JP2018037356A - 発光装置、検出装置および発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光層とは反対側から反射層に向かう光に起因した迷光を抑制する。【解決手段】光反射性の反射層と、前記反射層との間で共振構造を構成する半透過反射層と、前記反射層と前記半透過反射層との間に設置された発光層と、前記反射層と前記半透過反射層との間に設置された光透過性の光路調整層と、前記反射層からみて前記半透過反射層とは反対側に設置され、前記反射層と比較して反射率が低い低反射層とを具備する発光装置。【選択図】図5
Description
本発明は、発光装置の構造に関する。
有機EL(Electro-Luminescence)等の発光材料で形成された発光層を利用した発光装置が従来から提案されている。例えば特許文献1には、素子基材の表面に形成された光反射性の反射層と半透過反射性の共通電極との間に有機発光層を設置した有機EL装置が開示されている。特許文献1の構成では、有機発光層からの出射光を共振させる共振構造が反射層と共通電極との間に形成される。
しかし、特許文献1の技術では、素子基材側(すなわち発光層とは反対側)から反射層に到達する光が反射層の背面で反射されて迷光になるという問題がある。以上の事情を考慮して、本発明は、発光層とは反対側から反射層に向かう光に起因した迷光を抑制することを目的とする。
以上の課題を解決するために、本発明の好適な態様に係る発光装置は、光反射性の反射層と、反射層との間で共振構造を構成する半透過反射層と、反射層と半透過反射層との間に設置された発光層と、反射層と半透過反射層との間に設置された光透過性の光路調整層と、反射層からみて半透過反射層とは反対側に設置され、反射層と比較して反射率が低い低反射層とを具備する。以上の態様では、反射層からみて半透過反射層とは反対側に低反射層が形成されるから、半透過反射層とは反対側から反射層に向かう光は低反射層において遮光または吸収される。したがって、半透過反射層とは反対側から反射層に向かう光が反射されて迷光となる可能性は低減される。
本発明の好適な態様に係る発光装置は、反射層と低反射層との間に設置された絶縁層を具備する。以上の態様では、反射層と低反射層との間に絶縁層が設置されるから、低反射層の膜厚を反映した段差が絶縁層により平坦化される。したがって、低反射層を反映した段差に起因した反射層の欠陥を抑制することが可能である。以上の効果は、絶縁層が低反射層の表面に密着し、反射層が絶縁層の表面に密着する構成において特に顕著である。
本発明の好適な態様において、反射層は、アルミニウムまたは銀を含む材料で形成され、低反射層は、チタンまたはモリブデンを含む材料で形成される。また、本発明の好適な態様において、絶縁層は、酸化シリコンまたは窒化シリコンで形成される。
本発明の好適な態様に係る検出装置は、発光装置と受光装置とを具備し、発光装置は、光反射性の反射層と、反射層との間で共振構造を構成する半透過反射層と、反射層と半透過反射層との間に設置された発光層と、反射層と半透過反射層との間に設置された光透過性の光路調整層と、反射層からみて半透過反射層とは反対側に設置され、反射層と比較して反射率が低い低反射層とを含み、受光装置は、発光装置からみて共振構造の光出射側とは反対側に設置され、発光装置を透過した光を受光する。以上の態様では、反射層からみて半透過反射層とは反対側に低反射層が形成されるから、受光装置側から反射層に向かう光は低反射層において遮光または吸収される。したがって、受光装置側から反射層に向かう光が反射されて迷光となる可能性は低減される。
本発明の好適な態様に係る発光装置の製造方法は、光反射性の反射層と、反射層との間で共振構造を構成する半透過反射層と、反射層と半透過反射層との間に設置された発光層とを具備する発光装置の製造方法であって、反射層と比較して反射率が低い低反射層を形成する工程と、低反射層に平面視で重なる反射層を形成する工程と、反射層に平面視で重なる光透過性の光路調整層を形成する工程と、光路調整層に平面視で重なる発光層を形成する工程と、発光層に平面視で重なる半透過反射層を形成する工程とを含む。以上の態様では、反射層からみて半透過反射層とは反対側に低反射層が形成されるから、半透過反射層とは反対側から反射層に向かう光が反射されて迷光となる可能性を低減することが可能である。
本発明の好適な態様に係る発光装置の製造方法は、低反射層と反射層との間に絶縁層を形成する工程を具備する。以上の態様では、反射層と低反射層との間に絶縁層が設置されるから、低反射層の膜厚を反映した段差が絶縁層により平坦化される。したがって、低反射層を反映した段差に起因した反射層の欠陥を抑制することが可能である。光路調整層を形成する工程において、光透過性の薄膜の形成と当該薄膜の選択的な除去とを含む工程が複数回にわたり反復される場合には、光透過性の薄膜を選択的に除去する工程において反射層の欠陥が特に発生し易い。したがって、反射層と低反射層との間に絶縁層を形成した構成が特に有効である。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る測定装置100の側面図である。第1実施形態の測定装置100は、被験者の生体情報を非侵襲的に測定する生体計測機器である。生体情報は、例えば被験者の血液の状態の指標となる情報である。例えば酸素飽和度(SpO2)や血糖値等の血液情報が生体情報の典型例である。
図1は、本発明の第1実施形態に係る測定装置100の側面図である。第1実施形態の測定装置100は、被験者の生体情報を非侵襲的に測定する生体計測機器である。生体情報は、例えば被験者の血液の状態の指標となる情報である。例えば酸素飽和度(SpO2)や血糖値等の血液情報が生体情報の典型例である。
図1に例示される通り、第1実施形態の測定装置100は、被験者の身体のうち測定対象となる部位(以下「測定部位」という)Mに装着される可搬型の電子機器である。具体的には、測定装置100は、筐体部12とベルト14とを具備する腕時計型の携帯機器であり、測定部位Mの例示である手首に帯状のベルト14を巻回することで被験者の手首に装着可能である。
図2は、測定装置100の機能に着目した構成図である。図2に例示される通り、第1実施形態の測定装置100は、制御装置20と記憶装置22と表示装置24と検出装置26とを具備する。検出装置26は、測定部位Mに所定の波長の光を照射した状態で測定部位Mから到来する光を検出する光検出モジュールである。図1に例示される通り、検出装置26は、例えば筐体部12のうち測定部位Mとの対向面に設置される。
制御装置20および記憶装置22は筐体部12の内部に設置される。制御装置20は、例えばCPU(Central Processing Unit)またはFPGA(Field-Programmable Gate Array)等の演算処理装置である。記憶装置22は、例えば不揮発性の半導体メモリーで構成され、制御装置20が実行するプログラムと制御装置20が使用する各種のデータとを記憶する。第1実施形態の制御装置20は、記憶装置22に記憶されたプログラムを実行することで、検出装置26による検出結果から被験者の生体情報を生成する。なお、記憶装置22を内包する制御装置20を例えばASIC(Application Specific Integrated Circuit)等により実現することも可能である。表示装置24(例えば液晶表示パネル)は、図1に例示される通り、筐体部12の表面(例えば測定部位Mとは反対側の表面)に設置され、測定結果を含む各種の画像を制御装置20による制御のもとで表示する。
図3は、第1実施形態の検出装置26の断面図である。図3に例示される通り、第1実施形態の検出装置26は、受光装置30と光学素子42と遮光体44と発光装置50とを具備する。発光装置50は、受光装置30からみて測定部位M側に位置する。光学素子42は、発光装置50からみて測定部位M側に位置し、遮光体44は、発光装置50と受光装置30との間に位置する。概略的には、発光装置50から出射した光で照明された測定部位Mからの入射光が光学素子42により集光されたうえで受光装置30に到達する。受光装置30と光学素子42と遮光体44と発光装置50とは、例えば光透過性の接着剤(図示略)により相互に固定される。
受光装置30は、測定部位Mから到来する光を検出する撮像素子であり、受光面に行列状に配列された複数の受光素子32を具備する。各受光素子32は、例えばフォトダイオードであり、受光量に応じた検出信号を生成する。例えば公知のCMOS(Complementary MOS)センサーやCCD(Charge Coupled Device)が受光装置30として好適に利用される。
光学素子42は、測定部位Mから到来する光を集光する要素であり、例えばガラス基板や石英基板等の光透過性の基板422と、相異なる受光素子32に対応する複数のレンズ424とを含んで構成される。複数のレンズ424の各々は、基板422の表面に形成された凸レンズであり、測定部位Mからの入射光を集光する。任意の1個のレンズ424の光軸Lは、当該レンズ424に対応する1個の受光素子32を通過する。
遮光体44は、例えばガラス基板や石英基板等の光透過性の基板442と、基板442のうち受光装置30側の表面に形成された遮光層444とを具備する。遮光層444は、遮光性の材料で形成された薄膜であり、相異なる受光素子32に対応する複数の開口部446が形成される。
発光装置50は、被写体を照明する光源として機能する照明装置である。図4は、発光装置50の構成を説明するための平面図である。図3および図4に例示される通り、発光装置50は複数の発光素子62を具備する。複数の発光素子62の各々は、駆動電流の供給により発光する。各発光素子62から出射した光が光学素子42を透過して測定部位Mに到達する。測定部位Mに入射した光は、測定部位Mの内部で反射および散乱したうえで検出装置26側に出射する。
図4に例示される通り、第1実施形態の発光装置50には、相異なる受光素子32(またはレンズ424)に対応する複数の透過領域64が形成される。複数の透過領域64は平面視で行列状に配列する。任意の1個の透過領域64は、当該透過領域64に対応する1個のレンズ424の光軸Lが中心を通過する円形状の領域であり、当該レンズ424により集光された測定部位Mからの光を受光装置30側に透過させる。透過領域64を透過したレンズ424からの光は、遮光層444の開口部446とを通過して受光素子32に到達する。
図3に例示される通り、第1実施形態の発光装置50は、基板52と回路層54と光学層56とを具備する。基板52は、例えばガラス基板や石英基板等の光透過性の板状部材である。なお、基板52のうち受光装置30側の表面に遮光層444を形成した構成(遮光体44を発光装置50と一体とした構成)も採用され得る。
基板52のうち受光装置30とは反対側(すなわち測定部位M側)の表面に回路層54が形成され、回路層54の表面に光学層56が積層される。回路層54は、各発光素子62に対する駆動電流の供給を制御するためのトランジスターと、トランジスターを制御するための配線とを内包する。光学層56は、被写体を照明するとともに測定部位Mからの光を受光装置30側に透過させるための要素である。
図5は、光学層56に着目して発光装置50の構成を例示する断面図である。図5に例示される通り、第1実施形態の光学層56は、低反射層71と絶縁層72と反射層73と誘電体層74と第1電極75と絶縁層76と発光層77と第2電極78とを含む。
低反射層71は、回路層54の表面に形成された薄膜であり、例えばチタン(Ti)またはモリブデン(Mo)等の金属材料で形成される。絶縁層72は、低反射層71が形成された回路層54の表面を被覆する光透過性の薄膜である。第1実施形態の絶縁層72は、窒化シリコン(SiN)により基板52の全域にわたり形成される。ただし、酸化シリコン(SiO2)等の他の光透過性の絶縁材料により絶縁層72を形成することも可能である。低反射層71の表面と回路層54の表面との高低差を反映した段差は絶縁層72の表面に形成されない。すなわち、絶縁層72は、低反射層71の表面と回路層54の表面との段差を埋める(すなわち平坦化する)機能を実現する。
反射層73は、絶縁層72の表面に形成された光反射性の薄膜であり、例えばアルミニウム(Al)または銀(Ag)等を含む光反射性の金属材料で形成される。図5に例示される通り、低反射層71と反射層73とは、絶縁層72を挟んで相互に対向する。低反射層71と絶縁層72とは相互に密着し、絶縁層72と反射層73とは相互に密着する。反射層73と基板52または回路層54との間に低反射層71が介在するということも可能である。受光素子32が検知可能な光の波長に対する低反射層71の反射率は、反射層73の反射率を下回る。例えば、反射層73の反射率は90%〜100%であるのに対し、低反射層71の反射率は40%〜50%である。なお、低反射層71および反射層73の各々の膜厚や両者間の膜厚の大小は任意であるが、例えば反射層73を上回る膜厚で低反射層71を形成した構成が想定される。具体的には、低反射層71は例えば100μm程度の膜厚に形成され、反射層73は例えば83μm程度の膜厚に形成される。
図4および図5に例示される通り、低反射層71には、相異なる受光素子32に対応する複数の開口部712が形成され、反射層73にも同様に、相異なる受光素子32に対応する複数の開口部732が形成される。任意の1個の受光素子32は、平面視で開口部712および開口部732の内側に位置する。低反射層71の開口部712と反射層73の開口部732とは平面視で相互に重なり合う。図4および図5には、反射層73の開口部732の内周縁の内側に低反射層71の開口部712の内周縁が位置する構成が例示されている。低反射層71の開口部712と反射層73の開口部732とが平面視で重なる領域が、測定部位Mから到来する光を受光装置30側に透過させる透過領域64として機能する。
図5の誘電体層74は、反射層73が形成された絶縁層72の表面を被覆する光透過性の薄膜であり、基板52の全域にわたり形成される。誘電体層74は、屈折率が相違する複数の光透過層の積層で構成され、特定の波長の光を選択的に透過させる光学的なバンドパスフィルターとして機能する。例えば窒化シリコン(SiN)と非晶質シリコン(a-Si)との複数層(例えば5層)の積層で誘電体層74は形成される。以上の説明から理解される通り、前述の絶縁層72は、誘電体層74を構成する一部の光透過層と共通の材料(窒化シリコン)で形成される。誘電体層74と絶縁層72とにより、窒化シリコンと非晶質シリコンとを複数層にわたり積層したバンドパスフィルターが構成される(絶縁層72が誘電体層74とともにバンドパスフィルターとして機能する)、と表現することも可能である。
第1電極75は、発光素子62毎に個別に形成された電極であり、例えばITO(Indium Tin Oxide)またはIZO(Indium Zinc Oxide)等の光透過性の導電材料で形成される。具体的には、平面視で透過領域64以外の領域に第1電極75が形成される。図5に例示される通り、第1電極75は、誘電体層74と絶縁層72とを貫通する導通孔Hを介して回路層54のトランジスター542に電気的に接続され、発光素子62の陽極として機能する。
絶縁層76は、第1電極75または誘電体層74の表面の段差(凹凸)を平坦化するための薄膜であり、例えば光透過性の樹脂材料(例えばアクリル系樹脂)により基板52の全域にわたり形成される。絶縁層76には、相異なる発光素子62に対応する複数の開口部762が形成される。第1電極75は開口部762を介して露出する。
発光層77は、第1電極75および絶縁層76を被覆するように基板52の全域にわたり形成された薄膜である。第1実施形態の発光層77は、有機EL材料等の発光材料で形成され、電流の供給により光(例えば白色光)を放射する。なお、発光層77に供給される電子や正孔の輸送層または注入層を発光層77に積層することも可能である。
第2電極78は、発光層77を被覆するように基板52の全域にわたり形成される。第2電極78(半透過反射層の例示)は、表面に到達した光の一部を反射するとともに他の一部を透過させる半透過反射性の薄膜である。例えばアルミニウムや銀等の光反射性の導電材料を充分に薄い膜厚に形成することで半透過反射性の第2電極78が形成される。
絶縁層76に形成された開口部762の内側において第1電極75と発光層77と第2電極78とが相互に密着した状態で積層された部分が、1個の発光素子62として機能する。第2電極78は発光素子62の陰極として機能する。なお、発光層77や第2電極78を発光素子62毎に個別に形成することも可能である。
発光層77から放射された光は、反射層73と第2電極78との間で往復し、特定の共振波長の成分が選択的に増幅されたうえで第2電極78を透過して測定部位M側に出射する。すなわち、発光層77からの出射光を共振させる共振構造が反射層73と第2電極78との間に形成される。受光装置30は、発光装置50からみて共振構造の光出射側(測定部位M側)とは反対側に位置する。各発光素子62の共振構造により増幅される共振波長は、反射層73と第2電極78との間の距離(光学的距離)に応じて決定される。
発光装置50の複数の発光素子62は、出射光の波長が相違する第1発光素子62と第2発光素子62とに区別される。例えば、第1発光素子62は、赤色光(例えば波長λ1=600nm〜800nm)を出射し、第2発光素子62は、近赤外光(例えば波長λ2=800nm〜1300nm)を出射する。第1発光素子62と第2発光素子62との配列の態様は任意であるが、基板52の全域にわたり均等に第1発光素子62と第2発光素子62とが分布する。
第1実施形態では、第1発光素子62と第2発光素子62とで第1電極75の膜厚を相違させることにより、第1発光素子62の出射光の波長と第2発光素子62の出射光の波長とを相違させる。具体的には、第1電極75は1層以上の導電層の積層で構成され、第1電極75を構成する導電層の積層数が第1発光素子62と第2発光素子62とで相違する。以上の説明から理解される通り、第1実施形態の第1電極75は、共振構造の光路長(共振波長)を調整するための光路調整層として機能する。
図2の制御装置20は、複数の第1発光素子62と複数の第2発光素子62とを時分割で交互に発光させる。制御装置20は、複数の第1発光素子62が発光する期間内に受光装置30が撮像した画像(以下「第1撮像画像」という)と、複数の第2発光素子62が発光する期間内に受光装置30が撮像した画像(以下「第2撮像画像」という)とを取得する。第1撮像画像は、測定部位Mに赤色光を照射したときの撮像結果であり、第2撮像画像は、測定部位Mに近赤外光を照射したときの撮像結果である。制御装置20は、第1撮像画像および第2撮像画像の解析により被験者の生体情報(例えば酸素飽和度)を算定する。撮像画像を利用した生体情報の算定については公知の技術が任意に採用され得る。
以上に説明した通り、第1実施形態では、反射層73からみて第2電極78(半透過反射層)とは反対側に低反射層71が形成されるから、図5に矢印αで図示される通り、受光装置30側から反射層73に向かう光は低反射層71において遮光または吸収される。したがって、受光装置30側から反射層73に向かう光が受光装置30側に反射されて迷光(測定部位Mを通過せずに受光素子32に到達する光)となる可能性を低減することが可能である。以上の説明から理解される通り、低反射層71の反射率が低い(光吸収性が高い)構成が好適である。
<発光装置50の製造方法>
図6は、第1実施形態における発光装置50を製造する手順の工程図であり、図7から図14は、図6の各工程の説明図である。基板52の表面に回路層54が形成された段階で図6の工程P1が開始される。工程P1では、図7に例示される通り、チタン(Ti)またはモリブデン(Mo)等の低反射率の金属材料により回路層54の表面に低反射層71が形成される。低反射層71の形成には、例えばスパッタリング等の公知の成膜技術と、フォトリソグラフィおよびエッチング等の公知の加工技術とが利用される。低反射層71をチタンで形成した場合には、低反射層71の形成にドライエッチングが好適に利用される。
図6は、第1実施形態における発光装置50を製造する手順の工程図であり、図7から図14は、図6の各工程の説明図である。基板52の表面に回路層54が形成された段階で図6の工程P1が開始される。工程P1では、図7に例示される通り、チタン(Ti)またはモリブデン(Mo)等の低反射率の金属材料により回路層54の表面に低反射層71が形成される。低反射層71の形成には、例えばスパッタリング等の公知の成膜技術と、フォトリソグラフィおよびエッチング等の公知の加工技術とが利用される。低反射層71をチタンで形成した場合には、低反射層71の形成にドライエッチングが好適に利用される。
工程P1の実行後の工程P2では、図8に例示される通り、低反射層71が形成された回路層54の表面を被覆する絶縁層72が形成される。例えば窒化シリコンが低反射層71の材料として好適である。絶縁層72の形成には、例えばスパッタリングや化学気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)等の公知の成膜技術が利用される。絶縁層72の膜厚は任意であるが、低反射層71に起因した段差を抑制する観点からは、絶縁層72を例えば100nm以上かつ200nm以下の膜厚に形成した構成が好適である。なお、図8の例示では絶縁層72を単層で構成したが、複数層の積層で絶縁層72を構成することも可能である。
工程P2の実行後の工程P3では、図9に例示される通り、絶縁層72の表面に反射層73が形成される。反射層73の形成には、例えばスパッタリング等の公知の成膜技術と、フォトリソグラフィおよびエッチング等の公知の加工技術とが利用される。反射層73の形成には例えばウェットエッチングが好適に利用される。
工程P3の実行後の工程P4では、図10に例示される通り、反射層73が形成された絶縁層72の表面を被覆するように誘電体層74が形成される。具体的には、例えば、窒化シリコン(SiN)の薄膜と非晶質シリコン(a-Si)の薄膜とを交互に積層することで誘電体層74が形成される。
工程P4の実行後の工程P5では、図11に例示される通り、絶縁層72と誘電体層74とを貫通する導通孔Hが形成される。導通孔Hの形成には、例えばフォトリソグラフィおよびエッチング等の公知の加工技術が利用される。
工程P5の実行後の工程P6では、図12に例示される通り、誘電体層74の表面に、光透過性の導電材料により発光素子62毎に第1電極75が形成される。第1電極75は、工程P5で形成された導通孔Hの内側に到達して回路層54のトランジスター542に電気的に接続される。工程P6では、第1電極75を構成する導電層の形成と選択的な除去(パターニング)とを含む工程が複数回にわたり順次に反復される。第1発光素子62と第2発光素子62とで導電層の積層数を相違させることにより、共振構造の共振波長を第1発光素子62と第2発光素子62とで相違させる。導電層の形成には例えばスパッタリング等の公知の成膜技術が利用され、導電層の選択的な除去には、ウェットエッチング等の加工技術が好適に利用される。
工程P6の実行後の工程P7では、図13に例示される通り、第1電極75と誘電体層74とを被覆する絶縁層76が形成される。絶縁層76の形成には、例えばスピンコート法等の成膜技術が好適に利用される。工程P7の実行後の工程P8では、図14に例示される通り、絶縁層76と第1電極75とを被覆する発光層77が形成される。発光層77の形成には、例えばスピンコート法や液体吐出法(インクジェット法)等の成膜技術が好適に利用される。工程P8の実行後の工程P9において半透過反射性の第2電極78を形成することで,図5の発光装置50が製造される。
図15は、第1電極75を構成する導電層の形成回数と反射層73に発生する欠陥の増加数との関係のシミュレート結果である。図15の結果1は、反射層73をアルミニウム(Al)の単層で形成し、低反射層71を形成しない場合である。図15の結果2から結果4は、アルミニウム(Al)で形成された反射層73に低反射層71を密着させた場合(すなわち絶縁層72を省略した場合)である。結果2は、低反射層71をチタン(Ti)で形成した場合であり、結果3は、低反射層71を窒化チタン(TiN)で形成した場合であり、結果4は、低反射層71をモリブデン(Mo)で形成した場合である。結果5は、低反射層71と反射層73との間に絶縁層72を介在させた場合であり、第1実施形態に相当する。
図15から理解される通り、低反射層71と反射層73とが密着する構成(結果2から結果4)では、第1電極75を構成する導電層の形成回数が増加するほど反射層73の欠陥数が増加するという傾向がある。以上の傾向が観測される理由は、例えば以下のように推察される。
低反射層71と反射層73とが密着する場合、表層側の反射層73の表面に低反射層71を反映した段差が形成され、反射層73の表面の段差は、第1電極75の下地面となる誘電体層74の表面にも現れる。以上の状況において、第1電極75を構成する各導電層をウェットエッチングにより選択的に除去すると、誘電体層74の表面の段差の部分からエッチング液が進入して反射層73に到達し、エッチング液の付着により反射層73に欠陥が発生する。以上の結果、図15を参照して前述した通り、第1電極75を構成する導電層の形成回数が増加するほど反射層73の欠陥数が増加する、と推察される。
他方、低反射層71と反射層73との間に絶縁層72が介在する第1実施形態では、低反射層71が絶縁層72により被覆される。したがって、反射層73や誘電体層74の表面には、低反射層71に起因した段差が殆ど現れない。すなわち、第1電極75の下地面となる誘電体層74の表面は高度に平坦化される。したがって、第1電極75の形成に使用されるエッチング液が誘電体層74に進入して反射層73に付着する可能性は、絶縁層72を形成しない構成(結果2から結果4)と比較して低減される。以上の結果、図15からも把握される通り、低反射層71と反射層73との間に絶縁層72が介在する第1実施形態によれば、第1電極75を形成する工程に起因した反射層73の欠陥を抑制することが可能である。
<第2実施形態>
本発明の第2実施形態を説明する。なお、以下に例示する各形態において作用や機能が第1実施形態と同様である要素については、第1実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
本発明の第2実施形態を説明する。なお、以下に例示する各形態において作用や機能が第1実施形態と同様である要素については、第1実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
図16は、第2実施形態における検出装置26の構成図である。図16に例示される通り、第2実施形態の検出装置26は、第1実施形態と同様の要素(受光装置30,光学素子42,遮光体44,発光装置50)に分光フィルター46を追加した構成である。分光フィルター46は、測定部位Mから受光装置30に向かう光の分光特性を変化させる光学フィルターである。図16の分光フィルター46は、固定基板462と可動基板464とを具備する可変分光部である。固定基板462と可動基板464との間隔を電気的に制御することで分光特性を調整することが可能である。発光装置50の構成は第1実施形態と同様である。したがって、第2実施形態においても第1実施形態と同様の効果が実現される。
<変形例>
以上に例示した各形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された2以上の態様を適宜に併合することも可能である。
以上に例示した各形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された2以上の態様を適宜に併合することも可能である。
(1)前述の各形態では、低反射層71と反射層73との間に絶縁層72が介在する構成を例示したが、絶縁層72を省略し、低反射層71と反射層73とを相互に密着するように積層することも可能である。低反射層71と反射層73とが密着する構成でも、反射層73からみて第2電極78とは反対側に低反射層71が位置する構成は第1実施形態と同様である。したがって、受光装置30側から反射層73に向かう光が受光装置30側に反射されて迷光となる可能性を低減できるという前述の効果は同様に実現される。ただし、前掲の図15を参照して説明した通り、低反射層71と反射層73とが相互に密着する構成では、低反射層71と反射層73との間に絶縁層72が介在する構成と比較して、第1電極75の形成に起因した反射層73の欠陥が発生し易いという傾向がある。したがって、反射層73の欠陥を抑制するという観点からは、前述の各形態の例示の通り、低反射層71と反射層73との間に絶縁層72を介在させた構成が好適である。
(2)図17に例示される通り、低反射層71の下層に光透過性の透光層714を形成することも可能である。すなわち、回路層54の表面に透光層714が形成され、透光層714の表面に低反射層71が形成される。透光層714は、所定の屈折率の材料により所定の膜厚(例えば低反射層71を下回る膜厚)に形成された薄膜である。例えば非晶質シリコン(a-Si)等の光透過性の材料で透光層714は形成され得る。図17の構成によれば、受光装置30側から到来して透光層714の下面で反射した光と低反射層71の下面で反射した光とを相互に干渉させることで、受光装置30側に向かう反射光を低減できるという利点がある。
(3)前述の各形態では、発光素子62の陰極として機能する第2電極78を共振構造の半透過反射層として流用したが、共振構造を構成する半透過反射層を第2電極78とは別個に形成することも可能である。また、前述の各形態では、発光素子62の陽極として機能する第1電極75を、共振構造の光路長(ひいては共振波長)を調整するための光路調整層として利用したが、第1電極75とは別個に光路調整層を形成することも可能である。
(4)前述の各形態では、被験者の手首に装着可能な測定装置100を例示したが、測定装置100の具体的な形態(装着位置)は任意である。例えば、被験者の身体に貼付可能なパッチ型,被験者の耳介に装着可能なイヤリング型,被験者の指先に装着可能な指装着型(例えば着爪型),被験者の頭部に装着可能なヘッドマウント型等、任意の形態の測定装置が採用され得る。ただし、例えば指装着型等の測定装置を装着した状態では日常生活に支障がある可能性が想定されるから、日常生活に支障なく常時的に生体情報を測定するという観点からは、被験者の手首に装着可能な前述の各形態の測定装置100が特に好適である。なお、腕時計等の各種の電子機器に装着(例えば外付け)される形態の測定装置も実現され得る。また、据置型の測定装置にも本発明を適用することが可能である。
(5)測定装置100が測定する生体情報の種類は任意である。例えば、脈拍や血流速,血圧を生体情報として測定する構成、および、血中グルコース濃度,ヘモグロビン濃度,血中酸素濃度,中性脂肪濃度等の各種の血液成分濃度を生体情報として測定する構成も採用され得る。また、測定部位Mの静脈パターンを生体情報として測定することも可能である。
100…測定装置、12…筐体部12、14…ベルト、20…制御装置、22…記憶装置、24…表示装置、26…検出装置、30…受光装置、32…受光素子、42…光学素子、422,442,52…基板、424…レンズ、46…分光フィルター、50…発光装置、54…回路層、56…光学層、44…遮光体、444…遮光層、62…発光素子、64…透過領域、71…低反射層、72…絶縁層、73…反射層、74…誘電体層、75…第1電極、76…絶縁層、77…発光層、78…第2電極。
Claims (9)
- 光反射性の反射層と、
前記反射層との間で共振構造を構成する半透過反射層と、
前記反射層と前記半透過反射層との間に設置された発光層と、
前記反射層と前記半透過反射層との間に設置された光透過性の光路調整層と、
前記反射層からみて前記半透過反射層とは反対側に設置され、前記反射層と比較して反射率が低い低反射層と
を具備する発光装置。 - 前記反射層と前記低反射層との間に設置された絶縁層
を具備する請求項1の発光装置。 - 前記絶縁層は、前記低反射層の表面に密着し、
前記反射層は、前記絶縁層の表面に密着する
請求項2の発光装置。 - 前記反射層は、アルミニウムまたは銀を含む材料で形成され、
前記低反射層は、チタンまたはモリブデンを含む材料で形成される
請求項1から請求項3の何れかの発光装置。 - 前記絶縁層は、酸化シリコンまたは窒化シリコンで形成される
請求項1から請求項4の何れかの発光装置。 - 発光装置と受光装置とを具備し、
前記発光装置は、
光反射性の反射層と、
前記反射層との間で共振構造を構成する半透過反射層と、
前記反射層と前記半透過反射層との間に設置された発光層と、
前記反射層と前記半透過反射層との間に設置された光透過性の光路調整層と、
前記反射層からみて前記半透過反射層とは反対側に設置され、前記反射層と比較して反射率が低い低反射層とを含み、
前記受光装置は、前記発光装置からみて前記共振構造の光出射側とは反対側に設置され、前記発光装置を透過した光を受光する
検出装置。 - 光反射性の反射層と、前記反射層との間で共振構造を構成する半透過反射層と、前記反射層と前記半透過反射層との間に設置された発光層とを具備する発光装置の製造方法であって、
前記反射層と比較して反射率が低い低反射層を形成する工程と、
前記低反射層に平面視で重なる前記反射層を形成する工程と、
前記反射層に平面視で重なる光透過性の光路調整層を形成する工程と、
前記光路調整層に平面視で重なる発光層を形成する工程と、
前記発光層に平面視で重なる前記半透過反射層を形成する工程と
を含む発光装置の製造方法。 - 前記低反射層と前記反射層との間に絶縁層を形成する工程
を含む請求項7の発光装置の製造方法。 - 前記光路調整層を形成する工程では、光透過性の薄膜の形成と当該薄膜の選択的な除去とを含む工程が複数回にわたり反復される
請求項7または請求項8の発光装置の製造方法。
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