KR20220161052A - 센서 내장형 표시 패널 및 전자 장치 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 242
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 85
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 113
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 80
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 9
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 7
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 5
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 308
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 42
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 39
- 230000006870 function Effects 0.000 description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 23
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 6
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical group C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C)=CC=C21 HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-1-yl-3,5-diphenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N1C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=NN=C1C1=CC=CC=C1 AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 2
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 2
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004593 naphthyridinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CN=C12)* 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- KJOLVZJFMDVPGB-UHFFFAOYSA-N perylenediimide Chemical compound C=12C3=CC=C(C(NC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)NC(=O)C4=CC=C3C1=C42 KJOLVZJFMDVPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M rubidium chloride Chemical compound [Cl-].[Rb+] FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006666 (C3-C20) heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 1
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPJFXFRNEJHDFR-UHFFFAOYSA-N 22291-04-9 Chemical class C1=CC(C(N(CCN(C)C)C2=O)=O)=C3C2=CC=C2C(=O)N(CCN(C)C)C(=O)C1=C32 HPJFXFRNEJHDFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3,5-bis(3-pyridin-3-ylphenyl)phenyl]phenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCXKTQVEKDHQIY-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3-(3,5-dipyridin-3-ylphenyl)phenyl]-5-pyridin-3-ylphenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 WCXKTQVEKDHQIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANONESVTGJVBBZ-UHFFFAOYSA-N 4-[3,4-dicarboxy-2-(2,3,4-tricarboxynaphthalene-1-carbonyl)oxycarbonylnaphthalene-1-carbonyl]oxycarbonylnaphthalene-1,2,3-tricarboxylic acid Chemical compound C1(=C(C(=C(C2=CC=CC=C12)C(=O)O)C(=O)O)C(=O)O)C(=O)OC(=O)C1=C(C2=CC=CC=C2C(=C1C(=O)O)C(=O)O)C(=O)OC(=O)C1=C(C(=C(C2=CC=CC=C12)C(=O)O)C(=O)O)C(=O)O ANONESVTGJVBBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYNTUCBQEHUHCS-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n-[4-[4-(n-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-1-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 QYNTUCBQEHUHCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVNOWTJCOPZGQA-UHFFFAOYSA-N 9-[3,5-di(carbazol-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=C1 DVNOWTJCOPZGQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-yl-2-methylphenyl)-3-methylphenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C)C(C)=C1 LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAIALRIWXGBQRP-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-1-yl-10-naphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 MAIALRIWXGBQRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KESRRRLHHXXBRW-UHFFFAOYSA-N C1=CC=NC2=C3C(O)=CC=CC3=CC=C21 Chemical compound C1=CC=NC2=C3C(O)=CC=CC3=CC=C21 KESRRRLHHXXBRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000209140 Triticum Species 0.000 description 1
- 235000021307 Triticum Nutrition 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical group 0.000 description 1
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-LSMJWXKXSA-N anthracene Chemical compound [13CH]1=[13CH][13CH]=[13CH][13C]2=CC3=CC=CC=C3C=[13C]21 MWPLVEDNUUSJAV-LSMJWXKXSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000852 azido group Chemical group *N=[N+]=[N-] 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000003542 behavioural effect Effects 0.000 description 1
- LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid;dodecane Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1.CCCCCCCCCCCC LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVVVSJAMVJMZRF-UHFFFAOYSA-N c1cncc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1nc(nc(n1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1 Chemical compound c1cncc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1nc(nc(n1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1 YVVVSJAMVJMZRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003739 carbamimidoyl group Chemical group C(N)(=N)* 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000717 hydrazino group Chemical group [H]N([*])N([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005638 hydrazono group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M lithium;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000000538 pentafluorophenyl group Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(*)C(F)=C1F 0.000 description 1
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004592 phthalazinyl group Chemical group C1(=NN=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002098 pyridazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002294 quinazolinyl group Chemical group N1=C(N=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFUBYPSJBBQSOU-UHFFFAOYSA-M rubidium iodide Inorganic materials [Rb+].[I-] WFUBYPSJBBQSOU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 210000000707 wrist Anatomy 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
기판, 상기 기판 위에 위치하고 발광층을 포함하는 발광 소자, 그리고 상기 기판 위에 위치하고 상기 기판의 면방향을 따라 상기 발광층과 나란히 배치되어 있는 광전변환층을 포함하는 광 센서를 포함하고, 상기 발광 소자와 상기 광 센서는 상기 발광층과 상기 광전변환층 상부에 연속적으로 형성되어 있는 제1 공통 보조층, 그리고 상기 제1 공통 보조층 상부에 위치하고 상기 발광 소자와 상기 광 센서에 공통 전압을 인가하는 공통 전극을 포함하며, 상기 광전변환층은 상기 제1 공통 보조층으로부터 차례로 적층된 제1 n형 반도체 층, 제2 n형 반도체 층 및 p형 반도체 층을 포함하는 센서 내장형 표시 패널 및 전자 장치에 관한 것이다.
Description
센서 내장형 표시 패널 및 전자 장치에 관한 것이다.
근래 금융, 헬스 케어, 모바일 등을 중심으로 인간의 특정 생체 정보나 행동 특징 정보를 자동화된 장치로 추출하여 본인을 인증하는 생체 인식 기술을 구현한 표시 장치에 대한 요구가 증대하고 있다. 이에 따라 생체 인식 가능한 센서를 구비한 표시 장치가 연구되고 있다.
이러한 센서는 표시 패널의 하부에 배치되거나 별도의 모듈로 제작되어 표시 패널의 외부에 탑재될 수 있다. 그러나 센서가 표시 패널의 하부에 배치되는 경우 표시 패널, 다양한 필름 및/또는 부품 등을 통과하여 객체를 인식하여야 하므로 성능이 저하될 수 있고, 센서가 별도의 모듈로 제작되어 탑재되는 경우 디자인 및 사용성 측면에서 한계가 있다.
일 구현예는 표시 패널과 일체화되어 성능을 개선할 수 있는 센서를 포함한 센서 내장형 표시 패널을 제공한다.
다른 구현예는 상기 센서 내장형 표시 패널을 포함한 전자 장치를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 기판, 상기 기판 위에 위치하고 발광층을 포함하는 발광 소자, 그리고 상기 기판 위에 위치하고 상기 기판의 면방향을 따라 상기 발광층과 나란히 배치되어 있는 광전변환층을 포함하는 광 센서를 포함하고, 상기 발광 소자와 상기 광 센서는 상기 발광층과 상기 광전변환층 상부에 연속적으로 형성되어 있는 제1 공통 보조층, 그리고 상기 제1 공통 보조층 상부에 위치하고 상기 발광 소자와 상기 광 센서에 공통 전압을 인가하는 공통 전극을 포함하며, 상기 광전변환층은 상기 제1 공통 보조층으로부터 차례로 적층된 제1 n형 반도체 층, 제2 n형 반도체 층 및 p형 반도체 층을 포함하는 센서 내장형 표시 패널을 제공한다.
상기 발광 소자는 상기 기판의 면방향을 따라 나란히 배치되어 있고 서로 다른 발광 스펙트럼의 광을 방출하는 제1, 제2 및 제3 발광 소자를 포함할 수 있고, 상기 광 센서는 상기 제1, 제2 및 제3 발광 소자 중 적어도 하나로부터 방출된 광이 인식 타겟에 의해 반사된 광을 흡수하여 전기적 신호로 변환할 수 있다.
상기 광전변환층은 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼 및 청색 파장 스펙트럼 또는 이들의 조합의 광을 흡수할 수 있다.
상기 제1 n형 반도체 층과 상기 제2 n형 반도체 층 중 적어도 하나는 상기 p형 반도체 층과 pn 접합을 형성할 수 있다.
상기 제1 n형 반도체 층과 상기 제2 n형 반도체 층 중 어느 하나는 가시광선 파장 스펙트럼의 광을 흡수하는 n형 반도체를 포함할 수 있고, 상기 제1 n형 반도체 층과 상기 제2 n형 반도체 층 중 다른 하나는 투명 n형 반도체를 포함할 수 있다.
상기 제1 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위는 상기 제2 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위보다 얕을 수 있다.
상기 제1 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 공통 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 상기 제2 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 공통 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이보다 작을 수 있다.
상기 제1 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 공통 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 약 1.0eV 미만일 수 있다.
상기 제2 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 공통 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 약 0.5eV 이상일 수 있다.
상기 제2 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 약 0.5eV 이상일 수 있다.
상기 제2 n형 반도체 층의 두께는 상기 제1 n형 반도체 층의 두께보다 얇을 수 있다.
상기 제2 n형 반도체 층의 두께는 약 1nm 내지 10nm일 수 있다.
상기 발광 소자는 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼, 청색 파장 스펙트럼 및 적외선 파장 스펙트럼 중 어느 하나를 방출하는 제1, 제2 및 제3 발광 소자를 포함할 수 있고, 상기 p형 반도체 층은 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼, 청색 파장 스펙트럼 및 적외선 파장 스펙트럼 중 어느 하나를 선택적으로 흡수하는 p형 반도체를 포함할 수 있다.
상기 제1 n형 반도체 층은 투명 n형 반도체를 포함할 수 있고, 상기 제2 n형 반도체 층은 가시광선 파장 스펙트럼의 광을 흡수하는 n형 반도체를 포함할 수 있고, 상기 p형 반도체 층은 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼, 청색 파장 스펙트럼 및 적외선 파장 스펙트럼 중 어느 하나를 선택적으로 흡수하는 p형 반도체를 포함할 수 있다.
상기 센서 내장형 표시 패널은 상기 발광 소자와 상기 기판 사이 및 상기 광 센서와 상기 기판 사이에 연속적으로 형성되어 있는 제2 공통 보조층을 더 포함할 수 있다.
상기 센서 내장형 표시 패널은 색을 표시하는 표시 영역, 그리고 상기 표시 영역을 제외한 비표시 영역을 포함할 수 있고, 상기 광 센서는 상기 비표시 영역에 위치할 수 있다.
상기 표시 영역은 적색을 표시하고 상기 제1 발광 소자를 포함하는 복수의 제1 서브화소, 녹색을 표시하고 상기 제2 발광 소자를 포함하는 복수의 제2 서브화소, 그리고 청색을 표시하고 상기 제3 발광 소자를 포함하는 복수의 제3 서브화소를 포함할 수 있고, 상기 광 센서는 상기 제1 서브화소, 상기 제2 서브화소 및 상기 제3 서브화소에서 선택된 적어도 둘 사이에 위치할 수 있다.
상기 발광층은 유기 발광체, 양자점, 페로브스카이트 또는 이들의 조합을 포함할 수 있고, 상기 광전변환층은 유기 광전변환 물질을 포함할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 색을 표시하는 표시 영역과 상기 표시 영역 이외의 비표시 영역을 포함하고, 상기 표시 영역은 제1 색을 표시하고 제1 발광 소자를 포함하는 제1 서브화소, 제2 색을 표시하고 제2 발광 소자를 포함하는 제2 서브화소, 그리고 제3 색을 표시하고 제3 발광 소자를 포함하는 제3 서브화소를 포함하며, 상기 비표시 영역은 상기 제1 서브화소, 상기 제2 서브화소 및 상기 제3 서브화소 중 적어도 둘 사이에 위치하는 광 센서를 포함하고, 상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자, 상기 제3 발광 소자 및 상기 광 센서는 상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자, 상기 제3 발광 소자 및 상기 광 센서에 공통 전압을 인가하는 공통 전극을 공유하고, 상기 광 센서는 상기 공통 전극, 상기 공통 전극과 대향하는 화소 전극, 그리고 상기 공통 전극과 상기 화소 전극 사이에 위치하고 제1 n형 반도체 층, 제2 n형 반도체 층 및 p형 반도체 층을 포함하는 센서 내장형 표시 패널을 제공한다.
상기 제1 n형 반도체 층과 상기 제2 n형 반도체 층은 각각 다른 물질을 포함할 수 있고, 상기 제1 n형 반도체 층, 상기 제2 n형 반도체 층 및 상기 p형 반도체 층의 순서로 적층되어 있을 수 있다.
상기 제1 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위는 상기 제2 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위보다 얕을 수 있다.
상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자, 상기 제3 발광 소자 및 상기 광 센서는 상기 공통 전극의 하부에 위치하는 제1 공통 보조층을 공유할 수 있고, 상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자, 상기 제3 발광 소자 및 상기 광 센서는 상기 발광층과 상기 광전변환층을 개재하여 상기 제1 공통 보조층과 마주하는 제2 공통 보조층을 공유할 수 있다.
상기 제1 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 공통 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 상기 제2 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 공통 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이보다 작을 수 있다.
상기 제1 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 공통 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 약 1.0eV 미만일 수 있고, 상기 제2 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 공통 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 약 0.5eV 이상일 수 있으며, 상기 제2 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 약 0.5eV 이상일 수 있다.
상기 제2 n형 반도체 층의 두께는 상기 제1 n형 반도체 층의 두께보다 얇을 수 있고, 상기 제2 n형 반도체 층의 두께는 약 1nm 내지 10nm일 수 있다.
상기 제1 n형 반도체 층은 투명 n형 반도체를 포함할 수 있고, 상기 제2 n형 반도체 층은 가시광선 파장 스펙트럼의 광을 흡수하는 n형 반도체를 포함할 수 있고, 상기 p형 반도체 층은 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼 및 청색 파장 스펙트럼 중 어느 하나를 선택적으로 흡수하는 p형 반도체를 포함할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 센서 내장형 표시 패널을 포함하는 표시 장치를 제공한다.
표시 패널과 일체화되어 센서의 성능을 개선할 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 센서 내장형 표시 패널의 일 예를 보여주는 평면도이고,
도 2는 일 구현예에 따른 센서 내장형 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이고,
도 3은 도 2의 'A' 부분을 확대하여 도시한 개략도이고,
도 4는 일 구현예에 따른 센서 내장형 표시 패널의 다른 예를 보여주는 단면도이고,
도 5는 일 예에 따른 전자 장치로서 스마트 폰의 일 예를 도시한 개략도이고,
도 6은 일 구현예에 따른 전자 장치의 구성도의 일 예를 도시한 개략도이고,
도 7은 실시예 1과 비교예 1 내지 3에 따른 광 센서의 파장에 따른 외부양자효율(EQE)을 보여주는 그래프이다.
도 2는 일 구현예에 따른 센서 내장형 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이고,
도 3은 도 2의 'A' 부분을 확대하여 도시한 개략도이고,
도 4는 일 구현예에 따른 센서 내장형 표시 패널의 다른 예를 보여주는 단면도이고,
도 5는 일 예에 따른 전자 장치로서 스마트 폰의 일 예를 도시한 개략도이고,
도 6은 일 구현예에 따른 전자 장치의 구성도의 일 예를 도시한 개략도이고,
도 7은 실시예 1과 비교예 1 내지 3에 따른 광 센서의 파장에 따른 외부양자효율(EQE)을 보여주는 그래프이다.
이하, 구현예에 대하여 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 실제 적용되는 구조는 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
도면에서 본 구현예를 명확하게 설명하기 위하여 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하였다.
이하에서 ‘하부’ 및 ‘상부’ 용어는 설명의 편의를 위한 것일 뿐 위치 관계를 한정하는 것은 아니다.
이하에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C30 알킬기, C2 내지 C30 알케닐기, C2 내지 C30 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로고리기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 이하에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S, Se, Te, Si 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 4개 함유한 것을 의미한다.
이하에서, 별도의 정의가 없는 한, 에너지 준위(energy level)는 최고점유분자궤도(highest occupied molecular orbital, HOMO) 에너지 준위 또는 최저비점유분자궤도(lowest unoccupied molecular orbital, LUMO) 에너지 준위이다.
이하에서, 별도의 정의가 없는 한, 일 함수(workfunction) 또는 에너지 준위는 진공 레벨(vacuum level)로부터의 절대값으로 표시된다. 또한 일 함수 또는 에너지 준위가 깊다, 높다 또는 크다는 것은 진공 레벨을 '0eV'로 하여 절대값이 큰 것을 의미하고 일 함수 또는 에너지 준위가 얕다, 낮다 또는 작다는 것은 진공 레벨을 '0eV'로 하여 절대값이 작은 것을 의미한다. 또한 일 함수 및/또는 에너지 준위의 차이는 절대값의 큰 값에서 절대값의 작은 값을 뺀 값일 수 있다.
이하에서 별도의 정의가 없는 한, HOMO 에너지 준위는 AC-2 (Hitachi) 또는 AC-3 (Riken Keiki Co., LTD.)를 사용하여 박막에 UV 광을 조사하여 에너지에 따라 방출되는 광전자량으로 평가할 수 있다.
이하에서 별도의 정의가 없는 한, LUMO 에너지 준위는 UV-Vis spectrometer (Shimadzu Corporation)를 사용하여 에너지 밴드갭을 얻은 후, 상기 에너지 밴드갭과 이미 측정된 HOMO 에너지 준위로부터 LUMO 에너지 준위를 계산하여 얻을 수 있다.
이하 일 구현예에 따른 센서 내장형 표시 패널(sensor embedded display panel)을 설명한다.
일 구현예에 따른 센서 내장형 표시 패널은 표시 기능과 인식 기능(예컨대 생체 인식 기능)을 수행할 수 있는 표시 패널일 수 있으며 표시 패널 내에 인식 기능(예컨대 생체 인식 기능)을 수행하는 센서가 내장된 인셀(in-cell) 타입의 표시 패널일 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 센서 내장형 표시 패널의 일 예를 보여주는 평면도이고, 도 2는 일 구현예에 따른 센서 내장형 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이고, 도 3은 도 2의 'A' 부분을 확대하여 도시한 개략도이다.
도 1 및 2를 참고하면, 일 구현예에 따른 센서 내장형 표시 패널(1000)은 서로 다른 색을 표시하는 복수의 서브화소(PX)를 포함한다. 복수의 서브화소(PX)는 적어도 삼원색(primary color)을 표시할 수 있으며, 예컨대 적색, 녹색 및 청색 중에서 선택된 서로 다른 제1 색, 제2 색 및 제3 색을 표시하는 제1 서브화소(PX1), 제2 서브화소(PX2) 및 제3 서브화소(PX3)를 포함한다. 예컨대 제1 색, 제2 색 및 제3 색은 각각 적색, 녹색 및 청색일 수 있고, 제1 서브화소(PX1)는 적색을 표시하는 적색 서브화소일 수 있고 제2 서브화소(PX2)는 녹색을 표시하는 녹색 서브화소일 수 있고 제3 서브화소(PX3)는 청색을 표시하는 청색 서브화소일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 백색 서브화소와 같은 보조 서브화소(도시하지 않음)를 더 포함할 수 있다.
제1 서브화소(PX1), 제2 서브화소(PX2) 및 제3 서브화소(PX3)를 포함한 복수의 서브화소(PX)는 하나의 단위 화소(UP)를 구성하여 행 및/또는 열을 따라 반복적으로 배열될 수 있다. 도 1에서는 단위 화소(UP)에 하나의 제1 서브화소(PX1), 둘의 제2 서브화소(PX2) 및 하나의 제3 서브화소(PX3)로 이루어진 구조를 예시적으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 적어도 하나의 제1 서브화소(PX1), 적어도 하나의 제2 서브화소(PX2) 및 적어도 하나의 제3 서브화소(PX3)를 포함할 수 있다. 도면에서는 일 예로서 펜타일(Pentile) 타입의 배열을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 서브화소(PX)의 배열은 다양할 수 있다. 복수의 서브화소(PX)가 차지하고 복수의 서브화소(PX)에 의해 색을 표시하는 영역은 화상을 표시하는 표시 영역(display area)(DA)일 수 있다.
제1 서브화소(PX1), 제2 서브화소(PX2) 및 제3 서브화소(PX3)는 각각 발광 소자(light emitting element)를 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 서브화소(PX1)는 제1 색의 파장 스펙트럼의 광을 방출할 수 있는 제1 발광 소자(210)를 포함할 수 있고 제2 서브화소(PX2)는 제2 색의 파장 스펙트럼의 광을 방출할 수 있는 제2 발광 소자(220)를 포함할 수 있고 제3 서브화소(PX3)는 제3 색의 파장 스펙트럼의 광을 방출할 수 있는 제3 발광 소자(230)를 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 제1 서브화소(PX1), 제2 서브화소(PX2) 및 제3 서브화소(PX3) 중 적어도 하나는 제1 색, 제2 색 및 제3 색의 조합, 즉 백색 파장 스펙트럼의 광을 방출하는 발광 소자를 포함하고 색 필터(color filter)(도시하지 않음)를 통하여 제1 색, 제2 색 또는 제3 색을 표시할 수도 있다.
일 구현예에 따른 센서 내장형 표시 패널(1000)은 광 센서(300)를 포함한다. 광 센서(300)는 비표시 영역(non-display area)(NDA)에 배치되어 있을 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA) 이외의 영역으로, 제1 서브화소(PX1), 제2 서브화소(PX2), 제3 서브화소(PX3) 및 선택적으로 보조 서브화소가 배치되지 않은 영역일 수 있다. 광 센서(300)는 제1 서브화소(PX1), 제2 서브화소(PX2) 및 제3 서브화소(PX3)에서 선택된 적어도 둘 사이에 배치될 수 있으며, 표시 영역(DA)에 배치된 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)와 나란하게 배치되어 있을 수 있다.
광 센서(300)는 광학 타입의 인식 센서(예컨대 생체 인식 센서)일 수 있으며, 표시 영역(DA)에 배치된 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230) 중 적어도 하나로부터 방출된 광이 생체, 도구 또는 사물과 같은 인식 타겟(recognition target)(40)에 의해 반사된 광을 흡수하여 전기적 신호로 변환할 수 있다. 여기서 생체는 손가락, 지문, 손바닥, 홍채, 얼굴 및/또는 손목 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 광 센서(300)는 예컨대 지문 센서, 조도 센서, 홍채 센서, 거리 센서, 혈관 분포 센서 및/또는 심박 센서일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
광 센서(300)는 기판(110) 위에서 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)와 동일 평면 상에 배치될 수 있으며, 표시 패널(1000) 내에 내장되어 있을 수 있다.
도 2를 참고하면, 센서 내장형 표시 패널(1000)은 기판(110); 기판(110) 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터(120); 박막 트랜지스터(120) 위에 형성되어 있는 절연층(140); 절연층(140) 위에 형성되어 있는 화소 정의 층(150); 화소 정의 층(150)에 의해 구획된 공간에 위치하는 제1, 제2 또는 제3 발광 소자(210, 220, 230)와 광 센서(300)를 포함한다.
기판(110)은 투광 기판일 수 있으며, 예컨대 유리 기판 또는 고분자 기판일 수 있다. 고분자 기판은 예컨대 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르술폰, 폴리오가노실록산, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌, 폴리우레탄, 폴리아크릴, 폴리올레핀 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
복수의 박막 트랜지스터(120)는 기판(110) 위에 형성되어 있다. 박막 트랜지스터(120)는 각 서브화소(PX)마다 하나 또는 둘 이상 포함되어 있을 수 있으며, 예컨대 적어도 하나의 스위칭 박막 트랜지스터 및/또는 적어도 하나의 구동 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터(120)가 형성된 기판(110)은 박막 트랜지스터 기판(TFT substrate) 또는 박막 트랜지스터 백플레인(TFT backplane)이라고 불릴 수 있다.
절연층(140)은 기판(110)과 박막 트랜지스터(120)를 덮고 있을 수 있으며 기판(110)의 전면에 형성되어 있을 수 있다. 절연층(140)은 평탄화막 또는 패시베이션 막일 수 있으며, 유기 절연물질, 무기 절연물질, 유무기 절연물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 절연층(140)은 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)와 박막 트랜지스터(120)를 연결하기 위한 복수의 접촉 구멍(141)과 광 센서(300)와 박막 트랜지스터(120)를 전기적으로 연결하기 위한 복수의 접촉 구멍(142)을 가질 수 있다.
화소 정의 층(pixel definition layer)(150) 또한 기판(110)의 전면에 형성되어 있을 수 있으며, 인접한 서브화소(PX) 사이에 위치하여 각 서브화소(PX)를 구획할 수 있다. 화소 정의 층(150)은 각 서브화소(PX)에 위치한 복수의 개구부(151)를 가질 수 있으며, 각 개구부(151)에는 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)와 광 센서(300) 중 어느 하나가 위치할 수 있다.
제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)는 기판(110)(또는 박막 트랜지스터 기판) 위에 형성되어 있으며, 기판(110)의 면방향(예컨대 xy방향)을 따라 반복적으로 배열되어 있다. 전술한 바와 같이 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)는 각각 제1 서브화소(PX1), 제2 서브화소(PX2) 및 제3 서브화소(PX3)에 포함될 수 있으며, 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)는 별개의 박막 트랜지스터(120)에 전기적으로 접속되어 독립적으로 구동될 수 있다.
제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)는 각각 독립적으로 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼, 청색 파장 스펙트럼 및 이들의 조합에서 선택된 하나의 광을 방출할 수 있다. 일 예로, 제1 발광 소자(210)는 적색 파장 스펙트럼의 광을 방출할 수 있고 제2 발광 소자(220)는 녹색 파장 스펙트럼의 광을 방출할 수 있고 제3 발광 소자(230)는 청색 파장 스펙트럼의 광을 방출할 수 있다. 여기서 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼 및 청색 파장 스펙트럼은 각각 약 600nm 이상 750nm 미만, 약 500nm 내지 600nm 및 약 400nm 이상 500nm 미만에 최대 발광 파장(λmax)을 가질 수 있다.
제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)는 예컨대 발광 다이오드(light emitting diode)일 수 있으며, 예컨대 유기 물질을 포함하는 유기 발광 다이오드일 수 있다.
광 센서(300)는 기판(110)(또는 박막 트랜지스터 기판) 위에 형성되어 있으며, 기판(110)의 면방향(예컨대 xy방향)을 따라 랜덤하게 또는 규칙적으로 배열될 수 있다. 전술한 바와 같이 광 센서(300)는 비표시 영역(NDA)에 위치될 수 있으며, 별개의 박막 트랜지스터(120)에 접속되어 독립적으로 구동될 수 있다. 광 센서(300)는 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230) 중 적어도 하나에서 방출된 광과 동일한 파장 스펙트럼의 광을 흡수하여 전기적 신호로 변환할 수 있으며, 예컨대 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼, 청색 파장 스펙트럼 또는 이들의 조합의 광을 흡수하여 전기적 신호로 변환할 수 있다. 광 센서(300)는 예컨대 광전변환 다이오드(photoelectric conversion diode)일 수 있으며, 예컨대 유기 물질을 포함하는 유기 광전변환 다이오드(organic photoelectric conversion diode)일 수 있다.
각 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)와 광 센서(300)는 화소 전극(211, 221, 231, 310); 화소 전극(211, 221, 231, 310)과 마주하고 있으며 공통 전압이 인가되는 공통 전극(320); 화소 전극(211, 221, 231, 310)과 공통 전극(320) 사이에 위치하는 발광층(212, 222, 232) 또는 광전변환층(330), 제1 공통 보조층(340) 및 제2 공통 보조층(350)을 포함한다.
제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)와 광 센서(300)는 기판(110)의 면방향(예컨대 xy방향)을 따라 나란히 배치되어 있으며, 전면에 형성된 공통 전극(320), 제1 공통 보조층(340) 및 제2 공통 보조층(350)을 공유할 수 있다.
공통 전극(320)은 발광층(212, 222, 232)과 광전변환층(330)의 상부에 연속적으로 형성되어 있으며, 실질적으로 기판(110) 전면에 형성되어 있다. 공통 전극(320)은 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)와 광 센서(300)에 공통 전압을 인가할 수 있다.
제1 공통 보조층(340)은 발광층(212, 222, 232) 및 광전변환층(330)과 공통 전극(320) 사이에 위치하며 발광층(212, 222, 232)과 광전변환층(330)의 상부 및 공통 전극(320)의 하부에서 연속적으로 형성되어 있을 수 있다.
제1 공통 보조층(340)은 공통 전극(320)으로부터 발광층(212, 222, 232)으로 전하(예컨대 전자)의 주입 및/또는 이동을 용이하게 하는 전하 보조층(예컨대 전자 보조층)일 수 있다. 예컨대 제1 공통 보조층(340)의 LUMO 에너지 준위는 발광층(212, 222, 232)의 LUMO 에너지 준위와 공통 전극(320)의 일 함수 사이에 위치할 수 있으며, 공통 전극(320)의 일 함수, 제1 공통 보조층(340)의 LUMO 에너지 준위 및 발광층(212, 222, 232)의 LUMO 에너지 준위는 차례로 얕아질 수 있다. 반면, 제1 공통 보조층(340)의 LUMO 에너지 준위는 흡광층(330)의 LUMO 에너지 준위와 공통 전극(320)의 일 함수보다 각각 얕을 수 있다.
제1 공통 보조층(340)은 상기 LUMO 에너지 준위를 만족하는 유기물, 무기물, 유무기물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 예컨대 LiF, NaCl, CsF, RbCl 및 RbI와 같은 할로겐화 금속; Yb와 같은 란탄족 금속; Li2O, BaO 와 같은 금속 산화물; Liq(Lithium quinolate), Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazolyl-1-ylphenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tertbutylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), BmPyPhB(1,3-Bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene) 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 공통 보조층(340)은 1층 또는 2층 이상일 수 있다.
제2 공통 보조층(350)은 발광층(212, 222, 232) 및 광전변환층(330)과 기판(110) 사이에 위치하며, 그 중에서도 발광층(212, 222, 232) 및 광전변환층 (330)과 화소 전극(211, 221, 231, 310) 사이에 위치할 수 있다. 제2 공통 보조층(350)은 발광층(212, 222, 232)과 광전변환층(330)의 하부 및 화소 전극(211, 221, 231, 310)의 상부에서 연속적으로 형성되어 있을 수 있다.
제2 공통 보조층(350)은 화소 전극(211, 221, 231)으로부터 발광층(212, 222, 232)으로의 전하(예컨대 정공)의 주입 및/또는 이동을 용이하게 하는 전하 보조층(예컨대 정공 보조층)일 수 있다. 예컨대 제2 공통 보조층(330)의 HOMO 에너지 준위는 발광층(212, 222, 232)의 HOMO 에너지 준위와 화소 전극(211, 221, 231)의 일 함수 사이에 위치할 수 있으며, 화소 전극(211, 221, 231)의 일 함수, 제2 공통 보조층(350)의 HOMO 에너지 준위 및 발광층(212, 222, 232)의 HOMO 에너지 준위는 차례로 깊어질 수 있다.
제2 공통 보조층(350)은 상기 HOMO 에너지 준위를 만족하는 유기물, 무기물, 유무기물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 예컨대 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물; DNTPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino] triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,Ndiphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS(Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate)), NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenylbenzidine), 트리페닐아민을 포함하는 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium[Tetrakis(pentafluorophenyl)borate], HAT-CN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile), N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorine)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene) 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 공통 보조층(350)은 1층 또는 2층 이상일 수 있다.
각 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)와 광 센서(300)는 공통 전극(320)과 마주하는 화소 전극(211, 221, 231, 310)을 포함한다. 화소 전극(211, 221, 231, 310)과 공통 전극(320) 중 어느 하나는 애노드(anode)이고 다른 하나는 캐소드(cathode)이다. 예컨대 화소 전극(211, 221, 231, 310)은 애노드일 수 있고 공통 전극(320)은 캐소드일 수 있다. 화소 전극(211, 221, 231, 310)은 각 서브화소(PX)마다 각각 분리되어 있으며 각각 별개의 박막 트랜지스터(120)에 전기적으로 접속되어 독립적으로 구동될 수 있다.
화소 전극(211, 221, 231, 310)과 공통 전극(320)은 각각 투광 전극 또는 반사 전극일 수 있고, 예컨대 화소 전극(211, 221, 231, 310)과 공통 전극(320) 중 적어도 하나는 투광 전극일 수 있다.
투광 전극은 투명 전극 또는 반투과 전극일 수 있으며, 투명 전극은 약 85% 이상, 약 90% 이상 또는 약 95% 이상의 투광율을 가질 수 있으며 반투과 전극은 약 30% 이상 약 85% 미만, 약 40% 내지 약 80% 또는 약 40% 내지 75%의 투광율을 가질 수 있다. 투명 전극과 반투과 전극은 예컨대 산화물 도전체, 탄소 도전체 및 금속 박막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 산화물 도전체는 예컨대 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide, IZO), 아연 주석 산화물(zinc tin oxide, ZTO), 알루미늄 주석 산화물(Aluminum tin oxide, ATO) 및 알루미늄 아연 산화물(Aluminum zinc oxide, AZO)에서 선택된 하나 이상일 수 있고, 탄소 도전체는 그래핀 및 탄소나노체에서 선택된 하나 이상일 수 있고, 금속 박막은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 마그네슘-은(Mg-Ag), 마그네슘-알루미늄(Mg-Al), 이들의 합금 또는 이들의 조합을 포함한 매우 얇은 박막일 수 있다.
반사 전극은 약 5% 이하의 투광율 및/또는 약 80% 이상의 반사율을 가진 반사층을 포함할 수 있으며, 반사층은 광학적으로 불투명한 물질을 포함할 수 있다. 광학적으로 불투명한 물질은 금속, 금속질화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있고, 예컨대 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 이들의 합금, 이들의 질화물(예컨대 TiN) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 반사 전극은 반사층으로 이루어지거나 반사층/투광층 또는 투광층/반사층/투광층의 적층 구조일 수 있고, 반사층은 1층 또는 2층 이상일 수 있다.
예컨대 화소 전극(211, 221, 231, 310)이 투광 전극이고 공통 전극(320)이 반사 전극일 때, 센서 내장형 표시 패널(1000)은 기판(110) 측으로 빛을 방출하는 하부 발광형 표시 패널(bottom emission type display panel)일 수 있다. 예컨대 화소 전극(211, 221, 231, 310)이 반사 전극이고 공통 전극(320)이 투광 전극일 때, 센서 내장형 표시 패널(1000)은 기판(110)의 반대 측으로 빛을 방출하는 상부 발광형 표시 패널(top emission type display panel)일 수 있다. 예컨대 화소 전극(211, 221, 231, 310)과 공통 전극(320)이 각각 투광 전극일 때, 센서 내장형 표시 패널(1000)은 양면 발광형 표시 패널(both side emission type display panel)일 수 있다.
일 예로, 화소 전극(211, 221, 231, 310)은 반사 전극일 수 있고 공통 전극(320)은 반투과 전극일 수 있고, 이 경우 센서 내장형 표시 패널(1000)은 미세 공진 구조(microcavity structure)를 형성할 수 있다. 미세 공진 구조는 소정의 광로 길이(optical length)(예컨대 반투과 전극과 반사 전극 사이의 거리)만큼 떨어져 있는 반사 전극과 반투과 전극 사이에서 반복적으로 반사되어 소정 파장 스펙트럼의 광을 강화시켜 광학적 특성을 개선할 수 있다.
일 예로, 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)의 발광층(212, 222, 232)에서 방출된 광 중 소정 파장 스펙트럼의 광은 반투과 전극과 반사 전극 사이를 반복적으로 반사되어 개질될 수 있고 개질된 광 중 미세 공진의 공명 파장(resonance wavelength)에 해당하는 파장 스펙트럼의 광은 강화되어 좁은 파장 영역에서 증폭된 발광 특성을 나타낼 수 있다. 이에 따라 센서 내장형 표시 패널(1000)은 높은 색 순도의 색을 표현할 수 있다.
일 예로, 광 센서(300)에 입사된 광 중 소정 파장 스펙트럼의 광은 반투과 전극과 반사 전극 사이를 반복적으로 반사되어 개질될 수 있고 개질된 광 중 미세 공진의 공명 파장에 해당하는 파장 스펙트럼의 광은 강화되어 좁은 파장 영역에서 증폭된 광전변환 특성을 나타낼 수 있다. 이에 따라 광 센서(300)는 좁은 파장 영역에서 높은 광전변환 특성을 나타낼 수 있다.
각 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)는 화소 전극(211, 221, 231)과 공통 전극(320) 사이에 위치하는 발광층(212, 222, 232)을 포함한다. 제1 발광 소자(210)에 포함된 발광층(212), 제2 발광 소자(220)에 포함된 발광층(222) 및 제3 발광 소자(230)에 포함된 발광층(232)은 서로 같거나 다른 파장 스펙트럼의 광을 방출할 수 있으며, 예컨대 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼, 청색 파장 스펙트럼 또는 이들의 조합의 광을 방출할 수 있다.
예컨대 제1 발광 소자(210), 제2 발광 소자(220) 및 제3 발광 소자(230)가 각각 적색 발광 소자, 녹색 발광 소자 및 청색 발광 소자일 때, 제1 발광 소자(210)에 포함된 발광층(212)은 적색 파장 스펙트럼의 광을 방출하는 적색 발광층일 수 있고 제2 발광 소자(220)에 포함된 발광층(222)은 녹색 파장 스펙트럼의 광을 방출하는 녹색 발광층일 수 있고 제3 발광 소자(230)에 포함된 발광층(232)은 청색 파장 스펙트럼의 광을 방출하는 청색 발광층일 수 있다. 여기서 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼 및 청색 파장 스펙트럼은 각각 약 600nm 이상 750nm 미만, 약 500nm 내지 600nm 및 약 400nm 이상 500nm 미만에 최대 발광 파장을 가질 수 있다.
예컨대 제1 발광 소자(210), 제2 발광 소자(220) 및 제3 발광 소자(230) 중 적어도 하나가 백색 발광 소자일 때, 백색 발광 소자의 발광층은 가시광선 전파장 스펙트럼의 광을 방출할 수 있고, 예컨대 약 380nm 이상 750nm 미만, 약 400nm 내지 700nm 또는 약 420nm 내지 700nm 파장 스펙트럼의 광을 방출할 수 있다.
발광층(212, 222, 232)은 발광체로서 유기 발광체, 양자점, 페로브스카이트 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예컨대 발광층(212, 222, 232)은 유기 발광체를 포함할 수 있으며, 적어도 하나의 호스트 물질과 형광 또는 인광 도펀트를 포함할 수 있다.
유기 발광체는 퍼릴렌; 루브렌; 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-[p-(dimethylamino)styryl]-4H-pyran; 쿠마린 또는 그 유도체; 카바졸 또는 그 유도체; TPBi(2,2',2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole); TBADN(2-t-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene); AND(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene); CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl); TCTA(4,4',4"-tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine); TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene); TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene); DSA(distyrylarylene); CDBP(4,4 ′'-dimethyl-biphenyl); MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene); TCP(1,3,5-Tris(carbazol-9-yl)benzene); Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)lithium); Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Rh, Ru, Re, Be, Mg, Al, Ca, Mn, Co, Cu, Zn, Ga, Ge, Pd, Ag 및/또는 Au 를 포함하는 유기금속 화합물, 이들의 유도체 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
양자점은 예컨대 II족-VI족 반도체 화합물, III족-V족 반도체 화합물, IV족- VI족 반도체 화합물, IV족 반도체 화합물, I-III-VI족 반도체 화합물, I-II-IV-VI족 반도체 화합물, II-III-V족 반도체 화합물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. II-VI족 반도체 화합물은 예컨대 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 또는 이들의 혼합물과 같은 이원소 반도체 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 또는 이들의 혼합물과 같은 삼원소 반도체 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 또는 이들의 혼합물과 같은 사원소 반도체 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. III-V족 반도체 화합물은 예컨대 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 또는 이들의 혼합물과 같은 이원소 반도체 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 또는 이들의 혼합물과 같은 삼원소 반도체 화합물; 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 또는 이들의 혼합물과 같은 사원소 반도체 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. IV-VI족 반도체 화합물은 예컨대 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 또는 이들의 혼합물과 같은 이원소 반도체 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 또는 이들의 혼합물과 같은 삼원소 반도체 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 또는 이들의 혼합물과 같은 사원소 반도체 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. IV족 반도체 화합물은 예컨대 Si, Ge 또는 이들의 혼합물과 같은 단원소 반도체 화합물; 및 SiC, SiGe 또는 이들의 혼합물과 같은 이원소 반도체 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. I-III-VI족 반도체 화합물은 예컨대 CuInSe2, CuInS2, CuInGaSe, CuInGaS 또는 이들의 혼합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. I-II-IV-VI족 반도체 화합물은 예컨대 CuZnSnSe, CuZnSnS 또는 이들의 혼합물에서 선택될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. II-III-V족 반도체 화합물은 예컨대 InZnP를 들 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
페로브스카이트는 CH3NH3PbBr3, CH3NH3PbI3, CH3NH3SnBr3, CH3NH3SnI3, CH3NH3Sn1xPbxBr3, CH3NH3Sn1xPbxI3, HC(NH2)2PbI3, HC(NH2)2SnI3, (C4H9NH3)2PbBr4, (C6H5CH2NH3)2PbBr4, (C6H5CH2NH3)2PbI4, (C6H5C2H4NH3)2PbBr4, (C6H13NH3)2(CH3NH3)n1PbnI3n+1 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
광 센서(300)는 화소 전극(310)과 공통 전극(320) 사이에 위치하는 광전변환층(330)을 포함한다. 광전변환층(330)은 기판(110)의 면방향(예컨대 xy방향)을 따라 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)의 발광층(212, 222, 232)과 나란히 배치되어 있을 수 있으며, 광전변환층(330)과 발광층(212, 222, 232)은 동일 평면에 위치될 수 있다.
광전변환층(330)은 소정 파장 스펙트럼의 광을 흡수하여 전기적 신호로 변환할 수 있으며, 전술한 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230) 중 적어도 하나로부터 방출된 광이 인식 타겟(40)에 의해 반사된 광을 흡수하여 전기적 신호로 변환할 수 있다. 광전변환층(330)은 예컨대 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼, 청색 파장 스펙트럼, 적외선 파장 스펙트럼 또는 이들의 조합의 광을 흡수할 수 있다.
일 예로, 광전변환층(330)은 약 600nm 초과 750nm 미만에 최대흡수파장을 가진 적색 파장 스펙트럼의 광을 선택적으로 흡수할 수 있으며, 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230) 중 적색 발광 소자에서 방출된 광이 인식 타겟(40)에 의해 반사된 광을 흡수할 수 있다.
일 예로, 광전변환층(330)은 약 500nm 내지 600nm에 최대흡수파장을 가진 녹색 파장 스펙트럼의 광을 선택적으로 흡수할 수 있으며, 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230) 중 녹색 발광 소자에서 방출된 광이 인식 타겟(40)에 의해 반사된 광을 흡수할 수 있다.
일 예로, 광전변환층(330)은 약 380nm 이상 500nm 미만에 최대흡수파장을 가진 청색 파장 스펙트럼의 광을 선택적으로 흡수할 수 있으며, 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230) 중 청색 발광 소자에서 방출된 광이 인식 타겟(40)에 의해 반사된 광을 흡수할 수 있다.
일 예로, 광전변환층(330)은 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼 및 청색 파장 스펙트럼의 광, 즉 약 380nm 이상 750nm 미만의 가시광선 전파장 스펙트럼의 광을 흡수할 수 있으며, 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)에서 방출된 광의 조합이 인식 타겟(40)에 의해 반사된 광을 흡수할 수 있다.
도 3을 참고하면, 광전변환층(330)은 복수 층을 포함한 적층 구조일 수 있으며, 예컨대 제1 n형 반도체 층(330p), 제2 n형 반도체 층(330q) 및 p형 반도체 층(330r)을 포함한다. 제1 n형 반도체 층(330p)과 제2 n형 반도체 층(330q)은 서로 다른 n형 반도체를 포함할 수 있고 p형 반도체 층(330r)은 p형 반도체를 포함할 수 있다.
제1 n형 반도체 층(330p)은 제1 공통 보조층(340)에 가까이 배치되어 있고 p형 반도체 층(330r)은 제2 공통 보조층(350)에 가까이 배치되어 있으며 제2 n형 반도체 층(330q)은 제1 n형 반도체 층(330p)과 p형 반도체 층(330r) 사이에 배치되어 있다.
제1 n형 반도체 층(330p)과 제2 n형 반도체 층(330q) 중 적어도 하나는 p형 반도체 층(330r)과 pn 접합(pn junction)을 형성할 수 있으며, 외부에서 빛을 받아 엑시톤(exciton)을 생성한 후 생성된 엑시톤을 정공과 전자로 분리할 수 있다.
p형 반도체 층(330r)에 포함된 p형 반도체는 광전변환층(330)의 흡광 특성을 결정할 수 있으며, 예컨대 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼, 청색 파장 스펙트럼 및 적외선 파장 스펙트럼 중 어느 하나를 선택적으로 흡수하는 파장 선택성을 가질 수 있다. 즉, p형 반도체 층(330r)의 흡수 스펙트럼은 광전변환층(330)의 주요 흡수 스펙트럼일 수 있다.
p형 반도체 층(330r)에 포함된 p형 반도체는 소정의 HOMO 에너지 준위를 만족하는 유기물, 무기물 또는 유무기물일 수 있으며, 예컨대 약 5.0 내지 6.0eV, 약 5.1 내지 5.9eV, 약 5.2 내지 5.8eV 또는 약 5.3 내지 5.8eV의 HOMO 에너지 준위를 가질 수 있다.
p형 반도체는 예컨대 증착 가능한 저분자 유기 화합물일 수 있으며, 예컨대 전자 공여 모이어티(electron donating moiety)와 전자 수용 모이어티(electron accepting moiety)를 포함하는 유기 화합물일 수 있고, 예컨대 하기 화학식 A로 표현될 수 있다.
[화학식 A]
EDM - LM - EAM
화학식 A에서,
EDM는 전자 공여 모이어티일 수 있고,
EAM는 전자 수용 모이어티일 수 있고,
LM는 전자 공여 모이어티와 전자 수용 모이어티를 연결하는 파이 공액 연결 모이어티일 수 있다.
예컨대, 녹색 파장 스펙트럼의 광을 선택적으로 흡수하는 p형 반도체(이하 ‘녹색 p형 반도체’라 한다)는 예컨대 하기 화학식 A-1로 표현되는 유기 화합물일 수 있다.
[화학식 A-1]
상기 화학식 A-1에서,
X는 O, S, Se, Te, SO, SO2, CRbRc 또는 SiRdRe일 수 있고,
Ar은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들 중에서 선택된 둘 이상의 융합 고리일 수 있고,
Ar1a 및 Ar2a는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴(렌)기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴(렌)기일 수 있고,
R1a 내지 R3a 및 Rb 내지 Re는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합일 수 있고,
Ar1a, Ar2a, R1a 및 R2a는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 둘이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
예컨대, Ar1a 및 Ar2a는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐(pyridinyl)기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐(pyridazinyl)기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐(pyrimidinyl)기, 치환 또는 비치환된 피라지닐(pyrazinyl)기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐(quinolinyl)기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐(isoquinolinyl)기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐(naphthyridinyl)기, 치환 또는 비치환된 시놀리닐(cinnolinyl)기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐(quinazolinyl)기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐(phthalazinyl)기, 치환 또는 비치환된 벤조트리아지닐(benzotriazinyl)기, 치환 또는 비치환된 피리도피라지닐(pyridopyrazinyl)기, 치환 또는 비치환된 피리도피리미디닐(pyridopyrimidinyl)기, 또는 치환 또는 비치환된 피리도피리다지닐(pyridopyridazinyl)기일 수 있다.
예컨대, Ar1a 및 Ar2a는 서로 융합되어 고리를 형성할 수 있다.
예컨대, Ar2a 및 R1a는 서로 융합되어 고리를 형성할 수 있다.
구체적으로, p형 반도체는 하기 화학식 A-1-1 또는 A-1-2로 표현될 수 있다.
[화학식 A-1-1]
[화학식 A-1-2]
상기 화학식 A-1-1 및 A-1-2에서,
X는 O, S, Se, Te, SO, SO2, CRbRc 또는 SiRdRe일 수 있고,
Ar은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들 중에서 선택된 둘 이상의 융합 고리일 수 있고,
Ar1a 및 Ar2a는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴렌기일 수 있고,
L 및 Z는 각각 독립적으로 단일 결합, O, S, Se, Te, SO, SO2, CRfRg, SiRhRi, GeRjRk, NRl, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 또는 이들의 조합일 수 있고,
R1a, R2a, R3a 및 Rb 내지 Rl는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합일 수 있다.
예컨대 녹색 p형 반도체는 하기 그룹 2A, 2B, 2C 또는 2D에 나열된 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 2A]
그룹 2A에서, 각각의 방향족 링에 존재하는 수소는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐(F, Cl, Br, I), 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있고, Ra, Rb, Rf, R16, R17, R18 및 R20은 각각 독립적으로 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알킬기일 수 있다.
[그룹 2B]
그룹 2B에서, 각각의 방향족 링에 존재하는 수소는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐(F, Cl, Br, I), 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있고, R1a, R1b, R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C6 알킬기일 수 있다.
[그룹 2C]
[그룹 2D]
그룹 2C 및 2D에서, 각각의 방향족 링에 존재하는 수소는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐(F, Cl, Br, I), 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있고, Ra, Rb, Rc, Rd, R16 및 R17는 각각 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C6 알킬기일 수 있다.
제1 n형 반도체 층(330p) 및/또는 제2 n형 반도체 층(330q)은 전술한 p형 반도체와 pn 접합 가능한 n형 반도체를 포함할 수 있으며, 각 n형 반도체는 증착 가능한 저분자 유기 화합물일 수 있다. 제1 n형 반도체 층(330p)과 제2 n형 반도체 층(330q)에 포함된 각 n형 반도체는 서로 다른 광학적 전기적 특성을 가질 수 있다. 예컨대 제1 n형 반도체 층(330p)과 제2 n형 반도체 층(330q) 중 어느 하나는 가시광선 파장 스펙트럼의 적어도 일부의 광을 흡수하는 n형 반도체를 포함할 수 있고, 제1 n형 반도체 층과 제2 n형 반도체 층 중 다른 하나는 가시광선 파장 스펙트럼의 광을 실질적으로 흡수하지 않는 투명 n형 반도체를 포함할 수 있다.
일 예로, 제1 n형 반도체 층(330p)에 포함된 n형 반도체는 예컨대 가시광선 파장 스펙트럼의 광을 실질적으로 흡수하지 않는 투명 n형 반도체일 수 있다. 예컨대 제1 n형 반도체 층(330p)은 약 2.5eV 이상의 에너지 밴드갭을 가질 수 있으며, 상기 범위 내에서 약 2.5eV 내지 3.5eV, 약 2.7 내지 3.3eV 또는 약 2.8 내지 3.2eV의 에너지 밴드갭을 가질 수 있다.
제1 n형 반도체 층(330p)의 LUMO 에너지 준위는 제2 n형 반도체 층(330q)의 LUMO 에너지 준위보다 얕으면서 제1 n형 반도체 층(330p)의 상부 면과 접하고 있는 제1 공통 보조층(340)의 LUMO 에너지 준위와 유사할 수 있다. 예컨대 제2 n형 반도체 층(330p)의 LUMO 에너지 준위와 제1 n형 반도체 층(330q)의 LUMO 에너지 준위의 차이는 약 0.5eV 이상일 수 있으며, 상기 범위 내에서 약 0.5eV 내지 1.2eV 또는 약 0.7 내지 1.2eV 일 수 있다. 예컨대 제1 n형 반도체 층(330p)의 LUMO 에너지 준위와 제1 공통 보조층(340)의 LUMO 에너지 준위의 차이는 약 1.0eV 미만일 수 있으며, 상기 범위 내에서 약 0.9eV 이하, 약 0.8eV 이하, 약 0.7eV 이하 또는 약 0.5eV 이하일 수 있으며, 약 0 이상 1.0eV 미만, 0 내지 0.9eV, 약 0 내지 0.8eV, 약 0 내지 0.7eV, 약 0 내지 0.5eV, 약 0.01eV 이상 1.0eV 미만, 약 0.01eV 내지 0.9eV, 약 0.01eV 내지 0.8eV, 약 0.01eV 내지 0.7eV, 약 0.01eV 내지 0.5eV일 수 있다.
제1 n형 반도체 층(330p)은 이러한 광학적 전기적 특성을 가짐으로써 광전변환층(330)의 가시광선 파장 스펙트럼에서의 흡광 특성에 실질적인 영향을 미치지 않으면서도 광전변환층(330)에서 생성된 전하(예컨대 전자)가 제1 공통 보조층(340)을 통과하여 공통 전극(320)으로 효과적으로 이동 및/또는 추출될 수 있도록 할 수 있다.
제1 n형 반도체 층(330p)에 포함된 n형 반도체는 예컨대 C60, C70, C78, C80과 같은 플러렌 또는 플러렌 유도체; 티오펜 또는 티오펜 유도체; 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 예로, 제2 n형 반도체 층(330q)에 포함된 n형 반도체는 가시광선 파장 스펙트럼의 적어도 일부의 광을 흡수할 수 있다. 예컨대 제2 n형 반도체 층(330q)은 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼, 청색 파장 스펙트럼 또는 이들의 조합의 광을 흡수할 수 있다. 예컨대 제2 n형 반도체 층(330q)의 에너지 밴드갭은 제1 n형 반도체 층(330p)의 에너지 밴드갭보다 작을 수 있으며, 예컨대 약 2.5eV 미만일 수 있으며, 상기 범위 내에서 약 1.9 내지 2.4eV 또는 약 1.9 내지 2.3eV 일 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1 n형 반도체 층(330p)의 LUMO 에너지 준위는 제2 n형 반도체 층(330q)의 LUMO 에너지 준위보다 얕을 수 있으며, 제2 n형 반도체 층(330q)의 LUMO 에너지 준위와 제1 n형 반도체 층(330p)의 LUMO 에너지 준위의 차이는 약 0.5eV 이상일 수 있으며 상기 범위 내에서 약 0.5eV 내지 1.2eV 또는 약 0.7 내지 1.2eV 일 수 있다. 또한 제2 n형 반도체 층(330q)의 LUMO 에너지 준위와 제1 공통 보조층(340)의 LUMO 에너지 준위의 차이는 전술한 제1 n형 반도체 층(330p)의 LUMO 에너지 준위와 제1 공통 보조층(340)의 LUMO 에너지 준위의 차이보다 클 수 있으며, 예컨대 제2 n형 반도체 층(330q)의 LUMO 에너지 준위와 제1 공통 보조층(340)의 LUMO 에너지 준위의 차이는 약 0.5eV 이상일 수 있으며, 상기 범위 내에서 약 0.5eV 내지 1.2eV 또는 약 0.7 내지 1.2eV 일 수 있다.
제2 n형 반도체 층(330q)에 포함된 n형 반도체는 예컨대 비플러렌 저분자 물질일 수 있으며, 예컨대 이미드기 또는 안하이드라이드(anhydride) 기를 가진 평면형 코어를 가질 수 있으며, 예컨대 나프탈렌테트라카르복실릭 디안하이드라이드(Naphthalenetetracarboxylic dianhydride), 치환 또는 비치환된 나프탈렌 디이미드(naphthalene diimide), 치환 또는 비치환된 안트라센 디이미드(antracene diimide), 치환 또는 비치환된 피렌 디이미드(pyrene diimide), 치환 또는 비치환된 퍼릴렌 디이미드(perylene diimide) 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 n형 반도체 층(330q)의 두께는 제1 n형 반도체 층(330p)의 두께보다 얇을 수 있으며, 예컨대 제2 n형 반도체 층(330q)의 두께는 p형 반도체 층(330r)의 두께 및 제1 n형 반도체 층(330p)의 두께보다 각각 얇을 수 있다. 예컨대 제2 n형 반도체 층(330q)의 두께는 약 10nm 이하일 수 있으며, 상기 범위 내에서 약 8nm 이하, 약 7nm 이하 또는 약 5nm 이하일 수 있으며, 예컨대 약 1nm 내지 10nm, 약 1nm 내지 8nm, 약 1nm 내지 7nm 또는 약 1nm 내지 5nm 일 수 있다.
p형 반도체 층(330r)과 제1 n형 반도체 층(330p)의 두께는 각각 약 10nm 초과 200nm 이하일 수 있으며, 상기 범위 내에서 약 15nm 내지 200nm, 약 20nm 내지 150nm, 약 20nm 내지 100nm 또는 약 20nm 내지 80nm 일 수 있다.
광전변환층(330)은 제1 n형 반도체 층(330p), 제2 n형 반도체 층(330q) 및 p형 반도체 층(330r)이 차례로 적층된 구조를 가짐으로써 광전변환층(330)과 제1 공통 보조층(340) 사이의 전기적 미스매칭(mismatching)을 보완하여 광전변환효율을 개선하는 동시에 암전류(dark current)를 낮출 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1 공통 보조층(340)은 공통 전극(320)으로부터 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)의 발광층(212, 222, 232)으로의 전하(예컨대 전자)의 주입 및/또는 이동을 용이하게 하는 전기적 특성을 가진 반면, 이러한 제1 공통 보조층(340)의 전기적 특성은 광 센서(300)의 광전변환층(330)과 공통 전극(320) 사이에 동일하게 적용될 수 없다.
즉, 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)와 광 센서(300)는 전하(예컨대 전자)의 이동 방향이 다르고 발광층(212, 222, 232)과 광전변환층(330)의 전기적 특성도 상이한 바, 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)에서 공통 전극(320)으로부터 발광층(212, 222, 232)으로의 전하(예컨대 전자)의 주입 및/또는 이동을 용이하게 하는 제1 공통 보조층(340)의 역할과 달리, 광 센서(300)에서는 광전변환층(330)과 공통 전극(320) 사이에 위치하는 제1 공통 보조층(340)이 광전변환층(330)으로부터 공통 전극(320)으로의 전하(예컨대 전자)의 이동 및/또는 추출을 방해하는 장벽(barrier)으로 작용하여 광 센서(300)의 전기적 특성을 열화시킬 수 있다.
전술한 제1 n형 반도체 층(330p), 제2 n형 반도체 층(330q) 및 p형 반도체 층(330r)은 이러한 전기적 미스매칭을 보완하여 광전변환층(330)에서 생성된 전하(예컨대 전자)가 제1 공통 보조층(340)을 통과하여 공통 전극(320)으로 효과적으로 이동 및/또는 추출될 수 있도록 한다. 이에 따라 광 센서(300)의 광전변환효율을 높이고 암전류를 낮추어 전기적 특성을 개선할 수 있다.
제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)와 광 센서(300) 위에는 봉지층(50)이 형성되어 있다. 봉지층(50)은 예컨대 유리판, 금속 박막, 유기막, 무기막, 유무기막 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 유기막은 예컨대 아크릴 수지, (메타)아크릴 수지, 폴리이소프렌, 비닐 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 셀룰로오스 수지, 페릴렌 수지 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 무기막은 예컨대 산화물, 질화물 및/또는 산질화물을 포함할 수 있으며 예컨대 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 질화물, 지르코늄 산질화물, 티타늄 산화물, 티타늄 질화물, 티타늄 산질화물, 하프늄 산화물, 하프늄 질화물, 하프늄 산질화물, 탄탈륨 산화물, 탄탈륨 질화물, 탄탈륨 산질화물, 리튬 플루오라이드 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 유무기막은 예컨대 폴리오가노실록산을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 봉지층(50)은 1층 또는 2층 이상일 수 있다.
이와 같이 본 구현예에 따른 센서 내장형 표시 패널(1000)은 소정 파장 스펙트럼의 광을 방출하여 색을 표시하는 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)와 상기 광이 인식 타겟(40)에 의해 반사된 광을 흡수하여 전기적 신호로 변환하는 광 센서(300)를 기판(110) 위의 동일 평면 내에 포함함으로써 표시 기능과 인식 기능(예컨대 생체 인식 기능)을 함께 수행할 수 있다. 이에 따라 센서를 별도의 모듈로 제작하여 표시 패널의 외부에 부착하거나 표시 패널의 하부에 형성하는 기존의 표시 패널과 달리 두께를 늘리지 않고 개선된 성능을 가질 수 있어서 슬림형 고성능 센서 내장형 표시 패널(1000)을 구현할 수 있다.
또한 광 센서(300)는 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)에서 방출된 광을 사용하므로 별도의 광원 없이 인식 기능(예컨대 생체 인식 기능)을 수행할 수 있다. 따라서 표시 패널의 외부에 별도의 광원을 구비할 필요가 없어서 광원이 차지하는 면적으로 인한 표시 패널의 개구율 저하를 방지할 수 있는 동시에 별도의 광원에서 소비하는 전력을 절약함으로써 센서 내장형 표시 패널(1000)의 소비 전력을 개선할 수 있다.
또한 전술한 바와 같이 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)와 광 센서(300)는 공통 전극(320), 제1 공통 보조층(340) 및 제2 공통 보조층(350)을 공유함으로써 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)와 광 센서(300)를 별개의 공정으로 형성하는 경우와 비교하여 구조 및 공정을 단순화할 수 있다.
또한 전술한 바와 같이 광 센서(300)는 유기 광전변환층을 포함하는 유기 광전변환 다이오드일 수 있으며 이에 따라 실리콘 포토다이오드와 같은 무기 다이오드와 비교하여 2배 이상 높은 광 흡수도를 가질 수 있으므로 더욱 얇은 두께로 고감도 센싱 기능을 가질 수 있다.
또한 전술한 바와 같이 광 센서(300)의 광전변환층(330)은 서로 다른 광학적 전기적 특성을 가진 제1 n형 반도체 층(330p), 제2 n형 반도체 층(330q) 및 p형 반도체 층(330r)이 적층된 구조를 가짐으로써 발광 소자(210, 220, 230)와 제1 공통 보조층(340)을 공유하는 구조에서 나타날 수 있는 전기적 특성의 저하를 방지하고 광 센서(300)의 광학적 특성 및 전기적 특성을 개선할 수 있다.
또한 전술한 바와 같이 광 센서(300)의 광전변환층(330)은 파장 선택성을 가진 p형 반도체 층(330r)을 포함함으로써 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼 및 청색 파장 스펙트럼 중 어느 하나의 광에 대한 감도(sensitivity)를 선택적으로 높이고 파장 스펙트럼의 혼용 없이 색 분리 특성을 개선할 수 있다. 이에 따라 센서 내장형 표시 패널(1000)은 전술한 효과 이외에 안티-스푸핑(anti-spoofing) 효과를 추가로 구현할 수 있고, 이에 따라 인식 타겟(40)에서 반사된 광의 색 분리 특성을 높여 인식 타겟(40)의 형상의 세밀성을 더욱 높일 수 있고 선택적으로 반사 광의 색(예컨대 피부색) 또한 인식할 수 있어서 생체 인식 기능의 정확성을 더욱 높일 수 있다.
또한 전술한 바와 같이 광 센서(300)는 비표시영역(NDA)의 어디든지 배치될 수 있으므로 센서 내장형 표시 패널(1000)의 원하는 위치에 원하는 개수만큼 배치할 수 있다. 따라서 예컨대 센서 내장형 표시 패널(1000)의 전체에 랜덤하게 또는 규칙적으로 광 센서(300)를 배치함으로써 모바일과 같은 전자 장치의 스크린의 어느 부분에서도 생체 인식 기능을 수행할 수도 있고 사용자의 선택에 따라 생체 인식 기능이 필요한 특정 위치에서만 생체 인식 기능을 선택적으로 수행할 수도 있다.
이하, 일 구현예에 따른 센서 내장형 표시 패널(1000)의 다른 예를 설명한다.
도 4는 일 구현예에 따른 센서 내장형 표시 패널의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 4를 참고하면, 일 구현예에 따른 센서 내장형 표시 패널(1000)은 전술한 구현예와 마찬가지로 서로 다른 색을 표시하는 복수의 서브화소(PX), 즉 적색, 녹색 및 청색 중에서 선택된 서로 다른 제1 색, 제2 색 및 제3 색을 표시하는 제1 서브화소(PX1), 제2 서브화소(PX2) 및 제3 서브화소(PX3)를 포함하고, 제1 서브화소(PX1), 제2 서브화소(PX2) 및 제3 서브화소(PX3)는 각각 제1 발광 소자(210), 제2 발광 소자(220) 및 제3 발광 소자(230)를 포함한다.
그러나 본 구현예에 따른 센서 내장형 표시 패널(1000)은 전술한 구현예와 달리, 적외선 파장 스펙트럼의 광을 방출하는 제4 발광 소자(240)를 포함할 수 있다. 예컨대 제4 발광 소자(240)는 제1 서브화소(PX1), 제2 서브화소(PX2) 및/또는 제3 서브화소(PX3)에 인접한 제4 서브화소(PX4)에 포함될 수도 있고 비표시영역(NDA)에 포함될 수도 있다. 제4 서브화소(PX4)는 제1 서브화소(PX1), 제2 서브화소(PX2) 및 제3 서브화소(PX3)와 함께 하나의 단위 화소(UP)를 형성할 수 있고 단위 화소(UP)는 행 및/또는 열을 따라 반복적으로 배열될 수 있다.
제1 서브화소(PX1), 제2 서브화소(PX2), 제3 서브화소(PX3), 제1 발광 소자(210), 제2 발광 소자(220) 및 제3 발광 소자(230)에 대한 설명은 전술한 바와 같다.
제4 발광 소자(240)는 기판(110) 위에 배치되어 있으며, 제1, 제2, 제3 발광 소자(210, 220, 230) 및 광 센서(300)와 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 제4 발광 소자(240)는 별개의 박막 트랜지스터(120)에 전기적으로 접속되어 독립적으로 구동될 수 있다. 제4 발광 소자(240)는 화소 전극(241), 제2 공통 보조층(350), 발광층(242), 제1 공통 보조층(240) 및 공통 전극(320)이 차례로 적층된 구조를 가질 수 있으며, 이 중 공통 전극(320), 제1 공통 보조층(340) 및 제2 공통 보조층(350)은 제1, 제2, 제3 발광 소자(210, 220, 230) 및 광 센서(300)와 함께 공유될 수 있다. 발광층(242)은 적외선 파장 스펙트럼의 광을 방출할 수 있으며, 예컨대 약 750nm 이상, 약 750nm 내지 20㎛, 약 780nm 내지 20㎛, 약 800nm 내지 20㎛, 약 750nm 내지 15㎛, 약 780nm 내지 15㎛, 약 800nm 내지 15㎛, 약 750nm 내지 10㎛, 약 780nm 내지 10㎛, 약 800nm 내지 10㎛, 약 750nm 내지 5㎛, 약 780nm 내지 5㎛, 약 800nm 내지 5㎛, 약 750nm 내지 3㎛, 약 780nm 내지 3㎛, 약 800nm 내지 3㎛, 약 750nm 내지 2㎛, 약 780nm 내지 2㎛, 약 800nm 내지 2㎛, 약 750nm 내지 1.5㎛, 약 780nm 내지 1.5㎛ 또는 약 800nm 내지 1.5㎛에 최대 발광 파장을 가질 수 있다.
광 센서(300)는 제1, 제2, 제3 및 제4 발광 소자(210, 220, 230, 240) 중 적어도 하나로부터 방출된 광이 생체 또는 도구와 같은 인식 타겟(40)에 의해 반사된 광을 흡수하여 전기적 신호로 변환할 수 있다. 예컨대 광 센서(300)는 적외선 파장 스펙트럼의 광을 방출하는 제4 발광 소자(240)로부터 방출된 광이 인식 타겟(40)에 의해 반사된 광을 흡수하여 전기적 신호로 변환할 수 있다. 이 경우 광 센서(300)의 광전변환층(330)의 p형 반도체 층(330r)은 적외선 파장 스펙트럼의 광을 선택적으로 흡수하는 유기물, 무기물, 유무기물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있고, 예컨대 퀀텀닷, 퀴노이드 금속 착화합물, 폴리메틴 화합물, 시아닌 화합물, 프탈로시아닌 화합물, 메로시아닌 화합물, 나프탈로시아닌 화합물, 임모늄 화합물, 디임모늄 화합물, 트리아릴메탄 화합물, 디피로메텐 화합물, 안트라퀴논 화합물, 나프토퀴논, 디퀴논 화합물, 나프토퀴논 화합물, 안트라퀴논 화합물, 스쿠아릴륨 화합물, 릴렌 화합물, 퍼릴렌 화합물, 스쿠아레인 화합물, 피릴륨 화합물, 스쿠아레인 화합물, 티오피릴륨 화합물, 디케토피롤로피롤 화합물, 보론 디피로메텐 화합물, 니켈-디티올 착화합물, 크로코늄 화합물, 이들의 유도체 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 예에 따른 센서 내장형 표시 패널(1000)은 적외선 파장 스펙트럼의 광을 방출하는 제4 발광 소자(240)와 적외선 파장 스펙트럼의 광을 흡수하는 광 센서(300)를 포함함으로써 전술한 구현예에 따른 인식 기능 (생체 인식 기능) 외에 저조도 환경에서도 광 센서(300)의 감도를 개선할 수 있고 흑백 명암의 상세 구분을 하는 동적 범위(dynamic range)를 넓힘으로써 3차원 이미지의 감지 능력을 더욱 높일 수 있다. 따라서 센서 내장형 표시 패널(1000)의 센싱 능력을 더욱 개선할 수 있다. 특히, 적외선 파장 스펙트럼의 광은 장파장 특성으로 인해 생체의 침투 깊이가 더 깊을 수 있고 서로 다른 거리에 위치하는 정보 또한 효과적으로 얻을 수 있으므로 지문 이외에 정맥과 같은 혈관의 이미지 또는 변화, 홍채 및/또는 안면 등을 효과적으로 감지할 수 있어서 활용 범위를 더욱 넓힐 수 있다.
상술한 센서 내장형 표시 패널(1000)은 다양한 표시 장치와 같은 전자 장치에 적용될 수 있다. 표시 장치와 같은 전자 장치는 예컨대 휴대폰, 비디오폰, 스마트 폰(smart phone), 모바일 폰, 스마트 패드, 스마트 워치, 디지털 카메라, 태블릿 PC, 랩탑 PC, 노트북, 컴퓨터 모니터, 웨어러블 컴퓨터, 텔레비전, 디지털방송용 단말기, 전자 책, PDA(Personal Digital Assistants), PMP(Portable Multimedia Player), EDA(enterprise digital assistant), 헤드 마운트 디스플레이 장치(head mounted display, HMD), 차량용 네비게이션, 사물 인터넷 장치(IoT), 만물 인터넷 장치(IoE), 드론(drone), 도어락, 금고, 현금자동입출금기(ATM), 보안 장치, 의료 장치 또는 자동차 전장부품 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5는 일 예에 따른 전자 장치로서 스마트 폰의 일 예를 도시한 개략도이다.
도 5를 참고하면, 전자 장치(2000)는 전술한 센서 내장형 표시 패널(1000)을 포함하며, 센서 내장형 표시 패널(1000)의 전면 또는 일부에 광 센서(300)가 배치됨으로써 스크린의 어느 부분에서도 생체 인식 기능을 수행할 수도 있고 사용자의 선택에 따라 생체 인식 기능이 필요한 특정 위치에서만 생체 인식 기능을 선택적으로 수행할 수도 있다.
표시 장치와 같은 전자 장치(2000)에서 인식 타겟(40)을 인식하는 방법의 일 예는 예컨대 센서 내장형 표시 패널(1000)의 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)(또는 제1, 제2, 제3 및 제4 발광 소자(210, 220, 230, 240)) 및 광 센서(300)를 구동하여 제1, 제2 및 제3 발광 소자(210, 220, 230)(또는 제1, 제2, 제3 및 제4 발광 소자(210, 220, 230, 240))에서 방출된 광 중 인식 타겟(40)에서 반사된 광을 광 센서(300)에서 검출하는 단계, 미리 저장된 인식 타겟(40)의 이미지와 광 센서(300)에서 검출된 인식 타겟(40)의 이미지를 비교하는 단계, 그리고 비교된 이미지의 일치성을 판단하고 일치할 경우 인식 타겟(40)의 인식이 완료되었다는 판단에 따라 광 센서(300)를 끄고 표시 장치에 대한 사용자 액세스를 허가하고 화상을 표시하도록 센서 내장형 표시 패널(1000)을 구동하는 단계를 포함할 수 있다.
도 6은 일 구현예에 따른 전자 장치의 구성도의 일 예를 도시한 개략도이다.
도 6을 참고하면, 전자 장치(2000)는 전술한 구성 요소 이외에 버스(1310), 프로세서(1320), 메모리(1330) 및 적어도 하나의 부가 장치(1340)를 더 포함할 수 있다. 전술한 센서 내장형 표시 패널(1000), 프로세서(1320), 메모리(1330) 및 적어도 하나의 부가 장치(1340)의 정보는 버스(1310)를 통해서 서로 전달될 수 있다.
프로세서(1320)는 논리 회로를 포함한 하드웨어; 프로세서 수행 소프트웨어와 같은 하드웨어/소프트웨어 조합; 또는 이들의 조합과 같은 하나 이상의 처리 회로(processing circuitry)를 포함할 수 있다. 예컨대, 처리 회로는 중앙 처리 회로(central processing unit, CPU), 산술논리연산장치(arithmetic logic unit, ALU), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor), 마이크로컴퓨터, 필드 프로그램 가능 게이트 어레이(field programmable gate array, FPGA), 시스템-온-칩(System-on-Chip, SoC), 프로그램 가능한 논리 단위(programmable logic unit), 마이크로프로세서(microprocessor), 주문형 반도체(application-specific integrated circuit, ASIC) 등일 수 있다. 일 예로서, 처리 회로는 비일시적 컴퓨터 해독 저장 장치(non-transitory computer readable storage device)를 포함할 수 있다. 프로세서(1320)는 예컨대 센서 내장형 표시 패널(1000)의 디스플레이 동작을 제어하거나 광 센서(300)의 센서 동작을 제어할 수 있다.
메모리(1330)는 지시 프로그램을 저장할 수 있고 프로세서(1320)는 저장된 지시 프로그램을 수행하여 센서 내장형 표시 패널(1000)에 관련된 기능을 수행할 수 있다.
하나 이상의 부가 장치(1340)는 하나 이상의 통신 인터페이스(예컨대, 무선 통신 인터페이스, 유선 인터페이스), 사용자 인터페이스(예컨대, 키보드, 마우스, 버튼 등), 전원 공급 및/또는 전원 공급 인터페이스 또는 이들의 조합일 수 있다.
본 명세서에서 설명된 유닛 및/또는 모듈은 하드웨어 구성 요소 및 소프트웨어 구성 요소를 사용하여 구현될 수 있다. 예컨대, 하드웨어 구성요소는 마이크로폰, 증폭기, 대역 통과 필터, 오디오-디지털 변환기 및 처리 장치를 포함할 수 있다. 처리 장치는 산술, 논리 및 입출력 동작을 수행함으로써 프로그램 코드를 수행 및/또는 실행하도록 구성된 하나 이상의 하드웨어 장치를 사용하여 구현될 수 있다. 처리 장치는 프로세서, 제어기 및 산술 논리 유닛, 디지털 신호 프로세서, 마이크로 컴퓨터, 필드 프로그램 가능 어레이, 프로그램 가능 논리 유닛, 마이크로 프로세서 또는 명령에 응답하고 명령을 실해할 수 있는 임의의 다른 장치를 포함할 수 있다. 처리 장치는 운영체제(OS) 및 운영체제에서 실행되는 하나 이상의 소프트웨어의 실행에 응답하여 데이터를 액세스, 저장, 작동, 처리 및 생성할 수 있다.
소프트웨어는 컴퓨터 프로그램, 코드, 명령 또는 이들의 조합을 포함할 수 있고 처리 장치를 원하는 대로 동작하도록 독립적으로 또는 집합적으로 지시 및/또는 구성함으로써 처리 장치를 특수 목적으로 변환할 수 있다. 소프트웨어 및 데이터는 기계, 부품, 물리적 또는 가상적 장비, 컴퓨터 저장매체 또는 장치, 또는 처리 장치에 명령 또는 데이터를 제공하거나 해석할 수 있는 신호파로 영구적으로 또는 일시적으로 구현될 수 있다. 소프트웨어는 또한 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템을 통해 분산되어 소프트웨어가 분산 방식으로 저장되고 실행될 수 있다. 소프트웨어 및 데이터는 하나 이상의 비일시적 컴퓨터 해독 저장 장치에 의해 저장될 수 있다.
전술한 예시적인 구현예에 따른 방법은 전술한 예시적인 구현예의 다양한 동작을 구현하기 위한 프로그램 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 해독 저장 장치에 기록될 수 있다. 저장 장치는 또한 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등과 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 저장 장치에 기록되는 프로그램 명령은 본 구현예를 위하여 특별히 설계된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용할 수 있는 것일 수 있다. 비일시적 컴퓨터 해독 저장 장치의 예는 하드디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체; CD-ROM 디스크, DVD 및/또는 블루레이 디스크와 같은 광학 매체; 광 디스크와 같은 광 자기 매체; 및 ROM, RAM, 플래시 메모리와 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 구성된 하드웨어 장치 등을 포함할 수 있다. 전술한 장치는 전술한 실시예의 동작을 수행하기 위하여 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 동작하도록 구성될 수 있다.
이하 실시예를 통하여 상술한 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 권리범위를 제한하는 것은 아니다.
광 센서의 제작
실시예 1
유리 기판 위에 Al(10nm), ITO(100nm) 및 Al(8nm)을 차례로 증착하여 Al/ITO/Al 구조의 하부 전극을 형성한다. 이어서 하부 전극 위에 N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine을 형성하여 정공 보조층(HOMO: 5.3~5.6 eV, LUMO: 2.0~2.3eV)을 형성한다. 이어서 정공 보조층 위에 화합물 A로 표현되는 p형 반도체(HOMO: 5.6eV, LUMO: 3.52eV)를 증착하여 10nm 두께의 p형 반도체 층을 형성하고, 그 위에 플러렌(C60)(HOMO: 6.40eV, LUMO: 4.23eV)을 증착하여 5nm 두께의 하부 n형 반도체 층을 형성하고 그 위에 화합물 B로 표현되는 n형 반도체(Tokyo Chemical Industry 제조)를 증착하여 30nm 두께의 상부 n형 반도체 층(HOMO: 6.31eV, LUMO: 3.27eV)을 형성한다. 이어서 상부 n형 반도체 층 위에 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline을 증착하여 전자 보조층(HOMO: 6.1~6.4 eV, LUMO: 2.9~3.2 eV)을 형성한다. 이어서 전자 보조층 위에 마그네슘과 은을 증착하여 Mg:Ag 상부 전극을 형성하여 광 센서를 제조한다.
[화합물 A]
[화합물 B]
비교예 1
상부 n형 반도체 층 없이 하부 n형 반도체 층을 35nm 두께로 형성한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 광 센서를 제조한다.
비교예 2
하부 n형 반도체 층 없이 상부 n형 반도체 층을 35nm 두께로 형성한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 광 센서를 제조한다.
비교예 3
p형 반도체 층, 상부 n형 반도체 층 및 하부 n형 반도체 층 대신 화합물 A와 C60을 1:4 부피비(두께비)로 공증착하여 45nm 두께의 광전변환층을 형성한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 광 센서를 제조한다.
평가 I
실시예와 비교예에 따른 광 센서의 광전변환효율을 평가한다.
광전변환효율은 외부양자효율(EQE)로부터 평가하며, 외부양자효율(EQE)은 최대 흡수 파장(λmax)에서의 외부양자효율(EQE)로부터 평가할 수 있으며, 400nm 내지 700nm 파장 영역에서 Incident Photon to Current Efficiency (IPCE) 방법으로 평가한다.
그 결과는 도 7 및 표 1과 같다.
도 7은 실시예 1과 비교예 1 내지 3에 따른 광 센서의 파장에 따른 외부양자효율(EQE)을 보여주는 그래프이다.
| EQE(%)(@λmax) | |
| 실시예 1 | 60.2 |
| 비교예 1 | 45.1 |
| 비교예 2 | 18.7 |
| 비교예 3 | 12.8 |
도 7 및 표 1을 참고하면, 실시예 1에 따른 광 센서는 비교예에 따른 광 센서와 비교하여 녹색 파장 스펙트럼에서 개선된 광전변환효율을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
평가 II
실시예와 비교예에 따른 광 센서의 역바이어스 전압 하에서의 암전류(dark current)를 평가한다.
암전류는 전류-전압 평가 장비(Keithley K4200 parameter analyzer)를 사용하여 암전류를 측정한 후 단위 화소 면적(0.04㎠)으로 나눈 암전류 밀도부터 평가하며, 암전류 밀도는 -3V 역바이어스 인가시 흐르는 전류로부터 평가한다.
그 결과는 표 2와 같다.
| 암전류(mA/㎠) | |
| 실시예 1 | 6.5x10-6 |
| 비교예 1 | 1.4x10-5 |
| 비교예 2 | 3.5x10-5 |
| 비교예 3 | 4.7x10-5 |
표 2를 참고하면, 실시예에 따른 광 센서는 비교예에 따른 광 센서와 비교하여 역바이어스 인가시 암전류가 낮은 것을 확인할 수 있다.
이상에서 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 권리범위에 속하는 것이다.
40: 인식 타겟
50: 봉지층
110: 기판 120: 박막 트랜지스터
140: 절연층 141, 142: 접촉 구멍
150: 화소 정의 층
210, 220, 230: 발광 소자
211, 221, 231, 310: 화소 전극
212, 222, 232: 발광층 320: 공통 전극
330: 광전변환층 330p: 제1 n형 반도체 층
330q: 제2 n형 반도체 층 330r: p형 반도체 층
340: 제1 공통 보조층
350: 제2 공통 보조층 1000: 센서 내장형 표시 패널
2000: 전자 장치
110: 기판 120: 박막 트랜지스터
140: 절연층 141, 142: 접촉 구멍
150: 화소 정의 층
210, 220, 230: 발광 소자
211, 221, 231, 310: 화소 전극
212, 222, 232: 발광층 320: 공통 전극
330: 광전변환층 330p: 제1 n형 반도체 층
330q: 제2 n형 반도체 층 330r: p형 반도체 층
340: 제1 공통 보조층
350: 제2 공통 보조층 1000: 센서 내장형 표시 패널
2000: 전자 장치
Claims (27)
- 기판,
상기 기판 위에 위치하고 발광층을 포함하는 발광 소자, 그리고
상기 기판 위에 위치하고 상기 기판의 면방향을 따라 상기 발광층과 나란히 배치되어 있는 광전변환층을 포함하는 광 센서
를 포함하고,
상기 발광 소자와 상기 광 센서는
상기 발광층과 상기 광전변환층 상부에 연속적으로 형성되어 있는 제1 공통 보조층, 그리고
상기 제1 공통 보조층 상부에 위치하고 상기 발광 소자와 상기 광 센서에 공통 전압을 인가하는 공통 전극
을 포함하며,
상기 광전변환층은 상기 제1 공통 보조층으로부터 차례로 적층된 제1 n형 반도체 층, 제2 n형 반도체 층 및 p형 반도체 층을 포함하는 센서 내장형 표시 패널.
- 제1항에서,
상기 발광 소자는 상기 기판의 면방향을 따라 나란히 배치되어 있고 서로 다른 발광 스펙트럼의 광을 방출하는 제1, 제2 및 제3 발광 소자를 포함하고,
상기 광 센서는 상기 제1, 제2 및 제3 발광 소자 중 적어도 하나로부터 방출된 광이 인식 타겟에 의해 반사된 광을 흡수하여 전기적 신호로 변환하는 센서 내장형 표시 패널.
- 제1항에서,
상기 광전변환층은 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼 및 청색 파장 스펙트럼 또는 이들의 조합의 광을 흡수하는 센서 내장형 표시 패널.
- 제1항에서,
상기 제1 n형 반도체 층과 상기 제2 n형 반도체 층 중 적어도 하나는 상기 p형 반도체 층과 pn 접합을 형성하는 센서 내장형 표시 패널.
- 제1항에서,
상기 제1 n형 반도체 층과 상기 제2 n형 반도체 층 중 어느 하나는 가시광선 파장 스펙트럼의 광을 흡수하는 n형 반도체를 포함하고,
상기 제1 n형 반도체 층과 상기 제2 n형 반도체 층 중 다른 하나는 투명 n형 반도체를 포함하는
센서 내장형 표시 패널.
- 제1항에서,
상기 제1 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위는 상기 제2 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위보다 얕은 센서 내장형 표시 패널.
- 제6항에서,
상기 제1 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 공통 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 상기 제2 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 공통 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이보다 작은 센서 내장형 표시 패널.
- 제7항에서,
상기 제1 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 공통 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 1.0eV 미만인 센서 내장형 표시 패널.
- 제7항에서,
상기 제2 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 공통 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 0.5eV 이상인 센서 내장형 표시 패널.
- 제6항에서,
상기 제2 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 0.5eV 이상인 센서 내장형 표시 패널.
- 제1항에서,
상기 제2 n형 반도체 층의 두께는 상기 제1 n형 반도체 층의 두께보다 얇은 센서 내장형 표시 패널.
- 제11항에서,
상기 제2 n형 반도체 층의 두께는 1nm 내지 10nm인 센서 내장형 표시 패널.
- 제1항에서,
상기 발광 소자는 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼, 청색 파장 스펙트럼 및 적외선 파장 스펙트럼 중 어느 하나를 방출하는 제1, 제2 및 제3 발광 소자를 포함하고,
상기 p형 반도체 층은 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼, 청색 파장 스펙트럼 및 적외선 파장 스펙트럼 중 어느 하나를 선택적으로 흡수하는 p형 반도체를 포함하는
센서 내장형 표시 패널.
- 제1항에서,
상기 제1 n형 반도체 층은 투명 n형 반도체를 포함하고,
상기 제2 n형 반도체 층은 가시광선 파장 스펙트럼의 광을 흡수하는 n형 반도체를 포함하고,
상기 p형 반도체 층은 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼 및 청색 파장 스펙트럼 중 어느 하나를 선택적으로 흡수하는 p형 반도체를 포함하는
센서 내장형 표시 패널.
- 제1항에서,
상기 발광 소자와 상기 기판 사이 및 상기 광 센서와 상기 기판 사이에 연속적으로 형성되어 있는 제2 공통 보조층을 더 포함하는 센서 내장형 표시 패널.
- 제1항에서,
상기 센서 내장형 표시 패널은
색을 표시하는 표시 영역, 그리고
상기 표시 영역을 제외한 비표시 영역
을 포함하고,
상기 광 센서는 상기 비표시 영역에 위치하는
센서 내장형 표시 패널.
- 제16항에서,
상기 표시 영역은
적색을 표시하고 상기 제1 발광 소자를 포함하는 복수의 제1 서브화소,
녹색을 표시하고 상기 제2 발광 소자를 포함하는 복수의 제2 서브화소, 그리고
청색을 표시하고 상기 제3 발광 소자를 포함하는 복수의 제3 서브화소
를 포함하고,
상기 광 센서는 상기 제1 서브화소, 상기 제2 서브화소 및 상기 제3 서브화소에서 선택된 적어도 둘 사이에 위치하는 센서 내장형 표시 패널.
- 제1항에서,
상기 발광층은 유기 발광체, 양자점, 페로브스카이트 또는 이들의 조합을 포함하고,
상기 광전변환층은 유기 광전변환 물질을 포함하는
센서 내장형 표시 패널.
- 색을 표시하는 표시 영역과 상기 표시 영역 이외의 비표시 영역을 포함하고,
상기 표시 영역은
제1 색을 표시하고 제1 발광 소자를 포함하는 제1 서브화소,
제2 색을 표시하고 제2 발광 소자를 포함하는 제2 서브화소, 그리고
제3 색을 표시하고 제3 발광 소자를 포함하는 제3 서브화소
를 포함하며,
상기 비표시 영역은 상기 제1 서브화소, 상기 제2 서브화소 및 상기 제3 서브화소 중 적어도 둘 사이에 위치하는 광 센서를 포함하고,
상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자, 상기 제3 발광 소자 및 상기 광 센서는 상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자, 상기 제3 발광 소자 및 상기 광 센서에 공통 전압을 인가하는 공통 전극을 공유하고,
상기 광 센서는
상기 공통 전극,
상기 공통 전극과 대향하는 화소 전극, 그리고
상기 공통 전극과 상기 화소 전극 사이에 위치하고 제1 n형 반도체 층, 제2 n형 반도체 층 및 p형 반도체 층을 포함하는 센서 내장형 표시 패널.
- 제19항에서,
상기 제1 n형 반도체 층과 상기 제2 n형 반도체 층은 각각 다른 물질을 포함하고,
상기 제1 n형 반도체 층, 상기 제2 n형 반도체 층 및 상기 p형 반도체 층의 순서로 적층되어 있는 센서 내장형 표시 패널.
- 제19항에서,
상기 제1 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위는 상기 제2 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위보다 얕은 센서 내장형 표시 패널.
- 제19항에서,
상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자, 상기 제3 발광 소자 및 상기 광 센서는 상기 공통 전극의 하부에 위치하는 제1 공통 보조층을 공유하고,
상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자, 상기 제3 발광 소자 및 상기 광 센서는 상기 발광층과 상기 광전변환층을 개재하여 상기 제1 공통 보조층과 마주하는 제2 공통 보조층을 공유하는
센서 내장형 표시 패널.
- 제22항에서,
상기 제1 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 공통 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 상기 제2 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 공통 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이보다 작은 센서 내장형 표시 패널.
- 제23항에서,
상기 제1 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 공통 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 1.0eV 미만이고,
상기 제2 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 공통 보조층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 0.5eV 이상이며,
상기 제2 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위와 상기 제1 n형 반도체 층의 LUMO 에너지 준위의 차이는 0.5eV 이상인
센서 내장형 표시 패널.
- 제19항에서,
상기 제2 n형 반도체 층의 두께는 상기 제1 n형 반도체 층의 두께보다 얇고,
상기 제2 n형 반도체 층의 두께는 1nm 내지 10nm인
센서 내장형 표시 패널.
- 제1항에서,
상기 제1 n형 반도체 층은 투명 n형 반도체를 포함하고,
상기 제2 n형 반도체 층은 가시광선 파장 스펙트럼의 광을 흡수하는 n형 반도체를 포함하고,
상기 p형 반도체 층은 적색 파장 스펙트럼, 녹색 파장 스펙트럼, 청색 파장 스펙트럼 및 적외선 파장 스펙트럼 중 어느 하나를 선택적으로 흡수하는 p형 반도체를 포함하는
센서 내장형 표시 패널.
- 제1항 내지 제26항 중 어느 한 항에 따른 센서 내장형 표시 패널을 포함하는 표시 장치.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210069460A KR20220161052A (ko) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | 센서 내장형 표시 패널 및 전자 장치 |
| US17/696,272 US20220392972A1 (en) | 2021-05-28 | 2022-03-16 | Sensor-embedded display panel and electronic device |
| EP22174568.0A EP4102574A1 (en) | 2021-05-28 | 2022-05-20 | Sensor-embedded display panel and electronic device |
| CN202210586999.7A CN115411070A (zh) | 2021-05-28 | 2022-05-26 | 传感器嵌入式显示面板和显示设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210069460A KR20220161052A (ko) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | 센서 내장형 표시 패널 및 전자 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220161052A true KR20220161052A (ko) | 2022-12-06 |
Family
ID=81750778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210069460A KR20220161052A (ko) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | 센서 내장형 표시 패널 및 전자 장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220392972A1 (ko) |
| EP (1) | EP4102574A1 (ko) |
| KR (1) | KR20220161052A (ko) |
| CN (1) | CN115411070A (ko) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7478097B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2024-05-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| CN113302745A (zh) * | 2019-01-18 | 2021-08-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、显示模块及电子设备 |
| US11659758B2 (en) * | 2019-07-05 | 2023-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display unit, display module, and electronic device |
-
2021
- 2021-05-28 KR KR1020210069460A patent/KR20220161052A/ko active Search and Examination
-
2022
- 2022-03-16 US US17/696,272 patent/US20220392972A1/en active Pending
- 2022-05-20 EP EP22174568.0A patent/EP4102574A1/en active Pending
- 2022-05-26 CN CN202210586999.7A patent/CN115411070A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4102574A1 (en) | 2022-12-14 |
| CN115411070A (zh) | 2022-11-29 |
| US20220392972A1 (en) | 2022-12-08 |
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| A201 | Request for examination |