JP2013229013A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 外部から入力されたデータを複数の記憶デバイスのいずれかに記憶させる機能を有するアレイコントローラであって、
   前記複数の記憶デバイスのうち、いずれかに前記データを記憶させるかを指定する機能を有するプロセッサと、
   前記データを記憶し、前記データを前記複数の記憶デバイスのいずれかに出力する機能を有するキャッシュメモリと、を有し、
   前記キャッシュメモリは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有することを特徴とするアレイコントローラ。
2. 請求項１において、
   前記トランジスタのチャネル幅１μｍあたりのオフ電流は、温度が２５℃において１００ｚＡ／μｍ以下であることを特徴とするアレイコントローラ。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記記憶デバイスは、ハードディスクであることを特徴とするアレイコントローラ。
4. 複数の記憶デバイスと、
   外部から入力されたデータを前記複数の記憶デバイスのいずれかに記憶させる機能を有するアレイコントローラと、を有し、
   前記アレイコントローラは、前記複数の記憶デバイスのうち、いずれかに前記データを記憶させるかを指定する機能を有するプロセッサと、前記データを記憶し、前記データを前記複数の記憶デバイスのいずれかに出力する機能を有するキャッシュメモリと、を有し、
   前記キャッシュメモリは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有することを特徴とするストレージシステム。
5. 複数の記憶デバイスと、
   外部から入力されたデータを前記複数の記憶デバイスのいずれかに記憶させる機能を有するアレイコントローラと、
   前記データを記憶し、前記データを前記複数の記憶デバイスのいずれかに出力する機能を有するキャッシュメモリと、を有し、
   前記アレイコントローラは、前記複数の記憶デバイスのうち、いずれかに前記データを記憶させるかを指定する機能を有するプロセッサを有し、
   前記キャッシュメモリは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有することを特徴とするストレージシステム。
6. 請求項４または請求項５において、
   前記トランジスタのチャネル幅１μｍあたりのオフ電流は、温度が２５℃において１００ｚＡ／μｍ以下であることを特徴とするストレージシステム。
7. 請求項４乃至６のいずれか一において、
   前記記憶デバイスは、ハードディスクであることを特徴とするストレージシステム。