JP5421778B2 - 分子電子素子の製造方法及び構造体 - Google Patents
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Description
Claims (32)
- 基板、及び該基板上に設置された不連続な複数のバンク構造を有する光電子素子であって、
前記不連続な複数のバンク構造が、それぞれ内端部及び外端部を含む断面を有し、
前記バンク構造はそれぞれ少なくとも1つのウェルの周囲を形作り、
前記ウェル内には電荷輸送材料、電荷注入材料、光フィルター材料、及び発光材料のうち1つ以上の分子電子材料が配置され、前記分子電子材料は、前記分子電子材料が溶解した溶媒を前記リングバンク構造の内端部を超えて外端部で保持されるように前記ウェル内に付与することによって堆積されたものであり、
少なくとも1つの前記バンク構造は、少なくとも1つのウェルの周囲を形作り、且つ隣接するウェルの周囲までは延在せず、前記バンク構造の側壁面と上面との両方に接触するが交差はしない円周を有する円が0.25μm未満の半径を有する、光電子素子。 - 前記不連続な複数のバンク構造が、それぞれ単一のウェルの周囲を形作る請求項1に記載の光電子素子。
- 基板、及び該基板上に設置された不連続な複数のバンク構造を有する光学素子であって、
前記不連続な複数のバンク構造が、それぞれ内端部及び外端部を含む断面を有し、
前記バンク構造はそれぞれ少なくとも1つのウェルの周囲を形作り、
前記ウェル内には電荷輸送材料、電荷注入材料、光フィルター材料、及び発光材料のうち1つ以上の分子電子材料が配置され、前記分子電子材料は、前記分子電子材料が溶解した溶媒を前記リングバンク構造の内端部を超えて外端部で保持されるように前記ウェル内に付与することによって堆積されたものであり、
少なくとも1つの前記バンク構造は、少なくとも1つのウェルの周囲を形作り、且つ隣接するウェルの周囲までは延在せず、前記バンク構造の側壁面と上面との両方に接触するが交差はしない円周を有する円が0.25μm未満の半径を有する、光学素子。 - 分子電子材料の液滴を付着させるための複数のウェルを有する分子電子素子構造体であって、
基板と、
内端部及び外端部を含む断面を有する前記基板上のバンクと、
を備え、
前記バンクはウェルの周囲を形作り、前記周囲のどの部分も複数のウェルのバンクを形成することはなく、前記バンク構造の側壁面と上面との両方に接触するが交差はしない円周を有する円が0.25μm未満の半径を有し、
前記ウェル内には電荷輸送材料、電荷注入材料、光フィルター材料、及び発光材料のうち1つ以上の分子電子材料が配置され、前記分子電子材料は、前記分子電子材料が溶解した溶媒を前記リングバンク構造の内端部を超えて外端部で保持されるように前記ウェル内に付与することによって堆積されたものである、分子電子素子構造体。 - 前記分子電子材料が発光材料又は半導体材料を含む請求項4に記載の分子電子素子構造体。
- 前記分子電子材料が光フィルター材料を含む請求項4又は5に記載の分子電子素子構造体。
- 前記バンクの垂直方向厚さが、前記ウェルの底部に近づくにつれて、前記基板に向かってテーパ状に次第に薄くなっている請求項1または2に記載の光電子素子。
- 前記バンクの垂直方向厚さが、前記基板から離れてテーパ状に次第に薄くなっている請求項1または2に記載の光電子素子。
- 前記バンクの下部が切り取られて基板上にシェルフが形成されており、前記シェルフが前記ウェル内に配置される材料を受容するための溝を形成する請求項7又は8に記載の光電子素子。
- 前記バンクが対称形の断面を有する請求項1または2に記載の光電子素子。
- 基層がなす平面に対する前記バンクの角度が15〜75度である請求項7に記載の光電子素子。
- 基層がなす平面に対する前記バンクの角度が25〜60度である請求項11に記載の光電子素子。
- 基層がなす平面に対する前記バンクの角度が35〜50度である請求項11又は12に記載の光電子素子。
- 基層がなす平面に対する前記バンクのバンク角が100〜175度である請求項8に記載の光電子素子。
- 基層がなす平面に対する前記バンクの角度が120〜160度である請求項14に記載の光電子素子。
- 基層がなす平面に対する前記バンクの角度が135〜150度である請求項14又は15に記載の光電子素子。
- 前記バンクの垂直方向厚さが一定である請求項1または2に記載の光電子素子。
- 基層がなす平面に対する前記バンクの角度が実質的に90度である請求項17に記載の光電子素子。
- 前記バンクがポジ型フォトレジストを含有する請求項7〜18のいずれか一項に記載の光電子素子。
- 前記バンクがネガ型フォトレジストを含有する請求項7〜18のいずれか一項に記載の光電子素子。
- 前記バンクが内端部及び外端部を含む断面を有し、前記外端部は前記液滴付着中に前記分子電子材料を収容できるように形成される請求項4に記載の分子電子素子構造体。
- 一対の前記バンクの下に更にバンク支持構造を有し、前記バンク支持構造は前記基板に支持され、且つ前記バンク支持構造は隣接する2つの前記ウェルの周囲の少なくとも一部を形作る請求項1、2、及び7〜20のいずれか一項に記載の光電子素子。
- 前記バンクの下に更に実質的に電気絶縁性の材料からなる層を有し、該絶縁層は前記基板に支持され、前記絶縁層中の開口部が前記ウェルを形作り、且つ前記バンクは少なくとも部分的に前記絶縁層上に形成される請求項22に記載の光電子素子。
- 前記ウェルがディスプレイの単一画素又はカラーサブ画素を形成する請求項1に記載の光電子素子。
- 前記ウェルがカラーディスプレイ内で同一色のサブ画素線を形成する請求項1に記載の光電子素子。
- 請求項1、2、7〜20及び22〜25のいずれかに記載の光電子素子を有するOLED表示素子であって、前記基板が第1導電層を支持し、分子電子材料が発光材料からなる層と導電材料からなる第2層とを含むOLED表示素子。
- 基板上に分子電子素子を製造する方法であって、請求項1、2、7〜20、22、及び23のいずれか一項に記載されたバンクにより形作られた少なくとも1つのウェル内に、分子電子材料を堆積する工程を含む製造方法。
- 基板と、ウェルを形作る少なくとも1つのリングバンク構造とを有する装置を製造する方法であって、溶媒に溶解した分子電子材料を前記ウェル内に堆積する工程を含み、前記リングバンク構造の内端部を超えて外端部で保持される量の前記溶媒を前記ウェル内に付与し、前記バンク構造は、前記バンク構造の側壁面と上面との両方に接触するが交差はしない円周を有する円が0.25μm未満の半径を有する、製造方法。
- 前記リングバンク構造の前記内端部の下部を切り取る請求項28に記載の方法。
- 前記リングバンク構造の前記内端部の垂直方向厚さが、前記ウェルの底部に近づくにつれて、前記基板に向かってテーパ状に次第に薄くなっている請求項28に記載の方法。
- 隣接する2つの前記リングバンク構造の間に電気絶縁層を形成し、前記電気絶縁層の一部を前記リングバンク構造の下に配置する請求項28に記載の方法。
- 装置を製造する請求項28〜31のいずれか一項に記載の方法。
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