JP5744552B2 - 液体吐出ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Description
また、研削痕をエッチング液により取り除いて平坦化を行うと、シリコン基板外周部のベベル形状が変形してしまう場合がある。その結果、結晶性異方性エッチング時に使用するエッチングマスクの被覆性がシリコン基板外周部で低下し、シリコン基板外周部でエッチングによる欠けが発生する場合がある。
第一の面側に機能素子を有し、液体供給口が形成されたシリコン基板を含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
(a)前記シリコン基板の前記第一の面と反対側の面である第二の面を研削する工程と、
(b)研削して得られた前記第二の面を研磨する工程と、
(c)イオンの入射エネルギーを利用したリアクティブイオンエッチングにより、研磨して得られた前記第二の面をエッチングする工程と、
(d)前記リアクティブイオンエッチング後の前記第二の面にエッチングマスクを形成する工程と、
(e)前記エッチングマスクを用いて前記シリコン基板をウェットエッチング処理し、前記液体供給口を形成する工程と、
をこの順で有し、
前記工程(b)の後であって前記工程(c)の前に、少なくとも前記第一の面側に設けられた前記シリコン基板の切断時に使用する切断ラインと対向する領域にマスクを形成する工程を含み、
前記工程(c)において、前記マスクを用いて前記リアクティブイオンエッチングを行った後、前記マスクを除去することにより、前記切断ラインと対向する領域にダメージ層を残すことを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法である。
本実施形態により製造されるインクジェットヘッド用基板は、第一の面側に機能素子が形成されたシリコン基板から主に構成される。機能素子としては、例えば吐出エネルギー発生素子等が挙げられるが、特にこれに限定されるものではない。図1においては、吐出エネルギー発生素子2が所定のピッチで2列に並んで形成されたシリコン基板1が示されている。シリコン基板1には、シリコンを異方性エッチングすることによって形成されたインク供給口12が吐出エネルギー発生素子2の2つの列の間に開口するように形成されている。Si基板1上には、流路部型材3によって、各吐出エネルギー発生素子2の上方に開口するインク吐出口5と、インク供給口12から各インク吐出口5に連通する個別のインク流路が形成されている。
図4は、ダメージ層8の除去を、化学的なエッチング性を有するドライエッチングを用いて実施してインクジェット記録ヘッドを製造した例を示す。図1に示した場合とは、化学的なエッチング性を有するドライエッチングを用いてダメージ層8の除去を実施した点で異なる。
図2は、本実施形態のインクジェットヘッド用基板の製造方法例を説明するための断面工程図である。
2 吐出エネルギー発生素子
3 流路型材
4 流路形成部材
5 吐出口
6 保護膜(又は保護テープ)
7 破砕層
8 ダメージ層
10 ポリアミド樹脂
10’ 第2のマスク(エッチングマスク)
11 ポジ型レジスト
11’ 第1のマスク
12 インク供給口
13 ダイシングソーライン
14 機能素子面
21 ポジ型レジスト
22 ポリアミド樹脂
22’ エッチングマスク
23 マスク
Claims (8)
- 第一の面側に機能素子を有し、液体供給口が形成されたシリコン基板を含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
(a)前記シリコン基板の前記第一の面と反対側の面である第二の面を研削する工程と、
(b)研削して得られた前記第二の面を研磨する工程と、
(c)イオンの入射エネルギーを利用したリアクティブイオンエッチングにより、研磨して得られた前記第二の面をエッチングする工程と、
(d)前記リアクティブイオンエッチング後の前記第二の面にエッチングマスクを形成する工程と、
(e)前記エッチングマスクを用いて前記シリコン基板をウェットエッチング処理し、前記液体供給口を形成する工程と、
をこの順で有し、
前記工程(b)の後であって前記工程(c)の前に、少なくとも前記第一の面側に設けられた前記シリコン基板の切断時に使用する切断ラインと対向する領域にマスクを形成する工程を含み、
前記工程(c)において、前記マスクを用いて前記リアクティブイオンエッチングを行った後、前記マスクを除去することにより、前記切断ラインと対向する領域にダメージ層を残すことを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法。 - 前記工程(c)は、少なくとも前記液体供給口を形成する位置の前記第二の面を前記リアクティブイオンエッチングによりエッチングする工程である請求項1に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
- 前記リアクティブイオンエッチングは、プラズマを用いて発生させた前記イオンを前記第二の面に衝突させる方式である請求項1又は2に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
- 前記リアクティブイオンエッチングは、ガス種として、SF6、CHF3、CF4、C2F6及びC3F8から選ばれる少なくとも1種を用いる請求項1乃至3のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
- 前記エッチングマスクは、高分子化合物からなる膜から形成される請求項1乃至4のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
- 前記高分子化合物が環化ゴム、ポリエーテルアミド、またはベンゾシクロブテンである請求項5に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
- 前記ウェットエッチング処理は結晶異方性エッチング処理である請求項1乃至6のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
- 前記機能素子は液体を吐出するエネルギーを発生する吐出エネルギー発生素子である請求項1乃至7のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
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