。絶縁層１８２ｂに可視光を吸収する材料を用いると、ＥＬ層１７５からの発光を絶縁層１８２ｂにより吸収することが可能となり、隣接するＥＬ層１７５に漏れうる光（迷光）を抑制することができる。したがって、表示品位の高い表示装置とすることができる。同様に、ＥＬ層１７５から、隣接する受光層１７７に漏れうる光（迷光）を抑制することができる。したがって、ＳＮ比が高く、精度の高い受光デバイス１５０を有する表示装置とすることができる。

　絶縁層１８２ｂとして、着色された材料（例えば、黒色の顔料を含む材料など）を用いることで、隣接する画素からの迷光を遮断し、混色を抑制する機能を付与してもよい。また、絶縁層１８２ａと、絶縁層１８２ｂとの間に、反射膜（例えば、銀、パラジウム、銅、チタン、及びアルミニウムなどの中から選ばれる一または複数を含む金属膜）を設け、発光層から射出される光を上記反射膜により反射させ、光取り出し効率を向上させる機能を付与してもよい。

　絶縁層１８２ｂの上面は、平坦であるほど好ましいが、表面が緩やかな曲面形状となる場合がある。絶縁層１８２ｂの上面は、例えば、凸面、凹面、または平面であってもよい。または、絶縁層１８２ｂの上面は、図５Ａに示すように、例えば、凹部と凸部とを有する波型形状であってもよい。

　絶縁層１８２ａは、ＥＬ層１７５及び受光層１７７層と絶縁層１８２ｂの間に設けられ、これらが接しない構造とすることができる。ＥＬ層１７５及び受光層１７７が絶縁層１８２ｂと接すると、絶縁層１８２ｂに含まれる成分（例えば、有機溶媒）によりＥＬ層１７５及び受光層１７７が溶解してしまう可能性がある。絶縁層１８２ａを設けることにより、ＥＬ層１７５の側面、及び受光層１７７の側面を保護することができる。なお、絶縁層１８２ａ及び絶縁層１８２ｂの一方を設けない、つまり、絶縁層１８２ａ及び絶縁層１８２ｂのいずれか一のみを設ける構成としてもよい。例えば、図５Ｂに示すように、絶縁層１８２ｂを設けない構成としてもよい。

　共通電極１２３上には、保護層１２５が設けられる。保護層１２５は、上方から各発光デバイスに水等の不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。

　保護層１２５は、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造、又は積層構造とすることができる。無機絶縁膜として、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜等の酸化物膜又は窒化物膜が挙げられる。又は、保護層１２５としてインジウムガリウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物等の半導体材料を用いてもよい。

　保護層１２５として、無機絶縁膜と、有機絶縁膜の積層膜を用いることもできる。例えば、一対の無機絶縁膜の間に、有機絶縁膜を挟んだ構成とすることが好ましい。さらに有機絶縁膜が平坦化膜として機能することが好ましい。これにより、有機絶縁膜の上面を平坦なものとすることができるため、その上の無機絶縁膜の被覆性が向上し、バリア性を高めることができる。また、保護層１２５の上面が平坦となるため、保護層１２５の上方に構造物（例えばカラーフィルタ、タッチセンサの電極、又はレンズアレイ等）を設ける場合に、下方の構造に起因する凹凸形状の影響を軽減できるため好ましい。

　接続部１４０は、共通電極１２３と、共通電極１２３と電気的に接続される電極１１１ｐとを有する。接続部１４０は、カソードコンタクト部と呼ぶことができる。電極１１１ｐは、電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、及び電極１１１ｄと同じ材料を用いることができる。また、電極１１１ｐは、電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、及び電極１１１ｄと同じ工程を経て形成することができる。共通電極１２３を覆って、保護層１２５が設けられる。

　図４Ｂに示すように、接続部１４０を囲むように絶縁層１８２を設けてもよい。絶縁層１８２は、電極１１１ｐの側面と接する領域を有することが好ましい。絶縁層１８２上に、共通電極１２３が設けられる。

　なお、図４Ａは、上面視において、接続部１４０が表示部の右側に位置する例を示すが、接続部１４０の位置は特に限定されない。接続部１４０は、上面視で、表示部の上側、右側、左側、下側の少なくとも一箇所に設けられていればよく、表示部の四辺を囲むように設けられていてもよい。また、接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。

　接続部１４０は、表示部の外周に沿って設けることができる。接続部１４０は、例えば、表示部の外周の一辺に沿って設けられていてもよいし、表示部の外周の２辺以上にわたって設けられていてもよい。また、接続部１４０の上面形状は特に限定されない。表示部の上面形状が長方形である場合、接続部１４０の上面形状は、例えば、帯状、Ｌ字状、角括弧状、又は四角形とすることができる。

　図４Ｂ、図５Ａ及び図５Ｂは、ＥＬ層１７５の端部、及び受光層１７７の端部がそれぞれ、電極１１１の端部と一致または概略一致する例を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。ＥＬ層１７５の端部、及び受光層１７７の端部が、電極１１１の端部と一致しなくてもよい。図５Ｃに示すように、ＥＬ層１７５の端部、及び受光層１７７の端部がそれぞれ、電極１１１の端部より内側に位置してもよい。図５Ｄに示すように、ＥＬ層１７５の端部、及び受光層１７７の端部がそれぞれ、電極１１１の端部より外側に位置してもよい。

　なお、本明細書等において、「端部が一致または概略一致」とは、上面視において、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なることをいう。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重ならず、上層の輪郭が下層の輪郭より内側に位置すること、または、上層の輪郭が下層の輪郭より外側に位置することもあり、この場合も「端部が一致または概略一致」という。

［構成例３−２］
　図５Ｄに示す構成と異なる構成を、図６Ａに示す。図６Ａに示す発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、発光デバイス１１０Ｂ、及び受光デバイス１５０は、電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、電極１１１ｄ、及び電極１１１ｐの側面がそれぞれ、テーパー形状を有する点で、図５Ｄに示す構成と主に異なる。

　なお、本明細書等において、テーパー形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面とがなす角（テーパー角ともいう）が９０度未満である領域を有することが好ましい。

　図６Ａの一点鎖線で示す領域Ｐの拡大図を、図６Ｂに示し、領域Ｑの拡大図を、図６Ｃに示す。図６Ｂは、左側に発光デバイス１１０Ｂ、右側に受光デバイス１５０を示している。図６Ｃは、左側に発光デバイス１１０Ｒ、右側に発光デバイス１１０Ｇを示している。

　電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、電極１１１ｄ、及び電極１１１ｐの側面がそれぞれ、テーパー形状を有することが好ましい。電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、電極１１１ｄ、及び電極１１１ｐのテーパー角はそれぞれ、９０度未満が好ましく、さらには８０度以下が好ましく、さらには７０度以下が好ましく、さらには５０度以下が好ましい。電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、電極１１１ｄ、及び電極１１１ｐの側面がそれぞれテーパー形状を有することにより、これらの上に形成される層（例えば、第１の機能層１１５、及び第３の機能層１５５）の段差被覆性が向上し、該層に段切れまたは鬆といった不具合が発生することを抑制できる。

　図６Ｂに示すように、発光デバイス１１０Ｂにおいて、第１の機能層１１５ｃの端部、発光層１１２Ｂの端部、及び第２の機能層１１６ｃの端部は、互いに一致または概略一致する。言い換えると、第１の機能層１１５ｃ、発光層１１２Ｂ、及び第２の機能層１１６ｃは、互いに上面形状が一致または概略一致する。例えば、第１の機能層１１５ｃとなる膜、発光層１１２Ｂとなる膜、及び第２の機能層１１６ｃとなる膜を、同じマスクを用いて加工することにより、第１の機能層１１５ｃ、発光層１１２Ｂ、及び第２の機能層１１６ｃを形成することができる。このような構成とすることにより、発光層１１２Ｂの面積を大きくすることができ、発光デバイス１１０Ｂの発光領域の面積を大きくすることができる。つまり、高開口率の表示装置とすることができる。

　図６Ｃに示すように、発光デバイス１１０Ｒにおいて、第１の機能層１１５ａの端部、発光層１１２Ｒの端部、及び第２の機能層１１６ａの端部は、互いに一致または概略一致する。言い換えると、第１の機能層１１５ａ、発光層１１２Ｒ、及び第２の機能層１１６ａは、互いに上面形状が一致または概略一致する。例えば、第１の機能層１１５となる膜、発光層１１２となる膜、及び第２の機能層１１６となる膜を、同じマスクを用いて加工することにより、第１の機能層１１５、発光層１１２、及び第２の機能層１１６を形成することができる。発光デバイス１１０Ｇについても同様である。

　図６Ｂに示すように、受光デバイス１５０において、第３の機能層１５５の端部、活性層１５７の端部、及び第４の機能層１５６の端部は、互いに一致または概略一致する。言い換えると、第３の機能層１５５、活性層１５７、及び第４の機能層１５６は、互いに上面形状が一致または概略一致する。例えば、第３の機能層１５５となる膜、活性層１５７となる膜、及び第４の機能層１５６となる膜を、同じマスクを用いて加工することにより、第３の機能層１５５、活性層１５７、及び第４の機能層１５６を形成することができる。このような構成とすることにより、活性層１５７の面積を大きくすることができ、受光デバイス１５０の受光領域の面積を大きくすることができる。つまり、高感度の受光機能を有する表示装置とすることができる。

　なお、本明細書等において「上面形状が一致または概略一致」とは、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なることをいう。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、または、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も「上面形状が一致または概略一致」という。

　図６Ｂに示すように、受光デバイス１５０が有する受光層１７７は、発光デバイス１１０Ｂが有するＥＬ層１７５Ｂと共通する層を有さず、また、ＥＬ層１７５Ｂと接する領域を有さないことが好ましい。つまり、受光層１７７は、ＥＬ層１７５Ｂと分離していることが好ましい。なお、図６Ｂは、受光デバイス１５０に隣接する発光デバイスとして発光デバイス１１０Ｂを示しているが、これに限定されない。受光デバイスが有する受光層は、当該受光デバイスと隣接する発光デバイスが有するＥＬ層と分離していることが好ましい。なお、２つの受光デバイスが隣接する場合も同様に、一方の受光デバイスが有する受光層は、他方の受光デバイスが有する受光層と分離していることが好ましい。

　図６Ｃに示すように、発光デバイス１１０Ｇが有するＥＬ層１７５Ｇは、発光デバイス１１０Ｒが有するＥＬ層１７５Ｒと共通する層を有さず、また、ＥＬ層１７５Ｒと接する領域を有さないことが好ましい。つまり、ＥＬ層１７５Ｇは、ＥＬ層１７５Ｒと分離していることが好ましい。なお、図６Ｃは、発光デバイス１１０Ｇに隣接する発光デバイスとして発光デバイス１１０Ｒを示しているが、これに限定されない。発光デバイスが有するＥＬ層は、当該発光デバイスと隣接する発光デバイスが有するＥＬ層と分離していることが好ましい。

　図６Ｂに示すように、受光デバイス１５０において、第３の機能層１５５の側面は、被形成面に対して垂直または概略垂直であることが好ましい。例えば、第３の機能層１５５の側面と、被形成面（ここでは、基板１０１）が成す角θ_１５５は、６０度以上９０度以下が好ましい。

　図６Ｂに示すように、発光デバイス１１０Ｂにおいて、第１の機能層１１５ｃの側面は、被形成面に対して垂直または概略垂直であることが好ましい。例えば、第１の機能層１１５ｃの側面と、被形成面（ここでは、基板１０１）が成す角θ_１１５ｃは、６０度以上９０度以下が好ましい。

　同様に、図６Ｃに示すように、発光デバイス１１０Ｒにおいて、第１の機能層１１５ａの側面は、被形成面に対して垂直または概略垂直であることが好ましい。例えば、第１の機能層１１５ａの側面と、被形成面（ここでは、基板１０１）が成す角θ_１１５ａは、６０度以上９０度以下が好ましい。発光デバイス１１０Ｇにおいて、第１の機能層１１５ｂの側面は、被形成面に対して垂直または概略垂直であることが好ましい。例えば、第１の機能層１１５ｂの側面と、被形成面（ここでは、基板１０１）が成す角θ_１１５ｂは、６０度以上９０度以下が好ましい。

　発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、及び発光層１１２Ｂはそれぞれ、ＦＭＭを用いて形成することができる。ＦＭＭを用いて形成された発光層１１２は、端部に近いほど厚さが薄くなる場合がある。図６Ｂに示すように、発光デバイス１１０Ｂにおいて、発光層１１２Ｂの端部の膜厚ＴＥ_１１２Ｂは、当該端部よりも内側の領域の膜厚ＴＣ_１１２Ｂより薄くなる場合がある。同様に、図６Ｃに示すように、発光デバイス１１０Ｒにおいて、発光層１１２Ｒの端部の膜厚ＴＥ_１１２Ｒは、当該端部よりも内側の領域の膜厚ＴＣ_１１２Ｒより薄くなる場合がある。発光デバイス１１０Ｇにおいて、発光層１１２Ｇの端部の膜厚ＴＥ_１１２Ｇは、当該端部よりも内側の領域の膜厚ＴＣ_１１２Ｇより薄くなる場合がある。なお、発光層１１２の端部の膜厚ＴＥ_１１２Ｒ、膜厚ＴＥ_１１２Ｇ、及び膜厚ＴＥ_１１２Ｂはそれぞれ、発光層１１２と絶縁層１８２が接する領域における発光層１１２の膜厚ということができる。一方、発光層１１２の膜厚ＴＣ_１１２Ｒ、膜厚ＴＣ_１１２Ｇ、及び膜厚ＴＣ_１１２Ｂはそれぞれ、発光層１１２と絶縁層１８２が接しない領域における発光層１１２の膜厚ということができる。

　発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、及び発光層１１２Ｂの膜厚が互いに異なってもよい。なお、図６Ａ等は、発光層１１２Ｒの膜厚が厚く、発光層１１２Ｂの膜厚が薄い例を示しているが、発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、及び発光層１１２Ｂの膜厚の大小関係はこれに限られない。同様に、活性層１５７の膜厚と、発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、及び発光層１１２Ｂの膜厚の大小関係も特に限定されない。

　絶縁層１８２は、ＥＬ層１７５の側面、及び受光層１７７の側面と接する領域を有することが好ましい。絶縁層１８２をＥＬ層１７５及び受光層１７７と接するように設けることで、島状のＥＬ層１７５及び受光層１７７が絶縁層１８２によって固定される、又は、接着される効果を奏する。これにより、ＥＬ層１７５及び受光層１７７が剥がれることを防止することができる。発光デバイス１１０及び受光デバイス１５０の信頼性を高めることができる。また、発光デバイス１１０及び受光デバイス１５０の作製歩留まりを高めることができる。

　絶縁層１８２の上面の高さは、ＥＬ層１７５の端部における上面の高さ、及び受光層１７７の端部における上面の高さと一致または概略一致することが好ましい。このようにすることにより、共通電極１２３の被形成面をより平坦にすることができ、共通電極１２３の段切れによる接続不良を抑制することができる。または、段差によって共通電極１２３の膜厚が局所的に薄くなり、電気抵抗が上昇してしまうことを抑制することができる。なお、絶縁層１８２の上面は平坦な形状を有することが好ましいが、凸部、凸曲面、凹曲面、又は凹部を有していてもよい。

　なお、絶縁層１８２の上面の高さは、ＥＬ層１７５の端部における上面の高さ、及び受光層１７７の端部における上面の高さより高くてもよく、低くもよい。少なくとも、絶縁層１８２は、発光層１１２Ｒの側面、及び活性層１５７の側面を覆うことが好ましい。つまり、絶縁層１８２の上面の高さは、発光層１１２の端部における上面の高さ、及び活性層１５７の端部における上面の高さより高いことが好ましい。絶縁層１８２が発光層１１２Ｒの側面、及び活性層１５７の側面を覆うことにより、発光層１１２Ｒ、及び活性層１５７に不純物が拡散することを抑制できる。

　図６Ａ等では、発光デバイス１１０において、ＥＬ層１７５の端部が、電極１１１の端部より外側に位置する構成を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。ＥＬ層１７５の端部が、電極１１１の端部より内側に位置してもよく、電極１１１の端部と一致または概略一致してもよい。また、ＥＬ層１７５において、発光層１１２の端部が、第１の機能層１１５の端部、及び第２の機能層１１６の端部と一致または概略一致する構成を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。発光層１１２の端部が、第１の機能層１１５の端部、及び第２の機能層１１６の端部より内側に位置してもよい。発光層１１２の端部が、第１の機能層１１５の端部、及び第２の機能層１１６の端部より内側に位置する場合、発光層１１２の端部が、電極１１１の端部より内側に位置してもよく、電極１１１の端部より外側に位置してもよく、電極１１１の端部と一致または概略一致してもよい。

　図６Ａ等では、受光デバイス１５０において、受光層１７７の端部が、電極１１１の端部より外側に位置する構成を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。受光層１７７の端部が、電極１１１の端部より内側に位置してもよく、電極１１１の端部と一致または概略一致してもよい。

　図６（Ａ）は、接続部１４０において、電極１１１ｐと接する領域を有する犠牲層１２８ｐを示している。犠牲層１２８ｐは、表示装置を作製する際に設けた層の一部が残存したものである。犠牲層１２８ｐの詳細については後述する。

［構成例３−３］
　図６Ａに示す構成と異なる構成を、図７Ａに示す。図７Ａに示す発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂはそれぞれ、発光層１１２の端部が、第１の機能層１１５及び第２の機能層１１６の端部より内側に位置する点で、図６Ａに示す構成と主に異なる。

　図７Ａの一点鎖線で示す領域Ｐの拡大図を、図７Ｂに示し、領域Ｑの拡大図を、図７Ｃに示す。図７Ｂは、左側に発光デバイス１１０Ｂ、右側に受光デバイス１５０を示している。図７Ｃは、左側に発光デバイス１１０Ｒ、右側に発光デバイス１１０Ｇを示している。

　図６Ｂに示すように、発光デバイス１１０Ｂにおいて、発光層１１２Ｂの端部は、第１の機能層１１５ｃの端部より内側に位置する。また、発光層１１２Ｂの端部は、第２の機能層１１６ｃの端部より内側に位置する。発光層１１２Ｂの上面及び側面は、第２の機能層１１６ｃと接する。つまり、発光層１１２Ｂの上面および側面は、第２の機能層１１６ｃで覆われる。発光層１１２Ｂの上面および側面を第２の機能層１１６ｃで覆うことにより、発光層１１２Ｂに不純物が拡散することを抑制することができる。したがって、発光デバイス１１０Ｂの信頼性を高めることができる。当該不純物は、例えば、共通電極１２３に含まれる金属成分などがある。

　発光層１１２Ｂの側面は、テーパー形状であることが好ましい。発光層１１２Ｂの側面と、被形成面（ここでは、第１の機能層１１５ｃ）が成す角θ_１１２Ｂは、小さいことが好ましい。具体的には、角θ_１１２Ｂは０度より大きく９０度未満が好ましく、さらには０度より大きく６０度未満が好ましく、さらには０度より大きく５０度未満が好ましく、さらには０度より大きく４０度未満が好ましく、さらには０度より大きく３０度未満が好ましい。角θ_１１２Ｂを小さくすることより、発光層１１２Ｂ及び第１の機能層１１５ｃ上に形成される層（例えば、第２の機能層１１６ｃ）の段差被覆性が向上し、該層に段切れまたは鬆といった不具合が発生することを抑制できる。また、角θ_１１２Ｂは、角θ_１１５ｃより小さいことが好ましい。

　なお、発光層１１２Ｂは、ＦＭＭを用いて形成することができる。ＦＭＭを用いて形成された発光層１１２Ｂは、端部に近いほど厚さが薄くなり、角θ_１１２Ｂが極めて小さくなる場合がある。例えば、角θ_１１２Ｂは、０度より大きく３０度未満となる場合がある。そのため、発光層１１２Ｂは、その側面と上面が連続的につながり、側面と上面を明確に区別することが困難な場合がある。

　第２の機能層１１６ｃの端部は、第１の機能層１１５ｃの端部と一致または概略一致する。言い換えると、第２の機能層１１６ｃは、第１の機能層１１５ｃと上面形状が一致または概略一致する。例えば、第１の機能層１１５ｃとなる第１の膜、及び第２の機能層１１６ｃとなる第２の膜を、同じマスクを用いて加工することにより、第１の機能層１１５ｃ及び第２の機能層１１６ｃを形成することができる。

　第１の機能層１１５ｃ、及び第２の機能層１１６ｃの側面は、それぞれの被形成面に対して垂直または概略垂直であることが好ましい。例えば、第１の機能層１１５ｃの側面と、被形成面（ここでは、基板１０１）が成す角θ_１１５ｃは、６０度以上９０度以下が好ましい。第２の機能層１１６ｃの側面と、被形成面（ここでは、第１の機能層１１５ｃ）が成す角θ_１１６ｃは、６０度以上９０度以下が好ましい。

　なお、ここでは発光デバイス１１０Ｂを例に挙げて説明したが、発光デバイス１１０Ｒ、及び発光デバイス１１０Ｂも同様である。発光層１１２Ｒの側面と、被形成面（ここでは、第１の機能層１１５ａ）が成す角θ_１１２Ｒ、及び発光層１１２Ｇの側面と、被形成面（ここでは、第１の機能層１１５ｂ）が成す角θ_１１２Ｇはそれぞれ、角θ_１１２Ｂの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。第２の機能層１１６ａの側面と、被形成面（ここでは、第１の機能層１１５ａ）が成す角θ_１１６ａ、及び第２の機能層１１６ｂの側面と、被形成面（ここでは、第１の機能層１１５ｂ）が成す角θ_１１６ｂはそれぞれ、角θ_１１６ｃの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　図７Ｂに示すように、受光デバイス１５０において、第３の機能層１５５の端部、活性層１５７の端部、及び第４の機能層１５６の端部は、互いに一致または概略一致する。言い換えると、第３の機能層１５５、活性層１５７、及び第４の機能層１５６は、互いに上面形状が一致または概略一致する。例えば、第３の機能層１５５となる膜、活性層１５７となる膜、及び第４の機能層１５６となる膜を、同じマスクを用いて加工することにより、第３の機能層１５５、活性層１５７、及び第４の機能層１５６を形成することができる。

　第３の機能層１５５の側面は、被形成面に対して垂直または概略垂直であることが好ましい。例えば、第３の機能層１５５の側面と、被形成面（ここでは、基板１０１）が成す角θ_１５５は、６０度以上９０度以下が好ましい。

［構成例３−４］
　図７Ａに示す構成と異なる構成を、図８Ａに示す。図８Ａに示す発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂはそれぞれ、発光層１１２の端部が、電極１１１の端部より内側に位置する点で、図７Ａに示す構成と主に異なる。

　図８Ａの一点鎖線で示す領域Ｐの拡大図を、図８Ｂに示し、領域Ｑの拡大図を、図８Ｃに示す。図８Ｂは、左側に発光デバイス１１０Ｂ、右側に受光デバイス１５０を示している。図８Ｃは、左側に発光デバイス１１０Ｒ、右側に発光デバイス１１０Ｇを示している。

　図８Ｂに示すように、受光デバイス１５０において、第３の機能層１５５、活性層１５７、及び第４の機能層１５６の端部が一致または概略一致する。第３の機能層１５５、活性層１５７、及び第４の機能層１５６の端部は、電極１１１ｄの端部より外側に位置する。

　図８Ｂ及び図８Ｃに示すように、発光デバイス１１０において、第１の機能層１１５、及び第２の機能層１１６の端部が一致または概略一致する。第１の機能層１１５、及び第２の機能層１１６の端部は、電極１１１の端部より外側に位置する。電極１１１の端部は、発光層１１２の端部より外側に位置する。

［構成例３−５］
　図６Ａに示す構成と異なる構成を、図９Ａに示す。図９Ａに示す発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂはそれぞれ、ＥＬ層１７５の端部が、電極１１１の端部より内側に位置する点で、受光デバイス１５０は、受光層１７７の端部が、電極１１１ｄの端部より内側に位置する点で、図６Ａに示す構成と主に異なる。

　図９Ａの一点鎖線で示す領域Ｐの拡大図を、図９Ｂに示し、領域Ｑの拡大図を、図９Ｃに示す。図９Ｂは、左側に発光デバイス１１０Ｂ、右側に受光デバイス１５０を示している。図９Ｃは、左側に発光デバイス１１０Ｒ、右側に発光デバイス１１０Ｇを示している。

　図９Ｂに示すように、受光層１７７の端部は、電極１１１ｄ上に位置する。ＥＬ層１７５Ｂの端部は、電極１１１ｃ上に位置する。図９Ｃに示すように、ＥＬ層１７５Ｒの端部は、電極１１１ａ上に位置する。ＥＬ層１７５Ｇの端部は、電極１１１ｂ上に位置する。

　絶縁層１８２は、ＥＬ層１７５の側面、受光層１７７の側面、並びに電極１１１の上面及び側面と接する領域を有することが好ましい。特に、電極１１１と共通電極１２３の間に絶縁層１８２を設けることで、電極１１１と共通電極１２３が接し、ショートしてしまうことを抑制することができる。

［構成例３−６］
　図９Ａに示す構成と異なる構成を、図１０Ａに示す。図１０Ａに示す発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂはそれぞれ、発光層１１２の端部が、第１の機能層１１５及び第２の機能層１１６の端部より内側に位置する点で、図９Ａに示す構成と主に異なる。

　図１０Ａの一点鎖線で示す領域Ｐの拡大図を、図１０Ｂに示し、領域Ｑの拡大図を、図１０Ｃに示す。図１０Ｂは、左側に発光デバイス１１０Ｂ、右側に受光デバイス１５０を示している。図１０Ｃは、左側に発光デバイス１１０Ｒ、右側に発光デバイス１１０Ｇを示している。

　図１０Ｂに示すように、受光デバイス１５０において、第３の機能層１５５、活性層１５７、及び第４の機能層１５６の端部が一致または概略一致する。第３の機能層１５５、活性層１５７、及び第４の機能層１５６の端部は、電極１１１ｄの端部より内側に位置する。

　図１０Ｂ及び図１０Ｃに示すように、発光デバイス１１０において、第１の機能層１１５、及び第２の機能層１１６の端部が一致または概略一致する。第１の機能層１１５、及び第２の機能層１１６の端部は、電極１１１の端部より内側に位置する。第１の機能層１１５、及び第２の機能層１１６の端部は、発光層１１２の端部より外側に位置する。

［構成例３−７］
　図６Ａに示す構成と異なる構成を、図１１Ａに示す。図１１Ａに示す構成は、絶縁層１８２が、ＥＬ層１７５Ｒの上面、ＥＬ層１７５Ｇの上面、ＥＬ層１７５Ｂの上面、及び受光層１７７の上面と重なる領域を有する点で、図６Ａに示す構成と主に異なる。

　図１１Ａの一点鎖線で示す領域Ｐの拡大図を、図１１Ｂに示し、領域Ｑの拡大図を、図１１Ｃに示す。図１１Ｂは、左側に発光デバイス１１０Ｂ、右側に受光デバイス１５０を示している。図１１Ｃは、左側に発光デバイス１１０Ｒ、右側に発光デバイス１１０Ｇを示している。

　図１１Ｂに示すように、絶縁層１８２の上面は、受光層１７７の上面よりも高い領域を有する。また、絶縁層１８２と受光層１７７の間に、受光層１７７を形成する際に用いた犠牲層１２８が残存してもよい。犠牲層１２８の詳細は後述する。

　断面視において、犠牲層１２８の一方の端部は、受光層１７７の端部と一致または概略一致する。犠牲層１２８の他方の端部は、絶縁層１８２の端部と一致または概略一致する。例えば、受光層１７７となる膜上に、犠牲層１２８となる第１の犠牲層を形成する。続いて、第１の犠牲層をマスクに、受光層１７７となる膜を加工して受光層１７７を形成する。続いて、絶縁層１８２ａとなる膜、及び絶縁層１８２ｂを形成する。続いて、絶縁層１８２ｂをマスクに、絶縁層１８２ａとなる膜、及び第１の犠牲層を加工することにより、絶縁層１８２ａ、及び犠牲層１２８を形成することができる。

　絶縁層１８２の上面は、ＥＬ層１７５Ｂの上面よりも高い領域を有する。また、絶縁層１８２とＥＬ層１７５Ｂの間に、ＥＬ層１７５Ｂを形成する際に用いた犠牲層１１８ｃが残存してもよい。

　犠牲層１１８ｃの一方の端部は、ＥＬ層１７５Ｂの端部と一致または概略一致する。犠牲層１１８ｃの他方の端部は、絶縁層１８２の端部と一致または概略一致する。例えば、ＥＬ層１７５Ｂとなる膜上に、犠牲層１１８ｃとなる第２の犠牲層を形成する。続いて、第２の犠牲層をマスクに、ＥＬ層１７５Ｂとなる膜を加工してＥＬ層１７５Ｂを形成する。続いて、絶縁層１８２ａとなる膜、及び絶縁層１８２ｂを形成する。続いて、絶縁層１８２ｂをマスクに、絶縁層１８２ａとなる膜、及び第２の犠牲層を加工することにより、絶縁層１８２ａ、及び犠牲層１１８ｃを形成することができる。犠牲層１１８ｃの詳細は後述する。

　図１１Ｃに示すように、絶縁層１８２の上面は、ＥＬ層１７５Ｒの上面よりも高い領域を有する。また、絶縁層１８２とＥＬ層１７５Ｒの間に、ＥＬ層１７５Ｒを形成する際に用いた犠牲層１１８ａが残存してもよい。同様に、絶縁層１８２の上面は、ＥＬ層１７５Ｇの上面よりも高い領域を有する。また、絶縁層１８２とＥＬ層１７５Ｇの間に、ＥＬ層１７５Ｇを形成する際に用いた犠牲層１１８ｂが残存してもよい。犠牲層１１８ａ、及び犠牲層１１８ｂについては、犠牲層１１８ｃの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

［構成例３−８］
　図７Ａに示す構成と異なる構成を、図１２Ａに示す。図１２Ａに示す構成は、絶縁層１８２が、ＥＬ層１７５Ｒの上面、ＥＬ層１７５Ｇの上面、ＥＬ層１７５Ｂの上面、及び受光層１７７の上面と重なる領域を有する点で、図７Ａに示す構成と主に異なる。

　図１２Ａの一点鎖線で示す領域Ｐの拡大図を、図１２Ｂに示し、領域Ｑの拡大図を、図１２Ｃに示す。図１２Ｂは、左側に発光デバイス１１０Ｂ、右側に受光デバイス１５０を示している。図１２Ｃは、左側に発光デバイス１１０Ｒ、右側に発光デバイス１１０Ｇを示している。

　図１２Ｂに示すように、絶縁層１８２の上面は、受光層１７７の上面よりも高い領域を有する。また、絶縁層１８２と受光層１７７の間に、受光層１７７を形成する際に用いた犠牲層１２８が残存してもよい。

　図１２Ｂ、及び図１２Ｃに示すように、絶縁層１８２の上面は、ＥＬ層１７５の上面よりも高い領域を有する。また、絶縁層１８２と、ＥＬ層１７５Ｒ、ＥＬ層１７５Ｇ及びＥＬ層１７５Ｂの間、ＥＬ層１７５Ｒ、ＥＬ層１７５Ｇ及びＥＬ層１７５Ｂを形成する際に用いた犠牲層１１８ａ、犠牲層１１８ｂ、及び犠牲層１１８ｃが残存してもよい。

［構成例３−９］
　図６Ａに示す構成と異なる構成を、図１３Ａに示す。図１３Ａに示す発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂは、第１の機能層１１５ａ、第１の機能層１１５ｂ、及び第１の機能層１１５ｃに代わり、第１の機能層１１５を有する点と、第２の機能層１１６ａ、第２の機能層１１６ｂ、及び第２の機能層１１６ｃに代わり、第２の機能層１１６を有する点で、図６Ａに示す構成と主に異なる。

　具体的には、発光デバイス１１０Ｒは、ＥＬ層として第１の機能層１１５と、発光層１１２Ｒと、第２の機能層１１６と、をこの順で積層して有する。発光デバイス１１０Ｇは、ＥＬ層として第１の機能層１１５と、発光層１１２Ｇと、第２の機能層１１６と、をこの順で積層して有する。発光デバイス１１０Ｂは、ＥＬ層として第１の機能層１１５と、発光層１１２Ｂと、第２の機能層１１６と、をこの順で積層して有する。

　第１の機能層１１５は、発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂで共通する層であり、第１の共通層と呼ぶことができる。同様に、第２の機能層１１６は、第２の共通層と呼ぶことができる。第１の機能層１１５は、第１の機能層１１５ａ、第１の機能層１１５ｂ、及び第１の機能層１１５ｃに用いることができる材料を用いることができる。第２の機能層１１６は、第２の機能層１１６ａ、第２の機能層１１６ｂ、及び第２の機能層１１６ｃに用いることができる材料を用いることができる。

　図１３Ａの一点鎖線で示す領域Ｐの拡大図を、図１３Ｂに示し、領域Ｑの拡大図を、図１３Ｃに示す。図１３Ｂは、左側に発光デバイス１１０Ｂ、右側に受光デバイス１５０を示している。図１３Ｃは、左側に発光デバイス１１０Ｒ、右側に発光デバイス１１０Ｇを示している。

　図１３Ｂに示すように、受光デバイス１５０が有する受光層１７７は、発光デバイス１１０Ｂが有するＥＬ層１７５Ｂと共通する層を有さず、また、ＥＬ層１７５Ｂと接する領域を有さないことが好ましい。つまり、受光デバイス１５０が有する受光層１７７は、当該受光デバイス１５０と隣接する発光デバイス１１０が有するＥＬ層１７５と分離していることが好ましい。なお、２つの受光デバイス１５０が隣接する場合も同様に、一方の受光デバイス１５０が有する受光層１７７は、他方の受光デバイス１５０が有する受光層１７７と分離していることが好ましい。

　図１３Ｂに示すように、第２の機能層１１６の端部は、第１の機能層１１５の端部と一致または概略一致する。言い換えると、第２の機能層１１６は、第１の機能層１１５と上面形状が一致または概略一致する。例えば、第１の機能層１１５となる第１の膜、及び第２の機能層１１６となる第２の膜を、同じマスクを用いて加工することにより、第１の機能層１１５及び第２の機能層１１６を形成することができる。

　第１の機能層１１５の側面は、それぞれの被形成面に対して垂直または概略垂直であることが好ましい。例えば、第１の機能層１１５の側面と、被形成面（ここでは、基板１０１）が成す角θ_１１５は、６０度以上９０度以下が好ましい。

　図１３Ａ、図１３Ｂ及び図１３Ｃに示すように、隣接する発光デバイス１１０は、第１の機能層１１５及び第２の機能層１１６を共通して有する。具体的には、発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、及び発光層１１２Ｂは、互いに隣接する発光層１１２と第１の機能層１１５及び第２の機能層１１６を共通して有する。

［構成例３−１０］
　図１３Ａに示す構成と異なる構成を、図１４Ａに示す。図１４Ａに示す発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂは、隣接する発光層１１２が重なる領域を有する点で、図１３Ａに示す構成と主に異なる。

　図１４Ａの一点鎖線で示す領域Ｑの拡大図を、図１４Ｂに示し、領域Ｒの拡大図を、図１４Ｃに示す。図１４Ｂは、左側に発光デバイス１１０Ｒ、右側に発光デバイス１１０Ｇを示している。図１４Ｃは、左側に発光デバイス１１０Ｇ、右側に発光デバイス１１０Ｂを示している。領域Ｐの拡大図は、図１３Ｂを参照できる。

　図１４Ｂに示すように、発光層１１２Ｇは、発光層１１２Ｒと重なる領域を有する。具体的には、発光層１１２Ｇは、発光層１１２Ｒを覆って設けられ、発光層１１２Ｒの端部と接する領域を有する。同様に、図１４Ｃに示すように、発光層１１２Ｂは、発光層１１２Ｇと重なる領域を有する。具体的には、発光層１１２Ｂは、発光層１１２Ｇを覆って設けられ、発光層１１２Ｇの端部と接する領域を有する。

　なお、図１４Ａ等は、発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、及び発光層１１２Ｂをこの順に形成し、発光層１１２Ｂが発光層１１２Ｇを覆い、発光層１１２Ｇが発光層１１２Ｒを覆う構成を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、及び発光層１１２Ｂの形成の順は特に限定されず、隣接する発光層１１２が重なる領域を有する構成とすることができる。隣接する２つの発光層１１２が重なる領域を有することは、例えば、フォトルミネッセンス（ＰＬ：Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）法を用いて確認することができる。

　電極１１１と重なる領域においては、隣接する発光層１１２が重ならないことが好ましい。つまり、隣接する発光層１１２が重なる領域は、電極１１１と重ならない領域であることが好ましい。隣接する発光層１１２が重なる領域は、発光層１１２の合計の膜厚が厚くなることにより、駆動電圧が高くなり、発光への寄与が小さくなってしまう場合がある。電極１１１と重なる領域においては、隣接する発光層１１２が重ならない構成とすることにより、発光領域の面積が小さくなることを抑制することができる。

　隣接する発光デバイス１１０間において、発光層１１２の端部近傍では、発光層１１２が設けられる領域と、発光層１１２が設けられない領域で段差が生じる。本発明の一態様の表示装置は、隣接する発光層１１２が重なる領域を有することで当該段差を小さくし、その上に形成される第２の機能層１１６の段差被覆性を高めることができる。したがって、第２の機能層１１６の段切れを抑制することができる。

　なお、図１４Ａ等は、受光層１７７と隣接するＥＬ層１７５との間に絶縁層１８２を設け、隣接する２つのＥＬ層１７５間に絶縁層１８２を設けない構成を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。隣接する２つのＥＬ層１７５間も、絶縁層１８２を設けてもよい。なお、隣接する２つの発光デバイス１１０間で、第１の機能層１１５及び第２の機能層１１６を分離する場合、隣接する発光層１１２が接する領域が除去、または一部が除去されてもよい。

［構成例３−１１］
　図６Ａに示す構成と異なる構成を、図１５Ａに示す。図１５Ａに示す構成は、絶縁層１８２を有さない点で、図６Ａに示す構成と主に異なる。

　図１５Ａの一点鎖線で示す領域Ｐの拡大図を、図１５Ｂに示し、領域Ｑの拡大図を、図１５Ｃに示す。図１５Ｂは、左側に発光デバイス１１０Ｂ、右側に受光デバイス１５０を示している。図１５Ｃは、左側に発光デバイス１１０Ｒ、右側に発光デバイス１１０Ｇを示している。

　図１５Ｂ及び図１５Ｃに示すように、電極１１１ａ、電極１１１ｂ、及び電極１１１ｃの側面はそれぞれ、第１の機能層１１５、発光層１１２、及び第２の機能層１１６のいずれか一以上で覆われていることが好ましい。つまり、電極１１１ａ、電極１１１ｂ、及び電極１１１ｃの端部はそれぞれ、第１の機能層１１５の端部、発光層１１２の端部、及び第２の機能層１１６の端部のいずれか一以上より内側に位置することが好ましい。同様に、電極１１１ｄの側面は、第３の機能層１５５、活性層１５７、及び第４の機能層１５６のいずれか一以上で覆われていることが好ましい。つまり、電極１１１ｄの端部は、第３の機能層１５５の端部、活性層１５７の端部、及び第４の機能層１５６の端部のいずれか一以上より内側に位置することが好ましい。このような構成とすることにより、電極１１１と共通電極１２３が接し、ショートしてしまうことを抑制することができる。

［構成例３−１２］
　図１３Ａに示す構成と異なる構成を、図１６Ａに示す。図１６Ａに示す発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂは、第１の機能層１１５の側面、及び第２の機能層１１６の側面の形状が異なる点で、図１３Ａに示す構成と主に異なる。

　図１６Ａの一点鎖線で示す領域Ｐの拡大図を、図１６Ｂに示し、領域Ｑの拡大図を、図１６Ｃに示す。図１６Ｂは、左側に発光デバイス１１０Ｂ、右側に受光デバイス１５０を示している。図１６Ｃは、左側に発光デバイス１１０Ｒ、右側に発光デバイス１１０Ｇを示している。

　第１の機能層１１５の側面は、テーパー形状を有する。第１の機能層１１５の側面と、被形成面（ここでは、基板１０１）が成す角θ_１１５は小さいことが好ましい。具体的には、角θ_１１５は０度より大きく９０度未満が好ましく、さらには０度より大きく６０度未満が好ましく、さらには０度より大きく５０度未満が好ましく、さらには０度より大きく４０度未満が好ましく、さらには０度より大きく３０度未満が好ましい。角θ_１１５を小さくすることより、基板１０１及び第１の機能層１１５上に形成される層（例えば、絶縁層１８２）の段差被覆性が向上し、該層に段切れまたは鬆といった不具合が発生することを抑制できる。第２の機能層１１６の側面も、テーパー形状を有してもよい。第２の機能層１１６の側面がテーパー形状を有することより、第１の機能層１１５及び第２の機能層１１６上に形成される層（例えば、絶縁層１８２）の段差被覆性が向上し、該層に段切れまたは鬆といった不具合が発生することを抑制できる。

　図１６Ｂに示すように、第２の機能層１１６の端部は、第１の機能層１１５の端部より内側に位置する。または、第２の機能層１１６の端部は、第１の機能層１１５の端部より外側に位置してもよく、第１の機能層１１５の端部と一致または概略一致してもよい。

　なお、図１６Ａ等は、発光層１１２の端部が、第１の機能層１１５及び第２の機能層１１６の端部より内側に位置する構成を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。発光層１１２の端部が、第１の機能層１１５の端部より外側に位置してもよい。発光層１１２の端部が、第２の機能層１１６の端部より外側に位置してもよい。

［構成例３−１３］
　図１６Ａに示す構成と異なる構成を、図１７Ａに示す。図１７Ａに示す構成は、絶縁層１８２を有さない点で、図１６Ａに示す構成と主に異なる。

　図１７Ａの一点鎖線で示す領域Ｐの拡大図を、図１７Ｂに示し、領域Ｑの拡大図を、図１７Ｃに示す。図１７Ｂは、左側に発光デバイス１１０Ｂ、右側に受光デバイス１５０を示している。図１７Ｃは、左側に発光デバイス１１０Ｒ、右側に発光デバイス１１０Ｇを示している。

　図１７Ｂ及び図１７Ｃに示すように、電極１１１ａ、電極１１１ｂ、及び電極１１１ｃの側面はそれぞれ、第１の機能層１１５、発光層１１２、及び第２の機能層１１６のいずれか一以上で覆われていることが好ましい。つまり、電極１１１ａ、電極１１１ｂ、及び電極１１１ｃの端部はそれぞれ、第１の機能層１１５の端部、発光層１１２の端部、及び第２の機能層１１６の端部のいずれか一以上より内側に位置することが好ましい。同様に、電極１１１ｄの側面は、第３の機能層１５５、活性層１５７、及び第４の機能層１５６のいずれか一以上で覆われていることが好ましい。つまり、電極１１１ｄの端部は、第３の機能層１５５の端部、活性層１５７の端部、及び第４の機能層１５６の端部のいずれか一以上より内側に位置することが好ましい。このような構成とすることにより、電極１１１と共通電極１２３が接し、ショートしてしまうことを抑制することができる。

＜作製方法例１＞
　以下では、本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。ここでは、図６Ａに示す表示装置の作製方法を例に挙げて説明する。図１８Ａ乃至図２１Ｄは、表示装置の作製方法の、各工程における断面概略図である。

　なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法には、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、又は熱ＣＶＤ法等がある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

　表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。

　表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。それ以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法等により薄膜を加工してもよい。

　フォトリソグラフィ法には、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

　フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、又はこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、又はＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、Ｘ線等を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線又は電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビーム等のビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

　薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法等を用いることができる。

〔電極１１１ａ乃至電極１１１ｄ、電極１１１ｐの形成〕
　基板１０１上に電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、電極１１１ｄ、及び電極１１１ｐを形成する（図１８Ａ）。まず、導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチングにより除去する。その後、レジストマスクを除去することで、電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、電極１１１ｄ、及び電極１１１ｐを形成することができる。

　各画素電極に可視光に対して反射性を有する導電膜を用いる場合、可視光の波長域全域での反射率ができるだけ高い材料（例えば、銀又はアルミニウム）を適用することが好ましい。これにより、発光デバイスの光取り出し効率を高められるだけでなく、色再現性を高めることができる。

　電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、電極１１１ｄ、及び電極１１１ｐの側面がそれぞれテーパー形状を有することが好ましい。電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、電極１１１ｄ、及び電極１１１ｐの形成に用いるレジストマスクの側面は、テーパー形状を有することが好ましい。導電膜のエッチングは、ウェットエッチング法を好適に用いることができる。

〔機能膜１５５ｆ、活性膜１５７ｆ、機能膜１５６ｆの形成〕
　続いて、電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、及び電極１１１ｄ上に、後に第３の機能層１５５となる機能膜１５５ｆ、活性層１５７となる活性膜１５７ｆ、及び第４の機能層１５６となる機能膜１５６ｆをこの順に成膜する。機能膜１５５ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５６ｆはそれぞれ、例えば、蒸着法、スパッタリング法、塗布法、又はインクジェット法等により形成することができる。なお、これに限られず、上述した成膜方法を適宜用いることができる。なお、本明細書等において、機能膜１５５ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５６ｆをまとめて、受光膜と記す場合がある。

　例えば、赤外光の波長域に感度を有する受光デバイスを作製する場合、機能膜１５５ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５６ｆの少なくとも一つを、塗布法またはインクジェット法により高分子化合物を用いて形成することで、良好な特性の受光デバイスを作製することができる。

　機能膜１５５ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５６ｆは、電極１１１ｐ上に設けないように形成することが好ましい。例えば、機能膜１５５ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５６ｆを蒸着法又はスパッタリング法により形成する場合、電極１１１ｐに機能膜１５５ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５６ｆが成膜されないように、遮蔽マスクを用いて形成することができる。

〔犠牲膜１２８ｆ、犠牲膜１２９ｆの形成〕
　続いて、機能膜１５６ｆ上に、犠牲膜１２８ｆと、犠牲膜１２９ｆをこの順に形成する（図１８Ｂ）。犠牲膜１２８ｆは、電極１１１ｐの上面に接して設けられる。

　犠牲膜１２８ｆは、機能膜１５６ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５５ｆのエッチング処理に対する耐性の高い膜、すなわちエッチングの選択比の大きい膜を好適に用いることができる。また、犠牲膜１２８ｆは、後述する犠牲膜１２９ｆとのエッチングの選択比の大きい膜を好適に用いることができる。さらに、犠牲膜１２８ｆは、機能膜１５６ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５５ｆへのダメージの少ないウェットエッチング法により除去可能な膜を用いることが特に好ましい。

　犠牲膜１２８ｆは、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、無機絶縁膜等の無機膜を用いることができる。犠牲膜１２８ｆは、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法等の各種成膜方法により形成することができる。特に、ＡＬＤ法は被形成層に対する成膜ダメージが小さいため、機能膜１５６ｆ上に直接形成する犠牲膜１２８ｆは、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

　犠牲膜１２８ｆは、例えば、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウム又は銀等の低融点材料を用いることが好ましい。

　犠牲膜１２８ｆは、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）等の金属酸化物を用いることができる。さらに、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯとも表記する）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）等を用いることができる。又はシリコンを含むインジウムスズ酸化物等を用いることもできる。

　なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）を用いた場合にも適用できる。特に、元素Ｍは、ガリウム、アルミニウム、又はイットリウムから選ばれた一種又は複数種とすることが好ましい。

　犠牲膜１２８ｆは、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの酸化物、窒化シリコン、窒化アルミニウムなどの窒化物、または酸化窒化シリコンなどの酸窒化物を用いることができる。このような無機絶縁材料は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、またはＡＬＤ法等を用いて形成することができる。

　犠牲膜１２８ｆとして、少なくとも機能膜１５６ｆに対して、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いることが好ましい。特に、水又はアルコールに溶解する材料を、犠牲膜１２８ｆに好適に用いることができる。犠牲膜１２８ｆを成膜する際には、水又はアルコール等の溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、機能膜１５６ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５５ｆへの熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

　犠牲膜１２８ｆの形成に用いることのできる湿式の成膜方法として、例えば、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、及びナイフコートがある。

　犠牲膜１２８ｆは、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、又はアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を用いることができる。

　犠牲膜１２９ｆは、後に犠牲膜１２８ｆをエッチングする際のハードマスクとして用いる。また、後の犠牲膜１２９ｆの加工時には、犠牲膜１２８ｆが露出する。したがって、犠牲膜１２８ｆと犠牲膜１２９ｆとは、互いにエッチングの選択比の大きい膜の組み合わせを選択する。そのため、犠牲膜１２８ｆのエッチング条件、及び犠牲膜１２９ｆのエッチング条件に応じて、犠牲膜１２９ｆに用いることのできる膜を選択することができる。

　例えば、犠牲膜１２９ｆのエッチングに、フッ素を含むガス（フッ素系ガスともいう）を用いたドライエッチングを用いる場合には、シリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、タングステン、チタン、モリブデン、タンタル、窒化タンタル、モリブデンとニオブを含む合金、又はモリブデンとタングステンを含む合金等を、犠牲膜１２９ｆに用いることができる。ここで、上記フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対して、エッチングの選択比を大きくとれる（すなわち、エッチング速度を遅くできる）膜として、ＩＧＺＯ、ＩＴＯ等の金属酸化物膜等があり、これを犠牲膜１２８ｆに用いることができる。

　なお、これに限られず、犠牲膜１２９ｆは、様々な材料の中から、犠牲膜１２８ｆのエッチング条件、及び犠牲膜１２９ｆのエッチング条件に応じて、選択することができる。例えば、上記犠牲膜１２８ｆに用いることのできる膜の中から選択することもできる。

　例えば、犠牲膜１２９ｆとして、酸化物膜を用いることができる。代表的には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、及び酸化窒化ハフニウムなどの酸化物膜または酸窒化物膜を用いることができる。

　犠牲膜１２９ｆは、例えば、窒化物膜を用いることができる。具体的には、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化ガリウム、窒化ゲルマニウム等の窒化物を用いることもできる。または、犠牲膜１２９ｆとして、タングステン、モリブデン、銅、アルミニウム、チタン、及びタンタルなどの金属または、当該金属を含む合金を用いてもよい。

　例えば、犠牲膜１２８ｆとして、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用い、犠牲膜１２９ｆとして、スパッタリング法により形成した、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）などの、インジウムを含む金属酸化物を用いることが好ましい。

　犠牲膜１２９ｆは、例えば、機能膜１５５ｆ、活性膜１５７ｆ、または、機能膜１５６ｆに用いることができる材料を犠牲膜１２９ｆに用いることができる。このような材料を用いることで、成膜装置を共通に用いることができるため、好ましい。さらに、後に犠牲層をマスクとして機能膜１５５ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５６ｆをエッチングする際に、犠牲膜１２９ｆも除去でき、工程を簡略にすることができる。

〔犠牲層１２９、犠牲層１２８の形成〕
　続いて、電極１１１ｄと重なる領域の犠牲膜１２９ｆ上、及び接続部１４０と重なる領域の犠牲膜１２９ｆ上に、レジストマスク１３３及びレジストマスク１３３ｐを形成する（図１８Ｃ）。

　レジストマスク１３３及びレジストマスク１３３ｐは、ポジ型のレジスト材料、又はネガ型のレジスト材料等、感光性の樹脂を含むレジスト材料を用いることができる。

　ここで、犠牲膜１２９ｆを形成せずに、犠牲膜１２８ｆ上にレジストマスク１３３及びレジストマスク１３３ｐを形成する場合、犠牲膜１２８ｆにピンホール等の欠陥が存在すると、レジスト材料の溶媒によって、機能膜１５６ｆ等が溶解してしまう恐れがある。犠牲膜１２９ｆを用いることで、このような不具合が生じることを防ぐことができる。

　なお、犠牲膜１２８ｆにピンホール等の欠陥が生じにくい膜を用いる場合には、犠牲膜１２９ｆを用いずに、犠牲膜１２８ｆ上に直接、レジストマスク１３３及びレジストマスク１３３ｐを形成してもよい。

　続いて、レジストマスク１３３及びレジストマスク１３３ｐに覆われない領域の犠牲膜１２９ｆをエッチングにより除去し、犠牲層１２９及び犠牲層１２９ｐを形成する。

　犠牲膜１２９ｆのエッチングの際、犠牲膜１２８ｆが当該エッチングにより除去されないように、選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。犠牲膜１２９ｆのエッチングは、ウェットエッチング又はドライエッチングにより行うことができるが、ドライエッチングを用いることで、犠牲層１２９及び犠牲層１２９ｐの面積が縮小することを抑制できる。

　続いて、レジストマスク１３３及びレジストマスク１３３ｐを除去する（図１８Ｄ）。

　レジストマスク１３３及びレジストマスク１３３ｐの除去は、ウェットエッチング又はドライエッチングにより行うことができる。特に、酸素ガスをエッチングガスに用いたドライエッチング（プラズマアッシングともいう）により、レジストマスク１３３及びレジストマスク１３３ｐを除去することが好ましい。

　このとき、レジストマスク１３３の除去は、機能膜１５６ｆ上に犠牲膜１２８ｆが設けられた状態で行われるため、機能膜１５６ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５５ｆへのダメージを抑制することができる。特に、活性膜１５７ｆが酸素に触れると、受光デバイスの特性に悪影響を及ぼす場合があるため、プラズマアッシング等の、酸素ガスを用いたエッチングを行う場合には好適である。

　続いて、犠牲層１２９及び犠牲層１２９ｐをマスクに、犠牲層１２９及び犠牲層１２９ｐのいずれにも覆われない領域の犠牲膜１２８ｆをエッチングにより除去し、電極１１１ｄと重なる領域に犠牲層１２８を形成するとともに、電極１１１ｐの上面に接する犠牲層１２８ｐを形成する。

　犠牲膜１２８ｆのエッチングは、ウェットエッチング又はドライエッチングにより行うことができるが、ドライエッチング法を用いると、犠牲層１２８及び犠牲層１２８ｐの面積の縮小を抑制できるため好ましい。

〔第３の機能層１５５、活性層１５７、第４の機能層１５６の形成〕
　続いて、犠牲層１２９及び犠牲層１２９ｐをエッチングにより除去するとともに、犠牲層１２８及び犠牲層１２８ｐのいずれにも覆われない領域の機能膜１５６ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５５ｆをエッチングにより除去し、第４の機能層１５６、活性層１５７、及び第３の機能層１５５を形成する（図１８Ｅ）。

　機能膜１５６ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５５ｆと、犠牲層１２９とを同一工程でエッチングすることにより、工程を簡略にすることができ、表示装置の生産性を高め、作製コストを削減することができる。

　特に、機能膜１５６ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５５ｆのエッチングには、酸素（Ｏ_２）ガスを含まないエッチングガスを用いたドライエッチングを用いることが好ましい。これにより、機能膜１５６ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５５ｆの変質を抑制し、信頼性の高い表示装置を実現できる。エッチングガスとして、例えば、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、Ｈ_２又はＨｅ等の貴ガスを好適に用いることができる。また、上記ガスと、酸素ガス以外のガスとの混合ガスをエッチングガスに用いることができる。

　なお、機能膜１５６ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５５ｆのエッチングと、犠牲層１２９のエッチングを、別々に行ってもよい。例えば、機能膜１５６ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５５ｆをエッチングし、その後に犠牲層１２９をエッチングしてもよい。

〔機能膜１１５ｆの形成〕
　続いて、基板１０１、電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、第３の機能層１５５、活性層１５７、第４の機能層１５６、犠牲層１２８、及び犠牲層１２８ｐを覆って、機能膜１１５ｆを成膜する（図１９Ａ）。機能膜１１５ｆは、後に第１の機能層１１５ａ、第１の機能層１１５ｂ、及び第１の機能層１１５ｃとなる。機能膜１１５ｆは、ＦＭＭを用いることなく成膜することが好ましい。

　機能膜１１５ｆの成膜は、前述の機能膜１５５ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５６ｆの成膜に用いることができる方法を用いることができる。なお、これに限られず、上述した成膜方法を適宜用いることができる。

〔発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、発光層１１２Ｂの形成〕
　続いて、電極１１１ａと重なる領域の機能膜１１５ｆ上に、島状の発光層１１２Ｒを形成する（図１９Ｂ）。

　発光層１１２Ｒは、ＦＭＭを用いた真空蒸着法により形成することが好ましい。なお、ＦＭＭを用いたスパッタリング法、またはインクジェット法を用いて島状の発光層１１２Ｒを形成してもよい。

　図１９Ｂは、ＦＭＭ１９１Ｒを介して発光層１１２Ｒを形成している様子を示している。図１９Ｂでは、発光層１１２Ｒの被形成面が下側になるように基板を反転した状態で成膜する、いわゆるフェイスダウン方式で発光層１１２Ｒを形成している様子を示している。

　ＦＭＭを用いた真空蒸着法では、ＦＭＭの開口部よりも広い範囲に蒸着される場合が多い。図１９Ｂ中の破線で示すように、ＦＭＭ１９１Ｒの開口部よりも広い範囲に発光層１１２Ｒが成膜されうる。また、発光層１１２Ｒの端部は、テーパー形状となる。

　なお、図１９Ｂは、ＦＭＭ１９１Ｒが発光層１１２Ｒの被形成面と接しない構成を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。ＦＭＭ１９１Ｒが、発光層１１２Ｒの被形成面（ここでは、機能膜１１５ｆ）と接してもよい。このとき、基板１０１からの高さが最も高くなる受光デバイス１５０となる領域、つまり電極１１１ｄと重なる領域がＦＭＭ１９１Ｒと接する。当該領域は、ＦＭＭ１９１Ｒを保持する機能を有することができる。そして、当該領域は、ＦＭＭ１９１Ｒと電極１１１ａ、電極１１１ｂ、及び電極１１１ｃとの距離を保つスペーサとしての機能を有することができる。発光層１１２Ｇ、及び発光層１１２Ｂを形成する場合も同様である。

　続いて、ＦＭＭ１９１Ｇを用いて、電極１１１ｂと重なる領域の機能膜１１５ｆ上に、発光層１１２Ｇを形成する（図１９Ｃ）。発光層１１２Ｇの端部は、テーパー形状となる。なお、図１９Ｃは、発光層１１２Ｇが発光層１１２Ｒと重なる領域を有さない、つまり、発光層１１２Ｇと発光層１１２Ｒが分離するように、発光層１１２Ｇを形成する例を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。発光層１１２Ｇが発光層１１２Ｒと重なる領域を有する、つまり、発光層１１２Ｇと発光層１１２Ｒが接するように、発光層１１２Ｇを形成してもよい。

　続いて、ＦＭＭ１９１Ｂを用いて、電極１１１ｃと重なる領域の機能膜１１５ｆ上に、発光層１１２Ｂを形成する（図１９Ｄ）。発光層１１２Ｂの端部は、テーパー形状となる。なお、図１９Ｄは、発光層１１２Ｂが発光層１１２Ｇと重なる領域を有さない、つまり、発光層１１２Ｂと発光層１１２Ｇが分離するように、発光層１１２Ｂを形成する例を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。発光層１１２Ｂが発光層１１２Ｇと重なる領域を有する、つまり、発光層１１２Ｂと発光層１１２Ｇが接するように、発光層１１２Ｂを形成してもよい。

　電極１１１ｐ上には、発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ及び発光層１１２Ｂを形成しないことが好ましい。

　なお、ここでは発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、発光層１１２Ｂの順で形成したが、形成順はこれに限られない。

〔機能膜１１６ｆ、犠牲膜１１８ｆ、犠牲膜１１９ｆの形成〕
　続いて、発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、発光層１１２Ｂ、及び機能膜１１５ｆを覆って、機能膜１１６ｆを形成する。機能膜１１６ｆは、後に第２の機能層１１６ａ、第２の機能層１１６ｂ、及び第２の機能層１１６ｃとなる。機能膜１１６ｆの形成は、前述の機能膜１５５ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５６ｆの成膜に用いることができる方法を用いることができる。なお、これに限られず、上述した成膜方法を適宜用いることができる。

　続いて、機能膜１１６ｆ上に、犠牲膜１１８ｆと、犠牲膜１１９ｆをこの順に形成する（図２０Ａ）。

　犠牲膜１１８ｆは、機能膜１１６ｆ、及び機能膜１１５ｆのエッチング処理に対する耐性の高い膜、すなわちエッチングの選択比の大きい膜を好適に用いることができる。また、犠牲膜１１８ｆは、後述する犠牲膜１１９ｆとのエッチングの選択比の大きい膜を好適に用いることができる。さらに、犠牲膜１１８ｆは、機能膜１５６ｆ、及び機能膜１５５ｆへのダメージの少ないウェットエッチング法により除去可能な膜を用いることができる。

　犠牲膜１１８ｆは、犠牲膜１２８ｆに用いることができる材料を用いることができる。また、犠牲膜１１８ｆの形成は、犠牲膜１２８ｆの形成に用いることができる方法を用いることができる。なお、これに限られず、上述した成膜方法を適宜用いることができる。

　犠牲膜１１８ｆは、犠牲膜１２８ｆと同じ材料を用いることが好ましい。さらに、犠牲膜１１８ｆの膜厚は、犠牲膜１２８ｆの膜厚と同程度とすることが好ましい。

　犠牲膜１１９ｆは、後に犠牲膜１１８ｆをエッチングする際のハードマスクとして用いる。また、後の犠牲膜１１９ｆの加工時には、犠牲膜１１８ｆが露出する。したがって、犠牲膜１１８ｆと犠牲膜１１９ｆとは、互いにエッチングの選択比の大きい膜の組み合わせを選択する。そのため、犠牲膜１１８ｆのエッチング条件、及び犠牲膜１１９ｆのエッチング条件に応じて、犠牲膜１１９ｆに用いることのできる膜を選択することができる。

　犠牲膜１１９ｆは、犠牲膜１２９ｆに用いることができる材料を用いることができる。また、犠牲膜１１８ｆの形成は、犠牲膜１２８ｆの形成に用いることができる方法を用いることができる。なお、これに限られず、上述した成膜方法を適宜用いることができる。犠牲膜１１９ｆは、犠牲膜１２９ｆと同じ材料を用いてもよく、異なる材料を用いてもよい。また、犠牲膜１１８ｆの膜厚は、犠牲膜１２８ｆの膜厚と同程度であってもよく、異なってもよい。

　犠牲膜１１９ｆのエッチングは、犠牲膜１２９ｆのエッチングに関する記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

〔犠牲層１１９ａ乃至１１９ｃ、犠牲層１１８ａ乃至１１８ｃの形成〕
　続いて、電極１１１ａと重なる領域の犠牲膜１１９ｆ上、電極１１１ｂと重なる領域の犠牲膜１１９ｆ上、及び電極１１１ｃと重なる領域の犠牲膜１１９ｆ上に、レジストマスク１３４ａ、レジストマスク１３４ｂ、及びレジストマスク１３４ｃを形成する（図２０Ｂ）。

　レジストマスク１３４ａは、発光層１１２Ｒより小さくする。つまり、レジストマスク１３４ａの端部は、発光層１１２Ｒの端部より内側に位置する。同様に、レジストマスク１３４ｂは、発光層１１２Ｇより小さくする。つまり、レジストマスク１３４ｂの端部は、発光層１１２Ｇの端部より内側に位置する。レジストマスク１３４ｃは、発光層１１２Ｂより小さくする。つまり、レジストマスク１３４ｃの端部は、発光層１１２Ｂの端部より内側に位置する。

　レジストマスク１３４ａ、レジストマスク１３４ｂ、及びレジストマスク１３４ｃについては、レジストマスク１３３の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　なお、図７Ａに示す表示装置を作製する場合は、レジストマスク１３４ａは、発光層１１２Ｒより大きくする。つまり、レジストマスク１３４ａの端部は、発光層１１２Ｒの端部より外側に位置する。同様に、レジストマスク１３４ｂは、発光層１１２Ｇより大きくする。つまり、レジストマスク１３４ｂの端部は、発光層１１２Ｇの端部より外側に位置する。レジストマスク１３４ｃは、発光層１１２Ｂより大きくする。つまり、レジストマスク１３４ｃの端部は、発光層１１２Ｂの端部より外側に位置する。

　ここで、犠牲膜１１９ｆを形成せずに、犠牲膜１１８ｆ上にレジストマスク１３４ａ、レジストマスク１３４ｂ、及びレジストマスク１３４ｃを形成する場合、犠牲膜１１８ｆにピンホール等の欠陥が存在すると、レジスト材料の溶媒によって、機能膜１１６ｆ等が溶解してしまう恐れがある。犠牲膜１１９ｆを用いることで、このような不具合が生じることを防ぐことができる。

　なお、犠牲膜１１８ｆにピンホール等の欠陥が生じにくい膜を用いる場合には、犠牲膜１１９ｆを用いずに、犠牲膜１１８ｆ上に直接、レジストマスク１３４ａ、レジストマスク１３４ｂ、及びレジストマスク１３４ｃを形成してもよい。

　続いて、レジストマスク１３４ａ、レジストマスク１３４ｂ、及びレジストマスク１３４ｃのいずれにも覆われない領域の犠牲膜１１９ｆをエッチングにより除去し、犠牲層１１９ａ、犠牲層１１９ｂ、及び犠牲層１１９ｃを形成する。

　犠牲膜１１９ｆのエッチングの際、犠牲膜１１８ｆが当該エッチングにより除去されないように、選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。犠牲膜１１９ｆのエッチングは、ウェットエッチング又はドライエッチングにより行うことができるが、ドライエッチングを用いることで、犠牲層１１９ａ、犠牲層１１９ｂ、及び犠牲層１１９ｃの面積が縮小することを抑制できる。

　続いて、レジストマスク１３４ａ、レジストマスク１３４ｂ、及びレジストマスク１３４ｃを除去する（図２０Ｃ）。

　レジストマスク１３４ａ、レジストマスク１３４ｂ、及びレジストマスク１３４ｃの除去は、レジストマスク１３３の除去と同様の用法を用いることができる。

　このとき、レジストマスク１３４ａ、レジストマスク１３４ｂ、及びレジストマスク１３４ｃの除去は、機能膜１１６ｆ上に犠牲膜１１８ｆが設けられた状態で行われるため、機能膜１５６ｆ、発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、発光層１１２Ｂ、及び機能膜１５５ｆへのダメージを抑制することができる。特に、発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、及び発光層１１２Ｂが酸素に触れると、発光デバイスの特性に悪影響を及ぼす場合があるため、プラズマアッシング等の、酸素ガスを用いたエッチングを行う場合には好適である。

　続いて、犠牲層１１９ａ、犠牲層１１９ｂ、及び犠牲層１１９ｃをマスクに、犠牲層１１９ａ、犠牲層１１９ｂ、及び犠牲層１１９ｃのいずれにも覆われない領域の犠牲膜１１８ｆをエッチングにより除去し、犠牲層１１８ａ、犠牲層１１８ｂ、及び犠牲層１１８ｃを形成する。

　犠牲膜１１８ｆのエッチングは、犠牲膜１２８ｆのエッチングに関する記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

〔第１の機能層１１５ａ乃至１１５ｃ、第２の機能層１１６ａ乃至１１６ｃの形成〕
　続いて、犠牲層１１９ａ、犠牲層１１９ｂ、及び犠牲層１１９ｃをエッチングにより除去するとともに、犠牲層１１８ａ、犠牲層１１８ｂ、及び犠牲層１１８ｃのいずれにも覆われない領域の機能膜１１６ｆ、及び機能膜１１５ｆをエッチングにより除去し、第２の機能層１１６ａ、第２の機能層１１６ｂ、第２の機能層１１６ｃ、第１の機能層１１５ａ、第１の機能層１１５ｂ、及び第１の機能層１１５ｃを形成する（図２０Ｄ）。

　機能膜１１６ｆ、及び機能膜１１５ｆと犠牲層１１９ａ、犠牲層１１９ｂ、及び犠牲層１１９ｃとを同一工程でエッチングすることにより、工程を簡略にすることができ、表示装置の生産性を高め、作製コストを削減することができる。

　特に、機能膜１１６ｆ、及び機能膜１１５ｆのエッチングには、酸素を主成分に含まないエッチングガスを用いたドライエッチングを用いることが好ましい。これにより、機能膜１５６ｆ、及び機能膜１５５ｆの変質を抑制し、信頼性の高い表示装置を実現できる。

　なお、機能膜１１６ｆ、及び機能膜１１５ｆのエッチングと、犠牲層１１９ａ、犠牲層１１９ｂ、及び犠牲層１１９ｃのエッチングを、別々に行ってもよい。例えば、機能膜１１６ｆ、及び機能膜１１５ｆをエッチングし、その後に犠牲層１１９ａ、犠牲層１１９ｂ、及び犠牲層１１９ｃをエッチングしてもよい。

〔絶縁膜１８２ａｆ、絶縁層１８２ｂの形成〕
　続いて、犠牲層１１８ａ、犠牲層１１８ｂ、犠牲層１１８ｃ、犠牲層１２８、犠牲層１２８ｐ、及び基板１０１を覆って、絶縁膜１８２ａｆを形成する。

　絶縁膜１８２ａｆは、ＥＬ層及び受光層に不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。不純物として、例えば、水がある。絶縁膜１８２ａｆは、段差被覆性に優れたＡＬＤ法により形成すると、ＥＬ層の側面及び受光層の側面を好適に被覆することができるため好ましい。

　絶縁膜１８２ａｆは、犠牲層１１８と同じ膜を用いると、後に同じ工程でエッチングすることができるため好ましい。例えば、絶縁膜１８２ａｆと、犠牲層１１８に、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いることが好ましい。

　なお、絶縁膜１８２ａｆに用いることのできる材料はこれに限られず、犠牲層１２８に用いることのできる材料を適宜用いることができる。

　続いて、隣接する２つの発光デバイスの間、及び隣接する発光デバイスと受光デバイスの間に、絶縁層１８２ｂを形成する（図２０Ｅ）。図２０Ｅは、絶縁層１８２ｂをデバイス間の幅よりも大きな幅になるように形成した場合の例を示している。

　絶縁層１８２ｂとして、感光性の樹脂を用いることが好ましい。このとき、まず樹脂膜を成膜したのち、フォトマスクを介して樹脂膜を露光し、その後、現像処理を行うことにより、絶縁層１８２ｂを形成することができる。その後、アッシング等により絶縁層１８２ｂの上部を除去し、絶縁層１８２ｂの上面の高さを調整してもよい（図２１Ａ）。

　絶縁層１８２ｂとして、非感光性の樹脂を用いる場合には、樹脂膜を成膜した後に、厚さが最適になるまで、アッシングにより犠牲層１１８及び犠牲層１２８の表面が露出するまで、樹脂膜の上部を除去することで、絶縁層１８２ｂを形成することができる。

〔絶縁膜１８２ａｆ、犠牲層１１８、犠牲層１２８のエッチング〕
　続いて、絶縁層１８２ｂに覆われない領域の絶縁膜１８２ａｆ、犠牲層１１８ａ、犠牲層１１８ｂ、犠牲層１１８ｃ、犠牲層１２８、及び犠牲層１２８ｐをエッチングにより除去し、第２の機能層１１６の上面、第４の機能層１５６の上面、及び電極１１１ｐの上面を露出させる。また、絶縁層１８２ｂに覆われる領域に、絶縁層１８２ａが形成される（図２１Ｂ）。このとき、絶縁層１８２ｂの上部が除去され、絶縁層１８２ｂの上面の高さが低くなる場合がある。

　絶縁膜１８２ａｆと犠牲層１１８ａ、犠牲層１１８ｂ、犠牲層１１８ｃ、犠牲層１２８、及び犠牲層１２８ｐのエッチングは同一工程で行うことが好ましい。特に、犠牲層１１８ａ、犠牲層１１８ｂ、犠牲層１１８ｃ、犠牲層１２８、及び犠牲層１２８ｐのエッチングは、第２の機能層１１６ａ、第２の機能層１１６ｂ、第２の機能層１１６ｃ、及び第４の機能層１５６へのエッチングダメージが小さいウェットエッチングを好適に用いることができる。例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いたウェットエッチングを用いることが好ましい。

　または、絶縁膜１８２ａｆ及び犠牲層１１８のいずれか一方または双方を、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させることで除去することが好ましい。ここで、絶縁膜１８２ａｆ及び犠牲層１１８を溶解しうるアルコールとして、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、またはグリセリンなど、様々なアルコールを用いることができる。

　犠牲層１１８ａ乃至１１８ｃと、犠牲層１２８及び犠牲層１２８ｐを同じ工程で除去するため、これらの除去に要するエッチング時間が同程度であることが好ましい。例えば、犠牲層１１８ａ乃至１１８ｃと、犠牲層１２８及び犠牲層１２８ｐで同じ材料を適用することが好ましい。さらに、犠牲層１１８ａ乃至１１８ｃと、犠牲層１２８及び犠牲層１２８ｐで膜厚を同程度とすることが好ましい。

　犠牲層１１８ａ、犠牲層１１８ｂ、犠牲層１１８ｃ、犠牲層１２８、及び犠牲層１２８ｐを除去した後に、発光層１１２、活性層１５７、第１の機能層１１５、第２の機能層１１６、第３の機能層１５５、第４の機能層１５６、及び電極１１１ｐの内部に含まれる水、及び表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行うことが好ましい。例えば、不活性ガス雰囲気又は減圧雰囲気下における加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。

〔共通電極１２３の形成〕
　続いて、第２の機能層１１６ａ、第２の機能層１１６ｂ、第２の機能層１１６ｃ、第４の機能層１５６、及び電極１１１ｐを覆って、共通電極１２３を形成する（図２１Ｃ）。共通電極１２３は、接続部１４０において電極１１１ｐと電気的に接続される。

　共通電極１２３は、蒸着法、又はスパッタリング法を用いて形成することができる。又は、共通電極１２３は、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。共通電極１２３は、遮蔽マスクを用いて形成することが好ましい。遮蔽マスクは、表示装置１００の端部に共通電極１２３が露出しない、つまり、共通電極１２３の端部が表示装置１００の端部より内側になるように設けることが好ましい。

　なお、共通電極１２３の成膜の際に遮蔽マスクを使用しなくてもよい。図２１Ｄに示すように、共通電極１２３となる導電層１２３ｆを形成する。続いて、導電層１２３ｆ上にレジストマスク１３５を形成して、導電層１２３ｆを加工し、共通電極１２３を形成することができる。このとき、表示装置の端部に共通電極１２３が露出しない、つまり、共通電極１２３の端部が表示装置の端部より内側になるように加工することが好ましい。

〔保護層１２５の形成〕
　続いて、共通電極１２３上に、保護層１２５を形成する。保護層１２５に用いる無機絶縁膜の成膜には、スパッタリング法、ＰＥＣＶＤ法、又はＡＬＤ法を用いることが好ましい。特にＡＬＤ法は、段差被覆性に優れ、ピンホール等の欠陥が生じにくいため、好ましい。また、有機絶縁膜の成膜には、インクジェット法を用いると、所望の領域に均一な膜を形成できるため好ましい。

　以上により、図６Ａに示す表示装置を作製することができる。

　本発明の一態様の表示装置において、発光デバイスの発光層はＦＭＭを用いて形成し、受光デバイスの活性層はＦＭＭを用いずに形成することができる。このような構成とすることにより、精度の高い光検出機能を有する表示装置とすることができる。

＜作製方法例２＞
　図１１Ａに示す表示装置の作製方法を説明する。図２２Ａ及び図２２Ｂは、表示装置の作製方法の、各工程における断面概略図である。なお、前述の作製方法例１と重複する部分については説明を省略し、相違する部分について説明する。

　まず、作製方法例１と同様に、絶縁層１８２ｂまで形成する（図２０Ｅ）。

〔絶縁膜１８２ａｆ、犠牲層１１８、犠牲層１２８のエッチング〕
　続いて、絶縁層１８２ｂに覆われない領域の絶縁膜１８２ａｆ、犠牲層１１８ａ、犠牲層１１８ｂ、犠牲層１１８ｃ、犠牲層１２８、及び犠牲層１２８ｐをエッチングにより除去し、第２の機能層１１６の上面、第４の機能層１５６の上面、及び電極１１１ｐの上面を露出させる。また、絶縁層１８２ｂに覆われる領域に、絶縁層１８２ａが形成される（図２２Ａ）。

　このとき、絶縁層１８２ａと第２の機能層１１６ａの間に、犠牲層１１８ａが残存してもよい。同様に、絶縁層１８２ａと第２の機能層１１６ｂの間に、犠牲層１１８ｂが残存してもよい。絶縁層１８２ａと第２の機能層１１６ｃの間に、犠牲層１１８ｃが残存してもよい。絶縁層１８２ａと第４の機能層１５６の間に、犠牲層１２８が残存してもよい。絶縁膜１８２ａｆ、犠牲層１１８、及び犠牲層１２８のエッチングについては、前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　犠牲層１１８ａ、犠牲層１１８ｂ、犠牲層１１８ｃ、犠牲層１２８、及び犠牲層１２８ｐを除去した後に、発光層１１２、活性層１５７、第１の機能層１１５、第２の機能層１１６、第３の機能層１５５、第４の機能層１５６、及び電極１１１ｐの内部に含まれる水、及び表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行うことが好ましい。乾燥処理については前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

〔共通電極１２３の形成〕
　続いて、絶縁層１８２ａ、絶縁層１８２ｂ、第２の機能層１１６、第４の機能層１５６、及び電極１１１ｐを覆って、共通電極１２３を形成する（図２２Ｂ）。共通電極１２３の形成については前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

〔保護層１２５の形成〕
　続いて、共通電極１２３上に、保護層１２５を形成する。保護層１２５の形成については前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　以上により、図１１Ａに示す表示装置を作製することができる。

＜作製方法例３＞
　図１６Ａに示す表示装置の作製方法を説明する。図２３Ａ乃至図２５Ｅは、表示装置の作製方法の、各工程における断面概略図である。なお、前述の作製方法例１と重複する部分については説明を省略し、相違する部分について説明する。

　まず、作製方法例１と同様に、基板１０１上に電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、電極１１１ｄ、及び電極１１１ｐを形成する（図１８Ａ）。

〔機能膜１５５ｆ、活性膜１５７ｆ、機能膜１５６ｆの形成〕
　続いて、電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、電極１１１ｄ、電極１１１ｐ、及び基板１０１上に、後に第３の機能層１５５となる機能膜１５５ｆ、活性層１５７となる活性膜１５７ｆ、及び第４の機能層１５６となる機能膜１５６ｆをこの順に成膜する。機能膜１５５ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５６ｆの形成については、前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

〔犠牲膜１２８ｆ、犠牲膜１２９ｆの形成〕
　続いて、機能膜１５６ｆ上に、犠牲膜１２８ｆと、犠牲膜１２９ｆをこの順に形成する（図２３Ａ）。

　犠牲膜１２８ｆの膜厚は、１０ｎｍ以上３μｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上２μｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上１μｍ以下が好ましく、さらには２０ｎｍ以上１μｍ以下が好ましく、さらには２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましく、さらには３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましく、さらには３０ｎｍ以上４００ｎｍ以下が好ましく、さらには４０ｎｍ以上４００ｎｍ以下が好ましく、さらには４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、さらには５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、さらには５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらには５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましい。さらに、犠牲膜１２８ｆの膜厚は、第１の機能層１１５の膜厚より厚いことが好ましい。

　犠牲膜１２９ｆについては、前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

〔犠牲層１２９、犠牲層１２８の形成〕
　続いて、電極１１１ｄと重なる領域の犠牲膜１２９ｆ上、及び接続部１４０と重なる領域の犠牲膜１２９ｆ上に、レジストマスク１３３及びレジストマスク１３３ｐを形成する（図２３Ｂ）。

　続いて、レジストマスク１３３及びレジストマスク１３３ｐのいずれにも覆われない領域の犠牲膜１２９ｆをエッチングにより除去し、犠牲層１２９及び犠牲層１２９ｐを形成する。

　続いて、レジストマスク１３３を除去する（図２３Ｃ）。

　続いて、犠牲層１２９及び犠牲層１２９ｐをマスクに、犠牲層１２９及び犠牲層１２９ｐのいずれにも覆われない領域の犠牲膜１２８ｆをエッチングにより除去し、電極１１１ｄと重なる領域に犠牲層１２８を形成するとともに、電極１１１ｐの上面に接する犠牲層１２８ｐを形成する。

〔第３の機能層１５５、活性層１５７、第４の機能層１５６の形成〕
　続いて、犠牲層１２９及び犠牲層１２９ｐをエッチングにより除去するとともに、犠牲層１２８及び犠牲層１２８ｐのいずれにも覆われない領域の機能膜１５６ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５５ｆをエッチングにより除去し、第４の機能層１５６、活性層１５７、及び第３の機能層１５５を形成する（図２３Ｄ）。

　機能膜１５６ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５５ｆと、犠牲層１２９及び犠牲層１２９ｐとを同一工程でエッチングすることにより、工程を簡略にすることができ、表示装置の生産性を高め、作製コストを削減することができる。

　特に、機能膜１５６ｆ、活性膜１５７ｆ、及び機能膜１５５ｆのエッチングについては、前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

〔第１の機能層１１５の形成〕
　続いて、基板１０１、電極１１１ａ、電極１１１ｂ、電極１１１ｃ、電極１１１ｐ、第３の機能層１５５、活性層１５７、第４の機能層１５６、犠牲層１２８、及び犠牲層１２８ｐを覆って、第１の機能層１１５、第１の機能層１１５ｄ、及び第１の機能層１１５ｐを形成する。

　ここで、犠牲層１２８または犠牲層１２８ｐが設けられる領域と、犠牲層１２８及び犠牲層１２８ｐのいずれも設けられない領域の間に、第１の機能層が成膜されない領域が形成される。つまり、犠牲層１２８または犠牲層１２８ｐが設けられる領域と、犠牲層１２８または犠牲層１２８ｐが設けられない領域で、第１の機能層が分離して設けられる。図２４Ａは、分離して設けられた第１の機能層として、犠牲層１２８上に成膜される第１の機能層１１５ｄ、犠牲層１２８ｐ上に成膜される第１の機能層１１５ｐ、及び犠牲層１２８及び犠牲層１２８ｐのいずれも設けられない領域に成膜される第１の機能層１１５を示している。なお、第１の機能層１１５は、電極１１１ａ、電極１１１ｂ、及び電極１１１ｃの上面と接して設けられる。

　犠牲層１２８または犠牲層１２８ｐとなる犠牲膜１２８ｆの膜厚は、前述の範囲とすることが好ましい。犠牲膜１２８ｆの膜厚が薄いと、第１の機能層１１５、第１の機能層１１５ｄ、及び第１の機能層１１５ｐを分離して設けることができなくなってしまう場合がある。また、犠牲膜１２８ｆの膜厚が厚いと、犠牲膜１２８ｆの加工が困難となってしまう場合がある。犠牲膜１２８ｆの膜厚を前述の範囲とすることで、第１の機能層１１５、第１の機能層１１５ｄ、及び第１の機能層１１５ｐを分離して設けることができ、かつ犠牲膜１２８ｆの加工を容易にすることができる。

〔発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、発光層１１２Ｂの形成〕
　続いて、電極１１１ａと重なる領域の第１の機能層１１５上に、島状の発光層１１２Ｒを形成する（図２４Ｂ）。発光層１１２Ｒの形成は、ＦＭＭ１９１Ｒを用いることが好ましい。

　続いて、ＦＭＭ１９１Ｇを用いて、電極１１１ｂと重なる領域の第１の機能層１１５上に、発光層１１２Ｇを形成する（図２４Ｃ）。

　続いて、ＦＭＭ１９１Ｂを用いて、電極１１１ｃと重なる領域の第１の機能層１１５上に、発光層１１２Ｂを形成する（図２４Ｄ）。

　発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、及び発光層１１２Ｂの形成については、前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　なお、発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、及び発光層１１２Ｂの形成順は、特に限定されない。

〔第２の機能層１１６の形成〕
　続いて、発光層１１２Ｒ、発光層１１２Ｇ、発光層１１２Ｂ、第１の機能層１１５、第１の機能層１１５ｄ、及び第１の機能層１１５ｐを覆って、第２の機能層１１６、第２の機能層１１６ｄ、及び第２の機能層１１６ｐを形成する。

　ここで、犠牲層１２８または犠牲層１２８ｐが設けられる領域と、犠牲層１２８及び犠牲層１２８ｐのいずれも設けられない領域の間に、第２の機能層が成膜されない領域が形成される。つまり、犠牲層１２８または犠牲層１２８ｐが設けられる領域と、犠牲層１２８または犠牲層１２８ｐが設けられない領域で、第２の機能層が分離（段切れともいう）して設けられる。図２５Ａは、分離して設けられた第２の機能層として、犠牲層１２８上に成膜される第２の機能層１１６ｄ、犠牲層１２８ｐ上に成膜される第２の機能層１１６ｐ、及び犠牲層１２８及び犠牲層１２８ｐのいずれも設けられない領域に成膜される第２の機能層１１６を示している。なお、第２の機能層１１６ｄは、第１の機能層１１５ｄに接して設けられる。第２の機能層１１６ｐは、第１の機能層１１５ｐに接して設けられる。第２の機能層１１６は、第１の機能層１１５に接して設けられる。このとき、第２の機能層１１６の端部は、第１の機能層１１５の端部より内側に位置してもよい。

　犠牲層１２８または犠牲層１２８ｐとなる犠牲膜１２８ｆの膜厚は、前述の範囲とすることが好ましい。犠牲膜１２８ｆの膜厚が薄いと、第２の機能層１１６、第２の機能層１１６ｄ、及び第２の機能層１１６ｐを分離して設けることができなくなってしまう場合がある。犠牲膜１２８ｆの膜厚を前述の範囲とすることで、第２の機能層１１６、第２の機能層１１６ｄ、及び第２の機能層１１６ｐを分離して設けることができる。

〔犠牲層１２８、犠牲層１２８ｐの除去〕
　続いて、犠牲層１２８、及び犠牲層１２８ｐを除去する。このとき、犠牲層１２８上の第１の機能層１１５ｄ及び第２の機能層１１６ｄ、並びに犠牲層１２８ｐ上の第１の機能層１１５ｐ及び第２の機能層１１６ｐも除去され、第４の機能層１５６の上面、及び電極１１１ｐの上面を露出させる（図２５Ｂ）。

　犠牲層１２８、及び犠牲層１２８ｐの除去は、第１の機能層１１５、第２の機能層１１６、第３の機能層１５５、活性層１５７、第４の機能層１５６、及び電極１１１ｐにできるだけダメージを与えない方法を用いることが好ましい。犠牲層１２８、及び犠牲層１２８ｐの除去は、ウェットエッチングを好適に用いることができる。犠牲層１２８を溶解することにより、犠牲層１２８上の第１の機能層１１５ｄ及び第２の機能層１１６ｄが併せて除去（リフトオフともいう）される。同様に、犠牲層１２８ｐを溶解することにより、犠牲層１２８ｐ上の第１の機能層１１５ｐ及び第２の機能層１１６ｐが併せて除去（リフトオフ）される。リフトオフを用いることにより、第１の機能層１１５及び第２の機能層１１６にダメージを与えることなく、第１の機能層１１５ｄ、第２の機能層１１６ｄ、第１の機能層１１５ｐ及び第２の機能層１１６ｐを除去することができる。

　犠牲層１２８、及び犠牲層１２８ｐを除去した後に、発光層１１２、活性層１５７、第１の機能層１１５、第２の機能層１１６、第３の機能層１５５、第４の機能層１５６、及び電極１１１ｐの内部に含まれる水、及び表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行うことが好ましい。

〔絶縁膜１８２ａｆ、絶縁層１８２ｂの形成〕
　続いて、第２の機能層１１６、第４の機能層１５６、電極１１１ｐ、及び基板１０１を覆って、絶縁膜１８２ａｆを形成する。絶縁膜１８２ａｆの形成については、前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　続いて、隣接する２つの発光デバイスの間、及び隣接する発光デバイスと受光デバイスの間に、絶縁層１８２ｂを形成する（図２５Ｃ）。絶縁層１８２ｂの形成については、前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

〔絶縁膜１８２ａｆのエッチング〕
　続いて、絶縁層１８２ｂに覆われない領域の絶縁膜１８２ａｆをエッチングにより除去し、第２の機能層１１６の上面、第４の機能層１５６の上面、及び電極１１１ｐの上面を露出させる。また、絶縁層１８２ｂに覆われる領域に、絶縁層１８２ａが形成される（図２５Ｄ）。絶縁膜１８２ａｆのエッチングについては、前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

〔共通電極１２３の形成〕
　続いて、第２の機能層１１６、第４の機能層１５６、及び電極１１１ｐを覆って、共通電極１２３を形成する（図２５Ｅ）。共通電極１２３は、接続部１４０において電極１１１ｐと電気的に接続される。

〔保護層１２５の形成〕
　続いて、共通電極１２３上に、保護層１２５を形成する。

　以上により、図１６Ａに示す表示装置を作製することができる。

　以上が、表示装置の作製方法の一例についての説明である。

　以上のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、同一基板上に、発光デバイスと受光デバイスを作り分けることができる。さらに、発光デバイスと受光デバイスが、共通電極以外に共通する構成要素を有さない構成とすることができる。これにより、受光デバイスのＳＮ比を高めることができ、精度の高い受光デバイスを有する表示装置とすることができる。また、消費電力の低い表示装置とすることができる。

＜画素のレイアウト＞
　画素のレイアウトについて、説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列として、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。

　副画素の上面形状は、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。ここで、副画素の上面形状は、発光デバイスの発光領域、または受光デバイスの受光領域の上面形状に相当する。

　図４Ａに示す表示装置１００Ａは、１つの画素１０３が２行３列で構成されている。画素１０３は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１３０）を有する。言い換えると、画素１０３は、左の列（１列目）に、副画素１２０Ｒを有し、中央の列（２列目）に副画素１２０Ｇを有し、右の列（３列目）に副画素１２０Ｂを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１３０を有する。

　本実施の形態等では、画素のレイアウトを分かりやすく説明するため、図面の横方向（Ｘ方向）を行方向、縦方向（Ｙ方向）を列方向としているが、これに限定されず、行方向と列方向は入れ替えることができる。したがって、本明細書等において、行方向及び列方向の一方を、第１の方向を記し、行方向及び列方向の他方を、第２の方向と記す場合がある。第２の方向は、第１の方向と直交する。なお、表示部の上面形状が矩形の場合、第１の方向及び第２の方向はそれぞれ、表示部の輪郭の直線部分と平行でなくてもよい。また、表示部の上面形状は矩形に限定されず、多角形、または曲線を有する形状（円、楕円など）であってもよく、第１の方向及び第２の方向は表示部に対して任意の方向とすることができる。

　本実施の形態等では、画素のレイアウトを分かりやすく説明するため、図面の左から副画素の順序を示すが、これに限定されず、右からの順序に入れ替えることができる。同様に、図面の上から副画素の順序を示すが、これに限定されず、下からの順序に入れ替えることができる。

　図４Ａと異なる画素の配列を、図２６Ａ及び図２６Ｂに示す。

　図２６Ａに示す表示装置１００Ｂは、画素１０３にストライプ配列が適用されている。画素１０３は、行方向に副画素１２０Ｒ、副画素１２０Ｇ、副画素１２０Ｂ、及び副画素１３０を有する。

　図２６Ｂに示す表示装置１００Ｃは、画素１０３にマトリクス配列が適用されている。画素１０３は２行２列で構成され、上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１２０Ｒ、１２０Ｇ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１２０Ｂ、１３０）を有する。言い換えると、画素１０３は、左の列（１列目）に、２つの副画素（副画素１２０Ｒ、１３０）を有し、右の列（２列目）に２つの副画素（副画素１２０Ｇ、１２０Ｂ）を有する。

　なお、各副画素の位置は特に限定されない。例えば、副画素１２０Ｒと副画素１３０の位置を入れ替えてもよい。

　各副画素が有する発光デバイスの発光領域の面積は互いに同じでもよく、互いに異なってもよい。例えば、発光領域の面積は、発光デバイスの寿命に応じて決めることができる。寿命が短い発光デバイスの発光領域の面積を、他の発光デバイスの発光領域の面積より大きくすることが好ましい。発光領域の面積を大きくすることにより、発光デバイスにかかる電流密度は低くなるため、当該発光デバイスの寿命を長くすることができる。つまり、信頼性の高い表示装置とすることができる。

　本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、又は図面等と適宜組み合わせることができる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図２７乃至図３６を用いて説明する。

　本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

　本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。

＜表示モジュール＞
　図２７Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂ乃至表示装置１００Ｆのいずれかであってもよい。

　表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

　図２７Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

　画素部２８４は、マトリクス状に配列した複数の画素２８４ａを有する。図２７Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａは、赤色の光を発する発光デバイス１１０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１１０Ｇ、青色の光を発する発光デバイス１１０Ｂ、及び受光デバイス１５０を有する。

　画素回路部２８３は、マトリクス状に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。

　１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する複数の素子の駆動を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、素子の駆動を制御する回路が５つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。

　回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有してもよい。

　ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号または電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されてもよい。

　表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が積層された構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

　このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

＜表示装置１００Ａ＞
　図２８に示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、受光デバイス１５０、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。

　基板３０１は、図２７Ａ及び図２７Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３０１から絶縁層２５５ｂまでの積層構造が、実施の形態１における基板１０１に相当する。

　トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１は、例えば、単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインとして機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

　基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

　容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

　導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインと電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

　容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられている。

　絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｂはそれぞれ、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの各種無機絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層２５５ａは、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用いることが好ましい。より具体的には、絶縁層２５５ａとして酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂとして窒化シリコン膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。または、絶縁層２５５ａとして、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用い、絶縁層２５５ｂとして、酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いてもよい。本実施の形態では、絶縁層２５５ｂに凹部が設けられている例を示すが、絶縁層２５５ｂに凹部が設けられていなくてもよい。

　絶縁層２５５ｂ上に発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び受光デバイス１５０が設けられている。発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び、受光デバイス１５０はそれぞれ、実施の形態１に示した発光デバイス及び受光デバイスの構成を適用することができる。隣接する発光デバイスの間、及び隣接する発光デバイス及び受光デバイスの間に、絶縁物が設けられる。図２８は、当該領域に絶縁層１８２ａと、絶縁層１８２ａ上の絶縁層１８２ｂと、が設けられた構成を示している。

　発光デバイスの電極１１１ａ、電極１１１ｂ、及び電極１１１ｄは、絶縁層２５５ａ、２５５ｂに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインと電気的に接続されている。絶縁層２５５ｂの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。

　発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び、受光デバイス１５０上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイスから基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態１を参照することができる。基板１２０は、図２７Ａにおける基板２９２に相当する。

　電極１１１ａ、電極１１１ｂ、及び電極１１１ｄのそれぞれの上面端部は、絶縁層によって覆われていない。そのため、隣接する発光デバイスの間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示装置とすることができる。

　図４Ｂ等では、発光デバイス１１０Ｒ、及び発光デバイス１１０Ｇ、発光デバイス１１０Ｂがそれぞれ、異なる構成のＥＬ層１７５Ｒ、ＥＬ層１７５Ｇ、及びＥＬ層１７５Ｂを有する例を示したが、ＥＬ層１７５Ｒ、ＥＬ層１７５Ｇ、及びＥＬ層１７５Ｂは同一の構成であってもよい。

　例えば、発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂがいずれも、白色の光を発する構成とすることができる。さらに、発光デバイス１１０と重なる領域に着色層を設けてもよい。発光デバイス１１０Ｒと重なる領域に、赤色の光を透過する着色層を設けることにより、発光デバイス１１０Ｒからの発光は、当該着色層を介して表示装置の外部に赤色の光として取り出される。同様に、発光デバイス１１０Ｇと重なる領域に、緑色の光を透過する着色層を設けることにより、発光デバイス１１０Ｇからの発光は、当該着色層を介して表示装置の外部に緑色の光として取り出される。発光デバイス１１０Ｂと重なる領域に、青色の光を透過する着色層を設けることにより、発光デバイス１１０Ｂからの発光は、当該着色層を介して表示装置の外部に青色の光として取り出される。

＜表示装置１００Ｂ＞
　図２９に示す表示装置１００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示装置の説明では、先に説明した表示装置と同様の部分については説明を省略することがある。

　表示装置１００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

　ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５を設けることが好ましい。また、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上に絶縁層３４６を設けることが好ましい。絶縁層３４５、３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散するのを抑制することができる。絶縁層３４５、及び絶縁層３４６は、保護層１３１または絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って絶縁層３４４を設けることが好ましい。絶縁層３４４は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂに不純物が拡散するのを抑制することができる。絶縁層３４４は、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　基板３０１Ｂの裏面（基板１２０側とは反対側の表面）側、絶縁層３４５の下に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されていることが好ましい。ここで、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。

　一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されていることが好ましい。

　導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。ここで、導電層３４２と絶縁層３３５で形成される面と、導電層３４１と絶縁層３３６で形成される面の平坦性を向上させておくことで、導電層３４１と導電層３４２の貼り合わせを良好にすることができる。

　導電層３４１及び導電層３４２は、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

＜表示装置１００Ｃ＞
　図３０に示す表示装置１００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。

　図３０に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。

＜表示装置１００Ｄ＞
　図３１に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置１００Ａと主に相違する。

　トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタと記す）である。

　トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。

　基板３３１は、図２７Ａ及び図２７Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３３１から絶縁層２５５ｂまでの積層構造が、実施の形態１における基板１０１に相当する。基板３３１は、絶縁性基板または半導体基板を用いることができる。

　基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２は、例えば、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

　絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

　半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体）膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

　一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８は、絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

　導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。

　絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９は、絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

＜表示装置１００Ｅ＞
　図３２に示す表示装置１００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

　トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置１００Ｄを援用することができる。

　なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。

＜表示装置１００Ｆ＞
　図３３に示す表示装置１００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

　トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

　このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。

＜表示装置１００Ｇ＞
　図３４に、表示装置１００Ｇの斜視図を示し、図３５Ａに、表示装置１００Ｇの断面図を示す。

　表示装置１００Ｇは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図３４では、基板１５２を破線で明示している。

　表示装置１００Ｇは、表示部１６２、接続部１４０、回路１６４、配線１６５等を有する。図３４は、表示装置１００ＧにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図３４に示す構成は、表示装置１００Ｇと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。

　接続部１４０は、表示部１６２の外側に設けられる。接続部１４０は、表示部１６２の一辺または複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図３４では、表示部の四辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０では、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給することができる。

　回路１６４は、例えば、走査線駆動回路を用いることができる。

　配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ１７２を介して外部から、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。

　図３４では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ｇ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

　図３５Ａに、表示装置１００Ｇの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

　図３５Ａに示す表示装置１００Ｇは、基板１５１と基板１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び受光デバイス１５０等を有する。

　発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び受光デバイス１５０は、画素電極の構成が異なる点以外は、それぞれ実施の形態１を参照できる。

　発光デバイス１１０Ｒは、導電層１１３ａと、導電層１１３ａ上の導電層１２６ａと、導電層１２６ａ上の導電層１２７ａと、を有する。導電層１１３ａ、導電層１２６ａ、及び導電層１２７ａの全てを画素電極と呼ぶこともでき、一部を画素電極と呼ぶこともできる。

　発光デバイス１１０Ｇは、導電層１１３ｂと、導電層１１３ｂ上の導電層１２６ｂと、導電層１２６ｂ上の導電層１２７ｂと、を有する。

　受光デバイス１５０は、導電層１１３ｄと、導電層１１３ｄ上の導電層１２６ｄと、導電層１２６ｄ上の導電層１２７ｄと、を有する。

　導電層１１３ａは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層１１３ａの端部よりも外側に導電層１２６ａの端部が位置している。導電層１２６ａの端部と導電層１２７ａの端部は、揃っている、または概略揃っている。例えば、導電層１１３ａ及び導電層１２６ａに反射電極として機能する導電層を用い、導電層１２７ａに、透明電極として機能する導電層を用いることができる。

　発光デバイス１１０Ｇにおける導電層１１３ｂ、導電層１２６ｂ、及び導電層１２７ｂ、並びに受光デバイス１５０における導電層１１３ｄ、導電層１２６ｄ、及び導電層１２７ｄについてはそれぞれ、導電層１１３ａ、導電層１２６ａ、及び導電層１２７ａの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　導電層１１３ａ、導電層１１３ｂ、及び導電層１１３ｄには、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には層１８４が埋め込まれている。

　層１８４は、導電層１１３ａ、導電層１１３ｂ、及び導電層１１３ｄの凹部を平坦化する機能を有する。導電層１１３ａ、導電層１１３ｂ、及び導電層１１３ｄ及び層１８４上には、導電層１１３ａ、導電層１１３ｂ、及び導電層１１３ｄと電気的に接続される導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｄが設けられている。したがって、導電層１１３ａ、導電層１１３ｂ、及び導電層１１３ｄの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。

　層１８４は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１８４には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１８４は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましい。

　層１８４は、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、層１８４として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、層１８４として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。

　感光性の樹脂を用いることにより、露光及び現像の工程のみで層１８４を作製することができ、ドライエッチング、あるいはウェットエッチング等による導電層１１３ａ、導電層１１３ｂ、及び導電層１１３ｄの表面への影響を低減することができる。また、ネガ型の感光性樹脂を用いて層１８４を形成することにより、絶縁層２１４の開口の形成に用いるフォトマスク（露光マスク）と同一のフォトマスクを用いて、層１８４を形成できる場合がある。

　なお、図３５Ａは、層１８４の上面が平坦部を有する例を示すが、本発明の一態様はこれに限られない。層１８４の上面は、例えば、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する構成としてもよい。または、層１８４の上面は、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成としてもよい。または、層１８４の上面は、凸曲面及び凹曲面の一方または双方を有してもよい。層１８４の上面が有する凸曲面及び凹曲面の数はそれぞれ限定されず、一つまたは複数とすることができる。

　層１８４の上面の高さと、導電層１１３の上面の高さと、は、一致または概略一致していてもよく、互いに異なってもよい。例えば、層１８４の上面の高さは、導電層１１３の上面の高さより低くてもよく、高くてもよい。

　導電層１２６ａの上面及び側面と導電層１２７ａの上面及び側面は、ＥＬ層１７５Ｒによって覆われている。同様に、導電層１２６ｂの上面及び側面と導電層１２７ｂの上面及び側面は、ＥＬ層１７５Ｇによって覆われている。また、導電層１２６ｄの上面及び側面と導電層１２７ｄの上面及び側面は、受光層１７７によって覆われている。したがって、導電層１２６ａ、及び導電層１２６ｂが設けられている領域全体を、発光デバイス１１０Ｒ、及び発光デバイス１１０Ｇの発光領域として用いることができるため、画素の開口率を高めることができる。同様に、導電層１２６ｄが設けられている領域全体を、受光デバイス１５０の受光領域として用いることができるため、高感度の受光機能を有する表示装置とすることができる。

　ＥＬ層１７５Ｒ、ＥＬ層１７５Ｇ、及び、受光層１７７の側面は、それぞれ、絶縁層１８２ａ、絶縁層１８２ｂによって覆われている。ＥＬ層１７５Ｒと絶縁層１８２ａとの間には犠牲層１１８ａが位置する。また、ＥＬ層１７５Ｇと絶縁層１８２ａとの間には犠牲層１１８ｂが位置し、受光層１７７と絶縁層１８２ａとの間には犠牲層１２８が位置する。ＥＬ層１７５Ｒ、ＥＬ層１７５Ｇ、受光層１７７、及び、絶縁層１８２ａ、絶縁層１８２ｂ上に、共通電極１２３が設けられている。共通電極１２３は、それぞれ、複数の発光デバイス１１０及び受光デバイス１５０に共通して設けられるひとつなぎの膜である。

　発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、受光デバイス１５０上にはそれぞれ、保護層１３１が設けられている。保護層１３１と基板１５２は接着層１４２を介して接着されている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図３５Ａでは、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

　接続部１４０においては、絶縁層２１４上に導電層１８６が設けられている。導電層１８６は、導電層１１３ａ、導電層１１３ｂ、及び導電層１１３ｄと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６ａ、導電層１２６ｂ、及び導電層１２６ｄと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２７ａ、導電層１２７ｂ、及び導電層１２７ｄと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。導電層１８６の端部は、犠牲層１２８ｐ、絶縁層１８２ａ、及び、絶縁層１８２ｂによって覆われている。また、導電層１８６上に共通電極１２３が設けられている。導電層１８６は、共通電極１２３と電気的に接続される。導電層１８６と共通電極１２３は直接接して電気的に接続されてもよく、他の導電層を介して電気的に接続されてもよい。

　表示装置１００Ｇは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１２３）は可視光を透過する材料を含む。

　基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が、実施の形態１における基板１０１に相当する。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

　基板１５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

　トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

　絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５は、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜として、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

　平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。有機絶縁層に用いることができる材料として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁層と、無機絶縁層との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護層としての機能を有することが好ましい。これにより、導電層１１３ａ、導電層１２６ａ、または導電層１２７ａなどの加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制することができる。または、絶縁層２１４には、導電層１１３ａ、導電層１２６ａ、または導電層１２７ａなどの加工時に、凹部が設けられてもよい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

　本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられてもよい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

　トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

　トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、ＯＳトランジスタを有することが好ましい。

　結晶性を有する酸化物半導体として、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。

　または、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）を用いてもよい。シリコンとして、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ）を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

　ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。

　ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。

　室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＯＳトランジスタのオフ電流値は、１ａＡ（１×１０^−１８Ａ）以下、１ｚＡ（１×１０^−２１Ａ）以下、または１ｙＡ（１×１０^−２４Ａ）以下とすることができる。なお、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＳｉトランジスタのオフ電流値は、１ｆＡ（１×１０^−１５Ａ）以上１ｐＡ（１×１０^−１２Ａ）以下である。したがって、ＯＳトランジスタのオフ電流は、Ｓｉトランジスタのオフ電流よりも１０桁程度低いともいえる。

　画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。

　トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調を大きくすることができる。

　トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、ＥＬデバイスの電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。

　上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、「発光デバイスのばらつきの抑制」などを図ることができる。

　半導体層は、例えば、インジウムと、元素Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

　特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

　半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

　例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を４としたとき、Ｇａの原子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を１としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。

　回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

　表示部１６２が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。

　例えば、表示部１６２にＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、より好適な例として、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタ等にＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタ等にＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。

　例えば、表示部１６２が有するトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタとも呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。

　一方、表示部１６２が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。

　このように本発明の一態様の表示装置は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。

　図３５Ｂ及び図３５Ｃに、トランジスタの他の構成例を示す。

　トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

　図３５Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

　一方、図３５Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図３５Ｃに示す構造を作製できる。図３５Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。

　基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層１１３ａ、導電層１１３ｂ、及び導電層１１３ｄと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６ａ、導電層１２６ｂ、及び導電層１２６ｄと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２７ａ、導電層１２７ｂ、及び導電層１２７ｄと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

　基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。遮光層１１７は、隣接する発光デバイスの間、接続部１４０、及び、回路１６４などに設けることができる。また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。

　発光デバイスを覆う保護層１３１を設けることで、発光デバイスに水などの不純物が入り込むことを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　基板１５１及び基板１５２は、それぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用することができる。

　接着層１４２は、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用することができる。

　接続層２４２は、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

＜表示装置１００Ｈ＞
　表示装置１００Ｇの変形例を、図３６に示す。表示装置１００Ｈは、基板１５１の代わりに基板１５３、接着層１５９、及び絶縁層２１２を有する点、及び基板１５２の代わりに基板１５４、接着層１６０、及び絶縁層１５８を有する点で表示装置１００Ｇと主に異なる。

　表示装置１００Ｈは、基板１５３と絶縁層２１２が接着層１５９によって貼り合わされている。また、基板１５４と絶縁層１５８が接着層１６０によって貼り合わされている。

　図３６は、受光デバイス１５０と重なる領域に、紫外光をカットするフィルタ１４９が設けられる構成を示している。なお、フィルタ１４９を設けない構成とすることもできる。

　図３６に示す表示装置１００Ｈを作製する際は、まず、絶縁層２１２、各トランジスタ、発光デバイス１１０、及び受光デバイス１５０等が設けられる第１の作製基板と、絶縁層１５８、遮光層１１７、及びフィルタ１４９等が設けられる第２の作製基板と、を接着層１４２によって貼り合わせる。そして、第１の作製基板を剥離し露出した面に、接着層１５９を用いて基板１５３を貼る。これにより、第１の作製基板上に形成した各構成要素を、基板１５３に転置する。また、第２の作製基板を剥離し露出した面に、接着層１６０を用いて基板１５４を貼る。これにより、第２の作製基板上に形成した各構成要素を、基板１５４に転置する。基板１５３及び基板１５４は、それぞれ、可撓性を有することが好ましい。これにより、表示装置１００Ｈが可撓性を有することができる。つまり、表示装置１００Ｈを、フレキシブルディスプレイとすることができる。

　絶縁層２１２及び絶縁層１５８には、それぞれ、絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光デバイスについて、説明する。

＜発光デバイスの構成例＞
　図３７Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（電極６７２、電極６８８）の間に、ＥＬ層６８６を有する。ＥＬ層６８６は、層４４２０、発光層４４１１、層４４３０等の複数の層で構成することができる。層４４２０は、例えば電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）及び電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）等を有することができる。発光層４４１１は、例えば発光性の化合物を有する。層４４３０は、例えば正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）及び正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有することができる。

　一対の電極間に設けられた層４４２０、発光層４４１１及び層４４３０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図３７Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

　図３７Ｂは、図３７Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層６８６の変形例である。具体的には、図３７Ｂに示す発光デバイスは、電極６７２上の層４４３０−１と、層４４３０−１上の層４４３０−２と、層４４３０−２上の発光層４４１１と、発光層４４１１上の層４４２０−１と、層４４２０−１上の層４４２０−２と、層４４２０−２上の電極６８８と、を有する。例えば、電極６７２を陽極とし、電極６８８を陰極とした場合、層４４３０−１が正孔注入層として機能し、層４４３０−２が正孔輸送層として機能し、層４４２０−１が電子輸送層として機能し、層４４２０−２が電子注入層として機能する。又は、電極６７２を陰極とし、電極６８８を陽極とした場合、層４４３０−１が電子注入層として機能し、層４４３０−２が電子輸送層として機能し、層４４２０−１が正孔輸送層として機能し、層４４２０−２が正孔注入層として機能する。このような層構造とすることで、発光層４４１１に効率よくキャリアを注入し、発光層４４１１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることが可能となる。

　なお、図３７Ｃに示すように層４４２０と層４４３０との間に複数の発光層（発光層４４１１、発光層４４１２、発光層４４１３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。

　図３７Ｄに示すように、複数の発光ユニット（ＥＬ層６８６ａ、ＥＬ層６８６ｂ）が中間層（電荷発生層）４４４０を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、本明細書等においては、図３７Ｄに示すような構成をタンデム構造として呼称するが、これに限定されず、例えば、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。なお、タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。

　なお、図３７Ｃ、及び図３７Ｄにおいても、図３７Ｂに示すように、層４４２０と、層４４３０とは、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

　発光デバイスの発光色は、ＥＬ層６８６を構成する材料によって、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄又は白等とすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度をさらに高めることができる。

　白色の光を発する発光デバイスは、発光層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、２種類の発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。３種類以上の発光物質を用いる場合は、各々の発光色が合わさることで、発光デバイス全体として白色発光する構成とすればよい。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。

　発光層には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質を２以上含むことが好ましい。又は、発光物質を２以上有し、それぞれの発光物質の発光は、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含むことが好ましい。

　本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、又は図面等と適宜組み合わせることができる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる受発光デバイスの構成について、説明する。前述の表示装置に、受発光デバイスを加えた構成とすることができる。または、受光デバイスを受発光デバイスに置き換えた構成とすることができる。本発明の一態様の表示装置は、例えば、発光デバイスと、受光デバイスと、受発光デバイスとを有する構成とすることができる。または、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスと、受発光デバイスとを有する構成とすることができる。

　受発光デバイスは、発光機能を有し、かつ受光機能を有する。ここでは、赤色の光を発し、かつ、受光機能を有する受発光デバイスを例に挙げて、説明する。なお、受発光デバイスの作製方法は、前述の受光デバイスの作製方法の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。または、受発光デバイスの作製方法は、前述の発光デバイスの作製方法の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出するトップエミッション型、発光デバイスが形成されている基板側に光を射出するボトムエミッション型、両面に光を射出するデュアルエミッション型のいずれであってもよい。

　本実施の形態では、トップエミッション型の表示装置を例に挙げて説明する。

　図３８Ａに示す受発光デバイスは、電極３７７、正孔注入層３８１、正孔輸送層３８２、活性層３７３、発光層３８３Ｒ、電子輸送層３８４、電子注入層３８５、及び電極３７８をこの順で積層して有する。

　発光層３８３Ｒは、赤色の光を発する発光材料を有する。活性層３７３は、可視光を吸収する有機化合物を有する。または、活性層３７３は、可視光、及び赤外光を吸収する有機化合物を有してもよい。または、活性層３７３は、可視光を吸収する有機化合物、及び赤外光を吸収する有機化合物を有してもよい。なお、活性層３７３が有する有機化合物は、少なくとも発光層３８３Ｒが発する光を吸収しにくいことが好ましい。これにより、受発光デバイスからは赤色の光が効率よく取り出され、さらに、赤色よりも短波長の光（例えば、緑色の光、及び青色の光）、ならびに赤色よりも長波長の光（例えば、赤外光）の一または複数を高い精度で検出することができる。

　図３８Ａは、受発光デバイスが発光デバイスとして機能する様子を模式的に示している。図３８Ａでは、受発光デバイスから射出される赤色（Ｒ）の光を矢印で示している。

　図３８Ｂは、受発光デバイスが受光デバイスとして機能する様子を模式的に示している。図３８Ｂでは、受発光デバイスに入射する青色の光（Ｂ）と緑色の光（Ｇ）を矢印で示している。

　受発光デバイスは、電極３７７と電極３７８の間に電圧を印加することで、受発光デバイスに入射する光を検出し、電荷を発生させ、電流として取り出すことができる。

　受発光デバイスは、発光デバイスに活性層３７３を追加した構成ということができる。つまり、発光デバイスの作製工程に、活性層３７３を成膜する工程を追加するのみで、発光デバイスの形成と並行して受発光デバイスを形成することができる。また、発光デバイスと受発光デバイスとを同一基板上に形成することができる。したがって、作製工程を大幅に増やすことなく、表示部に撮像機能及びセンシング機能の一方または双方を付与することができる。

　発光層３８３Ｒと活性層３７３との積層順は限定されない。図３８Ａ、及び図３８Ｂでは、正孔輸送層３８２上に活性層３７３が設けられ、活性層３７３上に発光層３８３Ｒが設けられている例を示している。例えば、発光層３８３Ｒと活性層３７３の積層順を入れ替えてもよい。

　受発光デバイスは、正孔注入層３８１、正孔輸送層３８２、電子輸送層３８４、及び電子注入層３８５のうち少なくとも１層を有していなくてもよい。また、受発光デバイスは、正孔ブロック層、電子ブロック層など、他の機能層を有していてもよい。

　受発光デバイスにおいて、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

　受発光デバイスを構成する各層の機能及び材料は、発光デバイス及び受光デバイスを構成する各層の機能及び材料と同様であるため、詳細な説明は省略する。

　図３８Ｃ乃至図３８Ｇに、受発光デバイスの積層構造の例を示す。

　図３８Ｃに示す受発光デバイスは、電極３７７、正孔注入層３８１、正孔輸送層３８２、発光層３８３Ｒ、活性層３７３、電子輸送層３８４、電子注入層３８５、及び電極３７８を有する。

　図３８Ｃは、正孔輸送層３８２上に発光層３８３Ｒが設けられ、発光層３８３Ｒ上に活性層３７３が積層された例である。

　図３８Ａ乃至図３８Ｃに示すように、活性層３７３と発光層３８３Ｒは接していてもよい。

　活性層３７３と発光層３８３Ｒとの間には、バッファ層が設けられることが好ましい。このとき、バッファ層は、正孔輸送性及び電子輸送性を有することが好ましい。例えば、バッファ層には、バイポーラ性の物質を用いることが好ましい。または、バッファ層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層、及び電子ブロック層等のうち少なくとも１層を用いることができる。図３８Ｄには、バッファ層として正孔輸送層３８２を用いる例を示す。

　活性層３７３と発光層３８３Ｒとの間にバッファ層を設けることで、発光層３８３Ｒから活性層３７３に励起エネルギーが移動することを抑制できる。また、バッファ層を用いて、マイクロキャビティ構造の光路長（キャビティ長）を調整することもできる。したがって、活性層３７３と発光層３８３Ｒとの間にバッファ層を有する受発光デバイスからは、高い発光効率を得ることができる。

　図３８Ｅは、正孔注入層３８１上に正孔輸送層３８２−１、活性層３７３、正孔輸送層３８２−２、発光層３８３Ｒの順で積層された積層構造を有する例である。正孔輸送層３８２−２は、バッファ層として機能する。正孔輸送層３８２−１と正孔輸送層２８１−２とは、同じ材料を含んでいてもよいし、異なる材料を含んでいてもよい。また、正孔輸送層２８１−２の代わりに、上述したバッファ層に用いることのできる層を用いてもよい。また、活性層３７３と、発光層３８３Ｒの位置を入れ替えてもよい。

　図３８Ｆに示す受発光デバイスは、正孔輸送層３８２を有さない点で、図３８Ａに示す受発光デバイスと異なる。このように、受発光デバイスは、正孔注入層３８１、正孔輸送層３８２、電子輸送層３８４、及び電子注入層３８５のうち少なくとも１層を有していなくてもよい。また、受発光デバイスは、正孔ブロック層、電子ブロック層など、他の機能層を有していてもよい。

　図３８Ｇに示す受発光デバイスは、活性層３７３及び発光層３８３Ｒを有さず、発光層と活性層を兼ねる層３８９を有する点で、図３８Ａに示す受発光デバイスと異なる。

　発光層と活性層を兼ねる層として、例えば、活性層３７３に用いることができるｎ型半導体と、活性層３７３に用いることができるｐ型半導体と、発光層３８３Ｒに用いることができる発光物質と、の３つの材料を含む層を用いることができる。

　なお、ｎ型半導体とｐ型半導体との混合材料の吸収スペクトルの最も低エネルギー側の吸収帯と、発光物質の発光スペクトル（ＰＬスペクトル）の最大ピークと、は互いに重ならないことが好ましく、十分に離れていることがより好ましい。

　本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、又は図面等と適宜組み合わせることができる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態５）
　本実施の形態では、上記の実施の形態で説明したＯＳトランジスタに用いることができる金属酸化物（酸化物半導体）について説明する。

　金属酸化物は、少なくともインジウム又は亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ等が含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、コバルト等から選ばれた一種、又は複数種が含まれていてもよい。

　金属酸化物は、スパッタリング法、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、又は、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により形成することができる。

＜結晶構造の分類＞
　酸化物半導体の結晶構造として、アモルファス（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓを含む）、ＣＡＡＣ、ｎｃ、ＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、単結晶（ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔａｌ）、及び多結晶（ｐｏｌｙ　ｃｒｙｓｔａｌ）等が挙げられる。

　なお、膜又は基板の結晶構造は、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）スペクトルを用いて評価することができる。例えば、ＧＩＸＤ（Ｇｒａｚｉｎｇ−Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ　ＸＲＤ）測定で得られるＸＲＤスペクトルを用いて評価することができる。なお、ＧＩＸＤ法は、薄膜法又はＳｅｅｍａｎｎ−Ｂｏｈｌｉｎ法ともいう。

　例えば、石英ガラス基板では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状がほぼ左右対称である。一方で、結晶構造を有するＩＧＺＯ膜では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称である。ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称であることは、膜中又は基板中の結晶の存在を明示している。別言すると、ＸＲＤスペクトルのピークの形状で左右対称でないと、膜又は基板は非晶質状態であるとは言えない。

　膜又は基板の結晶構造は、極微電子線回折法（ＮＢＥＤ：Ｎａｎｏ　Ｂｅａｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって観察される回折パターン（極微電子線回折パターンともいう）にて評価することができる。例えば、石英ガラス基板の回折パターンでは、ハローが観察され、石英ガラスは、非晶質状態であることが確認できる。また、室温成膜したＩＧＺＯ膜の回折パターンでは、ハローではなく、スポット状のパターンが観察される。このため、室温成膜したＩＧＺＯ膜は、結晶状態でもなく、非晶質状態でもない、中間状態であり、非晶質状態であると結論することはできないと推定される。

＜＜酸化物半導体の構造＞＞
　なお、酸化物半導体は、構造に着目した場合、上記とは異なる分類となる場合がある。例えば、酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体には、例えば、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、及びｎｃ−ＯＳがある。また、非単結晶酸化物半導体には、多結晶酸化物半導体、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、非晶質酸化物半導体、等が含まれる。

　ここで、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、及びａ−ｌｉｋｅ　ＯＳの詳細について、説明を行う。

［ＣＡＡＣ−ＯＳ］
　ＣＡＡＣ−ＯＳは、複数の結晶領域を有し、当該複数の結晶領域はｃ軸が特定の方向に配向している酸化物半導体である。なお、特定の方向とは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の厚さ方向、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線方向、又はＣＡＡＣ−ＯＳ膜の表面の法線方向である。また、結晶領域とは、原子配列に周期性を有する領域である。なお、原子配列を格子配列とみなすと、結晶領域とは、格子配列の揃った領域でもある。さらに、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ−ｂ面方向において複数の結晶領域が連結する領域を有し、当該領域は歪みを有する場合がある。なお、歪みとは、複数の結晶領域が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。つまり、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向し、ａ−ｂ面方向には明らかな配向をしていない酸化物半導体である。

　なお、上記複数の結晶領域のそれぞれは、１つ又は複数の微小な結晶（最大径が１０ｎｍ未満である結晶）で構成される。結晶領域が１つの微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の最大径は１０ｎｍ未満となる。また、結晶領域が多数の微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の大きさは、数十ｎｍ程度となる場合がある。

　Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、チタン等から選ばれた一種、又は複数種）において、ＣＡＡＣ−ＯＳは、インジウム（Ｉｎ）、及び酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能である。よって、（Ｍ，Ｚｎ）層にはインジウムが含まれる場合がある。また、Ｉｎ層には元素Ｍが含まれる場合がある。なお、Ｉｎ層にはＺｎが含まれる場合もある。当該層状構造は、例えば、高分解能ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像において、格子像として観察される。

　ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、例えば、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、ｃ軸配向を示すピークが２θ＝３１°又はその近傍に検出される。なお、ｃ軸配向を示すピークの位置（２θの値）は、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成する金属元素の種類、組成等により変動する場合がある。

　例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の電子線回折パターンにおいて、複数の輝点（スポット）が観測される。なお、あるスポットと別のスポットとは、試料を透過した入射電子線のスポット（ダイレクトスポットともいう）を対称中心として、点対称の位置に観測される。

　上記特定の方向から結晶領域を観察した場合、当該結晶領域内の格子配列は、六方格子を基本とするが、単位格子は正六角形とは限らず、非正六角形である場合がある。また、上記歪みにおいて、五角形、七角形等の格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリー）を確認することはできない。即ち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないこと、金属原子が置換することで原子間の結合距離が変化すること、等によって、歪みを許容することができるためと考えられる。

　なお、明確な結晶粒界が確認される結晶構造は、いわゆる多結晶（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌ）と呼ばれる。結晶粒界は、再結合中心となり、キャリアが捕獲されトランジスタのオン電流の低下、電界効果移動度の低下等を引き起こす可能性が高い。よって、明確な結晶粒界が確認されないＣＡＡＣ−ＯＳは、トランジスタの半導体層に好適な結晶構造を有する結晶性の酸化物の一つである。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成するには、Ｚｎを有する構成が好ましい。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、及びＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、Ｉｎ酸化物よりも結晶粒界の発生を抑制できるため好適である。

　ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶性が高く、明確な結晶粒界が確認されない酸化物半導体である。よって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結晶性は不純物の混入、欠陥の生成等によって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物及び欠陥（酸素欠損等）の少ない酸化物半導体ともいえる。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、製造工程における高い温度（所謂サーマルバジェット）に対しても安定である。従って、ＯＳトランジスタにＣＡＡＣ−ＯＳを用いると、製造工程の自由度を広げることが可能となる。

［ｎｃ−ＯＳ］
　ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。別言すると、ｎｃ−ＯＳは、微小な結晶を有する。なお、当該微小な結晶の大きさは、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることから、当該微小な結晶をナノ結晶ともいう。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。従って、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ、又は非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、結晶性を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶よりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子線回折（制限視野電子線回折ともいう。）を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶の大きさと近いかナノ結晶より小さいプローブ径（例えば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下）の電子線を用いる電子線回折（ナノビーム電子線回折ともいう。）を行うと、ダイレクトスポットを中心とするリング状の領域内に複数のスポットが観測される電子線回折パターンが取得される場合がある。

［ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ］
　ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、鬆又は低密度領域を有する。即ち、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、結晶性が低い。また、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、膜中の水素濃度が高い。

＜＜酸化物半導体の構成＞＞
　次に、上述のＣＡＣ−ＯＳの詳細について、説明を行う。なお、ＣＡＣ−ＯＳは材料構成に関する。

［ＣＡＣ−ＯＳ］
　ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、又はその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つ又は複数の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、又はその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、又はパッチ状ともいう。

　さらに、ＣＡＣ−ＯＳとは、第１の領域と、第２の領域と、に材料が分離することでモザイク状となり、当該第１の領域が、膜中に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、当該第１の領域と、当該第２の領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。

　ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳを構成する金属元素に対するＩｎ、Ｇａ、及びＺｎの原子数比のそれぞれを、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、及び［Ｚｎ］と表記する。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳにおいて、第１の領域は、［Ｉｎ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｉｎ］よりも大きい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｇａ］よりも大きい領域である。又は、例えば、第１の領域は、［Ｉｎ］が、第２の領域における［Ｉｎ］よりも大きく、且つ、［Ｇａ］が、第２の領域における［Ｇａ］よりも小さい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、第１の領域における［Ｇａ］よりも大きく、且つ、［Ｉｎ］が、第１の領域における［Ｉｎ］よりも小さい領域である。

　具体的には、上記第１の領域は、インジウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物等が主成分である領域である。また、上記第２の領域は、ガリウム酸化物、ガリウム亜鉛酸化物等が主成分である領域である。つまり、上記第１の領域を、Ｉｎを主成分とする領域と言い換えることができる。また、上記第２の領域を、Ｇａを主成分とする領域と言い換えることができる。

　なお、上記第１の領域と、上記第２の領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

　Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とする領域と、一部にＩｎを主成分とする領域とが、それぞれモザイク状であり、これらの領域がランダムに存在している構成をいう。よって、ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が不均一に分布した構造を有していると推測される。

　ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つ又は複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

　例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ−ｒａｙ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、Ｉｎを主成分とする領域（第１の領域）と、Ｇａを主成分とする領域（第２の領域）とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

　ここで、第１の領域は、第２の領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、第１の領域を、キャリアが流れることにより、金属酸化物としての導電性が発現する。従って、第１の領域が、金属酸化物中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

　一方、第２の領域は、第１の領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、第２の領域が、金属酸化物中に分布することで、リーク電流を抑制することができる。

　従って、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いる場合、第１の領域に起因する導電性と、第２の領域に起因する絶縁性とが、相補的に作用することにより、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳに付与することができる。つまり、ＣＡＣ−ＯＳとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。導電性の機能と絶縁性の機能とを分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。よって、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いることで、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、高い電界効果移動度（μ）、及び良好なスイッチング動作を実現することができる。

　ＣＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、表示装置をはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

　酸化物半導体は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ、ＣＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。

＜酸化物半導体を有するトランジスタ＞
　続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。

　上記酸化物半導体をトランジスタに用いることで、高い電界効果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。

　トランジスタには、キャリア濃度の低い酸化物半導体を用いることが好ましい。例えば、酸化物半導体のキャリア濃度は１×１０^１７ｃｍ^−３以下、好ましくは１×１０^１５ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１３ｃｍ^−３以下、より好ましくは１×１０^１１ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１０ｃｍ^−３未満であり、１×１０^−９ｃｍ^−３以上である。なお、酸化物半導体膜のキャリア濃度を低くする場合においては、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性又は実質的に高純度真性と言う。なお、キャリア濃度の低い酸化物半導体を、高純度真性又は実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ場合がある。

　高純度真性又は実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。

　酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体にチャネル形成領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。

　従って、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減することが有効である。また、酸化物半導体中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物は、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。

＜不純物＞
　ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。

　酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコン又は炭素が含まれると、酸化物半導体において欠陥準位が形成される。このため、酸化物半導体におけるシリコン又は炭素の濃度と、酸化物半導体との界面近傍のシリコン又は炭素の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる濃度）を、２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

　酸化物半導体にアルカリ金属又はアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。従って、アルカリ金属又はアルカリ土類金属が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の濃度を、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

　酸化物半導体において、窒素が含まれると、キャリアである電子が生じ、キャリア濃度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を半導体に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。又は、酸化物半導体において、窒素が含まれると、トラップ準位が形成される場合がある。この結果、トランジスタの電気特性が不安定となる場合がある。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中の窒素濃度を、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

　酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。従って、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、酸化物半導体において、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度を、１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、より好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満にする。

　不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態６）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を有する電子機器について説明する。

　本発明の一態様の表示装置は、さまざまな電子機器に設けることができる。例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のコンピュータ、タブレット型のコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置等に、本発明の一態様の表示装置を設けることができる。本発明の一態様の表示装置を設けることができる電子機器の構成例を、図３９Ａ乃至図３９Ｅを用いて説明する。

　図３９Ａは、酸素濃度計９００の一例を示す図である。酸素濃度計９００は、筐体９１１、及び受発光装置９１２を有する。筐体９１１には、空洞部が設けられており、空洞部の壁面と接するように受発光装置９１２が設けられる。

　受発光装置９１２は、光を発する光源としての機能と、光を検出するセンサとしての機能を有する。例えば、筐体９１１の空洞部に対象物を入れた場合、受発光装置９１２が発し、対象物に照射され、当該対象物より反射された光を、受発光装置９１２が検出することができる。

　例えば、筐体９１１の空洞部に指を入れた場合、血液に含まれるヘモグロビンの酸素飽和度（酸素と結合したヘモグロビンの割合）により、血液の色が変化する。これにより、受発光装置９１２が検出する、指による反射光の強度が変化する。例えば、受発光装置９１２が検出する、赤色光の強度が変化する。以上より、酸素濃度計９００は、受発光装置９１２によって反射光の強度を検出することにより、酸素飽和度を測定することができる。酸素濃度計９００は、例えばパルスオキシメータとすることができる。

　受発光装置９１２には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。この場合、受発光装置９１２は、少なくとも赤色光（Ｒ）を発する発光デバイスを有する。また、受発光装置９１２は、赤外光（ＩＲ）を発する発光デバイスを有することが好ましい。酸素と結合しているヘモグロビンの赤色光（Ｒ）反射率と、酸素と結合していないヘモグロビンの赤色光（Ｒ）反射率と、は大きく異なる。一方、酸素と結合しているヘモグロビンの赤外光（ＩＲ）反射率と、酸素と結合していないヘモグロビンの赤外光（ＩＲ）反射率と、の差は小さい。よって、受発光装置９１２が、赤色光（Ｒ）を発する発光デバイスだけでなく、赤外光（ＩＲ）を発する発光デバイスを有することにより、酸素濃度計９００は酸素飽和度を高い精度で測定することができる。

　受発光装置９１２として本発明の一態様の表示装置を適用する場合、受発光装置９１２は、可撓性を有することが好ましい。受発光装置９１２が可撓性を有することにより、受発光装置９１２を湾曲した形状とすることができる。これにより、指等に対して均一性よく光を照射することができ、酸素飽和度等を高い精度で測定することができる。

　図３９Ｂは、携帯データ端末９１００の一例を示す図である。携帯データ端末９１００は、表示部９１１０、筐体９１０１、キー９１０２、及びスピーカ９１０３等を有する。携帯データ端末９１００は、例えば、タブレットとすることができる。ここで、キー９１０２は、例えば、電源のオンオフを切り替えるためのキーとすることができる。つまり、キー９１０２は、例えば、電源スイッチとすることができる。また、キー９１０２は、例えば、電子機器に所望の動作をさせるために用いる操作キーとすることができる。

　表示部９１１０には、情報９１０４、及び操作ボタン（操作アイコン、又は単にアイコンともいう）９１０５等を表示することができる。

　携帯データ端末９１００に本発明の一態様の表示装置を設けることにより、表示部９１１０は、タッチセンサ、又はニアタッチセンサとしての機能を有することができる。

　図３９Ｃは、デジタルサイネージ９２００の一例を示す図である。デジタルサイネージ９２００は、柱９２０１に表示部９２１０が貼り付けられる構成とすることができる。

　デジタルサイネージ９２００に本発明の一態様の表示装置を設けることにより、表示部９２１０は、タッチセンサ、又はニアタッチセンサとしての機能を有することができる。

　図３９Ｄは、携帯情報端末９３００の一例を示す図である。携帯情報端末９３００は、表示部９３１０、筐体９３０１、スピーカ９３０２、カメラ９３０３、キー９３０４、接続端子９３０５、接続端子９３０６等を有する。携帯情報端末９３００は、例えばスマートフォンとすることができる。なお、接続端子９３０５は、例えばｍｉｃｒｏＵＳＢ、ｌｉｇｈｔｎｉｎｇ、又はＴｙｐｅ−Ｃ等とすることができる。また、接続端子９３０６は、例えばイヤホンジャックとすることができる。

　表示部９３１０には、例えば操作ボタン９３０７を表示することができる。また、表示部９３１０には、情報９３０８を表示することができる。情報９３０８の一例として、電子メール、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）、又は電話等の着信を知らせる表示、電子メール又はＳＮＳ等の題名、電子メール又はＳＮＳ等の送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度等がある。

　携帯情報端末９３００に本発明の一態様の表示装置を設けることにより、表示部９３１０は、タッチセンサ、又はニアタッチセンサとしての機能を有することができる。

　図３９Ｅは、腕時計型の携帯情報端末９４００の一例を示す図である。携帯情報端末９４００は、表示部９４１０、筐体９４０１、リストバンド９４０２、キー９４０３、接続端子９４０４等を有する。なお、接続端子９４０４は、接続端子９３０５等と同様に、例えばｍｉｃｒｏＵＳＢ、ｌｉｇｈｔｎｉｎｇ、又はＴｙｐｅ−Ｃ等とすることができる。

　表示部９４１０には、情報９４０６、及び操作ボタン９４０７等を表示することができる。図３９Ｅでは、情報９４０６として時刻を表示部９４１０に表示している例を示している。

　携帯情報端末９４００に本発明の一態様の表示装置を設けることにより、表示部９４１０は、タッチセンサ、又はニアタッチセンサとしての機能を有することができる。

　本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、又は図面等と適宜組み合わせることができる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

２０Ｂ：発光デバイス、２０Ｇ：発光デバイス、２０Ｒ：発光デバイス、２０：発光デバイス、２１ａ：電極、２１ｂ：電極、２１ｃ：電極、２１ｄ：電極、２３：電極、２５Ｂ：ＥＬ層、２５Ｇ：ＥＬ層、２５Ｒ：ＥＬ層、２５：ＥＬ層、２７ａ：第１の機能層、２７ｂ：第１の機能層、２７ｃ：第１の機能層、２７：第１の機能層、２９ａ：第２の機能層、２９ｂ：第２の機能層、２９ｃ：第２の機能層、２９：第２の機能層、３０ＰＳ：受光デバイス、３５ＰＳ：受光層、３７ＰＳ：第３の機能層、３９ＰＳ：第４の機能層、４１Ｂ：発光層、４１Ｇ：発光層、４１Ｒ：発光層、４３ＰＳ：活性層、５０：基板、５２：指、５３：層、５７：層、５９：基板、６５：領域、６７：指紋、６９：接触部、１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００Ｄ：表示装置、１００Ｅ：表示装置、１００Ｆ：表示装置、１００Ｇ：表示装置、１００Ｈ：表示装置、１００：表示装置、１０１：基板、１０３：画素、１１０Ｂ：発光デバイス、１１０Ｇ：発光デバイス、１１０Ｒ：発光デバイス、１１０：発光デバイス、１１１ａ：電極、１１１ｂ：電極、１１１ｃ：電極、１１１ｄ：電極、１１１ｐ：電極、１１１：電極、１１２Ｂ：発光層、１１２Ｇ：発光層、１１２Ｒ：発光層、１１２：発光層、１１３ａ：導電層、１１３ｂ：導電層、１１３ｄ：導電層、１１３：導電層、１１５ａ：第１の機能層、１１５ｂ：第１の機能層、１１５ｃ：第１の機能層、１１５ｄ：第１の機能層、１１５ｆ：機能膜、１１５ｐ：第１の機能層、１１５：第１の機能層、１１６ａ：第２の機能層、１１６ｂ：第２の機能層、１１６ｃ：第２の機能層、１１６ｄ：第２の機能層、１１６ｆ：機能膜、１１６ｐ：第２の機能層、１１６：第２の機能層、１１７：遮光層、１１８ａ：犠牲層、１１８ｂ：犠牲層、１１８ｃ：犠牲層、１１８ｆ：犠牲膜、１１８：犠牲層、１１９ａ：犠牲層、１１９ｂ：犠牲層、１１９ｃ：犠牲層、１１９ｆ：犠牲膜、１２０Ｂ：副画素、１２０Ｇ：副画素、１２０Ｒ：副画素、１２０：基板、１２２：樹脂層、１２３ｆ：導電層、１２３：共通電極、１２５：保護層、１２６ａ：導電層、１２６ｂ：導電層、１２６ｄ：導電層、１２７ａ：導電層、１２７ｂ：導電層、１２７ｄ：導電層、１２８ｆ：犠牲膜、１２８ｐ：犠牲層、１２８：犠牲層、１２９ｆ：犠牲膜、１２９ｐ：犠牲層、１２９：犠牲層、１３０：副画素、１３１：保護層、１３３ｐ：レジストマスク、１３３：レジストマスク、１３４ａ：レジストマスク、１３４ｂ：レジストマスク、１３４ｃ：レジストマスク、１３５：レジストマスク、１４０：接続部、１４２：接着層、１４９：フィルタ、１５０：受光デバイス、１５１：基板、１５２：基板、１５３：基板、１５４：基板、１５５ｆ：機能膜、１５５：第３の機能層、１５６ｆ：機能膜、１５６：第４の機能層、１５７ｆ：活性膜、１５７：活性層、１５８：絶縁層、１５９：接着層、１６０：接着層、１６２：表示部、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１７２：ＦＰＣ、１７３：ＩＣ、１７５Ｂ：ＥＬ層、１７５Ｇ：ＥＬ層、１７５Ｒ：ＥＬ層、１７５：ＥＬ層、１７７：受光層、１８２ａ：絶縁層、１８２ａｆ：絶縁膜、１８２ｂ：絶縁層、１８２：絶縁層、１８４：層、１８６：導電層、１９１Ｂ：ＦＭＭ、１９１Ｇ：ＦＭＭ、１９１Ｒ：ＦＭＭ、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１２：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２３１：半導体層、２４０：容量、２４１：導電層、２４２：接続層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５ａ：絶縁層、２５５ｂ：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２７４：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３０１：基板、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０Ａ：トランジスタ、３２０Ｂ：トランジスタ、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３３５：絶縁層、３３６：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、３４４：絶縁層、３４５：絶縁層、３４６：絶縁層、３４７：バンプ、３４８：接着層、３７３：活性層、３７７：電極、３７８：電極、３８１：正孔注入層、３８２：正孔輸送層、３８３Ｒ：発光層、３８４：電子輸送層、３８５：電子注入層、３８９：層、６７２：電極、６８６ａ：ＥＬ層、６８６ｂ：ＥＬ層、６８６：ＥＬ層、６８８：電極、９１１：筐体、９１２：受発光装置、４４１１：発光層、４４１２：発光層、４４１３：発光層、４４２０：層、４４３０：層、９１００：携帯データ端末、９１０１：筐体、９１０２：キー、９１０３：スピーカ、９１０４：情報、９１１０：表示部、９２００：デジタルサイネージ、９２０１：柱、９２１０：表示部、９３００：携帯情報端末、９３０１：筐体、９３０２：スピーカ、９３０３：カメラ、９３０４：キー、９３０５：接続端子、９３０６：接続端子、９３０７：操作ボタン、９３０８：情報、９３１０：表示部、９４００：携帯情報端末、９４０１：筐体、９４０２：リストバンド、９４０３：キー、９４０４：接続端子、９４０６：情報、９４０７：操作ボタン、９４１０：表示部

Claims (17)

1. 　受光デバイスと、第１の発光デバイスと、絶縁層と、を有し、
   　前記受光デバイスは、第１の電極と、受光層と、共通電極と、をこの順に積層して有し、
   　前記第１の発光デバイスは、第２の電極と、第１のＥＬ層と、前記共通電極と、をこの順に積層して有し、
   　前記受光層は、第１の機能層と、第２の機能層と、前記第１の機能層と前記第２の機能層の間の活性層と、を有し、
   　前記第１の機能層は、正孔輸送性を有する第１の物質を含み、
   　前記第２の機能層は、電子輸送性を有する第２の物質を含み、
   　前記活性層の端部、前記第１の機能層の端部、及び前記第２の機能層の端部は、互いに一致または概略一致し、
   　前記第１のＥＬ層は、第３の機能層と、第４の機能層と、前記第３の機能層と前記第４の機能層の間の第１の発光層と、を有し、
   　前記第３の機能層は、正孔輸送性を有する第３の物質を含み、
   　前記第４の機能層は、電子輸送性を有する第４の物質を含み、
   　前記絶縁層は、前記受光層の側面及び前記第１のＥＬ層の側面と接する領域を有する表示装置。
2. 　請求項１において、
   　前記第１の物質は、前記第３の物質と同じである表示装置。
3. 　請求項１または請求項２において、
   　前記第２の物質は、前記第４の物質と同じである表示装置。
4. 　請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   　前記活性層は、第５の物質を有し、
   　前記第１の発光層は、前記第５の物質と異なる第６の物質を有する表示装置。
5. 　請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   　前記受光層の側面は、前記受光層の被形成面に対して垂直または概略垂直である表示装置。
6. 　請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   　前記第１のＥＬ層の側面は、前記第１のＥＬ層の被形成面に対して垂直または概略垂直である表示装置。
7. 　請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   　前記第１の発光層の端部、前記第３の機能層の端部、及び前記第４の機能層の端部は、互いに一致または概略一致する表示装置。
8. 　請求項７において、
   　前記第１の発光層の前記絶縁層と接する領域における膜厚は、前記第１の発光層の前記絶縁層と接しない領域における膜厚より薄い表示装置。
9. 　請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   　前記第１の発光層の端部は、前記第３の機能層の端部、及び前記第４の機能層の端部より内側に位置する表示装置。
10. 　請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
    　前記受光層の端部は、前記第１の電極の端部より内側に位置し、
    　前記絶縁層は、前記受光層の側面、並びに前記第１の電極の上面及び側面と接する領域を有する表示装置。
11. 　請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
    　前記第１のＥＬ層の端部は、前記第２の電極の端部より内側に位置し、
    　前記絶縁層は、前記第１のＥＬ層の側面、並びに前記第２の電極の上面及び側面と接する領域を有する表示装置。
12. 　請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
    　前記活性層は、前記第１の機能層を介して前記第１の電極と重なる領域を有する表示装置。
13. 　請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
    　前記活性層は、前記第２の機能層を介して前記第１の電極と重なる領域を有する表示装置。
14. 　請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
    　前記第１の発光層は、前記第３の機能層を介して前記第２の電極と重なる領域を有する表示装置。
15. 　請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
    　前記第１の発光層は、前記第３の機能層を介して前記第２の電極と重なる領域を有する表示装置。
16. 　請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
    　第２の発光デバイスを有し、
    　前記第２の発光デバイスは、第３の電極と、第２のＥＬ層と、前記共通電極と、をこの順に積層して有し、
    　前記第２のＥＬ層は、第５の機能層と、第６の機能層と、前記第５の機能層と前記第６の機能層の間の第２の発光層と、を有し、
    　前記第５の機能層は、前記第３の物質を含み、
    　前記第６の機能層は、前記第４の物質を含む表示装置。
17. 　請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
    　第２の発光デバイスを有し、
    　前記第２の発光デバイスは、第３の電極と、第２のＥＬ層と、前記共通電極と、をこの順に積層して有し、
    　前記第２のＥＬ層は、前記第３の機能層と、前記第４の機能層と、前記第３の機能層と前記第４の機能層の間の第２の発光層と、を有する表示装置。

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