JP2012147012A - 移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、デバイス製造方法、並びに決定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 駆動装置により、ウエハテーブルWTBのY軸方向の位置情報を計測するエンコーダ64の計測値とその計測時に干渉計16,43A及び43Bによって計測されるウエハテーブルWTBの非計測方向(例えば、Z、θz及びθx方向)の位置情報に応じた既知の補正情報とに基づいて、ウエハテーブルがY軸方向に駆動される。すなわち、非計測方向へのヘッドとスケールの相対変位に起因するエンコーダの計測誤差を補正する補正情報により補正されたエンコーダの計測値に基づいて移動体がY軸方向に駆動される。従って、ヘッドとスケールの間の計測したい方向(計測方向)以外の相対運動に影響を受けることなく、エンコーダで位置を計測しつつ、ウエハテーブル(移動体)を所望の方向へ精度良く駆動することが可能になる。
【選択図】図11
Description
ΔL2=ΔYo×(1+cosθ)+ΔZo×sinθ …(2)
従って、式(1)、(2)からΔZo及びΔYoは次式(3)、(4)で求められる。
ΔYo=(ΔL1+ΔL2)/{2(1+cosθ)} …(4)
Δθy≒(ΔZoL−ΔZoR)/D …(6)
従って、主制御装置20は、上記式(3)〜式(6)を用いることで、Z干渉計43A、43Bの計測結果に基づいて、ウエハステージWSTの4自由度の変位ΔZo、ΔYo、Δθz、Δθyを算出することができる。
+2KΔZ(cosθb1+cosθb0−cosθa1−cosθa0)…(7)
ここで、KΔLは、2つの光束LB1,LB2の光路差ΔLに起因する位相差、ΔYは、反射型回折格子RGの+Y方向の変位、ΔZは、反射型回折格子RGの+Z方向の変位、pは回折格子のピッチ、nb,naは上述の各回折光の回折次数である。
その場合、式(7)の右辺第3項の括弧内は零になり、同時にnb=−na(=n)を満たすので、次式(9)が得られる。
上式(9)より、位相差φsymは光の波長に依存しないことがわかる。
Δx=g(z,θy,θz)=θy(z−c)+θz(z−d) ……(11)
上式(10)において、aは、図12のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、bは、Yエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。また、上式(11)において、cは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにローリング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、dは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。
Claims (18)
- 実質的に所定平面に沿って移動体を駆動する移動体駆動システムであって、
前記所定平面に平行な所定方向を周期方向とする格子を有するスケールに検出光を照射し、前記スケールからの反射光を受光するヘッドを有し、前記移動体の前記所定方向の位置情報を計測するエンコーダと、
前記エンコーダの計測値とその計測時の前記移動体の前記所定方向とは異なる方向の位置情報に応じた補正情報とに基づいて、前記移動体を前記所定方向に駆動する駆動装置と、を備える移動体駆動システム。 - 物体が載置され、該物体を保持して実質的に移動面に沿って移動可能な移動体と、
前記物体上にパターンを生成するパターニング装置と、
前記物体に対するパターン形成のため、前記移動体を駆動する請求項1に記載の移動体駆動システムと、を備えるパターン形成装置。 - エネルギビームの照射によって物体にパターンを形成する露光装置であって、
前記物体に前記エネルギビームを照射するパターニング装置と、
請求項1に記載の移動体駆動システムと、を備え、
前記エネルギビームと前記物体との相対移動のために、前記移動体駆動システムによる前記物体を載置する移動体の駆動を行う露光装置。 - エネルギビームで物体を露光する露光装置であって、
前記物体を保持し、少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能な移動体と、
前記物体が保持される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられ、前記第1及び第2方向の少なくとも一方に関する前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムと、
前記エンコーダシステムの計測情報と、前記第1及び第2方向と異なる方向に関する前記移動体の位置情報とに基づいて、前記所定平面内で前記移動体を駆動する駆動装置と、
を備える露光装置。 - エネルギビームで物体を露光する露光装置であって、
前記物体を保持し、少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能かつ前記所定平面に対して傾斜可能な移動体と、
前記物体が保持される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられ、前記第1及び第2方向の少なくとも一方に関する前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムと、
前記エンコーダシステムの計測情報と前記移動体の傾斜情報とに基づいて、前記所定平面内で前記移動体を駆動する駆動装置と、を備える露光装置。 - エネルギビームで物体を露光する露光装置であって、
前記物体を保持し、少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能な移動体と、
前記物体が保持される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられ、前記第1及び第2方向の少なくとも一方に関する前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムと、
前記エンコーダシステムの計測情報と、前記エンコーダシステムの計測誤差の発生要因となる前記ヘッドユニットの特性情報とに基づいて、前記所定平面内で前記移動体を駆動する駆動装置と、を備える露光装置。 - エネルギビームで物体を露光する露光装置であって、
前記物体を保持し、少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能な移動体と、
前記物体が保持される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられ、前記第1及び第2方向の少なくとも一方に関する前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムと、
前記エンコーダシステムの計測情報に基づき、前記ヘッドユニットに起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償するように、前記所定平面内で前記移動体を駆動する駆動装置と、を備える露光装置。 - 実質的に所定平面に沿って移動体を駆動する移動体駆動方法であって、
前記所定平面に平行な所定方向を周期方向とする格子を有するスケールに検出光を照射し、前記スケールからの反射光を受光するヘッドを有するエンコーダを用いて、前記移動体の前記所定方向の位置情報を計測し、該エンコーダの計測値とその計測時の前記移動体の前記所定方向とは異なる方向の位置情報に応じた補正情報とに基づいて、前記移動体を前記所定方向に駆動する工程、を含む移動体駆動方法。 - 移動面内で移動可能な移動体上に物体を載置する工程と、
前記物体に対してパターンを形成するため、請求項8に記載の移動体駆動方法により前記移動体を駆動する工程と、を含むパターン形成方法。 - パターン形成工程を含むデバイス製造方法であって、
前記パターン形成工程では、請求項9に記載のパターン形成方法を用いて基板上にパターンを形成するデバイス製造方法。 - エネルギビームの照射によって物体にパターンを形成する露光方法であって、
前記エネルギビームと前記物体との相対移動のために、請求項8に記載の移動体駆動方法を用いて、前記物体を載置する移動体を駆動する露光方法。 - エネルギビームにより物体を露光する露光方法であって、
少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能な移動体に物体を載置し、
前記物体が載置される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられ、前記第1及び第2方向の少なくとも一方に関する前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムの計測情報と、前記第1及び第2方向と異なる方向に関する前記移動体の位置情報とに基づいて、前記所定平面内で前記移動体を駆動する露光方法。 - エネルギビームで物体を露光する露光方法であって、
少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能かつ前記所定平面に対して傾斜可能な移動体に前記物体を載置し、
前記物体が載置される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられ、前記第1及び第2方向の少なくとも一方に関する前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムの計測情報と前記移動体の傾斜情報とに基づいて、前記所定平面内で前記移動体を駆動する露光方法。 - エネルギビームで物体を露光する露光方法であって、
少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能な移動体に前記物体を載置し、
前記物体が載置される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられ、前記第1及び第2方向の少なくとも一方に関する前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムの計測情報と、前記エンコーダシステムの計測誤差の発生要因となる前記ヘッドユニットの特性情報とに基づいて、前記所定平面内で前記移動体を駆動する露光方法。 - エネルギビームで物体を露光する露光方法であって、
少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能な移動体に前記物体を載置し、
前記物体が載置される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられ、前記第1及び第2方向の少なくとも一方に関する前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムの計測情報に基づき、前記ヘッドユニットに起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償するように、前記所定平面内で前記移動体を駆動する露光方法。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項12〜15のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、感応物体を露光し、該感応物体上にパターンを形成するデバイス製造方法。 - 実質的に所定平面に沿って移動可能な移動体に設けられ、所定方向を周期方向とする格子を有するスケールに検出光を照射し、前記スケールからの反射光を受光するヘッドを有し、前記所定平面と平行な面内の所定方向に関する前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムの計測値の補正情報を決定する決定方法であって、
前記移動体を異なる複数の姿勢に変化させ、各姿勢について、前記移動体の姿勢を維持した状態で、前記ヘッドから前記スケールの特定領域に検出光を照射しつつ、前記移動体を前記所定平面に直交する方向に所定ストローク範囲で移動させ、その移動中に前記エンコーダシステムの計測結果をサンプリングする工程と、
前記サンプリング結果に基づいて、所定の演算を行うことで、前記移動体の所定方向とは異なる方向の位置情報に応じた前記エンコーダシステムの計測値の補正情報を求める工程と、を含む決定方法。 - 実質的に所定平面に沿って移動可能な移動体に設けられ、所定方向を周期方向とする格子を有するスケールに検出光を照射し、前記スケールからの反射光を受光するヘッドを複数有し、前記所定平面と平行な面内の所定方向の位置情報をそれぞれ計測する複数のエンコーダを構成するヘッドユニットとを備えたエンコーダシステムの計測値の補正情報を決定する決定方法であって、
前記移動体を異なる複数の姿勢に変化させ、各姿勢について、前記移動体の姿勢を維持した状態で、対象とするヘッドから前記スケールの特定領域に検出光を照射しつつ、前記移動体を前記所定平面に直交する方向に所定ストローク範囲で移動させ、その移動中に前記対象とするヘッドで構成されるエンコーダの計測結果をサンプリングすることを、前記複数のヘッドのそれぞれについて行う工程と、
前記サンプリング結果に基づいて、所定の演算を行うことで、前記移動体の所定方向とは異なる方向の位置情報に応じた前記複数のエンコーダそれぞれの計測値の補正情報を求める工程と、を含む決定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012079012A JP5545314B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-03-30 | 移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006236783 | 2006-08-31 | ||
JP2006236783 | 2006-08-31 | ||
JP2012079012A JP5545314B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-03-30 | 移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008532135A Division JPWO2008026732A1 (ja) | 2006-08-31 | 2007-08-31 | 移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、デバイス製造方法、並びに決定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012147012A true JP2012147012A (ja) | 2012-08-02 |
JP5545314B2 JP5545314B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=39136013
Family Applications (14)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008532135A Pending JPWO2008026732A1 (ja) | 2006-08-31 | 2007-08-31 | 移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、デバイス製造方法、並びに決定方法 |
JP2012079012A Expired - Fee Related JP5545314B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-03-30 | 移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
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JP2015002357A Active JP5907397B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-01-08 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
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JP2015176471A Expired - Fee Related JP6164504B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-09-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004040A Expired - Fee Related JP6172547B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
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Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Family Applications After (12)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014160338A Expired - Fee Related JP5850108B2 (ja) | 2006-08-31 | 2014-08-06 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015002357A Active JP5907397B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-01-08 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015127320A Expired - Fee Related JP6016203B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-06-25 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015176472A Expired - Fee Related JP6041112B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-09-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015176470A Expired - Fee Related JP6160934B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-09-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
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JP2016123836A Expired - Fee Related JP6218126B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-06-22 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016238958A Expired - Fee Related JP6331235B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-12-09 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
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Country Status (9)
Country | Link |
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US (6) | US8675171B2 (ja) |
EP (2) | EP2071611B1 (ja) |
JP (14) | JPWO2008026732A1 (ja) |
KR (15) | KR101638306B1 (ja) |
CN (5) | CN104375390B (ja) |
HK (5) | HK1192949A1 (ja) |
SG (2) | SG174744A1 (ja) |
TW (6) | TWI534561B (ja) |
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- 2007-08-31 TW TW103102630A patent/TWI534561B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 KR KR1020167000306A patent/KR101638306B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 SG SG2011061686A patent/SG174744A1/en unknown
- 2007-08-31 KR KR1020147036520A patent/KR101604246B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 CN CN201410749307.1A patent/CN104375390B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 EP EP07806512.5A patent/EP2071611B1/en not_active Not-in-force
- 2007-08-31 KR KR1020157022526A patent/KR101669785B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 WO PCT/JP2007/067039 patent/WO2008026732A1/ja active Application Filing
- 2007-08-31 KR KR1020147035542A patent/KR101648289B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 TW TW105117941A patent/TWI609252B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 CN CN201410748646.8A patent/CN104656377B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 TW TW096132467A patent/TWI442191B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 SG SG10201407478PA patent/SG10201407478PA/en unknown
- 2007-08-31 CN CN201310529253.3A patent/CN103645608B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 KR KR1020147000328A patent/KR101477465B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 TW TW103102629A patent/TWI547771B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 US US11/896,411 patent/US8675171B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 KR KR1020147036519A patent/KR101556493B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020187014460A patent/KR20180056819A/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020157014242A patent/KR101612685B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020147000327A patent/KR101555793B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020167008617A patent/KR101780614B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 TW TW106140209A patent/TWI655517B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 KR KR1020157034939A patent/KR101669788B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020177017146A patent/KR101862528B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020167008616A patent/KR101706027B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020087026014A patent/KR101479347B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 CN CN200780009923.1A patent/CN101405839B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 JP JP2008532135A patent/JPWO2008026732A1/ja active Pending
- 2007-08-31 TW TW105117940A patent/TWI610149B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 CN CN201410747849.5A patent/CN104460241B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 KR KR1020147014596A patent/KR101585359B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 EP EP15184458.6A patent/EP2988320B1/en not_active Not-in-force
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012079012A patent/JP5545314B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-07 JP JP2012245004A patent/JP5582368B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-01-07 JP JP2014000952A patent/JP5700365B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-01-30 US US14/168,299 patent/US9568844B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-05-22 HK HK14104791.7A patent/HK1192949A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-08-06 JP JP2014160338A patent/JP5850108B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-08 JP JP2015002357A patent/JP5907397B2/ja active Active
- 2015-04-01 HK HK15103333.3A patent/HK1202932A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2015-05-11 HK HK15104424.1A patent/HK1204089A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2015-06-25 JP JP2015127320A patent/JP6016203B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-08-05 HK HK15107531.4A patent/HK1207160A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2015-09-08 JP JP2015176472A patent/JP6041112B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-09-08 JP JP2015176470A patent/JP6160934B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-09-08 JP JP2015176471A patent/JP6164504B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-13 JP JP2016004040A patent/JP6172547B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-05-31 HK HK16106135.5A patent/HK1218186A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-06-22 JP JP2016123836A patent/JP6218126B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-12-09 JP JP2016238958A patent/JP6331235B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-12-19 US US15/382,825 patent/US10073359B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-12-20 US US15/384,489 patent/US10067428B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-04-11 JP JP2018075897A patent/JP6536861B2/ja active Active
- 2018-08-03 US US16/054,251 patent/US20180373169A1/en not_active Abandoned
- 2018-08-06 US US16/055,467 patent/US20180341187A1/en not_active Abandoned
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130508 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130906 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140415 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |