RU2422289C1 - Способ изготовления головки для выпуска жидкости - Google Patents
Способ изготовления головки для выпуска жидкости Download PDFInfo
- Publication number
- RU2422289C1 RU2422289C1 RU2010124843/12A RU2010124843A RU2422289C1 RU 2422289 C1 RU2422289 C1 RU 2422289C1 RU 2010124843/12 A RU2010124843/12 A RU 2010124843/12A RU 2010124843 A RU2010124843 A RU 2010124843A RU 2422289 C1 RU2422289 C1 RU 2422289C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- etching
- silicon substrate
- substrate
- insulating layer
- holes
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 114
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 79
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 79
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 42
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 59
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 21
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 21
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 19
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010327 methods by industry Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
- B41J2/1603—Production of bubble jet print heads of the front shooter type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1628—Manufacturing processes etching dry etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1629—Manufacturing processes etching wet etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
Способ изготовления подложки для головки для выпуска жидкости, содержащей кремниевую подложку и впускной канал, включает: создание кремниевой подложки, содержащей изолирующий слой на первой поверхности и слой маски с отверстиями для травления на другой поверхности подложки, причем изолирующий слой расположен в участке, продолжающемся из положения напротив отверстий до положения напротив участка между соседними отверстиями слоя маски; и образование отверстий посредством вытравливания части кремния кремниевой подложки, так что вытравленный участок достигает участка изолирующего слоя напротив отверстий. Кремниевую перегородку, расположенную между соседними отверстиями, подвергают травлению таким образом, что участок на ее первой поверхности может быть тоньше, чем участок на ее второй поверхности. Технический результат: повышение механической прочности изготовленной данным способом головки для выпуска жидкости и повышение эффективности повторного заполнения головки жидкостью. 4 з.п. ф-лы, 35 ил.
Description
ПРЕДПОСЫЛКИ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к способу изготовления головки для выпуска жидкости, которая выпускает жидкость.
Описание уровня техники
В качестве одного примера способа изготовления головки для выпуска жидкости, выложенная патентная заявка Японии № Н10-138478 раскрывает способ анизотропного травления кремниевой подложки, имеющей поверхностную ориентацию (110) для образования множества впускных отверстий, которыми являются сквозные отверстия в кремниевой подложке, и одновременного использования части кремния, оставленной между впускными отверстиями в виде балочного элемента. Можно считать, что посредством обеспечения данного балочного элемента решается проблема снижения прочности, обусловленная сквозными отверстиями, расположенными в кремниевой подложке.
Однако в вышеописанном способе балочные элементы, имеющие одинаковую ширину, отделяют множество впускных отверстий друг от друга на участках, продолжающихся от задней поверхности кремниевой подложки до ее передней поверхности. Таким образом, вследствие наличия балочного элемента невозможно в достаточной степени гарантировать объем части с впускными отверстиями, и повторное заполнение жидкости может стать недостаточным.
Краткая сущность изобретения
Поэтому целью настоящего изобретения является создание способа изготовления подложки, которая может быть использована для головки для выпуска жидкости, обладающей повышенной механической прочностью и эффективностью повторного заполнения.
Способ изготовления подложки для головки для выпуска жидкости с использованием кремниевой подложки, содержащей элемент генерирования энергии, который генерирует энергию, используемую для выпуска жидкости, на стороне первой поверхности, и впускное отверстие для подачи жидкости к элементу генерирования энергии, включает следующие этапы в указанном порядке: создание кремниевой подложки, содержащей изолирующий слой, состоящий из изолирующего материала, на первой поверхности и слой маски для травления, содержащий множество отверстий, на второй поверхности, которой является задняя поверхность упомянутой первой поверхности, причем изолирующий слой расположен на участке, продолжающемся из положения напротив отверстий до положения напротив участка между соседними отверстиями слоя маски; и образование отверстий, которые должны быть впускными отверстиями, соответствующими множеству соседних отверстий, посредством вытравливания части кремния кремниевой подложки из множества отверстий с использованием технологии реактивного ионного травления, так что вытравленный участок достигает участка изолирующего слоя напротив отверстий, при использовании слоя маски для травления в качестве маски, причем кремниевую перегородку, расположенную между соседними отверстиями, вытравляют с использованием технологии реактивного ионного травления таким образом, что участок на стороне ее первой поверхности может стать тоньше, чем участок на стороне ее второй поверхности.
В соответствии с настоящим изобретением можно изготовить подложку для головки для выпуска жидкости, обладающую повышенной механической прочностью и эффективностью повторного заполнения.
Другие признаки настоящего изобретения станут понятными из приведенного ниже описания примерных вариантов осуществления со ссылкой на прилагаемые чертежи.
Краткое описание чертежей
Фиг.1А, 1В, 1С, 1D, 1E, 1F, 1G и 1H представляют собой схематичные виды в разрезе, иллюстрирующие один пример процесса изготовления подложки для головки для выпуска жидкости в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.2 представляет собой схематичный вид, иллюстрирующий состояние в процессе изготовления подложки для головки для выпуска жидкости в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.3 представляет собой схематичный вид, иллюстрирующий состояние в процессе изготовления подложки для головки для выпуска жидкости в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.4А, 4В, 4С, 4D, 4E, 4F, 4G и 4H представляют собой схематичные виды в разрезе, иллюстрирующие один пример процесса изготовления подложки для головки для выпуска жидкости в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.5 представляет собой схематичный вид, иллюстрирующий состояние в процессе изготовления подложки для головки для выпуска жидкости в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.6 представляет собой схематичный вид, иллюстрирующий состояние в процессе изготовления подложки для головки для выпуска жидкости в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.7А, 7В, 7С, 7D, 7E, 7F, 7G и 7H представляют собой схематичные виды в разрезе, иллюстрирующие один пример процесса изготовления подложки для головки для выпуска жидкости в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.8 представляет собой схематичный вид в разрезе, иллюстрирующий один пример процесса изготовления подложки для головки для выпуска жидкости в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.9 представляет собой вид в разрезе для описания явления образования углублений, которое имеет место на этапе сухого травления.
Фиг.10 представляет собой схематичный перспективный вид, иллюстрирующий один пример головки для выпуска жидкости в соответствии с настоящим изобретением.
Фиг.11 представляет собой схематичный вид в разрезе, иллюстрирующий один пример головки для выпуска жидкости в соответствии с настоящим изобретением.
Фиг.12 представляет собой схематичный вид в разрезе, иллюстрирующий один пример головки для выпуска жидкости в соответствии с настоящим изобретением.
Фиг.13 представляет собой схематичный вид в разрезе, иллюстрирующий один пример головки для выпуска жидкости в соответствии с настоящим изобретением.
Фиг.14А и 14В представляют собой схематичные виды в разрезе для описания состояния на этапе травления.
Описание вариантов осуществления
Ниже будут подробно описаны предпочтительные варианты осуществления настоящего изобретения в соответствии с прилагаемыми чертежами.
Настоящее изобретение обеспечивает способ изготовления подложки для головки для выпуска жидкости, которая содержит множество каналов для подачи жидкости, образованных в кремниевой подложке, и балочные элементы, которые выполнены из материала кремниевой подложки и образованы между соседними каналами для подачи жидкости. Множество каналов для подачи жидкости образовано в продольном направлении подложки. Балочный элемент выполнен с возможностью соединения длинных сторон подложки друг с другом. Поскольку в каналах для подачи жидкости расположен балочный элемент, можно устранить деформацию подложки и можно уменьшить смещение выпускных отверстий. Балочный элемент может также увеличить механическую прочность и может устранить повреждения при перемещении и установке.
Вышеописанный балочный элемент выполнен как бы опущенным в кремниевую подложку. Другими словами, балочный элемент выполнен с возможностью содержания зазора от поверхности кремниевой подложки, и верхняя часть балочного элемента и поверхность кремниевой подложки образуют проход. Поскольку балочный элемент выполнен как бы опущенным в кремниевую подложку, можно повысить эффективность повторного заполнения головки для выпуска жидкости. Следовательно, головка для выпуска жидкости, содержащая подложку, изготовленную в соответствии с настоящим изобретением, способна надлежащим образом печатать знаки и может фиксировать знаки с высокой точностью и с высокой скоростью.
В настоящем изобретении множество каналов для подачи жидкости образуют посредством операции травления кремниевой подложки с задней поверхности до тех пор, пока вытравленное отверстие достигает слоя прекращения травления (в дальнейшем в данном документе также называемого изолирующим слоем), обладающего изолирующими свойствами, с использованием технологии реактивного ионного травления. Затем образуют балочный элемент посредством операции дополнительного образования углублений и удаления части кремниевой подложки в нижней стороне слоя прекращения травления, обладающего изолирующими свойствами, с использованием технологии реактивного ионного травления, чтобы вынудить соседние каналы для подачи жидкости сообщаться друг с другом.
В данном документе принцип настоящего изобретения будет описан ниже со ссылкой на фиг.9. На фиг.9 на поверхности кремниевой подложки 901 образован слой 902 прекращения травления, который имеет высокий коэффициент селективности травления к газу для травления и обладает изолирующими свойствами, такой как пленка оксида кремния и пленка нитрида кремния. Кроме того, на задней поверхности кремниевой подложки 901 образована маска 903 для травления, содержащая отверстие. Как проиллюстрировано на фиг.9, когда кремниевую подложку 901 подвергают травлению с ее задней поверхности с использованием технологии реактивного ионного травления, кремниевую подложку 901 вытравляют (в ней образуются углубления) по направлению к боковой поверхности в зоне контакта между кремниевой подложкой 901 и слоем 902 прекращения травления, обладающим изолирующими свойствами, благодаря электростатическому заряду, как проиллюстрировано на фиг.9. На фиг.9 показано пространство 904, которое образовано посредством удаления части кремниевой подложки благодаря образованию углубления.
В настоящем изобретении подложку прорывают, и балочный элемент образуется в результате применения данного принципа к кремниевой подложке. Ниже данный процесс будет описан более подробно. Кремниевую подложку подвергают травлению с ее задней поверхности по направлению к слою прекращения травления, обладающему изолирующими свойствами, с использованием технологии реактивного ионного травления, а затем подвергают травлению в поперечном направлении благодаря явлению, вызванному образованием углублений. Когда реакция травления в поперечном направлении продолжается дальше, соседние каналы для подачи жидкости соединяются друг с другом и образуется балочный элемент. Балочный элемент, который образуется в кремниевой подложке в соответствии с данным способом, имеет верхнюю часть, расположенную ниже, чем поверхность подложки, которая увеличивает площадь поперечного сечения проточного канала для жидкости. Таким образом, может быть уменьшено сопротивление потоку, и может быть сокращен период времени, необходимый для повторного заполнения жидкостью головки для выпуска жидкости.
Следовательно, способ в соответствии с настоящим изобретением позволяет легко образовать подложку для головки для выпуска жидкости, содержащую балочный элемент, верхняя часть которого расположена ниже, чем поверхность подложки.
Изолирующий слой расположен таким образом, что верхняя сторона кремниевой подложки между множеством каналов для подачи жидкости может быть удалена посредством явления образования углублений и соседние каналы для подачи жидкости могут соединяться друг с другом через образованное пространство. Кроме того, изолирующий слой может быть образован по меньшей мере на участках кремниевой подложки, один из которых соответствует верхней стороне участка, под которым образован балочный элемент, а другой из которых соответствует участку, на котором образован балочный элемент, в поверхностном отверстии канала для подачи жидкости, которое образовано в результате травления кремниевой подложки до тех пор, пока вытравленное отверстие достигает изолирующего слоя.
В настоящем изобретении желательно одновременно использовать также слой прекращения травления, обладающий электропроводностью. На фиг.9 был изображен пример, в котором слоем прекращения травления был изолирующий слой, однако когда слой прекращения травления (в дальнейшем в данном документе также называемый электропроводящим слоем) обладает электропроводностью, явления образования углублений не возникает. Другими словами, когда на поверхности кремниевой подложки имеется слой прекращения травления, выполненный из алюминия или золота, который вытравлен меньше, чем кремниевая подложка, и обладает высокой электропроводностью, не возникает электростатического заряда, обусловленного ионами, в зоне контакта подложки и слоя прекращения травления, обладающего электропроводностью, и не возникает явления образования углублений. Используя данный принцип, электропроводящий слой может быть образован на поверхности кремниевой подложки в том участке, в котором нежелательно возникновение явления образования углублений. Другими словами, предотвращается возникновение явления образования углублений в результате реактивного ионного травления в участке, в котором образован электропроводящий слой, и может быть вызвано явление образования углублений в участке, в котором образован изолирующий слой.
Канал для подачи жидкости и балочный элемент выполняют с высокой точностью посредством использования электропроводящего слоя и изолирующего слоя, и, таким образом, можно с высокой точностью регулировать расстояние (в дальнейшем в данном документе называемое расстоянием СН) между элементом генерирования энергии выпуска и каналом для подачи жидкости, который сообщается с проточным каналом для жидкости, что обеспечивает равномерность характеристик частоты выпуска.
Кроме того, отверстие канала подачи жидкости на задней поверхности подложки может быть выполнено с меньшим размером, чем размер корпуса, в котором данное отверстие канала подачи жидкости образовано с использованием обычной технологии анизотропного травления. Таким образом, более широкий участок может быть использован в качестве участка сцепления в упомянутой задней поверхности.
Ниже будут описаны примерные варианты осуществления настоящего изобретения со ссылкой на чертежи. Кроме того, в приведенном ниже описании подложка для головки для струйной печати может быть принята в качестве примера применения подложки для головки для выпуска жидкости, для описания. Однако объем настоящего изобретения не ограничен данной подложкой для головки для струйной печати, и настоящее изобретение может быть также применено к подложке, которая может быть использована для головки для выпуска жидкости применительно к изготовлению биокристалла и печатанию электронной схемы. Например, головка для выпуска жидкости, помимо головки для струйной печати, включает в себя головку для изготовления фильтра канала цветности.
Первый вариант осуществления
Прежде всего ниже будет описана подложка для головки для выпуска жидкости, изготовленная в соответствии с настоящим изобретением. Головка для струйной печати с использованием подложки, изготовленной в соответствии с настоящим изобретением, показана на фиг.10-13. Фиг.10 представляет собой перспективный вид головки для струйной печати, одна часть которой вырезана, а фиг.11 представляет собой вид в разрезе, выполненном вдоль линии А-А′, показанной на фиг.10. Фиг.12 представляет собой вид в разрезе, выполненном вдоль линии, параллельной линии А-А′, показанной на фиг.10, на участке, в котором образован балочный элемент. Фиг.13 представляет собой вид в разрезе, выполненном вдоль линии В-В′, показанной на фиг.10.
Головка для струйной печати содержит кремниевую подложку 1, в которой образовано множество элементов 14 генерирования энергии выпуска для генерирования давления для выпуска краски (капель), как проиллюстрировано на фиг.10-13. Кремниевая подложка 1 содержит полупроводниковую схему, включающую в себя транзистор для приведения в действие элемента 14 генерирования энергии выпуска, контактную площадку для электрического соединения печатающей головки со стенкой корпуса печатающего устройства и другими элементами, образованными на нем, но для упрощения на чертежах они не показаны. Подложка для головки для струйной печати включает в себя кремниевую подложку 1. Кремниевая подложка 1 содержит элемент 14 генерирования энергии выпуска, образованный на ней. Проточный канал 13 для краски сообщается с выпускным отверстием 15 и каналом 5 для подачи жидкости и выполнен при помощи слоя 11, образующего проточный канал (пластины с отверстием), содержащего выпускное отверстие 15. На кремниевой подложке 1 образовано множество каналов 5 для подачи краски в проточный канал 13 для краски с возможностью образования линии в продольном направлении, причем между каждым из каналов для подачи краски образованы балочные элементы 6. Балочный элемент 6 выполнен таким образом, что верхняя часть балочного элемента отступает вниз от поверхности кремниевой подложки (чтобы образовать проход).
Второй вариант осуществления
Ниже будет описан способ изготовления подложки для головки для выпуска жидкости в соответствии с настоящим изобретением со ссылкой на фиг.1А-3. В приведенном ниже описании будет описан пример, в котором слой, образующий проточный канал, и подобные элементы не выполнены на кремниевой подложке. Однако настоящее изобретение не ограничено данным конкретным примером, и слой, образующий проточный канал, и подобные элементы могут быть выполнены на кремниевой подложке. Другими словами, можно также рассматривать настоящее изобретение как способ изготовления головки для выпуска жидкости.
Фиг.1А-1Н представляют собой виды в разрезе для изображения состояния на каждом этапе способа изготовления подложки для головки для выпуска жидкости в соответствии со вторым вариантом осуществления настоящего изобретения, а фиг.1А-1D представляют собой виды в разрезе, соответствующие фиг.13, которая была описана выше. Кроме того, фиг.1Е-1Н представляют собой виды в разрезе задней поверхности 50 подложки 1. Фиг.2 представляет собой схематичный вид, иллюстрирующий размещение изолирующего слоя 2 и электропроводящего слоя 3, образованных на поверхности 51 кремниевой подложки 1.
Прежде всего на поверхности 51 кремниевой подложки 1 образуют изолирующий слой 2 и электропроводящий слой 3, как проиллюстрировано на фиг.1А и 1Е и фиг.2. Как проиллюстрировано на чертежах, изолирующий слой 2 и электропроводящий слой 3 выполнены на кремниевой подложке 1 таким образом, что верхняя часть участка, под которым образован балочный элемент, может содержать углубление. Изолирующий слой 2 образован по меньшей мере на верхних сторонах множества участков, под которыми образованы балочные элементы, на кремниевой подложке 1 вдоль продольного направления. Электропроводящий слой 3 образован на верхней стороне поверхности стенки канала для подачи жидкости, который образуют на последующем этапе, за исключением поверхности стенки, которая образует балочный элемент.
Материалы изолирующего слоя 2 включают в себя оксид кремния и нитрид кремния.
В качестве материала для электропроводящего слоя 3 можно использовать, например, Al, Ta, TiW, Au, Cu и подобные материалы.
Изолирующий слой 2 или электропроводящий слой 3 может быть выполнен с использованием хорошо известного способа изготовления объемной пленки посредством напыления или подобного способа и формирования рисунка на объемной пленке способом фотолитографии или подобным способом.
В данном случае, для того чтобы вызвать явление образования углублений в участке рядом с поверхностью 51 кремниевой подложки 1 и удалить кремний в соответствующем участке, желательно, чтобы изолирующий слой 2 был расположен в участке, который должен вытравляться посредством сухого травления, как проиллюстрировано на фиг.14А. Например, на фиг.14А, когда толщина кремниевой подложки 1 равна 625 мкм, величина Х может быть равной 4 мкм или более, предпочтительно, может быть равной 10 мкм или более и, более предпочтительно, может быть равной 15 мкм или более. В воздушном зазоре 52, образовавшемся посредством удаления кремния в результате сухого травления, изолирующий слой 2 выступает в участок, подвергающийся сухому травлению, в котором имеет место явление образования углублений под изолирующим слоем 2.
Кроме того, электропроводящий слой, желательно, выполнен так, чтобы доходить до внутренней стенки отверстия канала для подачи жидкости на поверхности подложки, как проиллюстрировано на фиг.14В, чтобы предотвратить явление образования углублений посредством электропроводящего слоя. Например, на фиг.14В величина Y может быть равной 4 мкм или, более предпочтительно, может быть равной 10 мкм или более и, еще более предпочтительно, может быть равной 15 мкм или более.
Затем, как проиллюстрировано на фиг.1В и 1F, на стороне задней поверхности 50 кремниевой подложки 1 образуют слой 4 маски для травления. Слой 4 маски для травления содержит отверстие 53, соответствующее отверстие канала для подачи жидкости на задней поверхности, и кремниевая поверхность, оставшаяся незащищенной из-за данного отверстия 53, становится первоначальной поверхностью реактивного ионного травления, осуществляемого на последующем этапе.
В вышеприведенном описании порядок этапа образования изолирующего слоя 2 и электропроводящего слоя 3 и этапа образования слоя 4 маски для травления не ограничен данным конкретным примером.
Затем, как проиллюстрировано на фиг.1С и 1G, кремниевую подложку 1 подвергают травлению со стороны ее задней поверхности с использованием технологии реактивного ионного травления до тех пор, пока вытравленное отверстие достигает изолирующего слоя 2 и электропроводящего слоя 3, при этом образуют множество отверстий 54, соответствующих каждому отверстию 53.
В данном случае технология реактивного ионного травления в соответствии с настоящим изобретением представляет собой технологию направленного травления с использованием ионов и способ принудительного столкновения частиц с участком, подвергающимся травлению, при образовании электрических зарядов. Технология реактивного ионного травления представляет собой способ травления подложки ускоренными ионами, и устройство состоит из источника плазмы, который создает ионы, и реакционной камеры, в которой ионы осуществляют травление подложки. Например, когда в качестве источника ионов используют устройство для сухого травления в индуктивно-связанной плазме (inductively coupled plasma - ICP), которое способно создавать плазму высокой плотности, тогда процессы нанесения покрытия и травления (другими словами, процессы осаждения/травления) осуществляют поочередно и канал для подачи жидкости образуется перпендикулярно подложке. В процессе осаждения/травления в качестве газа для травления может быть использован, например, газ SF6, а в качестве газа для нанесения покрытия может быть использован, например, газ C4F6. В настоящем изобретении канал для подачи жидкости может быть образован посредством технологии сухого травления с использованием устройства с источником ICP плазмы, но можно использовать устройство для сухого травления с другим типом источника плазмы. Например, можно также использовать устройство, содержащее источник ионов на основе электронного циклотронного резонанса (electron cyclotron resonance - ECR).
В качестве газа для реактивного ионного травления, предпочтительно, используют газ, содержащий атом фтора. Например, данный газ, предпочтительно, включает в себя по меньшей мере один из газа SF6, газа CF4, газа C4F8 и газа CHF3. Можно также использовать смесь данных газов.
Затем кремниевую подложку дополнительно подвергают травлению с использованием технологии реактивного ионного травления и нижнюю часть изолирующего слоя 2 кремниевой перегородки 55, которая отделяет отверстия 54 друг от друга, удаляют посредством эффекта образования углублений. Таким образом, перегородка 55 прорывается в приблизительно параллельном направлении относительно поверхности подложки.
Когда операцию реактивного ионного травления завершают в данном состоянии, в поверхности 51 подложки на стороне кремниевой перегородки 55 может образоваться углубление с возможностью направлять внутреннюю часть перегородки 55, как проиллюстрировано на фиг.8.
Когда операцию реактивного ионного травления продолжают дальше, соседние отверстия 53 соединяются друг с другом и образуются каналы 54 подачи, которые соединяются с возможностью образования одного канала и балочных элементов 6, как проиллюстрировано на фиг.1D и 1Н.
В данном случае, что касается условий реактивного ионного травления, то скорость потока газа SF6 может находиться в пределах от 50 до 1000 см3/мин, скорость потока газа C4F8 может находиться в пределах от 50 до 1000 см3/мин, и давление газов может находиться в пределах от 0,5 до 50 Па. Когда данные условия контролируются в данных диапазонах, явление образования углублений может вызываться более эффективно.
Ширина балочного элемента 6 (расстояние между каналами для подачи жидкости) может находиться в пределах, например, от 5 до 100 мкм и, предпочтительно, может находиться в пределах от 10 до 40 мкм. Когда данная ширина равна 20 мкм или меньше, соседние каналы для подачи жидкости могут более легко сообщаться друг с другом посредством эффекта образования углублений. Когда данная ширина равна 10 мкм или более, может быть эффективно повышена механическая прочность подложки.
Фиг.3 представляет собой схематичный вид, иллюстрирующий отверстие канала для подачи жидкости на поверхности кремниевой подложки, в которой в результате эффекта образования углублений образован балочный элемент. Участок, окруженный двумя штриховыми линиями, соответствует участку, в котором образован электропроводящий слой 3, и в данном участке явление образования углублений может быть предотвращено.
Изолирующий слой 2 и электропроводящий слой 3 можно удалить хорошо известным способом. Когда электропроводящий слой состоит, например, из Al, электропроводящий слой можно удалить при помощи жидкой смеси фосфорной кислоты, азотной кислоты и уксусной кислоты. При удалении изолирующего слоя открывается впускное отверстие 53.
Третий вариант осуществления
Ниже будет описан третий вариант осуществления в соответствии с настоящим изобретением со ссылкой на фиг.4А-6. Фиг.4А-4Н представляют собой виды в разрезе для изображения каждого процесса, фиг.4А-4D представляют собой виды в разрезе в продольном направлении в соответствии с фиг.13, которая была описана выше, и фиг.4Е-4Н представляют собой схематичные виды, если смотреть с нижней стороны подложки. Фиг.5 представляет собой схематичный вид, иллюстрирующий формы изолирующего слоя и электропроводящего слоя, которые образованы на поверхности кремниевой подложки.
Прежде всего, как проиллюстрировано на фиг.4А и 4Е и фиг.5, на кремниевой подложке 1 образуют изолирующий слой 2 и электропроводящий слой 3. Как проиллюстрировано на данных чертежах, изолирующий слой 2 и электропроводящий слой 3 образованы на кремниевой подложке 1 так, что только верхняя часть участка, под которым образован балочный элемент, может содержать углубление, и изолирующий слой 2 образован по меньшей мере на верхних сторонах множества участков, под которыми образованы балочные элементы, на кремниевой подложке 1. В изолирующем слое 3 образован прямоугольный электропроводящий слой 3. Электропроводящий слой 3 и отверстие 53 слоя 4 маски для травления расположены так, чтобы находиться напротив друг друга.
После этого могут выполняться этапы по аналогии с этапами в первом варианте осуществления. Фиг.6 представляет собой схематичный вид, иллюстрирующий отверстие канала для подачи жидкости на поверхности кремниевой подложки, в котором балочный элемент образуется в результате эффекта образования углублений. Участки, окруженные штриховыми линиями, соответствуют электропроводящему слою 3, и в соответствующих участках явление образования углублений может быть предотвращено. Как проиллюстрировано во втором и третьем вариантах осуществления, участок, в котором возникает явление образования углублений, может контролироваться посредством размещения электропроводящего слоя и изолирующего слоя.
Четвертый вариант осуществления
Фиг.7А-7G представляют собой схематичные виды процесса для изображения примера способа, после образования изолирующего слоя 2 и электропроводящего слоя 3, как описано в третьем варианте осуществления, для образования отверстия для подачи жидкости и балочного элемента в состоянии, в котором на них дополнительно образованы форма 10 проточного канала для жидкости и слой 11, образующий проточный канал.
Толщина кремниевой подложки 1 может находиться в пределах, например, от 200 до 725 мкм. Кроме того, может быть использована кремниевая подложка, имеющая ориентацию (100) кристаллов.
Прежде всего, как проиллюстрировано на фиг.7А, на кремниевой подложке 1 образуют изолирующий слой 2 и электропроводящий слой 3.
Пленка электропроводящего слоя 3 образуется посредством использования Al, Ta, TiW, Au или Cu и подобных материалов, и форма может быть выполнена посредством формирования рисунка. Способ образования пленки Al включает, например, способ напыления. Способ формирования рисунка включает: маскирование электропроводящего слоя 3 посредством процесса фотолитографии с использованием, например, позитивного резиста на основе новолаков и травление электропроводящего слоя 3 посредством использования жидкой смеси (например, под наименованием С-6, выпускаемой компанией Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) фосфорной кислоты, азотной кислоты и уксусной кислоты. Например, когда электропроводящий слой состоит из Та, пленку образуют посредством процесса напыления и электропроводящий слой удаляют посредством химического сухого травления (Chemical Dry Etching - CDE) после нанесения маски. Например, когда электропроводящий слой состоит из TiW, Au или Cu, то электропроводящий слой можно образовать способом нанесения гальванического покрытия, который включает: образование затравочного слоя; маскирование затравочного слоя резистом; гальваническое покрытие подложки. Электропроводящий слой можно также образовать способом формирования рисунка только на затравочном слое, таком как TiW.
В качестве материала изолирующего слоя 2 можно использовать оксид кремния, нитрид кремния и подобный материал. Например, пленка нитрида кремния может быть образована посредством химического осаждения из паровой фазы при низком давлении (Low Pressure Chemical Vapor Deposition - LPCVD), после того как электропроводящий слой образован вышеописанным способом. Затем может быть образован изолирующий слой 2 посредством процесса фотолитографии и реактивного ионного травления с использованием газа CF4. Когда изолирующий слой 2 состоит из оксида кремния, пленка может быть образована, например, способом плазмохимического осаждения из паровой фазы. Пленку можно удалить буферной фтористоводородной кислотой, после того как пленка образована способом плазмохимического осаждения из паровой фазы.
Затем полиметилизопропенилкетон, который является резистом, чувствительным к УФ-излучению, способный смываться, наносят в виде раствора на изолирующий слой 2 и электропроводящий слой 3 с использованием способа покрытия посредством центрифугирования, как проиллюстрировано на фиг.7В. Данный резист подвергают воздействию УФ-излучения и проявляют, чтобы образовать форму 10 проточного канала для жидкости.
Затем эпоксидный полимер типа катионной полимеризации, который является негативным резистом, наносят на форму 10 проточного канала для жидкости, чтобы образовать слой, образующий проточный канал (пластину с отверстием) 11, который образует проточный канал для жидкости. В данном негативном резисте может быть образовано выпускное отверстие (не показанное), подвергая негативный резист воздействию света через фотомаску, содержащую заданный рисунок, и проявляя экспонированный резист. Негативный резист, соответствующий участку контактной площадки, можно удалять таким же способом.
Затем, как проиллюстрировано на фиг.7С, на задней поверхности кремниевой подложки 1 образуют слой маски для травления. В качестве материала для слоя маски для травления может быть использован, например, позитивный резист на основе новолаков. Пленка слоя маски для травления может быть также образована посредством образования пленки оксида кремния, пленки нитрида кремния, пленки эпоксидного полимера или металлической пленки с использованием технологии осаждения из паровой фазы или технологии напыления.
Затем, как проиллюстрировано на фиг.7D, образуют отверстия 54 посредством травления кремниевой подложки с ее задней поверхности до тех пор, пока вытравленные отверстия не достигнут изолирующего слоя 2 и электропроводящего слоя 3 с использованием технологии ионного травления.
Затем, как проиллюстрировано на фиг.7Е, процесс реактивного ионного травления продолжают дальше, чтобы удалить участок кремниевой подложки в нижней части изолирующего слоя посредством эффекта образования углублений, соединить соседние отверстия 54 друг с другом и образовать балочный элемент 6. Участок, контактирующий с изолирующим слоем 2 перегородки 55 между соседними отверстиями 54, удаляется в результате явления образования углублений, и таким образом соседние отверстия 54 соединяются друг с другом. Посредством упомянутых этапов образуют впускной канал 5, содержащий балочный элемент 6. В данном примере, как было изображено на фиг.9, изолирующий слой содержит электростатический заряд в зоне контакта кремниевой подложки 1 и изолирующего слоя 2 под воздействием ионов, извлеченных посредством смещения, поэтому кремниевую подложку постепенно вытравляют (подрезают) в направлении боковой перегородки. С другой стороны, электропроводящий слой 3 не содержит электростатического заряда в зоне контакта кремниевой подложки 1 и электропроводящего слоя 3, поэтому явление образования углублений не возникает.
Затем, как проиллюстрировано на фиг.7F, удаляют экспонированные электропроводящий слой 3 и изолирующий слой 2. Что касается способа удаления, то когда электропроводящий слой состоит из Al, электропроводящий слой удаляют, например, посредством использования жидкой смеси фосфорной кислоты, азотной кислоты и уксусной кислоты. В данном примере, с точки зрения удаления Al, который является незащищенным в отверстии и обладает высоким аспектным отношением, для удаления желательно использовать жидкость, обладающую как можно более низкой вязкостью. Когда, например, электропроводящий слой состоит из Ta, электропроводящий слой можно удалять способом травления, таким как CDE. Когда, например, электропроводящий слой состоит из TiW, в качестве травителя можно использовать жидкую смесь водного раствора перекиси водорода или нейтрального фторида аммония и серной кислоты или подобных средств. Когда, например, электропроводящий слой состоит из Au, в качестве травителя можно использовать жидкую смесь йода, йодида калия и IPA, раствор цианида калия или подобное средство. Кроме того, когда, например, электропроводящий слой состоит из Cu, в качестве травителя можно использовать азотную кислоту, фтористую кислоту или подобное средство. Изолирующий слой включает в себя оксид кремния или нитрид кремния. Когда, например, изолирующий слой состоит из оксида кремния, изолирующий слой можно удалять буферной фтористоводородной кислотой. Когда, например, изолирующий слой состоит из нитрида кремния, изолирующий слой можно удалять посредством CDE с использованием газа CF4.
Затем, как проиллюстрировано на фиг.7G, удаляют форму 10 проточного канала для жидкости. Форму 10 проточного канала для жидкости, например, подвергают воздействию УФ-излучения и погружают в метиллактат, к которому прикладывают ультразвуковую волну.
Для информации, такие подложки можно создавать в больших количествах и одновременно, хотя это специально не проиллюстрировано, на кремниевой пластине, включающей в себя кремниевые подложки 1. В конце подложки отрезают от пластины посредством разделения пластины на кристаллы, и их можно использовать в качестве головки для выпуска жидкости.
Хотя настоящее изобретение описано со ссылкой на примерные варианты осуществления, необходимо понимать, что изобретение не ограничено описанными примерными вариантами осуществления. Объем приведенной ниже формулы изобретения должен соответствовать самой широкой интерпретации так, чтобы охватывать все такие модификации и эквивалентные структуры и функции.
Claims (5)
1. Способ изготовления подложки для головки для выпуска жидкости, содержащей кремниевую подложку, включающую в себя элемент генерирования энергии, который генерирует энергию, используемую для выпуска жидкости на стороне первой поверхности, и впускной канал для подачи жидкости к элементу генерирования энергии, включающий следующие этапы в указанном порядке:
создание кремниевой подложки, включающей в себя изолирующий слой, состоящий из изолирующего материала, на первой поверхности и слой маски для травления, имеющий множество отверстий, на второй поверхности, которой является задняя поверхность первой поверхности, причем изолирующий слой расположен в участке, продолжающемся от положения напротив внутренней части отверстия до положения напротив участка между соседними отверстиями слоя маски;
и образование отверстий, которые должны быть впускными каналами, соответствующими множеству соседних отверстий, посредством вытравления части кремния кремниевой подложки из множества отверстий с использованием технологии реактивного ионного травления, так что вытравленный участок достигает участка напротив внутренней стороны отверстия изолирующего слоя, при использовании слоя маски для травления в качестве маски, причем кремниевую перегородку, расположенную между соседними отверстиями, подвергают травлению с использованием технологии реактивного ионного травления, так что участок на стороне ее первой поверхности может быть тоньше, чем участок на стороне ее второй поверхности.
создание кремниевой подложки, включающей в себя изолирующий слой, состоящий из изолирующего материала, на первой поверхности и слой маски для травления, имеющий множество отверстий, на второй поверхности, которой является задняя поверхность первой поверхности, причем изолирующий слой расположен в участке, продолжающемся от положения напротив внутренней части отверстия до положения напротив участка между соседними отверстиями слоя маски;
и образование отверстий, которые должны быть впускными каналами, соответствующими множеству соседних отверстий, посредством вытравления части кремния кремниевой подложки из множества отверстий с использованием технологии реактивного ионного травления, так что вытравленный участок достигает участка напротив внутренней стороны отверстия изолирующего слоя, при использовании слоя маски для травления в качестве маски, причем кремниевую перегородку, расположенную между соседними отверстиями, подвергают травлению с использованием технологии реактивного ионного травления, так что участок на стороне ее первой поверхности может быть тоньше, чем участок на стороне ее второй поверхности.
2. Способ по п.1, в котором кремниевую подложку подвергают травлению с использованием технологии реактивного ионного травления, так что соседние отверстия отделяются друг от друга перегородкой на стороне второй поверхности и сообщаются друг с другом на стороне первой поверхности.
3. Способ по п.1, в котором газ для травления, который используется в технологии реактивного ионного травления, включает соединение, содержащее атом фтора.
4. Способ по п.3, в котором газ на фторуглеродной основе включает по меньшей мере один из газа SF6, газа SF4, газа C4F8 и газа CHF3.
5. Способ по п.1, в котором участок на стороне первой поверхности кремниевой перегородки является утонченным в результате эффекта образования углублений.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009-144149 | 2009-06-17 | ||
| JP2009144149 | 2009-06-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2422289C1 true RU2422289C1 (ru) | 2011-06-27 |
Family
ID=42357761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010124843/12A RU2422289C1 (ru) | 2009-06-17 | 2010-06-16 | Способ изготовления головки для выпуска жидкости |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8206998B2 (ru) |
| EP (1) | EP2263879B1 (ru) |
| JP (1) | JP5147899B2 (ru) |
| KR (1) | KR101328910B1 (ru) |
| CN (1) | CN101927604B (ru) |
| RU (1) | RU2422289C1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5744552B2 (ja) * | 2011-02-07 | 2015-07-08 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
| JP6223033B2 (ja) * | 2013-07-17 | 2017-11-01 | キヤノン株式会社 | 基板の加工方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10138478A (ja) | 1996-11-06 | 1998-05-26 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッドとその製造方法 |
| JP2000127382A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-05-09 | Seiko Epson Corp | インクジェット式記録ヘッド及びインクジェット式記録装置 |
| EP1065059B1 (en) * | 1999-07-02 | 2007-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing liquid discharge head, liquid discharge head, head cartridge, liquid discharging recording apparatus, method for producing silicon plate and silicon plate |
| US6663221B2 (en) * | 2000-12-06 | 2003-12-16 | Eastman Kodak Company | Page wide ink jet printing |
| JP2002187284A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-02 | Canon Inc | 液体噴射ヘッドの製造方法 |
| US6475402B2 (en) * | 2001-03-02 | 2002-11-05 | Hewlett-Packard Company | Ink feed channels and heater supports for thermal ink-jet printhead |
| US6648454B1 (en) * | 2002-10-30 | 2003-11-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Slotted substrate and method of making |
| US6672712B1 (en) * | 2002-10-31 | 2004-01-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Slotted substrates and methods and systems for forming same |
| US6821450B2 (en) * | 2003-01-21 | 2004-11-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Substrate and method of forming substrate for fluid ejection device |
| JP2007528803A (ja) * | 2003-09-17 | 2007-10-18 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー． | 複数の障壁層 |
| US7083268B2 (en) * | 2003-10-15 | 2006-08-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Slotted substrates and methods of making |
| JP4522086B2 (ja) * | 2003-12-15 | 2010-08-11 | キヤノン株式会社 | 梁、梁の製造方法、梁を備えたインクジェット記録ヘッド、および該インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
| JP2005169993A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録ヘッドの製造方法 |
| JP2007283667A (ja) | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録ヘッドの製造方法 |
| US20080018713A1 (en) * | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Lopez Ali G | Multi-crystalline silicon device and manufacturing method |
| JP2008126481A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド用基板の製造方法、およびインクジェット記録ヘッドの製造方法 |
| JP2008265198A (ja) | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド、及びインクジェット記録ヘッドの作製方法 |
| JP2009012328A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Canon Inc | インクジェットオリフィスプレートとその製造方法 |
| US8262204B2 (en) * | 2007-10-15 | 2012-09-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Print head die slot ribs |
-
2010
- 2010-05-28 US US12/789,640 patent/US8206998B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-09 KR KR1020100054389A patent/KR101328910B1/ko active IP Right Grant
- 2010-06-11 EP EP10006103.5A patent/EP2263879B1/en not_active Not-in-force
- 2010-06-14 JP JP2010135171A patent/JP5147899B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-16 RU RU2010124843/12A patent/RU2422289C1/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-06-17 CN CN201010205941.0A patent/CN101927604B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101927604B (zh) | 2013-06-05 |
| JP2011020442A (ja) | 2011-02-03 |
| US20100323463A1 (en) | 2010-12-23 |
| EP2263879A1 (en) | 2010-12-22 |
| US8206998B2 (en) | 2012-06-26 |
| EP2263879B1 (en) | 2013-10-09 |
| JP5147899B2 (ja) | 2013-02-20 |
| KR20100135655A (ko) | 2010-12-27 |
| KR101328910B1 (ko) | 2013-11-20 |
| CN101927604A (zh) | 2010-12-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7841698B2 (en) | Nozzle plate, inkjet head, and manufacturing method of the same | |
| EP2202076B1 (en) | Liquid discharge head and method of manufacturing the liquid discharge head | |
| JP4533221B2 (ja) | タンタル層を形成する方法及びタンタル層を用いる装置 | |
| JPWO2008155986A1 (ja) | 液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法、液体吐出ヘッド用ノズルプレート及び液体吐出ヘッド | |
| US8021562B2 (en) | Method for manufacturing a filter substrate, inkjet recording head, and method for manufacturing the inkjet recording head | |
| JP4979793B2 (ja) | 液体吐出ヘッド用基板の製造方法 | |
| RU2422289C1 (ru) | Способ изготовления головки для выпуска жидкости | |
| JP5012484B2 (ja) | 液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法、液体吐出ヘッド用ノズルプレート及び液体吐出ヘッド | |
| US9676193B2 (en) | Substrate processing method and method of manufacturing substrate for liquid discharge head including forming hole in substrate by dry etching | |
| US20110287562A1 (en) | Method of manufacturing liquid discharge head substrate, method of manufacturing liquid discharge head, and method of manufacturing liquid discharge head assembly | |
| US7575303B2 (en) | Liquid-ejection head and method for producing the same | |
| JP6223033B2 (ja) | 基板の加工方法 | |
| JP2016117174A (ja) | シリコン基板の加工方法、及び液体吐出ヘッド | |
| JP2009012328A (ja) | インクジェットオリフィスプレートとその製造方法 | |
| JP5932342B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
| JP7195866B2 (ja) | 液体吐出ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2007136875A (ja) | インクジェット記録ヘッド用基体 | |
| JP2011091127A (ja) | Ｓｉ基板加工方法 | |
| JP7562310B2 (ja) | 液体吐出ヘッド基板の製造方法 | |
| JP2007210242A (ja) | インクジェット記録ヘッド及びその作製方法 | |
| JP2007301785A (ja) | 穿孔方法、及び、液体吐出装置用ノズルの製造方法 | |
| JP2007216396A (ja) | ノズルプレート、ノズルプレート製造方法及び液体吐出ヘッド | |
| JP2008110560A (ja) | 液体吐出ヘッド用ノズルプレート及び液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法 | |
| JP2006222154A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2007045110A (ja) | 液滴吐出ヘッドの製造方法および液滴吐出装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200617 |