JP2011216177A5 - 記憶装置 - Google Patents

Claims (2)

1. 第１の記憶部と、第２の記憶部と、比較回路と、を有し、
   前記第１の記憶部は、不揮発性の第１の記憶素子を有し、基準データが書き込まれ、第１のデータを記憶する機能を有し、
   前記第２の記憶部は、第２の記憶素子と、トランジスタと、を有し、前記基準データが書き込まれ、第２のデータを記憶する機能を有し、
   前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
   前記トランジスタは、オフ状態となることによって、書き込まれた前記基準データに対応して前記第２の記憶素子に蓄積された電荷を、保持する機能を有し、
   前記比較回路は、前記第１の記憶部から読み出された前記第１のデータと、前記第２の記憶部から読み出された前記第２のデータと、を比較する機能を有することを特徴とする記憶装置。
2. 第１の記憶部と、第２の記憶部と、比較回路と、を有し、
   前記第１の記憶部は、不揮発性の第１の記憶素子を有し、基準データが書き込まれ、第１のデータを記憶する機能を有し、
   前記第２の記憶部は、第２の記憶素子と、トランジスタと、を有し、前記基準データが書き込まれ、第２のデータを記憶する機能と、前記比較回路から出力される第３のデータを記憶する機能と、を有し、
   前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
   前記トランジスタは、オフ状態となることによって、書き込まれた前記基準データに対応して前記第２の記憶素子に蓄積された電荷を、保持する機能を有し、
   前記比較回路は、前記第１の記憶部から読み出された前記第１のデータと、前記第２の記憶部から読み出された前記第２のデータと、を比較し、前記第３のデータを出力する機能を有することを特徴とする記憶装置。