JP2021002571A - 光センサ - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 150000001786 chalcogen compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 11
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 10
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910016001 MoSe Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIBVQUQUTLXVOH-UHFFFAOYSA-J [Se](=O)(=O)([O-])[O-].[Mo+4].[Se](=O)(=O)([O-])[O-] Chemical compound [Se](=O)(=O)([O-])[O-].[Mo+4].[Se](=O)(=O)([O-])[O-] QIBVQUQUTLXVOH-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
20 :基板
21 :第1面
22 :第2面
30 :受光素子
30A :第1受光素子
30B :第2受光素子
30C :第3受光素子
31 :第1電極
32 :第2電極
41 :p型光吸収層
42 :n型窓層
51 :第1配線
51A :接続部
52 :第2配線
60 :光学系
70 :導波路
70A :第1導波路
70B :第2導波路
70C :第3導波路
80 :投光部
80A :第1投光部
80B :第2投光部
80C :第3投光部
81 :上面
82 :傾斜面
83 :投光ミラー
90 :発光素子
95A :第1カラーフィルター
95B :第2カラーフィルター
95C :第3カラーフィルター
100 :物体
Claims (13)
- 第1面及び前記第1面の反対面である第2面を有する透光性基板と、
前記第2面側からの光を受光するように前記第1面側に配置された少なくとも1つの受光素子と、
前記第1面側において光を前記受光素子近傍へガイドし、前記受光素子近傍において前記光を前記第2面側に投光する光学系と、
を備える光センサ。 - 前記透光性基板は、フィルム状である
請求項1に記載の光センサ。 - 前記透光性基板は、フレキシブル性を有する
請求項1又は2に記載の光センサ。 - 前記光学系は、フレキシブル性を有する
請求項3に記載の光センサ。 - 前記光学系は、前記第1面側においてガイドされた光を前記第2面側に投光するように前記第2面側に設けられたミラー、微細凹凸、及びプリズムのいずれか一つを備える
請求項1から4のいずれか1項に記載の光センサ。 - 前記受光素子は、薄膜状素子である
請求項1から5のいずれか1項に記載の光センサ。 - 前記受光素子は、カルコゲン半導体又はカルコゲン化合物半導体を有する
請求項1から6のいずれか1項に記載の光センサ。 - 前記光学系から投光された光の反射光が前記受光素子によって受光される前に透過するように設けられたカラーフィルターを更に備える
請求項1から7のいずれか1項に記載の光センサ。 - 少なくとも一つの前記受光素子は、複数の前記受光素子である
請求項1から8のいずれか1項に記載の光センサ。 - 前記光学系は、前記第1面側において光を前記受光素子近傍へガイドする導波路と、前記受光素子近傍において前記光を前記第2面側に投光する投光部と、を備える
請求項1から9のいずれか1項に記載の光センサ。 - 前記投光部は、前記受光素子を覆うように設けられ、前記受光素子の周辺から、前記第2面側に光を投光するよう構成されている
請求項10に記載の光センサ。 - 前記受光素子は、前記投光部側からの光を遮蔽する遮蔽部を備える
請求項11に記載の光センサ。 - 前記遮蔽部は、前記受光素子が備える電極によって構成されている
請求項12に記載の光センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019115109A JP7333052B2 (ja) | 2019-06-21 | 2019-06-21 | 光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019115109A JP7333052B2 (ja) | 2019-06-21 | 2019-06-21 | 光センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021002571A true JP2021002571A (ja) | 2021-01-07 |
JP7333052B2 JP7333052B2 (ja) | 2023-08-24 |
Family
ID=73995565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019115109A Active JP7333052B2 (ja) | 2019-06-21 | 2019-06-21 | 光センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7333052B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2019
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JP7333052B2 (ja) | 2023-08-24 |
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A977 | Report on retrieval |
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