KR20030031011A - 전자발광 디바이스 - Google Patents

Abstract

전자발광 디바이스(51)는 전자발광 디바이스(51)의 전극층을 독립적으로 어드레싱 가능한 복수의 전극 세그먼트(11a,11b,11d)로 분할하기 위하여 돌출 섹션(13)을 갖는 분할 양각 패턴을 포함한다. 돌출 섹션(13)은 미리 결정된 위치(13b,13c,13d,13e)에서 굽혀진다. 그러므로 형성된 만곡부는 전극 세그먼트(11a,11b,11d)가 돌출 섹션(13)의 상단부에 존재하는 제 2 전극층 세그먼트를 통하여 의도하지 않게 연결되는 위험을 줄이기 위하여 둥글게되고/둥글게되거나 경사지게 된다.

Description

전자발광 디바이스{ELECTROLUMINESCENT DEVICE}

일반적으로, 전자발광(EL) 디바이스는 전극에 의해 공급되는 전류가 전자발광 물질을 통과할 때 빛을 방출할 수 있는 EL 물질을 포함하는 디바이스이다. 전극 또는 전극층 사이에 배치된 EL 물질 또는 임의의 다른 물질(존재하는 경우)이 유기 또는 중합체 특성을 갖는다면, EL 디바이스는 각각 유기 또는 중합체 EL 디바이스라고 불리운다. 본 발명의 내용에서, 유기라는 용어는 중합체를 포함한다.

다이오드 타입의 EL 디바이스, 발광 다이오드는 한 방향으로 전류를 선택적으로 통과시키고, 일반적으로 정공 주입 전극(양극이라고도 함)과 전자 주입 전극(음극이라고도 함) 사이에 배치되는 EL 물질을 포함한다. 적절한 전압을 인가할 때, 정공 및 전자는 각각 양극 및 음극에 의해 EL 물질로 주입된다. EL 물질 내부에서 정공 및 전자를 방사성 재조합(radiative recombination)함으로써 광이 만들어진다. 다른 유기 EL 물질을 사용하면, 발광되는 광의 색이 변할 수 있다.

EL 디바이스는 광원으로 사용될 수 있고 특히 유기 타입의 EL 디바이스는 디스플레이의 백라이트와 같이 넓은 면적을 조명하는 응용 분야에 사용되기에 적절하다. 복수의 전자발광 요소(이 후 픽셀이라고도 함)를 포함하는 (유기) EL 디바이스는 단색 또는 다색 디스플레이 디바이스, 정지 화상 디스플레이, 세그먼트 디스플레이 디바이스 또는 수동 또는 능동 타입의 매트릭스 디스플레이와 같은 디스플레이 목적에 적절하다. 유기 및 특히 중합체 EL 디바이스는 단단하고/단단하거나 평평한 디스플레이로는 실현할 수 없는 디스플레이 응용이 가능하도록 가요성 있게(flexible) 또는 만곡된 모양을 갖게 만들어질 수 있다.

EP-A-892588에서 전자발광 디바이스는 세그먼트 EL 디스플레이 디바이스의 형태로 개시되어 있다. 전자 주입 전극층을 독립적으로 어드레싱 가능한 세그먼트로 패턴화하기 위하여, 돌출 섹션을 갖는 분할 양각 패턴이 기판에 제공된다. 돌출 섹션은 T 모양이기 때문에, 언더컷 영역(undercut region)을 제공한다. 기판에 직각으로 유도되는 전극 물질 흐름(flux)을 포함하는 진공 증착을 이용하여 전극층이 증착될 때, 전극 물질이 언더컷 영역에 도달할 수 없으므로, 상기 전극층이 개별 세그먼트로 분할된다. 돌출 섹션은 외측 경계를 갖는데, 이 외측 경계는 언더컷 영역의 외측 경계, 즉 전극 세그먼트의 윤곽을 나타낸다. 원하는 전극층의 미리 결정된 패턴을 수용하기 위하여, 외부 경계는 실질적으로 직선 세그먼트를 갖고 미리 결정된 위치로 굽혀진다.

실제로, 언더컷 부분에는 균형이 있어야 한다. 언더컷 영역이 너무 크면 EL디바이스의 연속층의 증착에 악영향을 미칠 수 있고, 주어진 폭의 상단에서 돌출 섹션이 떨어질 위험이 증가하는 반면, 언더컷 영역이 너무 작으면 전극 분리를 신뢰할 수 없게 한다. 임의의 경우에, 위에서 설명한 타입의 전극층을 성공적으로 패턴화하는 공정 창(process window)은 다소 작다. 전극층 증착 공정 또는 분할 양각 패턴을 제공하는 공정의 변화(이러한 변화는 어떠한 공정에서도 자연스러운 것이다)로 인하여, 의도하지 않게 전기 연결되는 전극 세그먼트로 이끄는 모든 위치에서 전극 분리가 성공적으로 달성되지 않을 수 있다. 이렇게 회로가 만들어진 전극을 갖는 디바이스는 불완전하고 제조 공정의 수율을 줄인다.

본 발명은 전자발광 디바이스의 전극층을 패턴화하기 위하여 언더커팅된(undercut) 돌출 섹션(overhanging section)을 포함하는 양각 패턴이 제공된 기판 표면을 포함하는 전자발광 디바이스에 관한 것으로, 상기 돌출 섹션은 미리 결정된 위치에서 실질적으로 적어도 하나의 직선 세그먼트와 만곡부(bend)를 포함하는 외부 경계를 갖는다.

도 1은 본 발명을 따르지 않는 전자발광 디바이스를 개략적으로 도시한 평면도.

도 2는 선 I-I을 따라 도 1의 디바이스의 횡단면을 개략적으로 도시한 도면.

도 2a, 도 2b 및 도 2c는 돌출 섹션의 횡단면을 개략적으로 도시한 도면.

도 3은 도 1에 도시된 전자발광 디바이스의 제조 단계를 개략적으로 도시한 평면도.

도 4는 도 3에 도시된 제조 단계에서 선 II-II를 따르는 도 1의 디바이스의 횡단면을 개략적으로 도시한 도면.

도 5는 본 발명에 따른 전자발광 디바이스를 개략적으로 도시한 평면도.

도 6은 도 5의 평면도 일부분을 도시한 확대도.

도 7은 본 발명에 따른 EL 디바이스에 사용되는 분할 양각 패턴에 대한 다른 실시예의 평면도.

본 발명의 목적은 전극층이 확실히 믿을 수 있는 방법으로 그리고 높은 수율로 제조되도록 하는 특히, 개시 단락에 설명된 타입의 전자발광 디바이스를 제공하는 것이다. 특히, 개선된 신뢰도, 견고함 및 수율은 분할 양각 패턴이 포토레지스트와 같은 포토-패턴화된 또는 포토-패턴화 할 수 있는 물질로 만들어지면 실현될 수 있다. 더욱 상세하게, EL 층과 같은 EL 디바이스의 기능층이 습식 증착 방법에 의해 증착되면, 수율의 개선도 달성될 수 있을 것이다.

본 발명에 따라서, 이 목적은 개시 단락에 언급된 전자발광 디바이스로 달성되는데, 상기 전자발광 디바이스는 돌출 섹션을 만곡부에서 상기 돌출 섹션의 직선 세그먼트에서와 실질적으로 동일한 정도로 언더커팅되도록 하기 위하여 상기 만곡부가 충분히 부드러운 것을 특징으로 한다.

발명자들은 돌출 섹션, 더욱 정확하게는 돌출 섹션의 외부 경계가 구부러진위치에서 전극 세그먼트 사이의 의도하지 않은 단락이 발생한다는 것이 관찰되었다. 충분히 부드러운 만곡부를 사용함으로써, 부드러운 만곡부를 따르는 위치는 직선 세그먼트를 따르는 위치와 충분히 유사하게되어 만곡부 위치에서의 단락 위험을 직선 세그먼트에서 발생하는 수준으로 감소시킨다.

명백하게, 외부 경계가 단락된 전극 세그먼트의 발생의 원인이 될 수 있는 복수의 만곡부를 포함한다면, 그러한 모든 만곡부를 충분히 부드럽게 만드는 것이 유리하다.

EL 층과 같은 EL 디바이스의 기능층이 스핀 코팅 또는 잉크젯프린팅과 같은 습식 증착 방법을 사용하여 제공된다면 만곡부 및 직선 섹션에서 대체로 동일한 정도의 언더컷을 얻는 것은 특히 중요한데, 이것은, 상기 층이 얻어지는 유체 형태가 언더컷 영역(15)으로 스며들게되는데 이는 언더컷 영역에서의 증착이 두꺼워지게 하여(0.5㎛의 증착 두께가 발견됨) 언더컷의 범위를 더욱 줄이는 것이 관찰되었기 때문이다.

본 발명을 더 설명하면, 돌출 섹션의 외부 경계는 돌출 섹션의 언더컷 영역의 외부 경계를 한정하고, 따라서, 기판 표면 위로 외부 경계를 세로로 돌출시킴으로써 전극 패턴의 윤곽을 한정하는 연속 곡선인 것으로 이해된다. 양각 패턴을 지지하는 표면에 외부 경계를 연결하는 돌출 섹션의 표면은 돌출 섹션의 측벽이다.

외부 경계는 미리 결정된 위치에서 만곡부를 포함한다. '미리 결정된' 이라는 용어는 만곡부가 제조 공정에서 (랜덤 또는 체계적인) 몇 가지 결함에 의해 생성되는 만곡부와는 다르게 특정한 기술적 효과를 제공하거나 특정 목적을 만족시킨다는 것을 의미하는 것으로 이해된다. 만곡부의 양 측부에서 임의의 2개의 지점을 연결하는 모든 직선 세그먼트가 돌출 섹션의 외부로 이어진다면, 만곡부는 내부 만곡부라고 불리거나 만곡부 세그먼트는 내부 만곡부 세그먼트라고 불리운다. 반대로, 임의의 상기 직선 세그먼트가 돌출 섹션의 내부로 이어진다면, 만곡부는 외부 만곡부라고 불리운다.

돌출 섹션의 특정 형태는 립 모양 돌출 섹션이다. 이러한 립 모양 돌출 섹션은 각 측부에서 측벽을 갖는다. 립-모양 섹션에서 단순 만곡부는 외부 경계가 서로 대체로 평행한 내부 및 외부 만곡부를 갖는 만곡부이다.

만곡부는 충분히 부드러워야 한다. 만곡부의 부드러움은 예를 들어, 분할 양각 패턴이 만들어지는 포토-패턴화 가능 물질을 패턴화하는데 사용하는 마스크를 적절히 조정함으로써 조절될 수 있다.

만곡부가 부드러워야하는 정도는 특히, 분할 양각 패턴을 제공하는데 사용되는 조명 기구의 해상도 한계에 따라 결정된다. 그러므로, 가장 넓은 의미에서, 특정의 부드러움 수치를 제공하기보다는, 돌출 섹션이 언더커팅되는 정도에 의해서 만곡부가 부드럽게되어야 하는 정도를 규정하는 것이 적절하다. 만곡부가 요구되는정도로 부드러운지 아닌지는 경계를 따르는 다양한 위치에서 분할 양각 패턴의 횡단면에 대해 주사 전자현미경 사진(scanning electron micrographs)을 찍는 것과 같은 통상의 분석 기술로써 정해질 수 있다. 원한다면, 적절히 설계된 테스트 구조가 이 목적을 위해 사용될 수 있다.

본 발명의 내용에 있어서, 외부 경계의 위치(X)에서 언더커팅된 정도는점(X)을 돌출 섹션을 지지하는 표면에 수직으로 투사시킴으로써 얻어지는 지점과, 돌출 섹션을 지지하는 표면과 X에서 횡단 프로파일(profile)을 포함하는 평면에 존재하는 라인과의 교차점 사이의 거리(U)에 의해 한정되는데, 상기 라인은 X를 통과하고 X와는 다른 위치(들)에서 돌출 섹션의 측벽과 접촉하지만 교차하지 않는 선 또는 X에서 측벽이 실질적으로 직선이면, 직선의 측벽과 일치하는 직선으로 정의된다.

외부 경계의 위치(X)에서 횡단 프로파일은 상기 위치를 포함하고 외부 경계위치(X)의 접선의 기판 표면으로의 수직 사영에 해당하는 법선을 갖는 횡단면 평면(또는 기판 표면이 곡선이면 기판 표면의 접선면)에 포함된다.

본 발명에 따라서, 만곡부(U_b)에서의 언더컷 정도는 직선 세그먼트(U_s)에서의 언더컷 정도와 실질적으로 같아야 한다. 당업자는 언더컷의 정도와 단락의 위험 사이의 관계는 점진적인 것이며, 서로 다른 언더컷에서 대체로 같은 언더컷을 분리하는 임의의 정량 분리 선(quantitative dividing line)은 어느 정도 임의적인 것이라는 것을 인지할 것이다. 이를 명심하면, 본 발명의 본문에서, 상술한 것은 U_b/U_s는 0.80보다 크거나 바람직하게는 0.90보다 크거나 더욱 바람직하게는 0.95보다 크다는 것을 의미하는 것으로 실질적으로 동일하게 이해된다.

만곡부가 부드럽지 않다면, 보다 부드럽게 만들 수 있는 적어도 2가지의 방법이 있는데, 예를 들어, 만곡부를 경사지게 하거나 둥글게 하거나 이들을 조합하는 것이다.

언더컷의 정도를 기준으로 만곡부의 부드러움의 정도를 선택하는 것은 단락된 전극 세그먼트의 위험성을 평가하는 믿을 수 있는 기준이 된다. 그러나, 그 적용은 특정 위치, 특히 만곡부가 있는 위치에서 횡단면이 취해져야하는데, 이는 정확히 그 위치에서 판재가 잘려야하기 때문에 귀찮은 일일 수 있다. 그러므로, 사용하기 쉬운 기준을 갖는 것이 유리하다.

전형적으로, EL 디바이스는 제 1 전극층과 제 2 전극층 사이에 배치되는 EL 층을 포함하는데, 여기서 제 2 전극층은 분할 양각 패턴에 의해 패턴화되는 것으로 생각된다. 선택적으로, EL 디바이스는 정공 또는 전자 운반/주입층과 같은 층을 더 포함할 수 있다. 제 2 전극층의 세그먼트 사이에서 의도하지 않게 단락될 위험을 줄이는 것에 관해서, 상기 층들을 위한 제 1 전극층, EL층 및 정공 또는 전자 운반/주입층 및 물질을 선택하는 것은 중요하지 않다.

적절한 유기 EL 물질은 저 분자량 또는 고 분자량의 유기 포토 화합물 또는 전자발광 화합물, 형광 화합물 및 인광 화합물을 포함한다. 적절한 저 분자량 화합물은 당업계에 잘 알려져 있고 트리스-8-알루미늄 퀴노리놀 합성물 및 쿠마린(coumarins)을 포함한다. 이러한 화합물은 진공 증착 방법을 사용하여 도포될 수 있다.

바람직한 고 분자량 물질은 폴리티오펜, 폴리페닐렌, 폴리티오펜비닐렌 또는 더욱 바람직하게 폴리-p-페닐렌비닐렌과 같은 대체로 콘쥬게이트 백본(주쇄)을 갖는 EL 중합체를 포함한다. 특히 바람직한 것은 (청색-방출) 폴리(알킬)플루오렌 및 적색, 황색 또는 녹색광을 방출하는 폴리-p-페닐렌비닐렌과 2- 또는 2,5- 치환 폴리-p-페닐렌비닐렌이다.

본 발명의 내용에서, 유기라는 용어는 중합체를 포함하고, '중합체'라는 용어와 '중합체에서 유도된 접사'는 동종중합체, 공중합체, 삼원공중합체와 고차의 동족체 및 올리고머를 포함한다.

유기 EL 층은 바람직하게 50㎚ 내지 200㎚, 더욱 바람직하게는 60㎚ 내지 150㎚, 보다 바람직하게는 70㎚ 내지 100㎚의 평균 두께를 갖는다.

정공 주입/운반층(HTL)을 위한 적절한 물질은 방향족 3차 아민, 특히 디아민(diamine) 또는 고차의 동족체, 폴리비닐카바졸, 퀸아크리돈, 포피린, 프탈로시아닌, 폴리-아닐린 및 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜을 포함한다.

전자 주입/운반층(ETL)을 위한 적절한 물질은 옥사디아졸-기반의 화합물 및 알루미늄퀴놀린 화합물이다.

ITO가 양극으로 사용되면, EL 디바이스는 바람직하게 50 내지 300㎚ 두께의 정공 주입/운반층 물질인 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜층 또는 50 내지 200㎚ 두께의 폴리아닐린층을 포함한다.

일반적으로, EL 디바이스는 기판을 포함한다. 바람직하게, 기판은 방출되는 광에 대해 투명하다. 적절한 기판 물질은 가요성이거나 아닐 수 있는 투명 합성 수지, 석영, 세라믹 및 유리를 포함한다. 기판은 양각 패턴을 위한 지지 표면을 제공한다.

제 1 전극층은 전자 주입층일 수 있고 제 2 전극층은 정공 주입층일 수 있다. 바람직하게는, 제 1 전극층이 정공 주입층이고, 제 2 전극층이 전자 주입층이다.

전자 주입 전극은 Yb, Ca, Mg:Ag Li:Al, Ba와 같이 낮은 일함수를 갖는 금속(합금)으로 적절히 제조되거나, Ba/Al 또는 Ba/Ag전극과 같은 서로 다른 층의 적층 또는 분할 양각 패턴을 사용하여 패턴 방식으로 증착될 수 있는 다른 전극 물질이다.

정공 주입 전극은 Au, Pt, Ag와 같이 높은 일함수를 갖는 금속(합금)으로 적절히 제조된다. 바람직하게, 인듐 주석 산화물(ITO)과 같이, 보다 투명한 정공 주입 전극 물질이 사용된다. 폴리아닐린(PANI) 및 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜(PEDOT)과 같은 전도성 중합체도 적절한 투명 정공-주입 전극 물질이다. 바람직하게, PANI층은 50 내지 200㎚의 두께를 가지며, PEDOT 층은 100 내지 300㎚의 두께이다. ITO 정공-주입 전극이 사용되면, 제 1 전극은 바람직하게 정공 주입 전극이다.

관련된 양상에 있어서, 본 발명은 개시 단락에서 언급한 전자발광 디바이스에 관한 것으로, 만곡부는 기판 표면에 대체로 평행한 표면의 대체로 모든 위치에서, 적어도 1㎛의 곡률 반경을 갖는 둥근 세그먼트를 포함하는 것을 특징으로 한다.

만곡부를 충분히 부드럽게 하기 위해서, 특정의 최소 곡률을 갖는 둥근 세그먼트가 사용된다. 언더컷의 범위에 대해서 본다면, 이 기준은 평면도로 검사되는 양각 패턴만을 필요로 하고 횡단면을 취할 필요는 없기 때문에 실제로 사용하기가 보다 간편하다.

외부 경계가 평면에 위치된다면, 외부 경계의 위치에서 곡률 ｜ρ｜의 반경은 ｜(1+y'²)^3/2/y"｜로 정의되는데, 여기서 y' 및 y"은 외부 경계의 상기 위치에서의 1차 및 2차 도함수이다. 비 평면 기판 표면에 대해서, 상기 정의는 유사하게 변형된다.

당업자는 만곡부 세그먼트가 둥글게 되는 범위와 단락의 위험 사이의 관계는 점진적이며, 둥글지 않은 만곡부 세그먼트에서 둥근 만곡부 세그먼트를 분리하는 임의의 정량 분리선은 어느 정도 임의적인 것이라는 것을 인지할 것이다. 더욱이, 최소 곡률 반경은 한편으로, 단락의 위험을 줄일 필요성으로 인하여 반경이 가능한 한 부드러워야 하기 때문에 가능한 한 큰 반경을 필요로 하는 것과, 다른 한편으로 양각 패턴이 차지하는 영역은 광 방출에 도움이 되지 않고 디바이스의 휘도를 줄이기 때문에, 분할 양각 패턴이 차지하는 영역을 가능한 한 작게 유지할 필요성이 있기 때문에 가능한 한 작은 곡률 반경을 필요로 하는 것 사이에서 절충이 이뤄진다.

이러한 고찰을 염두에 두면, 본 발명에 따라서, 만곡부에서의 곡률 반경은 적어도 1㎛이어야 한다. 바람직하게, EL 디바이스의 응용 분야에 따라서 반경은 적어도 2㎛ 또는 적어도 5㎛ 또는 10 또는 심지어 20㎛이다. 포켓용, 랩탑, 데스크탑 및 TV 응용 분야를 위한 EL 디스플레이 디바이스와 같은 여러 응용 분야에 대해서, 5㎛ 범위가 더욱 적당하다. 사실, 이러한 많은 응용 분야에 대해서 평균 10, 15, 20㎛ 또는 심지어 더 큰 것도 적절하다. 평균 곡률 반경에 대한 상한치(upper limit)는 특히 둥글게 될 필요가 있는 양각 패턴의 최소 특징부 크기에 의해 결정된다. 최소 특징부의 크기는 다시 양각 패턴을 제공하는데 사용되는 패턴화 방법의 해상도를 결정하므로 적절한 패턴화 방법의 범위가 사용 가능하다. 포토리쏘그래피의 경우에, 근접 프린팅에 의해 제공되는 해상도는 심지어 고 해상도 디스플레이에 대해서도 적절하다. 일반적으로 해상도가 증가함에 따라 패턴화 방법의 비용도 증가하므로, 곡률 반경을 가능한 한 크게 선택하는 것이 유리하다. 전형적으로, 근접 프린팅의 경우에 최소 곡률 반경은 5 내지 10㎛이고, 프로젝션 리쏘그래피(projection lithography)를 사용하면 2 내지 5㎛이며, 스텝퍼(stepper)를 사용하면 1 내지 2㎛이다.

곡률 반경은 실질적으로 만곡부를 따르는 모든 위치에서 특정의 최소값을 갖는 것이다. 곡률 반경은 둥근 세그먼트의 국부적인 양이므로, 외부 경계의 임의의 세그먼트는 디바이스에서 임의의 특정 목적을 만족시키지 않는 높은 곡률의 작은 포켓(pocket)을 포함할 수 있는데, 특히, 이 포켓은 미리 결정된 위치에서 만곡부의 구성 요소가 되지 않는다. 이러한 포켓은 예를 들어, 먼지 입자 또는 공정 조건에서 다른 체계적인 또는 무작위적인 변경 때문에 발생할 수 있다. 이러한 포켓은 실질적으로 모든 위치에서 최소 반경 조건을 만족해야 한다는 요구에는 포함시키지 말아야 한다. 본문에서 '실질적으로'라는 용어는 외부 경계를 따른 모든 위치 중에서 적어도 95% 또는 바람직하게는 97% 또는 더욱 바람직하게는 99% 정도가 기준을 만족시켜야 한다는 것을 의미하는 것으로 이해된다.

만곡부는 둥글게 되는 것 대신에 경사지게 될 수 있다.

그러므로, 본 발명의 다른 양상에서, 본 발명은 개시 단락에 언급된 전자발광 디바이스에 관한 것인데, 만곡부가 적어도 2㎛의 길이를 갖는 경사진 세그먼트를 제공함으로써 경사지게 되는 것을 특징으로 하고, 상기 만곡부는 거기에 연결되는 직선 외부 경계 세그먼트와 적어도 120°의 각도를 이룬다.

최소 각도 및 경사진 세그먼트의 최소 길이에 대해서, 인접한 직선 라인 세그먼트는 적절한 변경이 가해진 둥근 세그먼트로 고려한다. 대안적으로, 최소 각도는 예를 들어, 110°,130°또는 140°에서 선택될 수 있고, 최소 길이는 3㎛, 5㎛, 10㎛ 또는 적절하다면 심지어 20㎛로 될 수 있다.

바람직한 실시예에서, 돌출 섹션은 포토레지스트와 같은 포토 패턴화된 물질 또는 포토-패턴화할 수 있는 물질을 포함한다.

충분히 부드럽게 된 만곡부, 경사진 만곡부 및 둥근 만곡부를 사용하는 이점은 특히, 돌출 섹션이 통상의 포토레지스트와 같은 포토-패턴화가능한 물질을 사용하여 제조될 때 동일하게 달성된다. 포토-패턴화 가능한 물질을 사용하면 돌출 섹션이 간단한 방법으로 제조될 수 있다. 이러한 방법의 예는 EP-A-892588에 제공된다.

본 발명에 따른 전자발광의 바람직한 실시예에서, 돌출 섹션은 네거티브 포토-패턴화 가능 물질 또는 이와 동등 물질로부터 일체형으로 형성된다.

포토레지스트와 같은 네거티브 포토-패턴화 가능 물질로부터 일체형으로 돌출 섹션을 제조하면 돌출 섹션이 단일 포토리쏘그래픽 단계로 제조될 수 있다. 네거티브라는 용어는 공정 후에 패턴화 방법으로 방사된 영역만이 기판에 남는 방식으로 처리될 수 있는 임의의 포토-패턴화 가능 물질에 관한 것을 의미하는 것으로이해된다. 이러한 네거티브 레지스트는 당업계에 잘 알려져 있고 본 발명의 내용에서 화상-반전 레지스트와 네거티브 레지스트처럼 거동하는 방식으로 처리되는 다른 임의의 레지스트를 포함한다.

예를 들어, 돌출 섹션을 얻기 위하여 단일 포토리쏘그래픽 단계로 돌출 섹션을 제조하는 편리한 방법(이 방법은 본 발명의 내용 외에서도 사용될 수 있음)은 조명되지 않는 어두운 영역, 완전히 조명된 영역 및 어두운 영역과 완전히 조명된 영역 사이에 배치된 중간 정도로 조명된 영역을 갖는 패턴에 따라서 네거티브 레지스트를 조명하는 것인데, 상기 중간 정도로 조명된 영역은 조명된 영역과 조명되지 않은 영역에 의해 수용되는 방사 양에 대해 중간 정도의 방사 양을 수용한다. 네거티브 레지스트가 상기 패턴에 따라 조명된다면, 현상 후에, 돌출 섹션은 중간 정도로 조명된 영역에서 형성되는 언더컷 영역으로 형성된다. 외부 경계는 전형적으로 조명되지 않은 영역과 중간 정도로 조명된 영역의 경계에 위치되는데, 중간 정도로 조명된 영역과 조명되지 않은 영역 사이의 전이는 점진적일 수 있는 것으로 이해된다.

본 발명에 따른 전자발광 디바이스의 다른 실시예는 전극층을 n개의 상호 분리된 전극 세그먼트로 분할하는 것에 대해서 돌출 섹션이 n 방향 연결부(n은 적어도 3)를 포함하는 것을 특징으로 하는데, n 방향 연결부의 외부 경계는 충분히 부드러운 복수의 만곡부를 포함한다.

본 발명은 특히 n 방향 연결부를 포함하기 위하여 배치된 돌출 섹션을 포함하는 양각 패턴이 이점이다. 이러한 연결부는 서로 인접해 있는 적어도 2개의 내부만곡부를 갖는다. 단락의 위험은 이러한 배치에서 특히 높다는 것이 밝혀졌다. 통상적으로, 연결부는 T형 연결부와 같은 3방향 연결부이거나 십자로와 같은 4방향 연결부이다.

본 발명은 임의 종류의 전자발광 디바이스, 특히 임의의 전자발광 디스플레이 디바이스에 적용 가능하다. 예를 들어, 디바이스는 백라이트(back light), 정지 화상 디스플레이, 조명된 아이콘(icon), 광고 게시판 또는 교통 신호일 수 있다. 적절한 디스플레이 디바이스에는 수동 및 능동 타입의 다색 또는 단색 매트릭스 디바이스가 포함된다.

특정 실시예에서, 전자발광 디바이스는 세그먼트 전자발광 디바이스이다.

전형적으로, 세그먼트 디스플레이 디바이스의 전극층은 독립적으로 어드레싱 가능한 복수의 전극 세그먼트를 포함하도록 패턴화된다. 전형적으로, 그러나 필연적이지는 않게, 세그먼트는 시간 다중화 방식(time-multiplexed manner)으로 어드레싱 된다. 전형적으로, 세그먼트 중 적어도 하나는 돌출 섹션을 갖는 양각 패턴을 사용하여 제공된다. 전극층의 바람직한 패턴은 종종 복잡한 모양이고 다수의 만곡부 외부 경계 세그먼트를 포함하는데 이들 중 몇몇은 n 방향 연결부를 형성하도록 배치된다. 그러므로, 본 발명은 세그먼트 디스플레이 디바이스와 조합하여 사용된다면, 특히 유리하다.

본 발명에 따른 전자발광 디바이스의 또 다른 실시예에서, 분할 양각 패턴은 적어도 2개의 돌출부를 갖는 돌출 섹션을 포함하는데, 돌출부 각각은 복수의 만곡부를 포함하고, 만곡부 각각은 위에서 설명한 정도로 충분히 부드럽다.

공개되지 않은 본 출원인의 유럽 특허 출원서{출원번호 00204053.3(PH-NL000622)}에서, 돌출 섹션의 언더컷 영역은 EL 층과 같은 EL 디바이스의 기능층이 얻어지는 유체층의 연속적 증착에 악영향을 미친다는 것이 설명되어 있다. 이것은 특히 스트립 형태의 돌출 섹션을 갖는 수동 매트릭스 디바이스에 관련된다고 밝혀졌다. 이러한 악영향이 발생하는 것을 방지하기 위하여 돌출 섹션에는 돌출부가 제공된다. 그러나, 이것은 미리 결정된 위치에서 외부 경계가 굽혀지는 것을 필요로 하는데, 상기 만곡부가 충분히 부드럽지 않으면, 전극 세그먼트 사이에서 단락을 일으킨다.

본 발명의 이러한 양상 및 다른 양상은 이 후에 서술되는 실시예로부터 명백해질 것이고 이 후에 서술되는 실시예를 참조하여 설명된다.

실시예 1(본 발명을 따르지 않음)

도 1 및 도 2를 참조하면, EL 디바이스(1)는 기판(3)을 가지는데, 이 기판 위에는 제 1 타입의 전하(정공 또는 전자)를 주입하는 독립적으로 어드레싱 가능한 전극(5a,5b)을 포함하는 제 1 전극층, 제 1 타입의 전하를 주입하고/주입하거나 이송하는 전하 주입/이송층(7), 전자발광층(9) 및 제 2 타입의 전하를 주입하는 독립적으로 어드레싱 가능한 전극(11a,11b,11d)을 포함하는 제 2 전극층이 차례로 제공된다. 전압이 전극에 인가되면, 정공 및 전자가 주입된다. 전자발광체(9)에서 주입된 정공 및 전자가 재결합함으로써 특정 색의 광이 만들어진다.

제 2 전자층을 분할하기 위하여, EL 디바이스(1)는 분할 양각 패턴을 포함하는데, 분할 양각 패턴의 돌출 섹션(13)이 도시되어 있다. 돌출 섹션(13)은 언더컷 영역(15)을 갖는다. 언더컷 영역의 범위는 거리(U)로 표시되어 있다.

도 2a, 도 2b 및 도 2c는 돌출 섹션의 다른 실시예(213)를 도시한다. 도 2a 및 도 2c에서, 돌출 섹션(213)은 받침대 섹션(214)에 의해 지지되는데, 도 2c에서 이러한 받침대 섹션은 분할 양각 패턴과 일체가 되는 부분이다.

돌출 섹션(13)은 외부 경계(13a)를 갖는데, 이 외부 경계는 만곡부(13b 내지 13e)를 형성하기 위하여 미리 결정된 위치에서 굽혀진 직선 세그먼트를 포함한다.만곡부(13b)는 외부 만곡부인데, 이 때 만곡부의 일측부에 있는 지점과 만곡부의 타측부에 있는 지점을 연결하는 세그먼트는 양각 패턴(13)을 가로지른다. 유사하게, 만곡부(13c 내지 13e)는 내부 만곡부인데, 이 때 세그먼트는 양각 패턴(13)의 외부로 이어진다. 만곡부(13d 및 13e)는 전극층을 3개의 상호 분리된 전극 세그먼트(11a,11b,11d)로 분할하는 3방향의 T형 연결부의 일부분이다.

언더컷 영역(15) 때문에, 제조하는 동안 돌출 섹션(13)(자세한 실시예는 아래에 설명됨)은 독립적으로 어드레싱 가능한 전극(11a,11b,11d)과 비 기능성 전극 물질의 세그먼트(11c)로 되는 서로 다른 세그먼트(11a,11b,11c,11d)로 제 2 전극층을 패턴화되게 한다. 그러나, 만곡부(13b 내지 13e)는 충분히 부드럽지 않기 때문에, 원하는 전극 세그먼트의 분리가 일어나지 않을 위험이 크다. 이것은 만곡부(13b,13d,13e)에 대한 경우인 도 1에 도시되어 있다. 만곡부(13b,13d)에서 전극 세그먼트(11a,11c)가 연결되는 반면, 만곡부(13d)에서는 세그먼트(11c,11d)가 연결되고 이는 전극 세그먼트(11a,11d)를 연결하는 전도 경로를 초래하고 결과적으로 단락된 제 2 전극층을 초래한다. 여기서 도시된 바와 같이 인접한 세그먼트 사이에서 단락이 형성될 필요가 있으나 전극 세그먼트는 비 기능성 세그먼트(11c)를 통해 연결될 수 있는 임의의 세그먼트와 단락될 수 있다. 실제 설계에서, 독립적으로 어드레싱 가능한 임의의 2개의 세그먼트는 양각 패턴 상단부에 존재하는 비 기능성 세그먼트를 통해서 연결 가능하다.

도 3 및 도 4는 전자발광 디바이스의 제조 단계를 개략적으로 도시하는데, 이는 단락된 전극의 문제의 원인을 설명하는 역할을 한다. 특히, EL 디바이스의 제조 단계가 도시되어 있다. 도시된 단계는 돌출 섹션(13)(돌출 섹션의 윤곽은 파선으로 도시된다)이 얻어지는 광-패턴화 가능한 물질(photo-patternable material) 층(12)에 대한 조명 단계이다. 본 실시예에서, 광-패턴화 가능한 물질은 네거티브 포토레지스트(negative photoresist)이다. 근접해서 패턴 방식으로 노출함으로써, 개구부(17b), 완전히 조명된 영역(12c) 및 조명되지 않은 영역(12a)을 갖는 마스크(17)를 통해서 층(12)이 형성된다. 마스크 에지(17a)에서 발생하는 회절 효과(diffraction effect)로 인하여, 중간 정도로 조명된 영역(12b)도 형성되는데, 여기서 서로 다른 영역 사이에서의 변화는 급진적인 것이 아니라 점진적인 것으로 이해된다. 사용된 네거티브 포토레지스트는 조명되지 않은 영역(12a)이 용해 가능한 상태로 유지되고 완전 조명 영역(12c)이 용해 불가능한 상태로 되는 특성을 가지기 때문에, 중간 정도로 조명된 영역(12b)은 중간 정도의 용해성을 가지므로 현상된 후 돌출 섹션(13)의 언더컷 영역(15)을 만든다. 패턴화 공정의 파라미터를 변경시킴으로써, 특히, 마스크(15)에서 층(12)까지의 거리를 변경시킴으로써, 임의의 적절한 양의 언더컷이 얻어질 수 있다.

도 3을 참조하면, 마스크(17)는 돌출 섹션(13)의 윤곽을 한정한다. 중간 정도로 조명된 영역(12b)은 마스크 에지(17a)와 외부 경계(13a) 사이에 위치된다. 도 4에 도시된 조명 패턴은 만곡부로부터 떨어진 위치에 대해서 전형적인 것이다. 그러나, 만곡부(13b 내지 13e)에서의 조명 패턴은 다르게 나타난다(도 2참조). 적어도 하나의 차이점은 만곡부(13b)와 같은 외부 만곡부에서, 영역(14b)과 같이 중간 정도로 조명된 영역은 광을 보다 적게 수용한다. 즉, 만곡부로부터 떨어진 영역에비해 덜 노출되는 것이다. 만곡부(13c 내지 13e)와 같은 내부 만곡부에서, 중간 정도로 조명된 영역(14c 내지 14e)은 영역(12b)과 같이 직선 세그먼트의 중간 정도로 조명된 영역보다 광을 더 수용한다. 더욱이, 기판 표면이 광을 반사하는 경우에, 영역(14b 내지 14e)에서의 광 간섭 패턴은 영역(12b)에서의 광 간섭 패턴과는 일반적으로 다르다. 영역(14b)과 영역(12b) 사이의 조명의 차이로 인하여, 돌출 섹션(13)의 직선 라인 세그먼트에서의 언더컷 범위는 실질적으로 만곡부 위치(13b 내지 13e)에서의 언더컷 범위와는 다르다.

만곡부에서 언더컷의 범위가 줄어들게 되면 예를 들어 도 1에 도시된 디바이스와 같이 요구한 대로 전극층이 분할되지 않을 위험이 증가한다.

전극 세그먼트가 의도하지 않게 연결될 위험성은 돌출 섹션(13)이 도 1 및 도 3에서 도시된 3방향 T형 연결부와 같은 n방향 연결부를 포함하는 곳에서 특히 높다.

실시예에 의해서, EL 디바이스(1)는 다음과 같이 제조된다.

투명한 석회 유리 기판(3)에는 통상적인 방식으로 ITO로 된 세그먼트(5a,5b)를 갖는 패턴화된 제 1 전극층이 제공된다.

그 후, ITO가 코팅된 기판을 깨끗이 정돈한 후에, 화상 반전 레지스트(image reversal resist) AZ5214E(공급원 : 훽스트)가 기판 상에 스피닝되어(spun) 5㎛ 두께의 레지스트 층(12)을 만든다. 레지스트 층(12)은 20㎛ 폭의 개구부(17b)를 갖는 마스크(17)를 통한 방사(417)에 의하여 제 1의 패턴대로 노출된다. 노출은 마스크에서 기판까지의 거리가 50㎛정도로 되도록 인접하여 수행되고, 35mJ/cm²의 양이 완전 조명 영역(12c)의 레지스트층(12)에 전달된다. 마스크 에지(17a)에서의 회절로 인하여, 중간 정도로 노출된 영역(12b)이 제공된다. 그 후 레지스트층(12)은 잠상을 반전시키기 위하여 110°에서 10분간 핫 플레이트(hot plate)에서 구워지고, 420mJ/cm²의 양으로 과노출되고(flood exposed), 현상액 배쓰(developer bath)에 침수시킴으로써 1:1의 AZ 현상액과 물 혼합물에서 90초 동안 현상되었다. 현상한 후, 분할 양각 패턴이 얻어지는데, 이 분할 양각 패턴은 상단부가 24㎛이고 바닥이 약 20㎛인 뒤집어진 사다리꼴 형태의 돌출 섹션(13)을 갖게되어 약 4㎛의 언더컷(U) 범위와 약 45°의 언더컷 각도를 갖는 언더컷 섹션(15)이 얻어진다.

폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜(PEDOT)(Baytron P, 공급원 바이엘 AG)의 수용액을 스핀 코팅하고, 150㎚ 두께의 층(7)을 얻기 위해 상기 젖은 PEDOT층을 건조시킴으로써 전하 운반층(7)이 적층된다.

이어서, 화학식(1)(여기서, OC₁₀은 3,7-디메틸옥틸옥시를 가리키고, r 및 1-r은 0.5이고 r 및 1-r이 각각 톨루엔 끝에 붙은 대괄호 내에 표시되는 구조를 갖는 단위의 비율을 나타낸다)의 중합체의 0.6중량% 용액이 1250rpm으로 스핀 코팅되는데, 이로써 평균 11.6㎛ 두께의 젖은 층이 만들어진다.

공중합체는 WO 99/21936에 개시된 방법과 유사한 방법에 의해 합성된다. 젖은 층을 건조시킨 후에, 평균 두께가 70㎚인 NRS-PPV의 복수의 유기 EL 층(9)이 얻어진다.

내장된 샤도우 마스크로서 양각 패턴의 돌출 섹션(13)을 사용할 때, 금속 증기의 진공 증착에 의해서 EL 층(9)의 상단에는 3㎚ 두께의 Ba 및 200㎚ 두께의 Al 층이 연속적으로 증착되어 전극 세그먼트(11a 내지 11d)를 포함하는 분할된 제 2 전극층을 형성하는데, 상기 세그먼트 중에서 세그먼트(11a,11b,11d)는 독립적으로 어드레싱 가능한 음극이고 세그먼트(11c)는 비 기능성 전극 물질이다.

상기 방법을 여러 번 반복하면, 독립적으로 어드레싱 가능한 전극 세그먼트는 실제로 전기적으로 연결되기 때문에, 최종 디바이스는 많은 경우에서 결함이 있는 것으로 밝혀졌다. 수율은 원하는 제 2 전극층 패턴 특히, 제 2 전극층이 포함하는 만곡부의 수에 따라 결정된다.

실시예 2(본 발명을 따름)

도 5는 본 발명에 따른 전자발광 디바이스를 개략적으로 도시하는 평면도이다.

도 6은 도 5의 평면도의 일부분을 도시하는 확대도이다.

EL 디바이스(51)는 돌출 섹션(13)의 외부 경계(13a)의 만곡부(13b 내지 13e)가 본 발명에 따라서 충분히 부드러운 것을 제외하고는 EL 디바이스(1)와 동일한데, 특히 도 1의 선 I-I에 해당하는 선을 따라 취해진 도 2에 도시된 횡단면과 동일하다.

본 발명을 설명하기 위하여, 양각 패턴은 충분히 부드러운 만곡부를 가질 충분한 가능성이 있다. 실제로, 전체에 걸쳐서 바람직하게 한 가지 타입 및 동일한 타입이 사용된다.

확대도로 도시되는 도 6의 외부 만곡부(13b)와 내부 만곡부(13e)는 둥근 세그먼트(18a,18b) 각각에 의해 충분히 부드럽게 된다. 둥근 정도는 둥근 세그먼트(18a,18b)를 따르는 위치에서의 곡률 반경에 의해 정량화되고 상기 곡률 반경은 기판 표면에 평행한 표면에서 고려된 것이다. 본 실시예에서, 기판 표면은 도 5의 도면 평면에 평행한 평면이다.

도 6에 도시된 원은 위치(X,Y)에서 둥근 세그먼트(18a)와 접하고 도 5의 원은 위치(Z)에서 둥근 세그먼트(18b)와 접한다. 원은 위치(X,Y)에서 둥근 세그먼트(18a)와 동일한 접선 및 동일한 곡률을 가지며 각각 곡률 반경(R_x,R_y)에 의해 특성화된다. 유사하게, Z에서의 곡률 반경은 R_z이다. 둥근 세그먼트(18a,18b)의 실질적으로 각 위치에서의 곡률 반경은 전극 세그먼트가 의도하지 않게 연결될 위험을 줄이기 위하여 특정 최소 곡률 반경을 넘는다.

상기 위험은 최소 곡률 반경을 1㎛로 설정함으로써 현저히 감소된다. 상기 위험은 최소 곡률 반경을 각각 2㎛, 5㎛ 또는 10㎛로 설정함으로써 더욱 감소된다. 많은 적용에서, 15㎛이상의 최소치가 적절히 이용될 수 있다. 특히, 둥근 세그먼트(18a,18b)는 원형 세그먼트일 수 있으므로 일정한 곡률의 세그먼트가 될 수 있다.

내부 만곡부(13c,13d)는 직선 세그먼트(19,20)를 이용하여 경사지게 되는데, 직선 세그먼트(20)는 각각 이웃하는 직선 세그먼트와 각도(20a,20b)를 만들고, 직선 세그먼트(19)는 이웃하는 직선 세그먼트와 각도(19a,19b)를 만든다. 세그먼트(20,19)의 길이와 이들 세그먼트가 이웃하는 직선 세그먼트와 만드는 각도는 제 2 전극층의 전극 세그먼트가 의도하지 않게 연결되는 위험을 줄이기 위하여 각각 특정한 최소 길이 및 최소 각도를 갖게될 것이다.

간편한 설계 규칙은 세그먼트(17)의 길이가 적어도 2㎛이고 각도는 적어도 120°이어야 한다는 것이다. 대안적으로, 최소 각도는 예를 들어, 110°, 130°, 또는 140°에서 선택될 수 있고 최소 길이는 3㎛, 5㎛, 10㎛ 또는 적당하다면 심지어 20㎛일 수 있다.

충분히 부드러운 만곡부를 갖는 다수의 EL 디바이스(51)가 실시예 1에 설명된 방법에 따라서 제조된다면, 제조 공정의 수율은 급격히 증가한다. 제 2 양각 패턴에 대한 원하는 패턴에 따라서 제조 수율은 전형적으로 4배 이상으로 증가할 수 있다.

도 7은 본 발명에 따른 EL 디바이스에 사용되는 분할 양각 패턴의 다른 실시예에 대한 평면도이다. 양각 패턴은 특히 수동 매트릭스 전자발광 디스플레이 디바이스에서 사용된다. 양각 패턴은 분리된 전극 세그먼트가 영역(711a,711b)에 증착되도록 하는 돌출 섹션(713)을 포함한다. 돌출 섹션(713)은 직각으로 뻗는 돌출부(714,715)를 포함하는 기다란 직선 섹션(716)을 형성하기 위하여 미리 결정된 위치(713b,713c)에서 굽혀지는 외부 경계(713a)를 갖는다. 외부 만곡부(713b)는 둥근 세그먼트(714a,715a)를 사용하여 충분히 부드럽게 되고 내부 만곡부(713c)는 둥근 세그먼트(715b)를 사용하여 부드럽게되거나 직선 세그먼트(714b)를 사용하여 경사지게 된다. 만곡부(파선으로 표시됨)에서 외부 경계(713a)가 부드럽게 되지 않아도, 만곡부에서의 언더컷은 예를 들어, 영역(711a)의 측부에 있는 만곡부(713c), 기다란 섹션(716)의 상단에 증착된 비 기능성 전극 물질 및 713c와 같은 타측부의 만곡부를 통해서 전극 세그먼트(711a,711b)가 의도하지 않게 연결될 위험을 증가시키지 않는다.

상술한 바와 같이, 본 발명은 전자발광 디바이스의 전극층을 패턴화하기 위하여 언더컷 돌출 섹션을 포함하는 양각 패턴이 제공된 기판 표면을 포함하는 전자발광 디바이스에 이용 가능하다.

Claims (8)

1. 전자발광 디바이스로서, 상기 전자발광 디바이스의 전극층을 패턴화하기 위하여 언더커팅된(undercut) 돌출 섹션(overhanging section)을 포함하는 분할 양각 패턴이 제공되는 기판 표면을 포함하며, 상기 돌출 섹션은 적어도 하나의 직선 세그먼트와 미리 결정된 위치에서 만곡부(bend)를 포함하는 외부 경계를 갖는, 상기 전자발광 디바이스에 있어서,

   상기 돌출 섹션을 만곡부에서 상기 돌출 섹션의 상기 직선 세그먼트와 실질적으로 동일한 정도로 언더커팅되도록 하기 위하여 상기 만곡부가 충분히 부드러운 것을 특징으로 하는, 전자발광 디바이스.
2. 전자발광 디바이스로서, 상기 전자발광 디바이스의 전극층을 패턴화하기 위하여 언더커팅된(undercut) 돌출 섹션(overhanging section)을 포함하는 분할 양각 패턴이 제공되는 기판 표면을 포함하며, 상기 돌출 섹션은 적어도 하나의 직선 세그먼트와 미리 결정된 위치에서 만곡부(bend)를 포함하는 외부 경계를 갖는, 상기 전자발광 디바이스에 있어서,

   상기 만곡부는 상기 기판 표면에 대체로 평행한 표면의 실질적으로 모든 위치에서 적어도 1㎛의 곡률 반경을 갖는 둥근 세그먼트를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전자발광 디바이스.
3. 전자발광 디바이스로서, 상기 전자발광 디바이스의 전극층을 패턴화하기 위하여 언더커팅된(undercut) 돌출 섹션(overhanging section)을 포함하는 분할 양각 패턴이 제공되는 기판 표면을 포함하며, 상기 돌출 섹션은 적어도 하나의 직선 세그먼트와 미리 결정된 위치에서 만곡부(bend)를 포함하는 외부 경계를 갖는, 상기 전자발광 디바이스에 있어서,

   상기 만곡부는 적어도 2㎛의 길이를 갖는 경사진 세그먼트를 제공함으로써 경사지게 되고 상기 만곡부는 거기에 연결되는 직선의 외부 경계 세그먼트와 적어도 120°의 각도를 이루는 것을 특징으로 하는, 전자발광 디바이스.
4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 돌출 섹션은 포토레지스트와 같은 포토-패턴화된 물질 또는 포토-패턴화 가능 물질을 포함하는, 전자발광 디바이스.
5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 돌출 섹션은 네거티브 포토-패턴화 가능 물질 또는 이와 동등한 물질로부터 일체형으로 형성되는, 전자발광 디바이스.
6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 돌출 섹션은 상기 전극층을 서로 n개로 분리된 전극 세그먼트로 분할하기 위하여 n 방향 연결부(n은 적어도 3임)를 포함하며, 상기 n방향 연결부의 외부 경계는 충분히 부드러운 복수의 만곡부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전자발광 디바이스.
7. 제 6항에 있어서, 상기 전자발광 디바이스는 분할된 전자발광 디바이스인, 전자발광 디바이스.
8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 양각 패턴은 적어도 2개의 돌출부를 갖는 돌출 섹션을 포함하는데, 상기 돌출부 각각은 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 의해 요구되는 타입의 복수의 만곡부를 포함하는, 전자발광 디바이스.