JP4237501B2 - エレクトロルミネセント装置及びその製造方法 - Google Patents

エレクトロルミネセント装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4237501B2
JP4237501B2 JP2002586405A JP2002586405A JP4237501B2 JP 4237501 B2 JP4237501 B2 JP 4237501B2 JP 2002586405 A JP2002586405 A JP 2002586405A JP 2002586405 A JP2002586405 A JP 2002586405A JP 4237501 B2 JP4237501 B2 JP 4237501B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
partition
electroluminescent
layer
ribs
rib
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002586405A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004527088A (ja
Inventor
パウルス シー ドゥイネヴェルド
コエン ティー エイチ エフ リーデンバウム
コニング ヨヘム ピー エム デ
イヴォ ジー ジェイ カンプス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2004527088A publication Critical patent/JP2004527088A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4237501B2 publication Critical patent/JP4237501B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing

Description

本発明は、所望のパターンに従って基板上に配された少なくとも2つのエレクトロルミネセント素子を有するエレクトロルミネセント装置であって、各エレクトロルミネセント素子は、第1及び第2の電極層と、上記第1及び第2の電極層の間に配されたエレクトロルミネセント層とを有し、上記エレクトロルミネセント装置は、上記基板から突出した絶縁材料の仕切りリブを含み且つ所望のパターンに従って上記エレクトロルミネセント層を得るための液層を保持するための囲まれた領域を形成する起伏仕切りパターンを有するエレクトロルミネセント装置に関する。
本発明は、少なくとも2つのエレクトロルミネセント素子を有するエレクトロルミネセント装置を製造する方法であって、所望のパターンに従って基板上に第1の電極層を備える工程と、上記基板から突出する仕切りリブを有し、所望のパターンに従って囲まれた領域を形成する起伏仕切りパターンを備える工程と、上記起伏仕切りパターンの囲まれた領域に液層を被着する工程と、上記液層をエレクトロルミネセント層に変換する工程と、上記エレクトロルミネセント層に所望のパターンに従って第2の電極層を備える工程とを有する方法にも関する。
本発明によるエレクトロルミネセント装置は、好ましくはモノクロ若しくはマルチカラーの静止画像ディスプレイ又は可変静止画若しくは動画を表示するためのパッシブ若しくはアクティブ型のマトリックスディスプレイとして使用することができる。
導入部のエレクトロルミネセント装置及び製造方法は、例えばヨーロッパ特許出願EP880303に開示されており、そこでは、基板上へのインクジェットプリンティングによってエレクトロルミネセント層が得られる。インクジェットプリントされた各画素の液層が各画素の範囲内に制限されるようにするため、隣接する画素の間に、仕切壁又はバンクが形成される。これは、隣接する画素間での各発光色用の液体の混合を防止するので、2つ以上の色を含むディスプレイにおいて特に有利であり、このようにして、表示された画像のコントラスト及び輝度を向上させることが可能である。
しかし、ヨーロッパ特許出願EP880303による装置及び方法を用いると、画素が多量のエレクトロルミネセント液で満たされた場合、1つの画素からのエレクトロルミネセント液がこぼれて隣接する画素のエレクトロルミネセント液と混合し、それは例えば異なる色を表示するために異なる種類のエレクトロルミネセント液であるかもしれず、明らかに危険である。
製造上の理由から、仕切りリブをできるだけ低くすることも有利であるが、同時に、液体中の有効な発光物質の濃度が低いので(しばしば有効物質は約1%以下)、十分な層厚を有する液層を作ることも有利である。それ故に、液層の例えば乾燥又はゲル化を通じた変換処理の間、残るエレクトロルミネセント層はかなり減少し、典型的には液層よりも100倍のオーダーで薄い。従って、画素をできるだけ多量の液体で満たすことが望ましい。このことは、ヨーロッパ特許出願EP00/11706において更に考察されている。
さらに、製造プロセスの間、シングルノズルヘッドの代わりにマルチノズルヘッドを有するインクジェットプリンティング装置等を使用することが好ましい。マルチノズルヘッドでは、各ノズルから同じ出力量の液体を正確に得ることは可能ではないが、インクジェットプリンティング装置の場合、約5−10%のばらつきであれば通常予期されているだろう。最も低い出力量のノズルでさえも所望の層厚に到達するようにインクジェットヘッドが調整されると、最大出力量のノズルによって満たされるエレクトロルミネセント素子が仕切りリブにあふれ、隣接するエレクトロルミネセント素子の液体と混ざり、明らかに危険である。
本発明の目的は、隣接するエレクトロルミネセント素子の間で液層が混合する危険が少なく、その結果としてエレクトロルミネセント素子に、より厚く且つより均一なエレクトロルミネセント層を備えることができ、製造中のマルチノズルヘッドの使用の性能が向上するエレクトロルミネセント装置を提供することである。
少なくともそれらの目的は、隣り合うエレクトロルミネセント素子を分離する起伏仕切り素子が間に介在溝を伴なう少なくとも2つの仕切りリブを有するということで特徴付けられる、プリアンブルによるエレクトロルミネセント装置によって達成される。
本発明は、蒸気のエレクトロルミネセント装置と本質的に同じ目的を有するエレクトロルミネセント装置の製造方法にも関する。少なくともこれらの目的は請求項6による方法によって達成される。
本発明は、上記の目的が、(各エレクトロルミネセント素子又は画素が、その隣接する画素の間の領域に、隣接する画素に共有されていない個別の仕切りリブを備える)エレクトロルミネセント装置及び製造方法によって達成されるという洞察に基づいている。隣接する画素の間には少なくとも2つの仕切りバンク又はリブが存在し、隣接する画素の仕切りリブの間には溝を伴なう。
エレクトロルミネセント層が光を放出するために必要な1つのことは、エレクトロルミネセント層が2つの電極(1つのカソード及び1つのアノード)の間に配されることである。従って、好適実施例では、1つの画素から溝にこぼれたエレクトロルミネセント液が、エネルギーが付与されず、ディスプレイの画像を乱す作用を有する光を放出しないように、2つの隣接する画素の間の仕切り溝は、電極を多くても1つしか有していない。
本発明は、モノクロのディスプレイとカラーディスプレイとの両方に適している。両方の型式に対して、本発明は、均一のエレクトロルミネセント層の形成を容易にする。カラーディスプレイに対して、本発明は、異なる色の混色を防止することを助けるという他の利点を有する。更に他の利点は、本発明による方法を用いることによって、単一のプリンタを用いて、隣り合う一色以上の色を、その色が乾燥する前に1つのプロセスで同時にプリントすることが可能である。
電極及びエレクトロルミネセント層をディスプレイに配する種々の方法がある。例えば装置がシンプルな照明又は変化しない静止画像の表示用である場合、アノードとカソードは両方とも、装置全体に渡って共通したものである、即ち、1つの連続する電気的導電層の形でエレクトロルミネセント層の対応する側に備えられる。一方、装置が、変化する画像即ち動画を表示するためのものである場合、各画素は独立してアドレスできる必要がある。これは、基本的には異なる2つの方法で達成できる。
1つ目は、電極を行列状に配する(例えば、アノードを行状に電気的に接続し、一方、カソードをアノードに対して垂直に列状に電気的に接続する)ことである。これはパッシブマトリックスディスプレイと呼ばれ、画素のエネルギー付与は、電圧が供給されたアノード行と、同じく電圧が供給されたカソード列との交差部分で達成される。通常、映像化は、アノード行への連続的な電圧供給と、アノード行との交差部分において光を発することが望まれるカソードへの同時の電圧供給とを通じて実現される。従って、画素は散発的にエネルギーが付与される。
2つ目は、例えば各画素を薄膜トランジスタによって制御することにより、画素を個々に且つ独立にアドレス可能にすることである。これは、アクティブマトリックスディスプレイと呼ばれ、この方法では、望むときに、結果としてより明るい画像を伴なって、画素に連続してエネルギー付与することができる。
本発明の好適実施例では、エレクトロルミネセント装置は、例えば、透明な合成樹脂、石英、セラミック、又はガラスの適切な基板上に形成される。第1の電極(好ましくはアノード)は、基板上に所望のパターンによって薄層の形で備えられ、金属蒸気の真空蒸着によって備えられる酸化インジウムスズ(ITO)のような金属合金であることが好ましい。その後、起伏パターンが例えばフォトリソグラフィ法によって塗布される。続いて、エレクトロルミネセント層は、例えば、任意の有機及び無機のエレクトロルミネセント液のインクジェットプリンティング又は滴下による任意の適切な方法で、起伏パターンによって形成された囲まれた領域に、選択的に塗布される。最後に、液層は、例えば乾燥工程又はゲル化工程によってエレクトロルミネセント層に変換され、外側電極(好ましくはカソード)が例えば適切な金属蒸気の真空蒸着によって備えられる。エレクトロルミネセント装置には、上記に加えて、幾つかの他の層及び添加剤を取り入れることができることを理解すべきである。これらの例として、正孔注入層及び/又は正孔輸送層、電子注入層及び/又は電子輸送層、湿潤剤、レベリング剤、保護層等がある。
エレクトロルミネセント層は、実質的に有機のエレクトロルミネセント材料から形成することができる。適切なこのような材料は、有機フォト又はエレクトロルミネセント、蛍光性、燐光性の低分子量又は高分子量の化合物を含む。ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリチオフェンビニレン、又はより好適にはポリ−p−フェニレンビニレンのような、実質的に共役バックボーン(主鎖)を有するエレクトロルミネセントポリマーを含む材料が好ましい。(青色発光)ポリ(アルキル)フルオレン、及び赤、黄又は緑の光を発光するポリ−p−フェニレンビニレン、並びに(特に、2−及び/又は2,5の位置に、C−C20好ましくはC−C10のアルキル基又はアルコキシ基のような溶解性を向上させるための側鎖の官能基を有する)2−又は2,5−置換ポリ−p−フェニレンビニレンであることが特に好ましい。好適な側鎖の官能基は、メチル、メトキシ、3,7−ジメチルオクチルオキシ、及び2−メチルプロポキシである。2−フェニル−1,4−フェニレンビニレンの繰返し単位を含むポリマーが更に特に好適であり、フェニル基は上記の型式のアルキル基及び/又はアルコキシ基、特にメチル、メトキシ、3,7−ジメチルオクチルオキシ、又はよりよくは2−メチルプロポキシに任意に置換される。有機材料はこのような1つ以上の化合物を含んでいてもよい。
本発明では、有機という用語は高分子(polymeric)を含み、一方、ポリマー及びそれから得られる添加物の用語は、ホモポリマー、コポリマー、ターポリマー、及びより高次の同族体並びにオリゴマーを含む。
有機エレクトロルミネセント材料は、分子スケールで均一に配される又は粒子分布の形で存在する有機又は無機の他の物質を含む。特に、電子及び/又は正孔の電荷注入機能及び/又は電荷輸送機能を向上するための化合物、発せられる光の強度又は色を向上及び/又は修正するための化合物、安定剤等が存在していてもよい。
正孔注入電極は、Au、Pt、Agのような大きい仕事関数を有する金属(合金)から適切に作られる。好ましくは、インジウム酸化スズ(ITO)のようなより透明な正孔注入電極材料が使用される。ポリアニリン(PANI)及びポリ−3,4−エチレンジオキシチオフェン(PEDOT)のような導電ポリマーも透明な正孔注入電極材料に適している。好ましくは、PANI層は50nm乃至200nmの厚さを有し、PEDOT層は100nm乃至300nmの厚さを有する。ITOの正孔注入電極を使用する場合、第1の電極が正孔注入電極であることが好ましい。
起伏パターンと液晶との相互作用によって、エレクトロルミネセント層の厚さのプロファイルが決まる。この相互作用に適応するために使用される重要なパラメータは、起伏パターンの表面に対する液層のぬれ性(Wettability)である。このぬれ性は、起伏パターンの液層に対する疎水性又は親水性の程度によって決まる。液体のぬれ性は、液層の粘度、接触角又は粘性を変化させる手段のような通常の手段によって、又は液層のレオロジー的特性及び界面特性に影響する界面活性剤又は他の物質を加えることによって、適応させることができる。起伏パターンのぬれ性は、異なる起伏材料を選択することによって、又は起伏パターンにUV/オゾン処理のような表面処理を施すことによって、変更することができる。起伏パターンに対する液体のぬれ性が、液層の表面が実質的に平坦なメニスカスを呈するように選択される場合、エレクトロルミネセント層は、先に規定した意味において実質的に均一な厚さである。
パッシブ又はアクティブマトリックスディスプレイのような画素が個々にアドレス可能であるエレクトロルミネセント装置の場合、電極層の少なくとも1つは、隣接するパターン領域の間を非導通にしてパターニングされなければならない。
アクティブマトリックスディスプレイでは、電極のうちの1つがパターニングされれば十分である。パターニングされた電極の各画素電極は、個々にパターニングされ、残りの画素電極から電気的に絶縁され、更に薄膜トランジスタのような制御手段によって制御されることができる。好適実施例では、基板に最も近い電極(好ましくはアノード)はパターニングされ、一方、外側の電極、(カソード)は基本的にディスプレイの全表面を覆う。
パッシブマトリックスディスプレイでは、両方の電極がパターニングされなければならず、一方は画素電極のうちの行電極であり、他方は行電極に対して垂直である列電極である。外側電極(好ましくはカソード層)のパターニングは、屋根状構造を有する補助起伏パターンに、張出し部分を備えることによって、達成することができ、このため、電極材料がディスプレイに堆積するとき、起伏パターンの張り出している部分がディスプレイ上の領域を影で覆い、該当する電極領域の間の電気的接触を防止する。
本発明の好適実施例では、画素は正方形又は長方形に形成され、従って各画素の仕切りリブは直線且つ平行であり、各画素の間に直線状の溝を形成する。しかしながら、円形のような他の形の画素を有することも可能であり、この場合、画素間の仕切りリブ及び溝は直線状の必要はない。この例は以下の他の実施例に開示されている。
隣接する画素(仕切りリブ)の間の溝はできるだけ深く且つ狭く作られることが有利である。この方法では、相対的に多量の溢れた液体をできるだけ収容することができ、同時にディスプレイの非発光領域が小さいことを表す。
従来技術では、US5701055号及び対応するEP938248号も参照される。これらの文献では、画素の間にダブルバリア素子を伴なう表示素子が開示されている。しかしながら、これらの文献は、本発明のように液状で塗布されたのではなく、基板上に蒸着されたエレクトロルミネセント層を有する表示素子に関する。それ故に、解決される問題及び得られる利点は、本発明とは完全に異なる。
本発明のこれら及び他の態様は以下に記載される実施例から明らかであり、それら実施例を基準にして説明される。
最初に図1乃至図3を参照すると、本発明の第1実施例が1つの平面図と2つの断面図で概略的に示されている。この実施例は、アクティブマトリックスディスプレイに言及しており、基板1を有し、この基板1上には、アノード層2が個々に規定された矩形パターンに被着され、互いに電気的に絶縁され、分離した異なる画素の部分を形成している。個々の薄膜トランジスタ(図面には示されていない)は各アノードを制御し、各アノードに個別にエネルギーを与えることを可能にする。矩形のアノードは、互いの間にインターバル3を空けて行列状に配されている。アノードの列と列との間のインターバルには、隣り合う2つのアノードカラムの間の仕切りリブ4がその間に溝5を規定した状態で1対の仕切りリブを形成するように、仕切りリブ4の形式の仕切り素子が各アノード列の両側に配されている。
この起伏パターンを形成した後、アノード列の両側の仕切りリブの間に形成された囲まれた領域は、好ましくはインクジェットプリンティングによって、エレクトロルミネセント液6で満たされる。このプリンティングは、図1の矢印7の方向、即ち仕切りリブ4に平行な方向に、実行される。隣り合う囲まれた領域は、フルカラー画像を表示するための、青、赤及び緑のような異なる色の光を放出する機能を有するエレクトロルミネセント液で満たされている。
続いて、エレクトロルミネセント層を液相から固相又はゲル相に変換するために、エレクトロルミネセント装置は、例えば、乾燥工程又はゲル化工程が行われる。この変換工程の間、エレクトロルミネセント層は減少し、非常に薄くなる。このことについて、共通に使用されたエレクトロルミネセント液は通常は約1%の濃度の有効エレクトロルミネセント物質を有し、従って変換工程の後に結果として生じるエレクトロルミネセント層6はエレクトロルミネセント液層の約1%の厚さを有するので、便宜上正確な縮尺ではなく概略的に図3に示されている。図3には、好ましくは金属蒸気の真空蒸着によって、ディスプレイの全面に渡ってコーティングされたカソード層8も示されている。
従って、本発明は、2つの仕切りリブの間に囲まれた領域を最大量のエレクトロルミネセント液で満たすことを可能とする。意図しない液体が仕切りリブの1つからあふれても、その液体は、その隣りの囲まれた領域内の液体と混合しないのでディスプレイの機能又は性能を乱すことなく囲まれた領域と領域との間の溝5にたまる。溝領域は電極層を1つ、即ち外側のカソード層8のみを有するので、溝にこぼれた液体にエネルギーが付与されて光を放射することによりディスプレイの表示を乱すこともない。
図1乃至図3による実施例では、エレクトロルミネセント装置に、図面に示されるリブに垂直な方向にも仕切りリブを備えることも可能である。この結合された仕切りリブは、矩形状に囲まれた領域を規定する。
本発明の第2の実施例が図4乃至図6に示されている。この実施例は、パッシブ型のマトリックスディスプレイである。先の実施例とは異なり、アノード2は、間に電気絶縁ギャップ3を伴なって連続する行(row)の形状を有しており、全体が9によって表されている仕切り素子に対して直角に交差している。これらの仕切り素子は、図5及び図6から明らかなように、第1の実施例と比較して実質的に異なる断面形状を有する。2つの仕切りリブの代わりに、相対的に広く且つ低い形状を有する3つの仕切りリブ4が存在する。これら仕切りリブのうちの真中のリブの上部には、補助仕切りリブ即ちシャドーイングリブ10が配されており、その断面は、両側に張り出している部分11を有する楔型(マッシュルーム型)である。
好ましくはインクジェットプリンティングによるエレクトロルミネセント層6の被着は、起伏仕切り素子9の間に規定される囲まれた領域において、矢印7の方向、即ち起伏仕切り素子9に対して平行な方向に実行される。最後に、エレクトロルミネセント層を液状から固状に変換した後、図6に示すように、ディスプレイの全面が、好ましくは金属蒸気の真空蒸着によってカソード層8で覆われる。シャドーイングリブ10の張り出している部分11は、この張り出している部分の下の表面が影になるのでその表面上にカソード材料が堆積しないという効果を有する。従って、起伏仕切り素子9の両側のカソード層の間に電気的接続が存在せず、その結果、カソード層は、アノード行2に垂直な電気的に絶縁されたカソード列に分割されるようになる。図5及び図6から明らかなように、各仕切りリブ9の間の領域に配された補助レジストリブ12がある。その機能は、カソードとアノードとの間の直接接触を防ぐ、これによって短絡を防ぐことである。これは、エレクトロルミネセント液6が外側の仕切りリブ4にあふれない場合に生じ、アノード行の層が仕切り素子9の下で連続的に広がるので可能である。
好ましくは、仕切りリブ4、シャドーイングリブ10、及びレジストリブ12を有する仕切り素子9は、当業界で一般に既知の適切なフォトリソグラフィック法によって製造される。リブの材料は、無機材料でも有機材料でもよい。
図7には、図1乃至図3による実施例の仕切りリブと同様の仕切りリブ4のペアによって電気的に分離され複数行に配されるアノードと、図4乃至図6による実施例の仕切り素子と同様の仕切り素子9によって電気的に分離された複数列に配されるカソードとを有するパッシブマトリックスディスプレイの別の実施例が示されている。
アノード行は、一対の仕切りリブ4に平行且つ矢印7によって示されるエレクトロルミネセント液6の印刷方向にも平行である。従って、例えばエレクトロルミネセント液がリブ4に溢れたとき、エレクトロルミネセント層6は、隣り合う2つの仕切りリブ4の間の溝5の中を除き、仕切りリブのペアとペアとの間に規定された囲まれた領域にのみ印刷される。
カソード列は、図4乃至図6による実施例と同じ方法で仕切り素子9により制限され、即ち仕切り素子は相対的に広く且つ低い形状の3つの仕切りリブ4を有する。仕切りリブのうちの中央の仕切りリブの上には、補助仕切りリブ即ちシャドーイングリブ10が配され、その断面は両側に張り出している部分11を有する楔型即ちマッシュルーム型である。しかしながら、エレクトロルミネセント液のプリンティングは、第1及び第2の実施例のような連続的な方法も可能ではあるが、この実施例ではその連続的な方法ではなく“ドロップオンデマンド”と呼ばれる方法で実行される。即ち、矢印7の方向にプリンティングするとき、このプリンティングは1つの仕切り素子9を通過した後に開始され、次の仕切り素子に到達したとき停止する。図7のA−Aの断面図を見ると、この断面図は、画素をエレクトロルミネセント液で満たした後の図5の断面図と、変換処理をしディスプレイをカソード層で覆った後の図6の断面図に似ている。ディスプレイの表面をカソード層の材料で覆うとき、シャドーイングリブ10の張り出している部分11は、この張り出している部分の下の表面が影になっており従ってカソード材料がその表面に堆積されないという効果を有する。従って、起伏仕切り素子9の両側のカソード層の間に電気的接続が無く、この結果、カソード層は、アノード行2に垂直な電気的に絶縁されたカソード列に分割されるようになる。補助レジストリブ12が隣接する仕切りリブ4の間に備えられ、これによって、アノード及びカソード層が接触し短絡を引き起こすという危険が無くなる。
図8乃至図10には、画素が円形である本発明の第4実施例が平面図で示されている。円形のアノード層2は、基板1上の各画素に対して配されている。アノード層は、第1の内側仕切りリブ4で囲まれ、この第1の仕切りリブからギャップ又は溝5を伴なって、第2の外側仕切りリブ4’が配されている。その後、各画素は、好ましくは“ドロップオンデマンド”法によって、図9のようにエレクトロルミネセント液層6で満たされ、先に記載したような変換処理の後、ディスプレイは図10のようにカソード層8によって覆われる。このようにして配されるエレクトロルミネセント素子は、各画素を制御する薄膜トランジスタを伴なうアクティブマトリックス型であることが好ましい。
本発明による仕切り素子は特許請求の範囲内で多くの異なる方法で構成され、形づくることができることが理解されるだろう。例えば、仕切りリブの数及び形状を変えることができる。仕切り素子から溢れた場合にエレクトロルミネセント液の混合を防止する技術的効果及び利点を達成するため、隣り合う画素の間に、間に溝を伴なって少なくとも2つの仕切りリブが存在することが重要である。
図1は、本発明の第1実施例によるアクティブマトリックスディスプレイの一部の、部分的に切り取られた平面図である。 図2は、各画素がエレクトロルミネセント液層で満たされているがその液層がエレクトロルミネセント層に変換される前の図1のA−A線に沿うディスプレイの断面図である。 図3は、図2と同様であるが液層がエレクトロルミネセント層に変換され、電極層がエレクトロルミネセント装置の外面に設けられた後の断面図である。 図4は、本発明の第2実施例によるパッシブマトリックスディスプレイの一部の、部分的に切り取られた平面図である。 図5は、各画素がエレクトロルミネセント液層で満たされているがその液層がエレクトロルミネセント層に変換される前の図4のA−A線に沿うディスプレイの断面図である。 図6は、図5と同様であるが液層がエレクトロルミネセント層に変換され、電極層がエレクトロルミネセント装置の外面に設けられた後の断面図である。 図7は、本発明の第3実施例によるパッシブマトリックスディスプレイの一部の、部分的に取り除かれた平面図である。 図8は、本発明の第4実施例によるアクティブマトリックスディスプレイの一部の、部分的に取り除かれた平面図である。 図9は、各画素がエレクトロルミネセント液層で満たされているがその液層がエレクトロルミネセント層に変換される前の図8のA−A線に沿うディスプレイの断面図である。 図10は、図9と同様であるが液層がエレクトロルミネセント層に変換され、電極層がエレクトロルミネセント装置の外面に設けられた後の断面図である。

Claims (10)

  1. 所望のパターンに従って基板上に配された少なくとも2つのエレクトロルミネセント素子を有するエレクトロルミネセント装置であって、各エレクトロルミネセント素子は、第1及び第2の電極層と、前記第1及び第2の電極層の間に配されたエレクトロルミネセント層とを有し、前記エレクトロルミネセント装置は、前記基板から突出した絶縁材料の仕切りリブを含み且つ所望のパターンに従って前記エレクトロルミネセント層を得るための液層を保持するための囲まれた領域を形成する起伏仕切りパターンを有し、隣り合うエレクトロルミネセント素子を分離する起伏仕切り素子が、間に介在溝を伴なう少なくとも2つの仕切りリブを有するエレクトロルミネセント装置。
  2. 一対のリブのうちの2つの仕切りリブの間の領域の前記介在溝に、多くても1つの電極層が備えられる請求項1に記載のエレクトロルミネセント装置。
  3. 前記起伏仕切り素子が、張り出している部分を伴なうシャドーイングリブを有する請求項1又は2に記載のエレクトロルミネセント装置。
  4. 前記シャドーイングリブは、前記仕切りリブのうちの1つの仕切りリブ上に配される請求項3に記載のエレクトロルミネセント装置。
  5. 前記起伏仕切り素子は3つの仕切りリブを有し、前記シャドーイングリブは中央の仕切りリブの上に配される請求項4に記載のエレクトロルミネセント装置。
  6. 少なくとも2つのエレクトロルミネセント素子を有するエレクトロルミネセント装置を製造する方法であって、
    所望のパターンに従って基板上に第1の電極層を備える工程と、
    前記基板から突出する仕切りリブを有し、所望のパターンに従ってエレクトロルミネセント層を得るための液層を保持するための囲まれた領域を形成する起伏仕切りパターンを備える工程と、
    前記起伏仕切りパターンの囲まれた領域に液層を被着する工程と、
    前記液層をエレクトロルミネセント層に変換する工程と、
    前記エレクトロルミネセント層に所望のパターンに従って第2の電極層を備える工程とを有し、
    隣り合うエレクトロルミネセント素子の間の仕切り素子が、間に介在溝を伴なう少なくとも2つの仕切りリブで形成される方法。
  7. 1対のリブのうちの2つの隣り合う仕切りリブの間の溝の領域に多くても1つの電極層が備えられる他の工程を有する請求項6に記載の方法。
  8. 張り出している部分を有するシャドーイングリブを伴なう仕切り素子を形成する他の工程を有する請求項6又は7に記載の方法。
  9. 前記仕切りリブのうちの1つの上にシャドーイングリブを配する他の工程を有する請求項8に記載の方法。
  10. 少なくとも3つの仕切りリブを有する前記仕切り素子を形成し、中央の仕切りリブの上に前記シャドーイングリブを配する他の工程を有する請求項9に記載の方法。
JP2002586405A 2001-04-26 2002-04-22 エレクトロルミネセント装置及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4237501B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01201520 2001-04-26
PCT/IB2002/001447 WO2002089211A1 (en) 2001-04-26 2002-04-22 Electroluminescent device and method for manufacturing thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004527088A JP2004527088A (ja) 2004-09-02
JP4237501B2 true JP4237501B2 (ja) 2009-03-11

Family

ID=8180207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002586405A Expired - Fee Related JP4237501B2 (ja) 2001-04-26 2002-04-22 エレクトロルミネセント装置及びその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6583584B2 (ja)
EP (1) EP1386359A1 (ja)
JP (1) JP4237501B2 (ja)
KR (1) KR100883341B1 (ja)
CN (1) CN1229866C (ja)
TW (1) TW565098U (ja)
WO (1) WO2002089211A1 (ja)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6825054B2 (en) * 2001-11-21 2004-11-30 Paul Valentine Light emitting ceramic device and method for fabricating the same
TWI258317B (en) 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
JP2004063363A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電界発光素子用材料、およびそれを用いた電界発光素子
US7307382B2 (en) * 2003-10-30 2007-12-11 Samsung Sdi Co., Ltd. Flat display device including an overflow barrier
US8212474B2 (en) 2004-01-08 2012-07-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device, and method of manufacturing the display device
WO2005067352A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device, and method of manufacturing the display device
US20050282308A1 (en) * 2004-06-22 2005-12-22 Albrecht Uhlig Organic electroluminescent display device and method of producing the same
US6992326B1 (en) 2004-08-03 2006-01-31 Dupont Displays, Inc. Electronic device and process for forming same
US7999458B2 (en) * 2004-08-26 2011-08-16 Lg Display Co., Ltd. Organic electro luminescence device and fabrication method thereof
KR100692865B1 (ko) * 2004-10-29 2007-03-09 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법
US7166860B2 (en) * 2004-12-30 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device and process for forming same
KR100685811B1 (ko) 2005-01-04 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP4715226B2 (ja) * 2005-02-21 2011-07-06 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
JP4870933B2 (ja) * 2005-03-04 2012-02-08 東北パイオニア株式会社 自発光パネルおよび自発光パネルの製造方法
KR100717332B1 (ko) * 2005-04-19 2007-05-15 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법
JP2007095519A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法
CN100446632C (zh) * 2005-09-30 2008-12-24 电子科技大学 一种有机电致发光器件隔离柱的制备方法
KR100721951B1 (ko) * 2005-11-16 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 이물 트랩구조를 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그의제조방법
JP2007242592A (ja) * 2006-02-02 2007-09-20 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、露光装置、及び電子機器
JP2007335614A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Canon Inc 有機電界発光素子及び表示装置
JP2008004290A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法
JP4333728B2 (ja) * 2006-09-14 2009-09-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法および電子機器
US20100252841A1 (en) * 2006-09-18 2010-10-07 Cok Ronald S Oled device having improved lifetime and resolution
JP2008078011A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器
GB0618698D0 (en) * 2006-09-22 2006-11-01 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device fabrication methods and structures
JP5045389B2 (ja) * 2007-11-21 2012-10-10 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
US8339040B2 (en) * 2007-12-18 2012-12-25 Lumimove, Inc. Flexible electroluminescent devices and systems
JP2010009800A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Casio Comput Co Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
JP4664446B2 (ja) * 2009-02-10 2011-04-06 パナソニック株式会社 有機elディスプレイの製造方法
JP6151888B2 (ja) * 2011-05-27 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US9029848B2 (en) 2011-06-09 2015-05-12 Pioneer Corporation Organic electroluminescent panel and method for producing the same
KR101990116B1 (ko) * 2012-10-22 2019-10-01 삼성디스플레이 주식회사 유기발광장치 및 그것의 제조방법
CN103066004B (zh) * 2012-11-20 2016-02-17 京东方科技集团股份有限公司 一种表面处理方法
KR102105077B1 (ko) * 2013-07-01 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP2015144087A (ja) 2014-01-31 2015-08-06 ソニー株式会社 有機電界発光装置および電子機器
JP6338655B2 (ja) 2014-04-04 2018-06-06 株式会社Joled 表示パネルおよびその製造方法
CN103996697B (zh) 2014-05-16 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元及其制作方法、显示装置
KR20170057336A (ko) * 2014-09-18 2017-05-24 파이오니아 가부시키가이샤 발광 장치
WO2016047021A1 (ja) * 2014-09-24 2016-03-31 株式会社Joled 有機el表示装置の製造方法および有機el表示装置
CN104282729B (zh) * 2014-10-29 2018-01-09 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板及其制备方法、显示装置
CN104882468B (zh) * 2015-06-09 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置
KR102555403B1 (ko) * 2015-06-18 2023-07-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 패널 및 이를 이용한 플렉서블 표시 장치
CN106775039B (zh) * 2015-11-20 2024-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸屏、其制作方法及显示装置
KR20180076832A (ko) 2016-12-28 2018-07-06 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN107331780B (zh) * 2017-05-24 2019-12-13 昆山国显光电有限公司 喷墨打印方法、显示基板及oled的制备方法
CN107991821A (zh) * 2018-01-19 2018-05-04 姜卫东 一种可独立控制分区变色的电致变色器件
CN110196523A (zh) * 2019-05-30 2019-09-03 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备、壳体组件、电致变色器件及制备方法
WO2020239075A1 (en) * 2019-05-30 2020-12-03 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Electronic apparatus and electrochromic device
US11604393B2 (en) 2019-05-30 2023-03-14 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Electronic apparatus and electrochromic device
CN110133933A (zh) * 2019-05-30 2019-08-16 Oppo广东移动通信有限公司 电致变色模组、盖板组件和电子设备

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5701055A (en) 1994-03-13 1997-12-23 Pioneer Electronic Corporation Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機el表示装置の製造方法
US6005344A (en) * 1998-02-18 1999-12-21 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display panel with multiple barriers
JP3641963B2 (ja) * 1999-02-15 2005-04-27 双葉電子工業株式会社 有機el素子とその製造方法
JP2001148292A (ja) * 1999-09-08 2001-05-29 Denso Corp 有機el素子

Also Published As

Publication number Publication date
WO2002089211A1 (en) 2002-11-07
JP2004527088A (ja) 2004-09-02
EP1386359A1 (en) 2004-02-04
US20030011304A1 (en) 2003-01-16
TW565098U (en) 2003-12-01
KR20030097625A (ko) 2003-12-31
KR100883341B1 (ko) 2009-02-11
CN1229866C (zh) 2005-11-30
US6583584B2 (en) 2003-06-24
CN1462477A (zh) 2003-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4237501B2 (ja) エレクトロルミネセント装置及びその製造方法
KR101347995B1 (ko) 광전자 디스플레이 및 그 제조 방법
JP4308522B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス・デバイスおよびその製造方法
US6395328B1 (en) Organic light emitting diode color display
US7132788B2 (en) Optimal bank shapes for inkjet printing
US6774392B2 (en) Organic light emitting diode and method for producing the same
JP2009533810A5 (ja)
KR20030095955A (ko) 유기 전자발광 디바이스 및 그 제조 방법
KR20040020783A (ko) 노즐코팅을 이용한 유기 전계 발광 소자 제조 방법
US7022534B2 (en) Optimal bank height for inkjet printing
GB2437113A (en) Light-emissive display and method of manufacturing the same
CN111192979A (zh) 显示面板的制造方法及功能层形成装置
US20020164415A1 (en) Electroluminescent Device
EP1422976B1 (en) Method for manufacturing organic el device and organic el device
KR20130018249A (ko) 발광 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20041221

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050421

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080603

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080827

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081118

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081218

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111226

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees