JPWO2020053692A1 - 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 - Google Patents
表示装置、表示モジュール、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020053692A1 JPWO2020053692A1 JP2020546532A JP2020546532A JPWO2020053692A1 JP WO2020053692 A1 JPWO2020053692 A1 JP WO2020053692A1 JP 2020546532 A JP2020546532 A JP 2020546532A JP 2020546532 A JP2020546532 A JP 2020546532A JP WO2020053692 A1 JPWO2020053692 A1 JP WO2020053692A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- pixel electrode
- display device
- receiving element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 37
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 58
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 652
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 113
- 239000010408 film Substances 0.000 description 84
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 description 58
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 41
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 40
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 40
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 30
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 24
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 23
- 238000005535 overpotential deposition Methods 0.000 description 21
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 19
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 18
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 102100022778 POC1 centriolar protein homolog A Human genes 0.000 description 6
- 101710125073 POC1 centriolar protein homolog A Proteins 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- -1 etc.) Substances 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 6
- 102100022769 POC1 centriolar protein homolog B Human genes 0.000 description 5
- 101710125069 POC1 centriolar protein homolog B Proteins 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- XESMNQMWRSEIET-UHFFFAOYSA-N 2,9-dinaphthalen-2-yl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=C(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)N=C21 XESMNQMWRSEIET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- MFWOWURWNZHYLA-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-dibenzothiophen-4-ylphenyl)phenyl]phenanthro[9,10-b]pyrazine Chemical compound C1=CC=C2C3=NC(C=4C=CC=C(C=4)C=4C=CC=C(C=4)C4=C5SC=6C(C5=CC=C4)=CC=CC=6)=CN=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 MFWOWURWNZHYLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000228957 Ferula foetida Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000004424 eye movement Effects 0.000 description 1
- 230000008921 facial expression Effects 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003702 image correction Methods 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000554 iris Anatomy 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003340 mental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
- G06F3/0421—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means by interrupting or reflecting a light beam, e.g. optical touch-screen
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
図2A、図2B、図2Cは表示装置の一例を示す断面図である。
図3A、図3B、図3Cは表示装置の一例を示す断面図である。
図4A、図4B、図4Cは表示装置の一例を示す断面図である。
図5A、図5B、図5Cは表示装置の一例を示す断面図である。
図6A、図6B、図6Cは表示装置の一例を示す断面図である。
図7は表示装置の一例を示す斜視図である。
図8は表示装置の一例を示す断面図である。
図9A、図9Bは表示装置の一例を示す断面図である。
図10A、図10B、図10Cは表示装置の一例を示す断面図である。
図11は表示装置の一例を示す断面図である。
図12A、図12Bは画素回路の一例を示す回路図である。
図13A、図13Bは電子機器の一例を示す図である。
図14A、図14B、図14C、図14Dは電子機器の一例を示す図である。
図15A、図15B、図15C、図15D、図15E、図15Fは電子機器の一例を示す図である。
図16A、図16Bは実施例1における計算に用いた要素の位置関係を示す断面図である。
図17は実施例1における計算結果を示す図である。
図18は実施例1における計算結果を示す図である。
図19は実施例2における受光素子の特性を示す図である。
図20A、図20B、図20C、図20Dは実施例2における撮像結果である。
図21は実施例3における表示装置の画素を構成するデバイス構造を示す図である。
図22は実施例3における分光感度の波長依存性と正孔輸送層の膜厚の関係を示す図である。
図23は実施例3における入射光強度と光電流の関係を示す図である。
図24は実施例3における表示装置の表示結果である。
図25は実施例3における表示装置の撮像結果である。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図1〜図11を用いて説明する。
図2Aに表示装置10Aの断面図を示す。
図2Bに表示装置10Bの断面図を示す。なお、以降の表示装置の説明において、先に説明した表示装置と同様の構成については、説明を省略することがある。
図2Cに表示装置10Cの断面図を示す。
図4Aに表示装置10Dの断面図を示す。
図4Bに表示装置10Eの断面図を示す。
図4Cに表示装置10Fの断面図を示す。
図5Aに表示装置10Gの断面図を示す。
図5Bに表示装置10Hの断面図を示す。
図5Cに表示装置10Jの断面図を示す。
図6Aに表示装置10Kの断面図を示し、図6Bに表示装置10Lの断面図を示し、図6Cに表示装置10Mの断面図を示す。
図7に、表示装置100Aの斜視図を示し、図8に、表示装置100Aの断面図を示す。
図9Aに、表示装置100Bの断面図を示す。
図10Aに、表示装置100Cの断面図を示す。
図11に、表示装置100Dの断面図を示す。
以下では、半導体層に適用可能な金属酸化物について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図12を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図13〜図15を用いて説明する。
表1に示すように、受光素子1では、第1の電極として、厚さ約50nmのチタン膜、厚さ約200nmのアルミニウム膜、及び厚さ約5nmのチタン膜の3層構造を用いた。
表1に示すように、比較受光素子2は、第1の電極として、厚さ約50nmのチタン膜、厚さ約200nmのアルミニウム膜、及び厚さ約5nmのチタン膜の3層構造を用いた。
図19に、受光素子1の電流−照射光強度特性を評価した結果を示す。図19において、縦軸は電流(A)を表し、横軸は照射光強度(W/cm2)を表す。
次に、受光素子1及び比較受光素子2それぞれを用いてイメージセンサチップを作製し、静止画の撮像を行った。
図21に、表示装置の画素を構成するデバイス構造を示す。
上述の通り、本実施例の表示装置では、上部電極である共通電極115が可視光を透過する機能及び可視光を反射する機能を有しており、有機EL素子OLEDと有機フォトダイオードOPDの双方にマイクロキャビティ構造が適用される。これにより、有機EL素子OLEDの色純度を向上させることができ、有機フォトダイオードOPDにおいては、感知する波長の幅が狭くなる。
本実施例では、画面サイズが対角3.07インチ、画素数が360(H)×540(V)、画素ピッチが120μm×120μm、精細度が212ppiである、アクティブマトリクス型の表示装置を作製した。ゲートドライバは内蔵し、ソースドライバは外付けのICをCOG方式により実装した。読み出し回路は、アナログ電圧順次出力とした。
図24に、本実施例の表示装置の表示結果を示す。図24に示すように、表示部に、受光素子及び発光素子を有する表示装置において、画像を良好に表示できることが確認された。
図25に、本実施例の表示装置において、有機EL素子OLEDが発する光を光源に、有機フォトダイオードOPDを用いて撮像した結果を示す。なお、取得した撮像画像に対して、事前に測定した白表示と黒表示の検出値を基準値として画像補正を実施した。また、画像補正の際、撮像画像の検出値が当該基準値から大きく外れる値を示す箇所については黒表示の値に補正した。
Claims (15)
- 表示部を有する表示装置であり、
前記表示部は、受光素子及び第1の発光素子を有し、
前記受光素子は、第1の画素電極、活性層、及び共通電極を有し、
前記第1の発光素子は、第2の画素電極、発光層、及び前記共通電極を有し、
前記活性層は、前記第1の画素電極上に位置し、
前記活性層は、第1の有機化合物を有し、
前記発光層は、前記第2の画素電極上に位置し、
前記発光層は、前記第1の有機化合物とは異なる第2の有機化合物を有し、
前記共通電極は、前記活性層を介して前記第1の画素電極と重なる部分と、前記発光層を介して前記第2の画素電極と重なる部分と、を有する、表示装置。 - 表示部を有する表示装置であり、
前記表示部は、受光素子及び第1の発光素子を有し、
前記受光素子は、第1の画素電極、共通層、活性層、及び共通電極を有し、
前記第1の発光素子は、第2の画素電極、前記共通層、発光層、及び前記共通電極を有し、
前記活性層は、前記第1の画素電極上に位置し、
前記活性層は、第1の有機化合物を有し、
前記発光層は、前記第2の画素電極上に位置し、
前記発光層は、前記第1の有機化合物とは異なる第2の有機化合物を有し、
前記共通層は、前記第1の画素電極上及び前記第2の画素電極上に位置し、
前記共通層は、前記活性層と重なる部分と、前記発光層と重なる部分と、を有し、
前記共通電極は、前記共通層及び前記活性層を介して前記第1の画素電極と重なる部分と、前記共通層及び前記発光層を介して前記第2の画素電極と重なる部分と、を有する、表示装置。 - 表示部を有する表示装置であり、
前記表示部は、受光素子、第1の発光素子、及び第2の発光素子を有し、
前記受光素子は、第1の画素電極、共通層、活性層、及び共通電極を有し、
前記第1の発光素子は、第2の画素電極、前記共通層、第1の発光層、及び前記共通電極を有し、
前記第2の発光素子は、第3の画素電極、前記共通層、第2の発光層、及び前記共通電極を有し、
前記活性層は、前記第1の画素電極上に位置し、
前記活性層は、第1の有機化合物を有し、
前記第1の発光層は、前記第2の画素電極上に位置し、
前記第1の発光層は、前記第1の有機化合物とは異なる第2の有機化合物を有し、
前記第2の発光層は、前記第3の画素電極上に位置し、
前記第2の発光層は、前記第1の有機化合物及び前記第2の有機化合物とは異なる第3の有機化合物を有し、
前記共通層は、前記第1の画素電極上、前記第2の画素電極上、及び前記第3の画素電極上に位置し、
前記共通層は、前記活性層と重なる部分と、前記第1の発光層と重なる部分と、前記第2の発光層と重なる部分と、を有し、
前記共通電極は、前記共通層及び前記活性層を介して前記第1の画素電極と重なる部分と、前記共通層及び前記第1の発光層を介して前記第2の画素電極と重なる部分と、前記共通層及び前記第2の発光層を介して前記第3の画素電極と重なる部分と、を有する、表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記表示部は、さらに、レンズを有し、
前記レンズは、前記受光素子と重なる部分を有し、
前記レンズを透過した光が、前記受光素子に入射する、表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記表示部は、さらに、隔壁を有し、
前記隔壁は、前記第1の画素電極の端部及び前記第2の画素電極の端部を覆い、
前記隔壁は、前記第1の画素電極と前記第2の画素電極とを電気的に絶縁する機能を有する、表示装置。 - 請求項5において、
前記隔壁は、前記第1の発光素子が発した光の少なくとも一部を吸収する機能を有する、表示装置。 - 請求項5において、
前記表示部は、さらに、有色層を有し、
前記有色層は、前記第1の画素電極の上面に接する部分と、前記隔壁の側面に接する部分と、を有する、表示装置。 - 請求項5において、
前記表示部は、さらに、絶縁層及び有色層を有し、
前記有色層、前記第1の画素電極、及び前記第2の画素電極は、それぞれ、前記絶縁層の上面に接する部分を有し、
前記隔壁は、前記有色層の上面及び側面を覆う、表示装置。 - 請求項5において、
前記表示部は、さらに、絶縁層及び有色層を有し、
前記隔壁、前記第1の画素電極、及び前記第2の画素電極は、それぞれ、前記絶縁層の上面に接する部分を有し、
前記隔壁は、前記絶縁層に達する開口を有し、
前記有色層は、前記開口を介して前記絶縁層と接する部分と、前記隔壁の上面に接する部分と、を有する、表示装置。 - 請求項7乃至9のいずれか一において、
前記有色層は、カラーフィルタまたはブラックマトリクスを有する、表示装置。 - 請求項6乃至9のいずれか一において、
前記表示部は、さらに、レンズを有し、
前記レンズは、前記受光素子と重なる部分を有し、
前記レンズを透過した光が、前記受光素子に入射する、表示装置。 - 請求項11において、
前記表示部は、さらに、遮光層を有し、
前記遮光層の端部は、前記レンズの端部と重なり、
前記遮光層は、前記隔壁と重なる、表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記表示部は、可撓性を有する、表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一に記載の表示装置と、コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、表示モジュール。
- 請求項14に記載の表示モジュールと、
アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、及び操作ボタンのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018172247 | 2018-09-14 | ||
JP2018172247 | 2018-09-14 | ||
JP2018224324 | 2018-11-30 | ||
JP2018224324 | 2018-11-30 | ||
PCT/IB2019/057306 WO2020053692A1 (ja) | 2018-09-14 | 2019-08-30 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020053692A1 true JPWO2020053692A1 (ja) | 2021-09-30 |
JPWO2020053692A5 JPWO2020053692A5 (ja) | 2022-08-25 |
JP7478097B2 JP7478097B2 (ja) | 2024-05-02 |
Family
ID=69777667
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020546532A Active JP7478097B2 (ja) | 2018-09-14 | 2019-08-30 | 表示装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210327979A1 (ja) |
JP (1) | JP7478097B2 (ja) |
KR (1) | KR20210055699A (ja) |
CN (1) | CN112673488A (ja) |
TW (1) | TW202013783A (ja) |
WO (1) | WO2020053692A1 (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020053932A1 (ja) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | シャープ株式会社 | 表示デバイス |
KR20210105361A (ko) | 2018-12-28 | 2021-08-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
WO2020148601A1 (ja) * | 2019-01-18 | 2020-07-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示システム、表示装置、発光装置 |
CN109887964B (zh) * | 2019-02-15 | 2021-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及其制备方法 |
US11882755B2 (en) | 2019-04-12 | 2024-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and system |
KR20200133086A (ko) * | 2019-05-16 | 2020-11-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
US11659758B2 (en) | 2019-07-05 | 2023-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display unit, display module, and electronic device |
US11741209B2 (en) | 2019-07-11 | 2023-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11538846B2 (en) * | 2019-07-30 | 2022-12-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display, electronic device having the display, and method of estimating bio-information using the electronic device |
CN110416276B (zh) * | 2019-08-05 | 2022-07-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光显示面板、显示装置和图像采集方法 |
US11804064B2 (en) | 2019-09-27 | 2023-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
CN111564472B (zh) * | 2020-04-11 | 2024-04-23 | 北京元芯碳基集成电路研究院 | 一种基于碳基功能电路的交互显示器及其制作方法 |
CN111725282B (zh) * | 2020-06-19 | 2023-05-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
US11594170B2 (en) | 2020-07-13 | 2023-02-28 | Visera Technologies Company Limited | Micro light-emitting diode display panel, micro light-emitting diode display device, and fingerprint identification method |
KR20230065269A (ko) * | 2020-09-11 | 2023-05-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기 |
CN112186013B (zh) * | 2020-09-25 | 2023-04-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
EP4250275A1 (en) * | 2020-11-18 | 2023-09-27 | Toppan Inc. | Organic el display device |
JPWO2022162494A1 (ja) * | 2021-01-28 | 2022-08-04 | ||
WO2022219455A1 (ja) * | 2021-04-16 | 2022-10-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JPWO2022248984A1 (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 | ||
CN117296089A (zh) * | 2021-05-27 | 2023-12-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及显示装置的制造方法 |
KR20240011740A (ko) * | 2021-05-27 | 2024-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR20220161052A (ko) * | 2021-05-28 | 2022-12-06 | 삼성전자주식회사 | 센서 내장형 표시 패널 및 전자 장치 |
KR20220161770A (ko) * | 2021-05-31 | 2022-12-07 | 삼성전자주식회사 | 센서 내장형 표시 패널 및 전자 장치 |
CN117616874A (zh) * | 2021-07-20 | 2024-02-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、显示装置的制造方法、显示模块及电子设备 |
CN117957943A (zh) * | 2021-08-18 | 2024-04-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及电子设备 |
CN117980978A (zh) * | 2021-09-24 | 2024-05-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
WO2023052913A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR20230050498A (ko) * | 2021-10-07 | 2023-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20230100167A (ko) | 2021-12-28 | 2023-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20230121663A (ko) * | 2022-02-11 | 2023-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
EP4287809A1 (en) * | 2022-05-31 | 2023-12-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Sensor embedded display panel and electronic device |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003330383A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-19 | Sony Corp | 有機el表示装置 |
JP2008262176A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-30 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
JP2008281615A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法、電子機器 |
JP2011059621A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | 光取り出し部材、並びに有機el素子及び有機el素子の製造方法 |
JP2011204384A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Canon Inc | 表示装置 |
JP2013073965A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | 光電変換装置及びその製造方法 |
JP2016112279A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | セイコーエプソン株式会社 | 画像取得装置、生体情報取得装置、電子機器 |
JP2017227896A (ja) * | 2016-06-16 | 2017-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
JP2018037356A (ja) * | 2016-09-01 | 2018-03-08 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、検出装置および発光装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4227770B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2009-02-18 | シャープ株式会社 | 表示装置およびそれを備えた画像読み取り/表示システム |
GB2453172B (en) * | 2007-09-28 | 2010-05-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Optoelectronic devices |
KR101074799B1 (ko) * | 2009-08-18 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 터치 스크린 디스플레이 장치, 및 이의 제조 방법 |
JP2012186257A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Seiko Epson Corp | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
KR102079188B1 (ko) | 2012-05-09 | 2020-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
US10756118B2 (en) * | 2016-11-30 | 2020-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
-
2019
- 2019-08-30 WO PCT/IB2019/057306 patent/WO2020053692A1/ja active Application Filing
- 2019-08-30 JP JP2020546532A patent/JP7478097B2/ja active Active
- 2019-08-30 CN CN201980059134.1A patent/CN112673488A/zh active Pending
- 2019-08-30 US US17/272,397 patent/US20210327979A1/en active Pending
- 2019-08-30 KR KR1020217006948A patent/KR20210055699A/ko active Search and Examination
- 2019-09-03 TW TW108131740A patent/TW202013783A/zh unknown
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003330383A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-19 | Sony Corp | 有機el表示装置 |
JP2008262176A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-30 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
JP2008281615A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法、電子機器 |
JP2011059621A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | 光取り出し部材、並びに有機el素子及び有機el素子の製造方法 |
JP2011204384A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Canon Inc | 表示装置 |
JP2013073965A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | 光電変換装置及びその製造方法 |
JP2016112279A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | セイコーエプソン株式会社 | 画像取得装置、生体情報取得装置、電子機器 |
JP2017227896A (ja) * | 2016-06-16 | 2017-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
JP2018037356A (ja) * | 2016-09-01 | 2018-03-08 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、検出装置および発光装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112673488A (zh) | 2021-04-16 |
US20210327979A1 (en) | 2021-10-21 |
JP7478097B2 (ja) | 2024-05-02 |
KR20210055699A (ko) | 2021-05-17 |
TW202013783A (zh) | 2020-04-01 |
WO2020053692A1 (ja) | 2020-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7478097B2 (ja) | 表示装置 | |
JP7381508B2 (ja) | 表示装置 | |
JP7464604B2 (ja) | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 | |
WO2020148600A1 (ja) | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 | |
WO2020136495A1 (ja) | 表示装置 | |
WO2020148604A1 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
WO2021074738A1 (ja) | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 | |
WO2021250507A1 (ja) | 表示装置の駆動方法 | |
JP7488825B2 (ja) | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 | |
WO2021005434A1 (ja) | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 | |
WO2021059069A1 (ja) | 電子機器 | |
JP2021076836A (ja) | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 | |
US11817053B2 (en) | Display device | |
WO2021171137A1 (ja) | 半導体装置、撮像装置、および表示装置 | |
WO2021130581A1 (ja) | 表示装置 | |
WO2021048683A1 (ja) | 撮像装置、撮像モジュール、電子機器及び撮像方法 | |
WO2021220141A1 (ja) | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 | |
WO2021191735A1 (ja) | 表示装置 | |
WO2021165788A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2021229350A1 (ja) | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 | |
JP7495847B2 (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220817 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220817 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230926 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20231122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240419 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7478097 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |