KR20140090275A - 잉크젯 프린팅 기법을 이용한 도전성 패턴 형성 방법 - Google Patents

잉크젯 프린팅 기법을 이용한 도전성 패턴 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140090275A
KR20140090275A KR1020120132604A KR20120132604A KR20140090275A KR 20140090275 A KR20140090275 A KR 20140090275A KR 1020120132604 A KR1020120132604 A KR 1020120132604A KR 20120132604 A KR20120132604 A KR 20120132604A KR 20140090275 A KR20140090275 A KR 20140090275A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ink
forming
trench
substrate
conductive pattern
Prior art date
Application number
KR1020120132604A
Other languages
English (en)
Inventor
홍진석
홍영기
김중혁
강성규
이승호
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020120132604A priority Critical patent/KR20140090275A/ko
Priority to US13/904,167 priority patent/US20140138345A1/en
Publication of KR20140090275A publication Critical patent/KR20140090275A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1258—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by using a substrate provided with a shape pattern, e.g. grooves, banks, resist pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H05K1/0248—Skew reduction or using delay lines
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/097—Inks comprising nanoparticles and specially adapted for being sintered at low temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09036—Recesses or grooves in insulating substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502—Patterning and lithography
    • H05K2203/0545—Pattern for applying drops or paste; Applying a pattern made of drops or paste
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0562—Details of resist
    • H05K2203/0568—Resist used for applying paste, ink or powder
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1173—Differences in wettability, e.g. hydrophilic or hydrophobic areas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1208—Pretreatment of the circuit board, e.g. modifying wetting properties; Patterning by using affinity patterns
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
    • H05K3/125—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing by ink-jet printing

Abstract

개시된 도전성 패턴 형성방법은, 기판 상에 서로 이격된 제1, 제2격벽을 형성하여 제1, 제2격벽 사이에 도전성 패턴이 형성될 트렌치를 정의하고, 트렌치에 도전성 입자가 포함된 잉크를 토출하여 제1, 제2격벽의 상면과 외측면의 경계에서 피닝된 잉크 액적을 형성하고, 건조 및 소결 공정에 의하여 트렌치에 도전성 입자에 의한 도전성 패턴을 형성한다.

Description

잉크젯 프린팅 기법을 이용한 도전성 패턴 형성 방법{method of forming conductive pattern using inkjet printing technique}
잉크젯 프린팅 기법을 이용하여 기판에 도전성 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 잉크젯 프린팅 장치는 잉크젯 헤드의 노즐을 통하여 잉크의 미소한 액적을 인쇄 매체 상의 원하는 위치에 토출시킴으로써 소정 화상을 인쇄하는 장치를 말한다. 최근에는 이러한 잉크젯 프린팅 장치가 화상 인쇄 분야 이외에도 액정 디스플레이(LCD;liquid crystal display), 유기발광소자(OLED; organic light emitting device) 등과 같은 평판 디스플레이 분야, 전자 종이(e-paper) 등과 같은 플렉서블 디스플레이 분야, 금속 배선 등과 같은 인쇄 전자공학(printed electronics) 분야, 유기 박막트랜지스터(OTFT; organic thin film transistor) 분야, 바이오 테크놀러지(biotechnology) 또는 바이오 사이언스(bioscience) 분야 등에 다양하게 응용되고 있다.
상술한 분야에 잉크젯 프린팅 장치에 의하여 도전성 패턴을 형성하는 공정을 적용함에 있어서 중요한 기술적 사안 중의 하나가 미세한 폭을 가진 두꺼운 배선을 단선(open)이나 단락(short)없이 신뢰성 있게 형성하는 것이다. 최근 전자 장치가 급속히 소형화, 고성능화, 다기능화됨에 따라 반도체 소자 등의 전자소자를 실장하기 위한 배선 기판 역시 고밀도화 및 고신뢰성화가 요구되고 있다. 예를 들어 TFT-LCD가 초고해상도화,대면적화되거나 반도체 소자의 회로가 고밀도화됨에 따라 배선 저항 증가 및 RC지연(Resistance×Capacitance Delay)를 해소하는 데에 미세 선폭을 가진 두꺼운 배선이 요망된다.
잉크젯 프린팅 공정에 의하여 기판 상의 타겟 영역에 가능한 한 많은 잉크를 충전함으로써 두꺼운 도전성 패턴을 제작할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 도전성 패턴 형성 방법은, 기판 상에 서로 이격된 제1, 제2격벽을 형성하여 상기 제1, 제2격벽 사이에 도전성 패턴이 형성될 트렌치를 정의하는 단계; 상기 트렌치에 도전성 입자가 포함된 잉크를 토출하여, 상기 제1, 제2격벽의 상면과 외측면의 경계에서 피닝된 잉크 액적을 형성하는 단계; 건조 및 소결 공정에 의하여 상기 트렌치에 도전성 입자에 의한 도전성 패턴을 형성하는 단계;를 포함한다.
상기 방법은, 상기 제1, 제2격벽의 외측에 몰입된 제1, 제2분리 홈을 형성하는 단계;를 더 구비할 수 있다.
상기 제1, 제2격벽의 폭을 Pw, 상기 제1, 제2분리 홈의 폭을 Pd라 하면, Pw/Pd는 0.7~1.3일 수 있다.
상기 제1, 제2격벽은 각각 복수의 상기 제1, 제2분리 홈에 의하여 구분된 복수의 격벽을 포함하며, 상기 잉크 액적의 피닝은 가장 외측에 위치된 격벽의 상면과 외측면의 경계에서 일어날 수 있다.
상기 방법은, 상기 잉크 액적을 형성하기 전에, 적어도 상기 제1, 제2격벽의 상면과 외측면에 잉크 비친화성 물질층을 형성하는 단계;를 더 구비할 수 있다.
상기 제1, 제2격벽과 상기 제1, 제2분리 홈은 상기 기판을 식각하여 형성될 수 있다.
상기 제1, 제2격벽과 상기 제1, 제2분리 홈은 상기 기판 상에 감광성 수지층을 형성하고 상기 감광성 수지층을 식각하여 형성될 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 도전성 패턴 형성 방법은, 기판 상에, 서로 이격되어 트렌치를 정의하는 내측면과, 상기 내측면의 상측 가장자리로부터 횡방향으로 연장된 상면과, 상기 상면의 외측 단부로부터 하방으로 연장된 외측면을 구비하는 격벽을 형성하는 단계; 상기 트렌치에 도전성 입자가 포함된 잉크를 토출하여, 상기 상면과 상기 외측면의 경계에서 피닝된 잉크 액적을 형성하는 단계; 건조 및 소결 공정에 의하여 상기 트렌치에 도전성 입자에 의한 도전성 패턴을 형성하는 단계;를 포함한다.
상기 방법은, 상기 격벽의 외측에 몰입된 분리 홈을 형성하는 단계;를 더 구비할 수 있다.
상기 제1, 제2격벽의 폭을 Pw, 상기 제1, 제2분리 홈의 폭을 Pd라 하면, Pw/Pd는 0.7~1.3일 수 있다.
상기 방법은, 상기 잉크 액적을 형성하기 전에, 적어도 상기 제1, 제2격벽의 상면과 외측면에 잉크 비친화성 물질층을 형성하는 단계;를 더 구비할 수 있다.
상기 제1, 제2격벽과 상기 제1, 제2분리 홈은 상기 기판을 식각하여 형성될 수 있다.
상기 제1, 제2격벽과 상기 제1, 제2분리 홈은 상기 기판 상에 감광성 수지층을 형성하고 상기 감광성 수지층을 식각하여 형성될 수 있다.
상술한 본 발명의 실시예들에 따르면, 도전성 잉크가 충전되는 트렌치의 깊이를 증가시키지 않고도 두꺼운 배선을 용이하고 신뢰성 높게 형성할 수 있다.
도 1은 도전성 패턴을 형성하는 공정에 적용되는 잉크젯 프린팅 장치의 일 예를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2a는 기판에 제1, 제2격벽에 의하여 정의되는 트렌치와, 제1, 제2분리 홈을 형성한 상태를 도시한 도면이다.
도 2b와 도 2c는 기판을 식각하여 트렌치를 정의하는 공정의 일 예를 보여주는 도면들이다.
도 3a는 트렌치에 잉크를 토출하여 잉크 액적을 형성한 모습을 보여주는 도면이다.
도 3b는 제1, 제2격벽이 없는 경우 트렌치에 토출된 잉크에 의하여 형성되는 잉크 액적의 모습을 보여주는 도면이다.
도 3c는 격벽의 상면과 외측면의 경계에서 접촉각이 피닝되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 3d는 건조 후에 트렌치에 도전성 입자가 남은 상태를 보여주는 도면이다.
도 4a는 고체의 표면에서의 액체의 접촉각을 보여주는 도면이다.
도 4b은 표면 에너지의 차이가 큰 경우 고체 표면에서의 액체의 상태를 보여주는 도면이다.
도 4c는 표면 에너지의 차이가 작은 경우 고체 표면에서의 액체의 상태를 보여주는 도면이다.
도 5는 격벽의 폭의 분리 홈의 폭에 대한 비와 기판 상에서의 잉크 액적의 최대 폭과의 관계를 시뮬레이션한 결과를 도시한 그래프이다.
도 6은 잉크 비친화성 물질층이 형성된 기판의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 7a 내지 도 7c는 접촉각의 피닝이 가능한 트렌치 구조의 다른 예들을 도시한 도면들이다.
도 8a 및 도 8b는 기판 상에 감광성 수지층을 형성하고 이를 식각하여 트렌치를 정의하는 공정의 일 예를 보여주는 도면들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 도전성 패턴을 형성하는 방법을 수행하는 잉크젯 프린팅 장치를 개략적으로 도시한 것이다. 도 1을 참조하면, 잉크젯 프린팅 장치(1)는 잉크젯 헤드(2)를 구비할 수 있다. 잉크젯 헤드(2)로서는 압전 구동력을 이용하는 압전방식, 정전 구동력을 이용하는 정전방식, 또는 이들의 함께 이용하는 압전/정전 복합 방식 등 다양한 방식의 액체 토출 수단이 채용될 수 있다. 잉크젯 헤드(2)는 기판(100)의 상방에 이동가능하게 설치되어, 기판(100)의 표면에 잉크(4)를 토출하여 소정의 인쇄 패턴들을 형성한다. 잉크젯 헤드(2)는 잉크(4)를 공급하기 위한 잉크챔버(3)에 연결될 수 있다.
잉크(4)는 용매에 예를 들어 Au, Ag 또는 Cu 입자 등의 도전성 입자가 분산된 용액일 수 있다. 잉크(4)가 기판(100)에 토출된 후에 건조 과정을 거쳐 용매를 증발시키면 기판(100)에는 도전성 입자만이 남는다. 그 후에 소성(sintering)공정을 거침으로써 기판(100) 상에 도전성 패턴, 즉 배선이 형성된다.
전술한 바와 같이 잉크(4)는 용매에 도전성 입자가 분산된 형태로서, 건조과정을 통하여 용매를 증발시킨다. 잉크(40) 중의 도전성 입자의 비율은 매우 낮으므로 건조 과정을 거쳐서 기판(100) 상에 남는 도전성 입자의 두께는 잉크(4)의 양의 수 내지 수십 분의 일 정도에 불과하다. 나아가서 고온 소성에 의한 치밀화 과정을 거치면 도전성 패턴의 두께는 더욱 작아진다. 도전성 패턴의 두께를 크게 하기 위하여 잉크(4)의 양을 증가시키는 방안을 고려할 수 있으나 이 경우에는 인접하는 도전성 패턴에까지 잉크(4)가 번져서 단락(short)의 위험이 있다. 다른 방안으로서, 기판에 종횡비(aspect ratio)가 큰 트렌치(trench), 즉 깊은 트렌치를 형성하는 방안을 고려할 수 있으나, 트렌치의 종횡비는 공정 상의 요인으로 인하여 제한될 수 있다.
이하, 두꺼운 배선을 용이하고 신뢰성 높게 형성할 수 있는 도전성 패턴의 형성 방법에 관하여 설명한다.
[트렌치(110)의 형성]
도 2a를 참조하면, 기판(100) 상에 도전성 패턴이 형성될 트렌치(110)가 정의된다. 기판(100)은 예를 들어 실리콘(Si) 기판, 글래스(glass) 기판, 쿼츠(quartz) 기판 등일 수 있다. 트렌치(110)는 서로 이격된 제1, 제2격벽(121)(122)에 의하여 정의될 수 있다. 제1, 제2격벽(121)(122)의 내측면(121a)(122a)에 의하여 트렌치(110)가 정의된다. 제1, 제2격벽(121)(122)은 내측면(121a)(122a)의 상측 가장자리로부터 외측으로 연장된 상면(121b)(122b)과, 상면(121b)(122b)의 외측 단부로부터 하방으로 연장된 외측면(121c)(122c)을 구비한다.
닫힌 형태의 트렌치(110)의 경우, 제1, 제2격벽(121)(122)은 서로 연결될 수 있다. 즉, 이 경우에는 제1, 제2격벽(121)(122)은 내측면과 상면과 외측면을 구비하는 하나의 격벽을 형성한다. 제1, 제2격벽(121)(122)의 외측에는 제1, 제2분리 홈(131)(132)이 형성될 수 있다. 제1, 제2분리 홈(131)(132)은 제1, 제2격벽(121)(122)과 기판(100)의 상면(101)을 분리하며, 인접하는 다른 트렌치(미도시)를 형성하기 위한 격벽(미도시)과의 경계를 형성할 수도 있다.
그러므로, 도 2a에 도시된 제1, 제2격벽(121)(122)은, 트렌치(110)가 열린 형태인 경우 서로 이격된 별개의 격벽이며, 트렌치(110)가 닫힌 형태인 경우 단면도에서 서로 이격되게 표현되는 하나의 격벽이다.
상술한 형태의 제1, 제2격벽(121)(122)과 제1, 제2분리 홈(131)(132)은 예를 들어 기판(100)을 식각함으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(100)으로서 실리콘 기판이 채용된 경우, 도 2b에 도시된 바와 같이 기판(100)의 상면(101)에 마스크 층(200)을 형성한다. 마스크 층(200)은 예를 들어 SiO2층일 수 있다. SiO2층은 기판(100)을 산화시킴으로써 형성될 수 있다. 다음으로, 마스크 층(200) 상에 포토레지스트층(300)을 형성하고, 이를 예를 들어 광리소그래피법에 의하여 패터닝하여 마스크 층(200)의 일부를 노출시킨다. 포토 레지스트층(300)을 마스크로 하여 마스크 층(200)을 패터닝하고, 포토레지스트층(300)을 제거하면, 도 2c에 도시된 바와 같이, 개구(201)(202)(203)가 형성된 마스크 층(200)이 형성된다. 개구(201)(202)(203)는 각각 트렌치(110)와 제1, 제2분리 홈(131)(132)이 형성될 영역에 대응된다. 마스크 층(200)을 패터닝하는 공정은 예를 들어 HF용액(buffered Hydrogen Fluoride acid)를 이용한 습식 식각 공정 또는 플라즈마 건식 식각(plasma dry etching) 공정에 의하여 수행될 수 있다. 다음으로, 마스크 층(200)을 식각 마스크로 하여 기판(100)을 식각한다. 식각은 습식 또는 건식 식각 공정에 의하여 수행될 수 있다. 예를 들어 식각액은 기판(100)의 재질에 따라 달리질 수 있다. 예를 들어 실리콘 단결정 기판인 경우 KOH(potasium hydroxide) 등의 염기성 식각액이 사용될 수 있으며, 실리콘 다결정 기판인 경우에는 질산과 불산을 혼합한 산성 식각액이 사용될 수 있다. 기판(100)이 글래스 또는 쿼츠 기판인 경우 이에 적합한 재질의 마스크 층 및 식각액이 채용될 수 있다. 식각 공정이 수행된 후 마스크 층(200)을 제거하면, 도 2a에 도시된 바와 같이 서로 이격된 제1, 제2격벽(121)(122)에 의하여 트렌치(110)가 정의되고, 제1, 제2격벽(121)(122)의 외측에 제1, 제2분리 홈(131)(132)이 위치된 기판(100)이 제조된다.
[잉크 액적의 형성]
다음으로, 도 1에 도시된 잉크젯 프린팅 장치(1)를 이용하여 트렌치(110)에 잉크를 토출하는 공정이 수행된다. 잉크는 트렌치(110)를 충분히 채울 수 있는 양이 토출된다. 예를 들어, 잉크젯 헤드(2)를 트렌치(110)의 길이방향으로 왕복 이동시키면서 트렌치(110)에 잉크를 토출할 수 있다. 그러면, 도 3a에 도시된 바와 같이 트렌치(110)에 잉크가 채워진다. 도 3a을 참조하면, 잉크는 그 표면 장력에 의하여 트렌치(110)에 채워진 후에 제1, 제2격벽(121)(122)의 상면(121b)(122b)까지 적시는 액적 형태가 된다.
도 4a를 참조하면, 액체를 고체의 수평면에 놓으면 일정한 렌즈 모양을 유지하는 액적이 되는 경우가 있다. 이때의 액적의 표면은 곡면이 되는데, 고체와 액적이 접촉하는 접촉점에서 액적의 표면으로 그은 접선이 고체의 표면과 이루는 각도를 접촉각(Θ)이라 한다. 접촉각(Θ)은 일반적으로 액체와 고체의 종류에 따라 결정되는데, 접촉각(Θ)이 클수록 액체는 고체에 대하여 비친화적(phobic)이며, 접촉각(Θ)이 작을수록 액체는 고체에 대하여 친화적(philic)이다. 고체와 액체의 표면 에너지의 차이가 클수록 접촉각(Θ)이 커진다. 접촉각(Θ)이 크면 고체의 표면에서 액체가 퍼져서 고체 표면을 적시는 젖음(wetting)이 잘 발생되지 않으며, 도 4b에 도시된 바와 같이 고체 표면에서 액체는 액적의 형태로 뭉쳐진다. 따라서, 인접하는 액적끼리 서로 잘 합쳐지지 못하며, 인접하는 액적 사이에 간격이 생길 수 있다. 접촉각(Θ)이 작으면 도 4c에 도시된 바와 같이 액체는 고체의 표면을 따라 퍼져서 인접하는 액적끼리 서로 합쳐지며, 고체의 표면을 적시게 된다.
트렌치(110)에 토출할 수 있는 잉크의 양은 기판(100)과 잉크와의 접촉각에 의존된다. 다시 말하면, 잉크의 양은 트렌치(110)를 채운 후에 기판(100)의 상면(101)에까지 토출된 잉크가 기판(100)의 상면(101)을 따라 퍼지지 않고 액적 형태를 유지할 수 있는 한도까지이다. 이 양을 넘어서면 잉크는 기판(100)의 상면(101)을 따라 흘러서 불균일한 배선의 요인이 될 수 있으며, 인접하는 트렌치(미도시)에 토출된 잉크와 만나게 되면 단락(short)의 원인이 될 수 있다. 도 3b를 참조하면, 제1, 제2격벽(121)(122) 및 제1, 제2분리 홈(131)(132)이 없는 경우에, 트렌치(110)의 용적을 넘어서 토출된 잉크는 기판(100)의 상면(101)과 접촉각을 A1을 이루는 액적 형태가 된다. 즉, 기판(100)의 상면(101)을 따라 잉크가 번지지 않는 한도 내에서 트렌치(110)에 토출될 수 있는 잉크의 양은 도 3b에 도시된 액적 형태에 한정된다. 더 많은 잉크를 토출하면, 잉크는 기판(100)의 상면(101)을 따라서 접촉각 A1을 유지하면서 퍼지게 된다. 접촉각을 크게 할 수 있다면 더 큰 액적을 형성할 수 있다. 그러나, 접촉각은 전술한 바와 같이 기판(100)과 잉크의 표면 에너지의 차이에 의하여 결정되는 것이므로 이를 크게 하는 데에는 한계가 있다.
본 실시예의 도전성 패턴 형성 방법에 따르면, 제1, 제2격벽(121)(122)과 제1, 제2분리 홈(131)(132)을 형성함으로써, 기판(100)과 잉크 액적의 경계에서의 피닝(pinning) 현상을 유발하여, 접촉각을 크게 하는 효과를 얻을 수 있다. 도 3c를 참조하면, 잉크가 토출되면, 제1, 제2격벽(121)(122)의 내측면(121a)(122a)에 의하여 둘러싸인 트렌치(110)의 내부에 잉크가 토출되어 제1, 제2격벽(121)(122)의 상면(121b)(122b)과 접촉각 A1을 이루는 잉크 액적이 형성된다. 잉크가 계속하여 토출되면, 잉크 액적(C1)은 상면(121b)(122b)과 접촉각 A1을 유지하면서 외측으로 퍼지며, 제1, 제2격벽(121)(122)의 제1, 제2분리 홈(131)(132)에 인접한 외측면(121c)(122c)과 상면(121b)(122b)의 경계(121d)(122d)에까지 퍼져서 잉크 액적(C2)가 형성된다. 그런데, 경계(121d)(122d)에서 접촉각의 피닝이 발생되어 접촉각의 기준이 상면(121b)(122b)에서 외측면(121c)(122c)을 이행된다. 이에 의하여 접촉각은 A1에서 A2로 변화되며, 경계(121d)(122d)에서 상면(121b)(122b)과의 접촉각 A2를 이루는 잉크 액적(C3)이 형성된다. 상면(121b)(122b)과 외측면(121c)(122c)이 이루는 각도를 B1이라 하면, 피닝 후의 접촉각 A2는 A1 + (180°-B1)이 되어 (180°-B1)만큼의 접촉각 증가 효과를 얻을 수 있다. 이와 같이, 상면(121b)(122b)과 외측면(121c)(122c)과의 경계(121d)(122d)에서의 접촉각의 피닝을 유발함으로써, 잉크의 번짐없이 많은 양의 잉크를 트렌치(110)에 토출할 수 있다. 즉, 트렌치(100)의 깊이를 증가시키지 않고도 많은 양의 잉크를 트렌치(110)에 토출할 수 있다.
[건조 및 소성]
예를 들어, 상온에서 수 시간 정도 유지하여 자연건조시킬 수 있다. 또한, 빠른 건조를 위하여 건조 온도를 상온 이상으로 유지할 수도 있다. 건조 공정에 의하여 용매가 증발되면서 잉크 액적은 자연스럽게 수축하며, 도 3d에 도시된 바와 같이 트렌치(110) 내에는 도전성 입자 만이 남는다. 건조 후에 소성 공정이 수행된다. 예를 들어, 소성 공정은 전기로를 이용하여 약 500~700℃ 분위기에서 약 1분간 수행될 수 있다. 다만, 건조와 소성의 조건은 일 예에 지나지 않는다. 건조와 소성의 조건은 기판(100) 및 잉크의 재질을 고려하여 적절히 선정될 수 있다.
<실험예1>
잉크: 은(Ag) 나노 입자, 7.5입자 vol%
트렌치: 3.5㎛(depth)×3㎛(width)
소결조건: 500~700℃, 1분 이내
비교예로서, 도 3b에 도시된 구조의 트렌치(110)에 140fl(fempto-liter)의 잉크 액적을 20㎛ 간격으로 12회 프린팅 후에 소결하여, 트렌치(110) 내에 약 1.54㎛ 두께의 도전성 패턴을 얻었다. 실시예로서, 도 3a 및 도 3c에 도시된 구조의 트렌치(110)에 130fl(fempto-liter)의 잉크 액적을 4~6㎛ 간격으로 6회 프린팅 후에 소결하여, 트렌치(110) 내에 약 2.81㎛ 두께의 도전성 패턴을 얻었다. 이와 같이, 접촉각의 피닝을 이용한 본 실시예에 따르면, 잉크의 퍼짐을 최소화하면서 트렌치(110)에 더 많은 잉크를 토출할 수 있으므로 균일하고 두꺼운 도전성 패턴을 얻을 수 있다.
<실험예2>
잉크: 은(Ag) 나노 입자, 7.5입자 vol%
트렌치: 3.5㎛(depth)×3㎛(width)
소결조건: 600~700℃, 1분 이내
비교예로서, 도 3b에 도시된 구조의 트렌치(110)에 220fl(fempto-liter)의 잉크 액적을 20㎛ 간격으로 20회 프린팅(220fl/㎛) 후에 소결하여, 트렌치(110) 내에 약 1.06㎛ 두께의 도전성 패턴을 얻었다. 실시예로서, 도 3a 및 도 3c에 도시된 구조의 트렌치(110)에 160fl(fempto-liter)의 잉크 액적을 24㎛ 간격으로 8회 프린팅(53fl/㎛) 후에 소결하여, 트렌치(110) 내에 약 1.12㎛ 두께의 도전성 패턴을 얻었다. 이와 같이, 접촉각의 피닝을 이용한 본 실시예에 따르면, 잉크의 퍼짐을 최소화함으로써, 적은 양의 잉크로 비교예와 동등한 두께의 도전성 패턴을 얻을 수 있다.
제1, 제2분리 홈(131)(132)의 폭(Pd)이 너무 작으면 잉크가 제1, 제2분리 홈(131)(132)을 넘어서 퍼질 수 있다. 이는 도전성 패턴의 폭의 균일성을 저하시킬 수 있으며, 인접하는 다른 도전성 패턴과의 단락을 유발할 수 있다. 제1, 제2격벽(121)(122)의 폭이 작으면 잉크 양의 증가 효과가 줄어들고, 잉크가 제1, 제2분리 홈(131)(132)을 넘어서 퍼질 가능성이 커진다. 제1, 제2격벽(121)(122)의 폭이 너무 크면 잉크가 퍼지는 영역이 넓어져서 건조 과정에서 도전성 입자가 트렌치(110)로 들어가지 못하고 제1, 제2격벽(121)(122)의 상면(121b)(122b)에 남아서 도전성 패턴의 형태가 불균일해질 수 있다.
도 5에는 제1, 제2격벽(121)(122)의 폭(Pw)dml 제1,제2분리 홈(131)(132)의 폭(Pd)에 대한 비 Pw/Pd와 트렌치(110)에 형성될 수 있는 잉크 액적의 최대 폭과의 관계를 시뮬레이션한 결과를 도시한 그래프이다.
<조건>
기판과 잉크와의 접촉각: 53°
잉크의 표면 장력: 22mN/m,
트렌치(110)의 폭과 깊이: 3㎛
토출되는 잉크의 직경: 8㎛
도 5를 참조하면, Pw/Pd가 약 0.7보다 작아지면 잉크 액적의 최대 폭이 급격히 증가됨을 알 수 있다. 이는 제1, 제2격벽(121)(122)의 폭이 너무 작으면 잉크가 제1, 제2분리 홈(131)(132)을 넘어서 급격히 퍼진다는 것을 의미한다. Pw/Pd가 약 1.3을 넘어서면 잉크 액적의 최대 폭이 역시 급격히 증가된다. 이는, 제1, 제2격벽(121)(122)의 상면(121b)(122b)을 따라 잉크가 넓게 퍼진다는 것을 의미한다. 잉크 액적의 최대 폭이 터진다는 것은 건조 및 소결 후의 도전성 패턴의 두께가 얇아진다는 점과, 도전성 패턴의 폭이 커진다는 것을 의미한다. 그러므로, Pw/Pd를 약 0.7~1.3정도로 선정함으로서 미세 선폭을 가지는 두꺼운 도전성 패턴을 형성할 수 있다. 이는 다른 말로 하면, 제1, 제2격벽(121)(122)의 외측으로 적어도 Pw의 약 0.8~1.4배의 거리 이내에는 제1, 제2격벽(121)(122)과 동등한 높이의 다른 구조물이 없어야 한다는 것을 의미한다.
트렌치(110)의 구조는 도 2a에 도시된 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 7a에 도시된 바와 같이, 제1, 제2격벽(121)(122)의 외측에 상술한 Pw의 약 0.8~1.4배의 거리 이내에는 제1, 제2격벽(121)(122)과 동등한 높이의 다른 구조물이 없는 형태도 가능하다. 즉, 제1, 제2격벽(121)(122)은 내측면(121a)(122a), 상면(121b)(122b), 및 외측면(121c)(122c)이 정의될 수 있는 형태이면 족하다.
또한, 도 7b에 도시된 바와 같이 트렌치(110)의 깊이는 제1, 제2분리 홈(131)(132)의 깊이보다 깊을 수 있다. 이에 의하여, 더 많은 잉크를 토출할 수 있어 두꺼운 도전성 패턴을 형성하는 데에 유리하다.
또한, 도 7c에 도시된 바와 같이, 격벽(121-1)(121-2)(122-1)(122-2)과 분리 홈(131-1)(131-2)(132-1)(132-2)이 형성될 수도 있다. 이 경우 가장 내측의 격벽(121-1)(122-1)에 의하여 트렌치(110)가 정의된다. 격벽(121-1)(121-2)은 분리 홈(131-1)에 의하여 단절된다. 마찬가지로 격벽(122-1)(122-2)은 분리 홈(132-1)에 의하여 서로 단절된다. 잉크는 분리 홈(131-1)(132-1)을 채우지 않고 가장 외측에 위치된 격벽(121-2)(122-2)의 상면과 외측면의 경계에서 접촉각의 피닝이 발생된다. 따라서, 더 많은 잉크를 트렌치(110)에 토출할 수 있어 도전성 패턴의 두께를 증가시킬 수 있다. Pw/Pd를 약 0.7~1.3정도로 선정하는 조건은 외측에 위치된 격벽(121-2)(122-2)의 폭(Pw)과 외측에 위치되는 분리 홈(131-2)(132-2)의 폭(Pd)에 적용될 수 있다.
가능한 한 큰 접촉각을 얻기 위하여, 잉크를 토출하는 단계를 수행하기 전에 적어도 제1, 제2격벽(121)(122)의 상면(121b)(122b)과 외측면(121c)(122c)에 도 6에 도시된 바와 같은 잉크 비친화성 물질층(140)을 형성할 수 있다. 잉크 비친화성 물질층(140)은 기판(100)의 재질과 잉크의 물성을 고려하여 선정될 수 있다. 잉크 비친화성 물질층(140)은 자기조립단막층(SAM: Self-Assembled Monolayer) 일 수 있으며, 불소 성분을 포함하는 유기막층일 수 있다. 자기조립단막층을 형성하는 자기조립물질은 예를 들어 유기실리콘 화합물에 의하여 형성될 수 있다. 유기실리콘 화합물은 예를 들어 RSiX3로 표시되는 화ㅎ합물일 수 있다. 여기서, X는 할로겐 또는 알콕시기이고, R은 n-알킬기(n-CnH2n+1), 예를 들어 n-알킬트리크롤로실란, n-알킬트리알콕시실란 등의 n-알킬실란(n-alkylsilane)일 수 있다. 소수성 층(300)은 자기조립물질 또는 불소 성분이 포함된 유기물질을 딥 코팅, 스핀 코팅 등의 공정에 의하여 기판(100)에 도포함으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 자기조립물질 또는 불소 성분이 포함된 유기물질을 용매와 혼합하여 용액을 형성하고, 이 용액에 기판(100)을 노출시킬 수 있다. 잉크 비친화성 물질층(140)을 용이하게 형성하기 위하여, 기판(100)의 표면 상의 이물질을 제거하는 공정이 먼저 수행될 수 있다. 이 이물질을 제거하는 공정은 예를 들어, 원자외선(deep UV), 자외선 오존(UV-ozone), 산소 플라즈마, 아르곤 플라즈마를 조사함으로써 수행될 수 있다.
상술한 실시예에서는 기판(100)을 식각하여 제1, 제2격벽(121)(122)과 제1, 제2분리 홈(131)(132)을 형성하는 예에 관하여 설명하였으나, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1, 제2격벽(121)(122)과 제1, 제2분리 홈(131)(132)은 기판(100) 상에 감광성 수지층(예를 들어, 포토레지스트층)을 형성하고, 이 감광성 수지층을 식각하는 방식에 의하여 형성될 수도 있다.
도 8a에 도시된 바와 같이 기판(100)의 상면(101)에 감광성 수지층(400)을 형성한다. 감광성 수지층(400)은 예를 들어 네가티브 또는 포지티브 포토 레지스트층일 수 있다. 감광성 수지층(400)을 예를 들어 광리소그래피법에 의하여 패터닝하여 도 8b에 도시된 바와 같이 트렌치(110)를 정의하는 제1, 제2격벽(121)(122)과, 그 외측에 제1, 제2분리 홈(131)(132)을 형성할 수 있다. 또한, 큰 접촉각을 얻기 위하여, 적어도 제1, 제2격벽(121)(122)의 상면(121b)(122b)과 외측면(121c)(122c)에 잉크 비친화성 물질층(140)을 형성할 수도 있다. 건조 공정 후에 소성 공정을 진행하기 전에 감광성 수지층(400)을 제거할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들어 산소 플라즈마를 조사하여 잉크 비친화성 물질층(140)을 제거하고 아세톤을 이용하여 감광성 수지층(400)을 제거할 수 있다. 도 7a 내지 도 7c에 도시된 구조 역시 감광성 수지층의 식각 공정에 의하여 형성될 수 있음을 당업자라면 알 수 있을 것이다.
이상 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명했지만, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
100... 기판 110...트렌치
121, 122...제1, 제2격벽 131, 132...제1, 제2분리 홈
121a, 122a...내측면 121b, 122b...상면
121c, 122c...외측면 121d, 122d...상면과 외측면의 경계
140...잉크 비친화성 층 200...마스크 층
300...포토레지스트 층 400...감광성 수지층
A1, A2...접촉각

Claims (13)

  1. 기판 상에 서로 이격된 제1, 제2격벽을 형성하여 상기 제1, 제2격벽 사이에 도전성 패턴이 형성될 트렌치를 정의하는 단계;
    상기 트렌치에 도전성 입자가 포함된 잉크를 토출하여, 상기 제1, 제2격벽의 상면과 외측면의 경계에서 피닝된 잉크 액적을 형성하는 단계;
    건조 및 소결 공정에 의하여 상기 트렌치에 도전성 입자에 의한 도전성 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 도전성 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1, 제2격벽의 외측에 몰입된 제1, 제2분리 홈을 형성하는 단계;를 더 구비하는 도전성 패턴 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1, 제2격벽의 폭을 Pw, 상기 제1, 제2분리 홈의 폭을 Pd라 하면, Pw/Pd는 0.7~1.3인 도전성 패턴 형성 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1, 제2격벽은 각각 복수의 상기 제1, 제2분리 홈에 의하여 구분된 복수의 격벽을 포함하며,
    상기 잉크 액적의 피닝은 가장 외측에 위치된 격벽의 상면과 외측면의 경계에서 일어나는 도전성 패턴 형성 방법.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 잉크 액적을 형성하기 전에, 적어도 상기 제1, 제2격벽의 상면과 외측면에 잉크 비친화성 물질층을 형성하는 단계;를 더 구비하는 도전성 패턴 형성 방법.
  6. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1, 제2격벽과 상기 제1, 제2분리 홈은 상기 기판을 식각하여 형성하는 도전성 패턴 형성 방법.
  7. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1, 제2격벽과 상기 제1, 제2분리 홈은 상기 기판 상에 감광성 수지층을 형성하고 상기 감광성 수지층을 식각하여 형성하는 도전성 패턴 형성 방법.
  8. 기판 상에, 서로 이격되어 트렌치를 정의하는 내측면과, 상기 내측면의 상측 가장자리로부터 횡방향으로 연장된 상면과, 상기 상면의 외측 단부로부터 하방으로 연장된 외측면을 구비하는 격벽을 형성하는 단계;
    상기 트렌치에 도전성 입자가 포함된 잉크를 토출하여, 상기 상면과 상기 외측면의 경계에서 피닝된 잉크 액적을 형성하는 단계;
    건조 및 소결 공정에 의하여 상기 트렌치에 도전성 입자에 의한 도전성 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 도전성 패턴 형성 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 격벽의 외측에 오목한 분리 홈을 형성하는 단계;를 더 구비하는 도전성 패턴 형성 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 격벽의 폭을 Pw, 상기 분리 홈의 폭을 Pd라 하면, Pw/Pd는 0.7~1.3인 도전성 패턴 형성 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 잉크 액적을 형성하기 전에, 적어도 상기 제1, 제2격벽의 상면과 외측면에 잉크 비친화성 물질층을 형성하는 단계;를 더 구비하는 도전성 패턴 형성 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 격벽과 상기 분리 홈은 상기 기판을 식각하여 형성하는 도전성 패턴 형성 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 격벽과 상기 분리 홈은 상기 기판 상에 감광성 수지층을 형성하고 상기 감광성 수지층을 식각하여 형성하는 도전성 패턴 형성 방법.
KR1020120132604A 2012-11-21 2012-11-21 잉크젯 프린팅 기법을 이용한 도전성 패턴 형성 방법 KR20140090275A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120132604A KR20140090275A (ko) 2012-11-21 2012-11-21 잉크젯 프린팅 기법을 이용한 도전성 패턴 형성 방법
US13/904,167 US20140138345A1 (en) 2012-11-21 2013-05-29 Methods of forming conductive patterns using inkjet printing methods

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120132604A KR20140090275A (ko) 2012-11-21 2012-11-21 잉크젯 프린팅 기법을 이용한 도전성 패턴 형성 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140090275A true KR20140090275A (ko) 2014-07-17

Family

ID=50726942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120132604A KR20140090275A (ko) 2012-11-21 2012-11-21 잉크젯 프린팅 기법을 이용한 도전성 패턴 형성 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20140138345A1 (ko)
KR (1) KR20140090275A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160059086A (ko) * 2014-11-17 2016-05-26 (주)뉴옵틱스 터치 패널, 터치 패널의 제조 장치 및 방법
KR20230173412A (ko) 2022-06-17 2023-12-27 성균관대학교산학협력단 2차원 물질 분산액을 이용하여 잉크젯 프린팅된 반도체 소자 및 이의 제조방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3317753B1 (en) * 2015-06-30 2022-11-02 3M Innovative Properties Company Patterned overcoat layer
US11613070B2 (en) 2016-02-23 2023-03-28 Xerox Corporation System and method for building three-dimensional printed objects with materials having different properties

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6677243B2 (en) * 2000-06-02 2004-01-13 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing optical element
JP2004351272A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Seiko Epson Corp 薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
DE602005025074D1 (de) * 2004-12-08 2011-01-13 Samsung Mobile Display Co Ltd Methode zur Herstellung einer Leiterstruktur eines Dünnfilmtransistors
GB0618698D0 (en) * 2006-09-22 2006-11-01 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device fabrication methods and structures
US8530589B2 (en) * 2007-05-04 2013-09-10 Kovio, Inc. Print processing for patterned conductor, semiconductor and dielectric materials
US8802568B2 (en) * 2012-09-27 2014-08-12 Sensirion Ag Method for manufacturing chemical sensor with multiple sensor cells
US11371951B2 (en) * 2012-09-27 2022-06-28 Sensirion Ag Gas sensor comprising a set of one or more sensor cells
US9609755B2 (en) * 2013-01-17 2017-03-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanosized particles deposited on shaped surface geometries

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160059086A (ko) * 2014-11-17 2016-05-26 (주)뉴옵틱스 터치 패널, 터치 패널의 제조 장치 및 방법
KR20230173412A (ko) 2022-06-17 2023-12-27 성균관대학교산학협력단 2차원 물질 분산액을 이용하여 잉크젯 프린팅된 반도체 소자 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20140138345A1 (en) 2014-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100910977B1 (ko) 패턴의 형성 방법, 및 액정 표시 장치의 제조 방법
JP6389035B2 (ja) インクジェット・プリンティング装置及びノズル形成方法
JP4325343B2 (ja) 膜形成方法およびデバイス製造方法
KR20140090275A (ko) 잉크젯 프린팅 기법을 이용한 도전성 패턴 형성 방법
EP2879879A1 (en) Nozzle plate, method of manufacturing nozzle plate, inkjet head, and inkjet printing apparatus
JP4096868B2 (ja) 膜形成方法、デバイス製造方法および電気光学装置
US9018036B2 (en) Methods of forming patterns on a substrate
KR101968635B1 (ko) 잉크젯 프린팅을 이용한 배선 형성 방법
US9295161B2 (en) Method of forming electric wiring using inkjet printing and inkjet printing apparatus
KR100733058B1 (ko) 박막 패턴 형성 기판, 디바이스의 제조 방법, 전기 광학장치 및 전자 기기
KR101678670B1 (ko) 박막트랜지스터 및 어레이 박막트랜지스터의 제조방법
US8268725B2 (en) Horizontal coffee-stain method using control structure to pattern self-organized line structures
KR101093496B1 (ko) 소수성 용액 주입을 이용한 패터닝 방법
JP2006196753A (ja) 回路基板の製作方法
RU2422289C1 (ru) Способ изготовления головки для выпуска жидкости
JP4480517B2 (ja) 薄膜パターン形成用基板、薄膜パターン形成基板の製造方法及び薄膜パターン形成基板
TW201503355A (zh) 製造有機電致發光裝置之方法
JP4258648B2 (ja) 多層配線基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、および電子機器の製造方法
KR20140066492A (ko) 잉크젯 프린팅 기법을 이용하여 도전성 패턴을 형성하는 방법
JP2008028292A (ja) 配線形成用基板、配線の形成方法、及びプラズマディスプレイの製造方法
KR101249767B1 (ko) 평탄화된 노즐 표면을 갖는 액적 토출 헤드 및 그의 제조방법
JP5728947B2 (ja) アライメントマーク形成方法、ノズル基板形成方法、ノズル基板および液滴吐出ヘッド
Lee et al. Numerical Study of Metal Ink Behavior on the Wettability Pattern for Conductive Line Inkjet-Printing with Lattice Boltzmann Approach
KR101233100B1 (ko) 액적 토출 장치
JP2008282967A (ja) 微細構造の加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid