JP2012043813A - 液滴堆積ウェルの形成方法、有機電子デバイス、有機電子デバイスの形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、有機電子デバイスの液滴堆積ベースの製造のための構造における液滴堆積ウェルの形成方法を提供する。前記方法は、基板上に親水性材料層を堆積させる工程、前記親水性材料層の上にバンク材料層を堆積させる工程、前記バンク材料層をパターニングして1または2以上の前記液滴堆積ウェルを形成するバンクを規定する工程、前記パターニングされたバンク材料層をレジストとして使用して自己整合プロセス中において前記親水性材料層をエッチングする工程を含む。
【選択図】図17c
Description
言うまでもなく、当業者は他の効果的な代替例を思いつくであろう。本発明は上記の実施態様に限定されることはなく、添付の特許請求の範囲の精神と範囲内にある技術において当業者には自明な変更を含んでいることを理解されたい。
102 基板
106 アノード層
108 正孔輸送層
110 カソード層
112 バンク
114 ウェル
200 アクティブマトリックス画素OLEDディスプレイ
300 基板
302 カソード下層分離体
304 領域
306 アノード層
308 ウェル
310 バンク
400 断面図
402 溶解した材料
404 固体薄膜
500 第1構造
502 ウェル
504 バンク
506 基板
508 ITO層
510 PEDOT層
512 LEP層
514 スペーサー
516 棚
518 ITO層
600 底面ゲート型TFT
602 金属材料層
604 誘電体層
606 ドープされないアモルファスシリコン層
608 ドープされたアモルファスシリコン層
610 第2金属層
1102 平縁
1200 ウェル構造
1300 ウェル構造
Claims (23)
- 有機電子デバイスの液滴堆積ベースの製造のための構造における液滴堆積ウェルの形成方法であって、
基板上に、親水性材料層を堆積させる工程、
前記親水性材料層の上にバンク材料層を堆積させる工程、
前記バンク材料層をパターニングして前記液滴堆積ウェルの1または2以上を形成するバンクを規定する工程、および
前記バンク材料のパターニング層をマスクとして使用して、自己整合(self−aligned)プロセスにおいて、前記親水性材料層をエッチングする工程を含む形成方法。 - 前記エッチング工程は、前記バンクの端部において、前記親水性層における下層切除を規定するための等方性エッチング工程を含む請求項1に記載の形成方法。
- 前記エッチング工程は、非等方性エッチング工程を含む請求項1に記載の形成方法。
- 前記バンクは、前記バンク材料の単一層および前記親水性材料の単一層によって規定される請求項1ないし3のいずれかに記載の形成方法。
- 前記親水性材料は誘電体材料を含む請求項1ないし4のいずれかに記載の形成方法。
- 前記親水性材料は金属を含む請求項1ないし4のいずれかに記載の形成方法。
- 前記バンク材料はレジスト材料を含み、前記方法は、前記液滴堆積ウェルの1または2以上を形成する前記バンクの底部に隣接する親水性材料の前記エッチングされた層の上部表面の一部を露出するために、前記エッチング工程の後にレジストのストリッピング法を行う工程をさらに含む請求項1ないし6のいずれかに記載の形成方法。
- 有機電子デバイスの液滴堆積ベースの製造のための構造における液滴堆積ウェルの形成方法であって、
基板上に、親水性材料層を堆積させる工程、
前記親水性材料層の上にレジスト材料層を堆積させる工程、
前記レジスト材料層をパターニングして前記液滴堆積ウェルの1または2以上を形成するバンクを規定する工程、
前記親水性材料層をパターニングして、前記液滴堆積ウェルの1または2以上の底部領域の少なくとも1部から前記親水性材料を除去する工程、および
レジストストリッピング法を使用して、前記液滴堆積ウェルの1または2以上を形成する前記バンクの底部に隣接する親水性材料の前記パターニングされた層の上部表面の一部を露出する工程を含む方法。 - 前記レジストストリッピング法はプラズマアッシングを含む請求項7または8に記載の方法。
- 前記液滴堆積ウェル中に液滴堆積プロセスを使用して溶解した有機電子材料を堆積させることにより、前記有機電子デバイスを形成する工程をさらに含む請求項1ないし9のいずれかに記載の方法。
- 前記有機電子デバイスはOLEDデバイスを含み、前記溶解した有機電子材料はPEDOTの親水性溶液を含む請求項10に記載の方法。
- 有機電子材料で満たされた複数の液滴堆積ウェルの下の親水性材料のパターニングされた層を有する基板を含む有機電子デバイスであって、前記液滴堆積ウェルの1または2以上を形成する前記バンクの底部に隣接する親水性材料の前記パターニングされた層の上部表面の一部が前記有機電子材料に露出される有機電子デバイス。
- 有機電子デバイス構造であって、
基板、および
前記基板によって支持され、有機電子材料の溶媒ベースの堆積のためのウェルを規定するバンク層を含み、
前記構造は、さらに前記ウェルの内部端部および前記ウェルの底部にある平縁を規定するようにパターニングされた平縁層を含む有機電子デバイス構造。 - 前記平縁は親水性材料を含む請求項13に記載の有機電子デバイス構造。
- 前記平縁はシリコンの酸化物および/または窒化物を含む請求項13に記載の有機電子デバイス構造。
- 前記バンク層の厚さは前記ウェルの側面が近づくにつれ前記基板に向けて薄くなり、前記平縁は前記バンク層の前記薄くなった部分に乗り上げることを特徴とする請求項13ないし15のいずれかに記載の有機電子デバイス構造。
- 前記ウェルの前記内部端部における段部を規定するようにパターニングされる1または2以上の段部層をさらに含み、前記平縁が前記段部に接することを特徴とする請求項13ないし15のいずれかに記載の有機電子デバイス構造。
- 前記基板によって支持され、前記ウェルの前記底部を規定する底部層をさらに含み、前記段部層は前記底部層と前記基板の間にあり、前記段部は前記基板から前記底部層までの間隔で段階的変化を有し、前記平縁は前記底部層に接することを特徴とする請求項17に記載の有機電子デバイス構造。
- 前記平縁のための前記ウェルの前記内部端部における2段を規定するようにパターニングされた少なくとも2つの前記段部層を有する請求項18に記載の有機電子デバイス構造。
- 前記バンク層の厚さは前記ウェルの側面が近づくにつれ前記基板に向けて薄くなり、前記底部層の位置と前記ウェルの内部端部周辺の前記有機電子材料の接触を可能にすること特徴とする請求項18または19に記載の有機電子デバイス構造。
- 前記1または2以上の段部層は、前記有機電子デバイスの活性部分のための金属および/またはシリコン層を有する請求項13ないし20のいずれかに記載の有機電子デバイス構造。
- 前記バンク層は、ポジ型フォトレジストを含み、前記有機電子材料は導電性材料の第1層と発光材料の第2層を含む請求項13ないし21のいずれかに記載の有機電子デバイス構造を含むOLEDディスプレイデバイス。
- 有機電子材料の溶媒ベースの堆積のための少なくとも1つのウェルを有する基板上への有機電子デバイスの形成方法であって、前記方法は、前記デバイスの形成のための前記有機電子材料の溶媒ベースの堆積の前に、平縁層を堆積させて前記平縁層を非等方的にエッチングして、前記ウェルの内部端部において平縁を規定する工程を含むことを特徴とする方法。
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