KR20090082784A - Ｎｖｒａｍ 셀을 채용한 플래쉬 메모리 장치 - Google Patents

Ｎｖｒａｍ 셀을 채용한 플래쉬 메모리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 NVRAM 셀을 채용한 플래쉬 메모리 장치에 대하여 개시된다. 플래쉬 메모리 장치는, 행들과 제1 열들로 배열되며 복수개의 플래쉬 메모리 셀들이 직렬로 연결되어 구성된 복수개의 스트링들이 배열되는 낸드 플래쉬 셀 영역과, 행들과 제2 열들로 NVRAM 셀들이 배열되는 NVRAM 셀 영역을 포함한다. 낸드 플래쉬 셀 영역과 NVRAM 셀 영역은 인접하게 배치되어 메모리 셀 어레이를 구성한다. 선택된 행의 워드라인에 연결된 NVRAM 셀들과 플래쉬 메모리 셀들로 하나의 페이지 단위를 구성한다.
Figure P1020080008731
플래쉬 메모리 장치, 낸드 플래쉬 셀, NVRAM 셀, 랜덤 억세스 속도

Description

ＮＶＲＡＭ 셀을 채용한 플래쉬 메모리 장치{Flash memory device employing NVRAM cells}
본 발명은 플래쉬 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 NVRAM 셀을 채용한 낸드 플래쉬 메모리 장치에 관한 것이다.
플래쉬 메모리 장치는 터널링(tunneling) 현상을 이용하여 데이터를 프로그램하고 소거한다. 플래쉬 메모리 장치는, 우수한 데이터 보존성, 낮은 소비 전력 그리고 외부 충격에 강한 내구성으로 인하여, 휴대용 미디어 장치의 저장 장치로 적합하다. 일정한 개수의 메모리 셀들이 직렬로 연결된 낸드 플래쉬 메모리 장치는, 메모리 셀들이 병렬로 연결된 노아(NOR) 플래쉬 메모리 장치에 비해 메모리 셀의 크기가 상대적으로 작기 때문에, 집적도가 우수하여 대용량의 저장 장치로 더욱 유용하다. 낸드 플래쉬 메모리 장치의 저장 용량도 수십 Gb로 증가하고 있다.
도 1은 종래의 낸드 플래쉬 메모리 장치를 설명하는 블락 다이어그램이다. 도 1을 참조하면, 낸드 플래쉬 메모리 장치(100)는 전형적으로 제어부(102), 어드레스 버퍼 및 래치부(104), 데이터 입/출력 버퍼부(106), 로우 디코더(108), 칼럼 디코더(110), 메모리 셀 어레이(112), 센스 앰프 및 페이지 버퍼(114) 그리고 칼럼 게이팅 회로부(116)를 포함한다.
제어부(102)는 다수개의 제어 신호들(CLE, ALE, /CE, /RE, /WE, /WP)을 입력하여 플래쉬 메모리 장치(100)의 동작 모드, 예컨대 프로그램 동작, 삭제 동작, 독출 동작 등을 제어하는 모드 제어 신호들을 발생한다. 어드레스 버퍼 및 래치부(104)는 제어부(102)의 모드 제어 신호들에 응답하여 데이터 입/출력 핀들(I/O)을 통해 입력되는 로우 어드레스들(X-Add)과 칼럼 어드레스들(Y-Add) 각각을 로우 디코더(108)와 칼럼 디코더(110) 각각으로 제공한다.
로우 디코더(108)는 제어부(102)의 모드 제어 신호들에 응답하여 로우 어드레스들(X-Add)을 디코딩하여 메모리 셀 어레이(112)의 워드라인을 선택하고, 하나의 스트링을 구성하는 선택된 워드라인과 비선택된 워드라인들을 프로그램 동작, 소거 동작, 또는 독출 동작에 따른 프로그램 전압(Vpgm), 소거 전압(Verase), 독출 전압(Vread), 또는 패스 전압(Vpass)으로 구동한다. 칼럼 디코더(110)는 제어부(102)의 모드 제어 신호들에 응답하여 칼럼 어드레스들(Y-Add)을 디코딩하고 칼럼 선택 회로부(116)로 전달한다.
센스 앰프 및 페이지 버퍼(114)는, 독출 동작 시 메모리 셀 어레이(112)의 선택된 워드라인에 연결된 메모리 셀들로 구성된 하나의 페이지의 비트라인들의 데이터를 감지 증폭하여 데이터 입/출력 버퍼부(106)로 전달한다. 센스 앰프 및 페이지 버퍼(114)는, 프로그램 동작시 데이터 입/출력 핀들(I/O)과 데이터 입/출력 버퍼부(106)를 통해 입력되는 프로그램될 데이터들을 비트라인들로 전달한다. 칼럼 게이팅 회로부(116)는 디코딩된 칼럼 어드레스들에 응답하여 센스 앰프 및 페이지 버퍼(114)로부터 독출되는 비트라인 데이터들 중 데이터 입출력 위스에 해당하는 비트라인 데이터들을 데이터 입/출력 버퍼부(106)를 통해 데이터 입출력 핀들(I/O)로 전달한다.
메모리 셀 어레이(112) 내 하나의 페이지는, 도 2a의 작은 블락 페이지 또는 도 2b의 큰 블락 페이지로 구성될 수 있다. 도 2a의 작은 블락 페이지는 512 바이트의 플래쉬 셀과 16 바이트의 스페어 플래쉬 셀로 구성되고, 도 2b의 큰 블락 페이지는 2048 바이트의 플래쉬 셀과 64 바이트의 스페어 플래쉬 셀로 구성된다.
이러한 플래쉬 메모리 장치(100, 도 1)에서 독출 동작을 살펴보면, 독출 어드레스를 설정하고, 독출 어드레스에 해당하는 메모리 셀 데이터를 감지 증폭하여 페이지 버퍼(114)에 저장하는 데에 수십 us이 소요된다. 이는 스트링 타입의 낸드 플래쉬 셀의 특성에 기인한 것이다. 이에 따라, 낸드 플래쉬 메모리 장치는 랜덤 억세스(ramdom access)에 상당히 많은 시간이 소요되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 낸드 플래쉬 메모리 장치의 느린 랜덤 읽기 및 쓰기 속도를 개선하기 위하여 NVRAM을 채용하는 플래쉬 메모리 장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일면에 따른 플래쉬 메모리 장치는, 행들과 제1 열들로 배열되며 복수개의 플래쉬 메모리 셀들이 직렬로 연결되어 구성된 복수개의 스트링들이 배열되는 낸드 플래쉬 셀 영역과, 행들과 제2 열들로 NVRAM 셀들이 배열되는 NVRAM 셀 영역을 구비하고, 낸드 플래쉬 셀 영역과 NVRAM 셀 영역이 인접하게 배치되어 메모리 셀 어레이를 구성하고, 선택된 행의 워드라인에 연결된 NVRAM 셀들과 플래쉬 메모리 셀들로 하나의 페이지 단위를 구성한다.
본 발명의 실시예들에 따라, NVRAM 셀 영역은 메모리 셀 어레이의 스페어 영역 또는 데이터 영역에 포함될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따라, NVRAM 셀은 FRAM, MRAM 또는 PRAM으로 구성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따라, NVRAM 셀 영역은 하나의 페이지 내 플래쉬 메모리 셀들이 판독되어 출력되기 전까지 판독된 플래쉬 메모리 셀의 데이터가 출력되는 속도와 같은 속도로 계속 출력될 수 있는 정도의 용량을 갖도록 설정될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따라, 플래쉬 메모리 장치는 낸드 플래쉬 셀 영역의 데이터 판독 과정 동안, NVRAM 셀 영역의 독출 동작이 이루어져 NVRAM 셀의 데이터가 출력될 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 일면에 따른 플래쉬 메모리 장치는, NVRAM 셀 영역과 낸드 플래쉬 셀 영역으로 구성되고 낸드 플래쉬 셀 영역에는 행들과 제1 열들로 배열되며 복수개의 플래쉬 메모리 셀들이 직렬로 연결되어 구성된 복수개의 스트링들이 배열되고 NVRAM 셀 영역에는 행들과 제2 열들로 NVRAM 셀들이 배열되는 메모리 셀 어레이, 로우 어드레스들을 디코딩하여 행들의 워드라인을 선택하는 로우 디코더, 제1 칼럼 어드레스들을 디코딩하여 제1 열들의 비트라인을 선택하는 제1 칼럼 디코더, 제2 칼럼 어드레스들을 디코딩하여 제2 열들의 비트라인을 선택하는 제2 칼럼 디코더, 로우 디코더에 의해 선택되는 워드라인에 연결된 NVRAM 셀 영역의 비트라인들의 데이터를 감지 증폭하여 저장하는 제1 센스 앰프 및 페이지 버퍼, 선택된 워드라인에 연결된 플래쉬 셀 영역의 비트라인들의 데이터를 감지 증폭하여 저장하는 제2 센스 앰프 및 페이지 버퍼, 제1 칼럼 디코더에서 디코딩된 제1 칼럼 어드레스들에 응답하여 제1 센스 앰프 및 페이지 버퍼로부터 독출되는 비트라인 데이터들을 데이터 입/출력 버퍼부를 통해 데이터 입출력 핀들로 전달하는 제1 칼럼 게이팅 회로부, 그리고 제2 칼럼 디코더에서 디코딩된 제2 칼럼 어드레스들에 응답하여 제2 센스 앰프 및 페이지 버퍼로부터 독출되는 비트라인 데이터들을 데이터 입/출력 버퍼부를 통해 데이터 입출력 핀들로 전달하는 제2 칼럼 게이팅 회로부를 포함한다.
본 발명의 실시예들에 따라, 플래쉬 메모리 장치는 낸드 플레쉬 셀 영역의 삭제 정보와 페이지 정보를 포함하는 기입 버퍼를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따라, 기입 버퍼는 NVRAM 셀들로 구성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따라, 기입 버퍼는 NVRAM 셀들로 구성될 수 있으며, 낸드 플래쉬 셀 영역의 삭제 동작 후 기입 동작이 모두 이루어지기에 충분한 시간 동안 입력되는 기입 데이터를 모두 저장할 수 있는 정도의 용량을 갖도록 설정될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따라, 플래쉬 메모리 장치는 기입 버퍼로부터 삭제 정보와 페이지 정보를 통하여 기입 데이터가 쓰여질 블락과 페이지를 선정하는 기입 버퍼 제어부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따라, 기입 버퍼 제어부는, 선택된 페이지의 NVRAM 셀 영역에 기입 데이터의 기입 동작을 수행하고, 낸드 플래쉬 셀 영역에는 기입 동작을 준비한 후 준비 동작이 끝나면 기입 데이터의 기입 동작을 수행할 수 있다.
본 발명의 플래쉬 메모리 장치는 메모리 셀 어레이의 페이지가 선택되면 NVRAM 셀 영역의 데이터를 먼저 독출하고 기입 데이터의 기입 동작을 NVRAM 셀 영역에 먼저 수행하기 때문에, 플래쉬 메모리 장치의 랜덤 독출 및 쓰기 속도는 NVRAM이 가지는 억세스 속도로까지 향상된다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 예시적인 실시예를 설명하는 첨부 도 면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 낸드 플래쉬 메모리 장치를 설명하는 블락 다이어그램이다. 도 3을 참조하면, 낸드 플래쉬 메모리 장치(300)는, 제어부(302), 어드레스 버퍼 및 래치부(304), 데이터 입/출력 버퍼부(306), 로우 디코더(308), 제1 및 제2 칼럼 디코더들(309, 310), 메모리 셀 어레이(312), 제1 및 제2 센스 앰프 및 페이지 버퍼들(313, 314) 그리고 제1 및 제2 칼럼 게이팅 회로부들(315, 316)을 포함한다.
제어부(302)는 다수개의 제어 신호들(CLE, ALE, /CE, /RE, /WE, /WP)을 입력하여 플래쉬 메모리 장치(100)의 동작 모드, 예컨대 프로그램 동작, 삭제 동작, 독출 동작 등을 제어하는 모드 제어 신호들을 발생한다. 어드레스 버퍼 및 래치부(304)는 제어부(102)의 모드 제어 신호들에 응답하여 데이터 입/출력 핀들(I/O)을 통해 입력되는 m 비트의 로우 어드레스들(X-Add)과 n 비트의 칼럼 어드레스들(Y-Add) 각각을 로우 디코더(308)와 칼럼 디코더들(309, 310)로 제공한다.
로우 디코더(308)는 제어부(302)의 모드 제어 신호들에 응답하여 m 비트의 로우 어드레스들(X-Add)을 디코딩한다. 제1 칼럼 디코더(309)는 제어부(102)의 모드 제어 신호들에 응답하여 k 비트의 칼럼 어드레스들(Y-Add)을 디코딩하고, 제2 칼럼 디코더(310)는 (n-k) 비트의 칼럼 어드레스들(Y-Add)을 디코딩한다.
메모리 셀 어레이(312)는 NVRAM 셀 영역(311a)과 낸드 플래쉬 셀 영역(311b)으로 구성된다. NVRAM 셀 영역(311a)은 워드라인들과 비트라인들의 교차점들에 배열되는 FRAM, PRAM 또는 MRAM 셀들로 구성된다. 낸드 플래쉬 셀 영역(311b)은 하나의 비트라인에 직렬 연결된 복수개의 메모리 셀들이 하나의 스트링을 구성하고, 복수개의 메모리 셀들 각각에 워드라인들이 각각 연결되고, 복수개의 스트링들이 배열된다. 메모리 셀 어레이(312)는 하나의 워드라인에 연결되는 NVRAM 셀들과 플래쉬 셀들을 기준으로 페이지 단위로 구분되고, 복수개의 페이지들로 구성된 블락으로 구분된다.
제1 센스 앰프 및 페이지 버퍼(313)는, 제어부(302)의 모드 제어 신호들에 응답하여, 독출 동작 시 메모리 셀 어레이(312)의 선택된 워드라인에 연결된 NVRAM 셀 영역(311)의 비트라인들의 데이터를 감지 증폭하여 페이지 버퍼에 저장하고, 제2 센스 앰프 및 페이지 버퍼(313)는 선택된 워드라인에 연결된 플래쉬 셀 영역(311b)의 비트라인들의 데이터를 감지 증폭하여 페이지 버퍼에 저장한다.
제1 칼럼 게이팅 회로부(116)는 제1 칼럼 디코더(309)에서 디코딩된 k 비트의 칼럼 어드레스들에 응답하여 제1 센스 앰프 및 페이지 버퍼(313)로부터 독출되는 비트라인 데이터들을 데이터 입/출력 버퍼부(306)를 통해 데이터 입출력 핀들(I/O)로 전달하고, 제2 칼럼 게이팅 회로부(316)는 제2 칼럼 디코더(310)에서 디코딩된 (n-k) 비트의 칼럼 어드레스들에 응답하여 제2 센스 앰프 및 페이지 버퍼(314)로부터 독출되는 비트라인 데이터들을 데이터 입/출력 버퍼부(306)를 통해 데이터 입출력 핀들(I/O)로 전달한다. 제1 칼럼 게이팅 회로부(116)와 제2 칼럼 게 이팅 회로부(316)를 통해 전달되는 비트라인 데이터들은 데이터 입출력 위스에 해당한다.
플래쉬 메모리 장치(300)는, 독출 동작 시 디코딩된 m 비트의 로우 어드레스(X-Add)에 의해 선택된 페이지에서 디코딩된 k 비트의 칼럼 어드레스(Y-Add)에 의해 선택되는 비트라인들은 NVRAM 셀 영역(311a)에 존재한다. m 비트의 로우 어드레스(X-Add)와 k 비트의 칼럼 어드레스(Y-Add)에 의해 선택되는 NVRAM 셀들은 NVRAM 셀의 읽기 속도로 출력되어 제1 센스 앰프 및 페이지 버퍼(313)에 저장된 후, 데이터 입/출력 버퍼부(306)를 통해 데이터 입출력 핀들(I/O)로 전달된다. 이 때, NVRAM 셀 영역(311a)이 선택되어 동작되는 시점과 동일하게 같은 페이지 상에 있는 NAND 플래쉬 셀 영역(311b)도 선택되어 동작된다.
즉, NVRAM 셀 영역(311a)의 페이지 데이터 일부가 데이터 입출력 핀들(I/O)로 출력되는 동안, NAND 플래쉬 셀 영역(311b)의 나머지 페이지 데이터는 제2 센스 앰프 및 페이지 버퍼(314)에서 증폭되고 페이지 버퍼에 저장된다. NVRAM 셀 영역(311a)의 제1 페이지 버퍼(313) 데이터가 모두 데이터 입출력 핀들(I/O)로 출력되면, NAND 플래쉬 셀 영역(311b)의 제2 페이지 버퍼(314) 데이터가 데이터 입출력 핀들(I/O)로 출력된다.
따라서, 플래쉬 메모리 장치(300)는, 메모리 셀 어레이(312)의 페이지가 선택되면 빠른 읽기가 가능한 NVRAM 셀 영역(311a)의 데이터를 먼저 독출하기 때문에, 종래의 플래쉬 메모리 장치처럼 수십 us을 기다릴 필요가 없다. 플래쉬 메모리 장치(300)의 랜덤 독출 속도는 NVRAM이 가지는 억세스 속도로까지 향상될 수 있다.
메모리 셀 어레이(312)의 NVRAM 셀 영역(311a)의 크기는 낸드 플래쉬 셀 영역(311b)의 메모리 셀이 선택되어 데이터를 센싱한 후 페이지 버퍼에 저장되는 시간 동안 데이터 입출력 핀들(I/O)로 계속 출력할 수 있는 정도의 크기가 필요하다.도 4a 내지 도 4c는 낸드 플래쉬 셀 어레이(312) 내 하나의 페이지 구성을 설명하는 도면이다. 도 4a를 참조하면, 하나의 페이지는 스페어 셀, NVRAM 셀 그리고 플래쉬 셀로 구성되는 데, 스페어 셀은 NVRAM 셀로 구성된다. 구체적으로, 도 4b에 도시된 바와 같이, 512 바이트의 작은 블락 페이지인 경우, 16 바이트의 스페어 NVRAM 셀, X 바이트의 NVRAM 셀 그리고 (512-X) 바이트의 플래쉬 셀들로 구성된다. 도 4c는, 2048 바이트의 큰 블락 페이지인 경우, 64 바이트의 스페어 NVRAM 셀, Y 바이트의 NVRAM 셀 그리고 (2048-Y) 바이트의 플래쉬 셀들로 구성된다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플래쉬 메모리 장치를 설명하는 도면이다. 도 5를 참조하면, 도 3의 플래쉬 메모리 장치(300)가 종래의 플래쉬 메모리 장치(100, 도 1)의 기입(또는 프로그램) 방식을 따라 기입(또는 프로그램) 동작이 이루어지기 때문에 기입(또는 프로그램) 속도 향상을 기대할 수 없는 점을 감안하여, 플래쉬 메모리 장치(500)는 플래쉬 메모리 장치(300)와 비교하여 NVRAM 셀들로 구성된 기입 버퍼(510)와 기입 버퍼(510)를 제어하는 기입 버퍼 제어부(520)를 더 포함한다.
기입 버퍼(510)는 낸드 플레쉬 셀 영역(311b)의 삭제 횟수 등의 삭제 정보와 어드레스 맵 데이터 및 기입 데이터 등의 페이지 정보를 포함한다. 기입 동작시 특정 어드레스의 기입 데이터가 입력되면, 기입 데이터는 기입 버퍼(510)에 순차적으 로 저장되고, 기입 버퍼 제어부(520)는 기입 버퍼(510)로부터 삭제 정보와 페이지 정보를 통하여 기입 데이터가 쓰여질 블락과 페이지를 선정한다. 만약 삭제 동작이 필요없는 경우, 선택된 페이지 어드레스의 NVRAM 셀 영역(311a)은 기입 데이터의 기입 동작을 수행하고, 낸드 플래쉬 셀 영역(311b)은 기입 동작을 준비한 후 준비 동작이 끝나면 기입 데이터의 기입 동작을 수행한다. 삭제 동작이 필요한 경우, 삭제 동작을 수행한 후 기입 동작을 수행하게 된다. 이에 따라, 기입 버퍼(510)의 용량은, 삭제 동작 후 기입 동작이 모두 이루어지기에 충분한 시간 동안 입력되는 기입 데이터를 모두 저장할 수 있는 만큼의 용량보다 커야 한다. 이러한 기입 동작은, 플래쉬 메모리 장치가 장착되는 시스템 내 메모리 콘트롤러에 의해 시스템이 아이들(idle) 상태일 때 수행되도록 설정될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 종래의 낸드 플래쉬 메모리 장치를 설명하는 블락 다이어그램이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 메모리 셀 어레이 내 하나의 페이지 구성을 설명하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 낸드 플래쉬 메모리 장치를 설명하는 블락 다이어그램이다.
도 4a 내지 도 4c는 도 3의 메모리 셀 어레이 내 하나의 페이지 구성을 설명하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 낸드 플래쉬 메모리 장치를 설명하는 블락 다이어그램이다.

Claims (15)

  1. 행들과 제1 열들로 배열되며, 복수개의 플래쉬 메모리 셀들이 직렬로 연결되어 구성된 복수개의 스트링들이 배열되는 낸드 플래쉬 셀 영역; 및
    상기 행들과 제2 열들로 NVRAM 셀들이 배열되는 NVRAM 셀 영역을 구비하고,
    상기 낸드 플래쉬 셀 영역과 상기 NVRAM 셀 영역이 인접하게 배치되어 메모리 셀 어레이를 구성하고, 선택된 행의 워드라인에 연결된 상기 NVRAM 셀들과 상기 플래쉬 메모리 셀들로 하나의 페이지 단위를 구성하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 NVRAM 셀 영역은
    상기 메모리 셀 어레이의 스페어 영역 또는 데이터 영역에 포함되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 NVRAM 셀은
    FRAM 셀, MRAM 셀 또는 PRAM 셀로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 NVRAM 셀 영역은
    상기 하나의 페이지 내 상기 플래쉬 메모리 셀들이 판독되어 출력되기 전까 지 상기 판독된 플래쉬 메모리 셀의 데이터가 출력되는 속도와 같은 속도로 계속 출력될 수 있는 정도의 용량을 갖는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 플래쉬 메모리 장치는
    상기 낸드 플래쉬 셀 영역의 데이터 판독 과정 동안 상기 NVRAM 셀 영역의 독출 동작이 이루어져 상기 NVRAM 셀의 데이터가 출력되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  6. NVRAM 셀 영역과 낸드 플래쉬 셀 영역으로 구성되고, 상기 낸드 플래쉬 셀 영역에는 행들과 제1 열들로 배열되며 복수개의 플래쉬 메모리 셀들이 직렬로 연결되어 구성된 복수개의 스트링들이 배열되고, 상기 NVRAM 셀 영역에는 상기 행들과 제2 열들로 NVRAM 셀들이 배열되는 메모리 셀 어레이;
    로우 어드레스들을 디코딩하여 상기 행들의 워드라인을 선택하는 로우 디코더;
    제1 칼럼 어드레스들을 디코딩하여 상기 제1 열들의 비트라인을 선택하는 제1 칼럼 디코더;
    제2 칼럼 어드레스들을 디코딩하여 상기 제2 열들의 비트라인을 선택하는 제2 칼럼 디코더;
    상기 로우 디코더에 의해 선택되는 워드라인에 연결된 상기 NVRAM 셀 영역의 비트라인들의 데이터를 감지 증폭하여 저장하는 제1 센스 앰프 및 페이지 버퍼;
    상기 선택된 워드라인에 연결된 상기 플래쉬 셀 영역의 비트라인들의 데이터를 감지 증폭하여 저장하는 제2 센스 앰프 및 페이지 버퍼;
    상기 제1 칼럼 디코더에서 디코딩된 상기 제1 칼럼 어드레스들에 응답하여 상기 제1 센스 앰프 및 페이지 버퍼로부터 독출되는 비트라인 데이터들을 데이터 입/출력 버퍼부를 통해 상기 데이터 입출력 핀들로 전달하는 제1 칼럼 게이팅 회로부; 및
    상기 제2 칼럼 디코더에서 디코딩된 상기 제2 칼럼 어드레스들에 응답하여 상기 제2 센스 앰프 및 페이지 버퍼로부터 독출되는 비트라인 데이터들을 상기 데이터 입/출력 버퍼부를 통해 상기 데이터 입출력 핀들로 전달하는 제2 칼럼 게이팅 회로부를 구비하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 NVRAM 셀 영역은
    상기 메모리 셀 어레이의 스페어 영역 또는 데이터 영역에 포함되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 NVRAM 셀은
    FRAM 셀, MRAM 셀 또는 PRAM 셀로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 NVRAM 셀 영역은
    상기 하나의 페이지 내 상기 플래쉬 메모리 셀들이 판독되어 출력되기 전까지 상기 판독된 플래쉬 메모리 셀의 데이터가 출력되는 속도와 같은 속도로 계속 출력될 수 있는 정도의 용량을 갖는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 플래쉬 메모리 장치는
    상기 낸드 플래쉬 셀 영역의 데이터 판독 과정 동안 상기 NVRAM 셀 영역의 독출 동작이 이루어져 상기 NVRAM 셀의 데이터가 출력되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  11. 제6항에 있어서, 상기 플래쉬 메모리 장치는
    상기 낸드 플레쉬 셀 영역의 삭제 정보와 페이지 정보를 포함하는 기입 버퍼를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 기입 버퍼는
    상기 NVRAM 셀들로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 기입 버퍼는
    상기 낸드 플래쉬 셀 영역의 삭제 동작 후 기입 동작이 모두 이루어지기에 충분한 시간 동안 입력되는 기입 데이터를 모두 저장할 수 있는 정도의 용량을 갖는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 플래쉬 메모리 장치는
    상기 기입 버퍼로부터 삭제 정보와 페이지 정보를 통하여 기입 데이터가 쓰여질 블락과 페이지를 선정하는 기입 버퍼 제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 기입 버퍼 제어부는
    선택된 페이지의 상기 NVRAM 셀 영역에 상기 기입 데이터의 기입 동작을 수행하고, 상기 낸드 플래쉬 셀 영역에는 기입 동작을 준비한 후 준비 동작이 끝나면 상기 기입 데이터의 기입 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
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Families Citing this family (165)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7898859B2 (en) 2009-06-15 2011-03-01 Micron Technology, Inc. Use of emerging non-volatile memory elements with flash memory
KR20110034980A (ko) 2009-09-29 2011-04-06 주식회사 하이닉스반도체 상변화 메모리 장치 및 이를 위한 라이트 제어 방법
US8243529B2 (en) 2009-11-04 2012-08-14 Micron Technology, Inc. Memory device page buffer configuration and methods
WO2011114866A1 (en) * 2010-03-17 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US12008266B2 (en) 2010-09-15 2024-06-11 Pure Storage, Inc. Efficient read by reconstruction
US11614893B2 (en) 2010-09-15 2023-03-28 Pure Storage, Inc. Optimizing storage device access based on latency
US8325534B2 (en) 2010-12-28 2012-12-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Concurrent operation of plural flash memories
US8589640B2 (en) 2011-10-14 2013-11-19 Pure Storage, Inc. Method for maintaining multiple fingerprint tables in a deduplicating storage system
KR101903440B1 (ko) 2012-02-21 2018-10-02 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 접지 선택 트랜지스터의 문턱전압 조절 방법
US9430735B1 (en) * 2012-02-23 2016-08-30 Micron Technology, Inc. Neural network in a memory device
KR101942275B1 (ko) 2012-04-18 2019-01-25 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
KR101938210B1 (ko) 2012-04-18 2019-01-15 삼성전자주식회사 낸드 플래시 메모리, 가변 저항 메모리 및 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템의 동작 방법
US9001577B2 (en) 2012-06-01 2015-04-07 Micron Technology, Inc. Memory cell sensing
CN103577574B (zh) * 2013-11-05 2017-02-08 中船重工（武汉）凌久电子有限责任公司 一种基于nand flash的高可靠线性文件系统
JP2015176628A (ja) * 2014-03-17 2015-10-05 株式会社東芝 半導体記憶装置及びメモリコントローラ
US11960371B2 (en) 2014-06-04 2024-04-16 Pure Storage, Inc. Message persistence in a zoned system
US8850108B1 (en) 2014-06-04 2014-09-30 Pure Storage, Inc. Storage cluster
US10574754B1 (en) 2014-06-04 2020-02-25 Pure Storage, Inc. Multi-chassis array with multi-level load balancing
US11399063B2 (en) 2014-06-04 2022-07-26 Pure Storage, Inc. Network authentication for a storage system
US9213485B1 (en) 2014-06-04 2015-12-15 Pure Storage, Inc. Storage system architecture
US11652884B2 (en) 2014-06-04 2023-05-16 Pure Storage, Inc. Customized hash algorithms
US11068363B1 (en) 2014-06-04 2021-07-20 Pure Storage, Inc. Proactively rebuilding data in a storage cluster
US9003144B1 (en) 2014-06-04 2015-04-07 Pure Storage, Inc. Mechanism for persisting messages in a storage system
US9367243B1 (en) 2014-06-04 2016-06-14 Pure Storage, Inc. Scalable non-uniform storage sizes
US9836234B2 (en) 2014-06-04 2017-12-05 Pure Storage, Inc. Storage cluster
US9218244B1 (en) 2014-06-04 2015-12-22 Pure Storage, Inc. Rebuilding data across storage nodes
US11604598B2 (en) 2014-07-02 2023-03-14 Pure Storage, Inc. Storage cluster with zoned drives
US9836245B2 (en) 2014-07-02 2017-12-05 Pure Storage, Inc. Non-volatile RAM and flash memory in a non-volatile solid-state storage
US8868825B1 (en) 2014-07-02 2014-10-21 Pure Storage, Inc. Nonrepeating identifiers in an address space of a non-volatile solid-state storage
US9021297B1 (en) 2014-07-02 2015-04-28 Pure Storage, Inc. Redundant, fault-tolerant, distributed remote procedure call cache in a storage system
US10114757B2 (en) 2014-07-02 2018-10-30 Pure Storage, Inc. Nonrepeating identifiers in an address space of a non-volatile solid-state storage
US11886308B2 (en) 2014-07-02 2024-01-30 Pure Storage, Inc. Dual class of service for unified file and object messaging
US9042160B1 (en) 2014-07-03 2015-05-26 Sandisk Technologies Inc. Memory device with resistive random access memory (ReRAM)
US8874836B1 (en) 2014-07-03 2014-10-28 Pure Storage, Inc. Scheduling policy for queues in a non-volatile solid-state storage
US10853311B1 (en) 2014-07-03 2020-12-01 Pure Storage, Inc. Administration through files in a storage system
US9811677B2 (en) 2014-07-03 2017-11-07 Pure Storage, Inc. Secure data replication in a storage grid
US9747229B1 (en) 2014-07-03 2017-08-29 Pure Storage, Inc. Self-describing data format for DMA in a non-volatile solid-state storage
US9766972B2 (en) 2014-08-07 2017-09-19 Pure Storage, Inc. Masking defective bits in a storage array
US9082512B1 (en) 2014-08-07 2015-07-14 Pure Storage, Inc. Die-level monitoring in a storage cluster
US9558069B2 (en) 2014-08-07 2017-01-31 Pure Storage, Inc. Failure mapping in a storage array
US9495255B2 (en) 2014-08-07 2016-11-15 Pure Storage, Inc. Error recovery in a storage cluster
US10983859B2 (en) 2014-08-07 2021-04-20 Pure Storage, Inc. Adjustable error correction based on memory health in a storage unit
US9483346B2 (en) 2014-08-07 2016-11-01 Pure Storage, Inc. Data rebuild on feedback from a queue in a non-volatile solid-state storage
US10079711B1 (en) 2014-08-20 2018-09-18 Pure Storage, Inc. Virtual file server with preserved MAC address
US9948615B1 (en) 2015-03-16 2018-04-17 Pure Storage, Inc. Increased storage unit encryption based on loss of trust
US11294893B2 (en) 2015-03-20 2022-04-05 Pure Storage, Inc. Aggregation of queries
US9940234B2 (en) 2015-03-26 2018-04-10 Pure Storage, Inc. Aggressive data deduplication using lazy garbage collection
US10082985B2 (en) 2015-03-27 2018-09-25 Pure Storage, Inc. Data striping across storage nodes that are assigned to multiple logical arrays
US10178169B2 (en) 2015-04-09 2019-01-08 Pure Storage, Inc. Point to point based backend communication layer for storage processing
US9672125B2 (en) 2015-04-10 2017-06-06 Pure Storage, Inc. Ability to partition an array into two or more logical arrays with independently running software
US10140149B1 (en) 2015-05-19 2018-11-27 Pure Storage, Inc. Transactional commits with hardware assists in remote memory
US9817576B2 (en) 2015-05-27 2017-11-14 Pure Storage, Inc. Parallel update to NVRAM
US10846275B2 (en) 2015-06-26 2020-11-24 Pure Storage, Inc. Key management in a storage device
US10983732B2 (en) 2015-07-13 2021-04-20 Pure Storage, Inc. Method and system for accessing a file
US11232079B2 (en) 2015-07-16 2022-01-25 Pure Storage, Inc. Efficient distribution of large directories
US10108355B2 (en) 2015-09-01 2018-10-23 Pure Storage, Inc. Erase block state detection
US11341136B2 (en) 2015-09-04 2022-05-24 Pure Storage, Inc. Dynamically resizable structures for approximate membership queries
US11269884B2 (en) 2015-09-04 2022-03-08 Pure Storage, Inc. Dynamically resizable structures for approximate membership queries
US9768953B2 (en) 2015-09-30 2017-09-19 Pure Storage, Inc. Resharing of a split secret
US10853266B2 (en) 2015-09-30 2020-12-01 Pure Storage, Inc. Hardware assisted data lookup methods
US10762069B2 (en) 2015-09-30 2020-09-01 Pure Storage, Inc. Mechanism for a system where data and metadata are located closely together
US9843453B2 (en) 2015-10-23 2017-12-12 Pure Storage, Inc. Authorizing I/O commands with I/O tokens
US10007457B2 (en) 2015-12-22 2018-06-26 Pure Storage, Inc. Distributed transactions with token-associated execution
CN105760113B (zh) * 2016-02-04 2019-03-22 西安科技大学 基于nand闪存的高速存储设备及文件管理方法
US20170228191A1 (en) * 2016-02-08 2017-08-10 Western Digital Technologies, Inc. Systems and methods for suppressing latency in non-volatile solid state devices
US10261690B1 (en) 2016-05-03 2019-04-16 Pure Storage, Inc. Systems and methods for operating a storage system
US11861188B2 (en) 2016-07-19 2024-01-02 Pure Storage, Inc. System having modular accelerators
US10768819B2 (en) 2016-07-22 2020-09-08 Pure Storage, Inc. Hardware support for non-disruptive upgrades
US9672905B1 (en) 2016-07-22 2017-06-06 Pure Storage, Inc. Optimize data protection layouts based on distributed flash wear leveling
US11449232B1 (en) 2016-07-22 2022-09-20 Pure Storage, Inc. Optimal scheduling of flash operations
US11604690B2 (en) 2016-07-24 2023-03-14 Pure Storage, Inc. Online failure span determination
US10216420B1 (en) 2016-07-24 2019-02-26 Pure Storage, Inc. Calibration of flash channels in SSD
US11080155B2 (en) 2016-07-24 2021-08-03 Pure Storage, Inc. Identifying error types among flash memory
US11797212B2 (en) 2016-07-26 2023-10-24 Pure Storage, Inc. Data migration for zoned drives
US11734169B2 (en) 2016-07-26 2023-08-22 Pure Storage, Inc. Optimizing spool and memory space management
US10366004B2 (en) 2016-07-26 2019-07-30 Pure Storage, Inc. Storage system with elective garbage collection to reduce flash contention
US11886334B2 (en) 2016-07-26 2024-01-30 Pure Storage, Inc. Optimizing spool and memory space management
US10203903B2 (en) 2016-07-26 2019-02-12 Pure Storage, Inc. Geometry based, space aware shelf/writegroup evacuation
US11422719B2 (en) 2016-09-15 2022-08-23 Pure Storage, Inc. Distributed file deletion and truncation
US10756816B1 (en) 2016-10-04 2020-08-25 Pure Storage, Inc. Optimized fibre channel and non-volatile memory express access
US12039165B2 (en) 2016-10-04 2024-07-16 Pure Storage, Inc. Utilizing allocation shares to improve parallelism in a zoned drive storage system
US9747039B1 (en) 2016-10-04 2017-08-29 Pure Storage, Inc. Reservations over multiple paths on NVMe over fabrics
US10481798B2 (en) 2016-10-28 2019-11-19 Pure Storage, Inc. Efficient flash management for multiple controllers
US11550481B2 (en) 2016-12-19 2023-01-10 Pure Storage, Inc. Efficiently writing data in a zoned drive storage system
US11307998B2 (en) 2017-01-09 2022-04-19 Pure Storage, Inc. Storage efficiency of encrypted host system data
US9747158B1 (en) 2017-01-13 2017-08-29 Pure Storage, Inc. Intelligent refresh of 3D NAND
US11955187B2 (en) 2017-01-13 2024-04-09 Pure Storage, Inc. Refresh of differing capacity NAND
US10979223B2 (en) 2017-01-31 2021-04-13 Pure Storage, Inc. Separate encryption for a solid-state drive
US10528488B1 (en) 2017-03-30 2020-01-07 Pure Storage, Inc. Efficient name coding
US11016667B1 (en) 2017-04-05 2021-05-25 Pure Storage, Inc. Efficient mapping for LUNs in storage memory with holes in address space
US10944671B2 (en) 2017-04-27 2021-03-09 Pure Storage, Inc. Efficient data forwarding in a networked device
US10516645B1 (en) 2017-04-27 2019-12-24 Pure Storage, Inc. Address resolution broadcasting in a networked device
US10141050B1 (en) 2017-04-27 2018-11-27 Pure Storage, Inc. Page writes for triple level cell flash memory
US11467913B1 (en) 2017-06-07 2022-10-11 Pure Storage, Inc. Snapshots with crash consistency in a storage system
US11782625B2 (en) 2017-06-11 2023-10-10 Pure Storage, Inc. Heterogeneity supportive resiliency groups
US11138103B1 (en) 2017-06-11 2021-10-05 Pure Storage, Inc. Resiliency groups
US11947814B2 (en) 2017-06-11 2024-04-02 Pure Storage, Inc. Optimizing resiliency group formation stability
US10425473B1 (en) 2017-07-03 2019-09-24 Pure Storage, Inc. Stateful connection reset in a storage cluster with a stateless load balancer
US10402266B1 (en) 2017-07-31 2019-09-03 Pure Storage, Inc. Redundant array of independent disks in a direct-mapped flash storage system
US10831935B2 (en) 2017-08-31 2020-11-10 Pure Storage, Inc. Encryption management with host-side data reduction
US10210926B1 (en) 2017-09-15 2019-02-19 Pure Storage, Inc. Tracking of optimum read voltage thresholds in nand flash devices
US10877827B2 (en) 2017-09-15 2020-12-29 Pure Storage, Inc. Read voltage optimization
US10884919B2 (en) 2017-10-31 2021-01-05 Pure Storage, Inc. Memory management in a storage system
US10496330B1 (en) 2017-10-31 2019-12-03 Pure Storage, Inc. Using flash storage devices with different sized erase blocks
US11024390B1 (en) 2017-10-31 2021-06-01 Pure Storage, Inc. Overlapping RAID groups
US10545687B1 (en) 2017-10-31 2020-01-28 Pure Storage, Inc. Data rebuild when changing erase block sizes during drive replacement
US10515701B1 (en) 2017-10-31 2019-12-24 Pure Storage, Inc. Overlapping raid groups
US10860475B1 (en) 2017-11-17 2020-12-08 Pure Storage, Inc. Hybrid flash translation layer
US10990566B1 (en) 2017-11-20 2021-04-27 Pure Storage, Inc. Persistent file locks in a storage system
US10719265B1 (en) 2017-12-08 2020-07-21 Pure Storage, Inc. Centralized, quorum-aware handling of device reservation requests in a storage system
US10929053B2 (en) 2017-12-08 2021-02-23 Pure Storage, Inc. Safe destructive actions on drives
US10929031B2 (en) 2017-12-21 2021-02-23 Pure Storage, Inc. Maximizing data reduction in a partially encrypted volume
US10733053B1 (en) 2018-01-31 2020-08-04 Pure Storage, Inc. Disaster recovery for high-bandwidth distributed archives
US10467527B1 (en) 2018-01-31 2019-11-05 Pure Storage, Inc. Method and apparatus for artificial intelligence acceleration
US10976948B1 (en) 2018-01-31 2021-04-13 Pure Storage, Inc. Cluster expansion mechanism
US11036596B1 (en) 2018-02-18 2021-06-15 Pure Storage, Inc. System for delaying acknowledgements on open NAND locations until durability has been confirmed
US11494109B1 (en) 2018-02-22 2022-11-08 Pure Storage, Inc. Erase block trimming for heterogenous flash memory storage devices
US11995336B2 (en) 2018-04-25 2024-05-28 Pure Storage, Inc. Bucket views
US12001688B2 (en) 2019-04-29 2024-06-04 Pure Storage, Inc. Utilizing data views to optimize secure data access in a storage system
US10931450B1 (en) 2018-04-27 2021-02-23 Pure Storage, Inc. Distributed, lock-free 2-phase commit of secret shares using multiple stateless controllers
US12079494B2 (en) 2018-04-27 2024-09-03 Pure Storage, Inc. Optimizing storage system upgrades to preserve resources
US10853146B1 (en) 2018-04-27 2020-12-01 Pure Storage, Inc. Efficient data forwarding in a networked device
US11385792B2 (en) 2018-04-27 2022-07-12 Pure Storage, Inc. High availability controller pair transitioning
US11436023B2 (en) 2018-05-31 2022-09-06 Pure Storage, Inc. Mechanism for updating host file system and flash translation layer based on underlying NAND technology
US11438279B2 (en) 2018-07-23 2022-09-06 Pure Storage, Inc. Non-disruptive conversion of a clustered service from single-chassis to multi-chassis
US11500570B2 (en) 2018-09-06 2022-11-15 Pure Storage, Inc. Efficient relocation of data utilizing different programming modes
US11354058B2 (en) 2018-09-06 2022-06-07 Pure Storage, Inc. Local relocation of data stored at a storage device of a storage system
US11868309B2 (en) 2018-09-06 2024-01-09 Pure Storage, Inc. Queue management for data relocation
US12067274B2 (en) 2018-09-06 2024-08-20 Pure Storage, Inc. Writing segments and erase blocks based on ordering
US11520514B2 (en) 2018-09-06 2022-12-06 Pure Storage, Inc. Optimized relocation of data based on data characteristics
US10454498B1 (en) 2018-10-18 2019-10-22 Pure Storage, Inc. Fully pipelined hardware engine design for fast and efficient inline lossless data compression
US10976947B2 (en) 2018-10-26 2021-04-13 Pure Storage, Inc. Dynamically selecting segment heights in a heterogeneous RAID group
US10777286B2 (en) * 2018-12-28 2020-09-15 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for determining data states of memory cells
US11334254B2 (en) 2019-03-29 2022-05-17 Pure Storage, Inc. Reliability based flash page sizing
US11775189B2 (en) 2019-04-03 2023-10-03 Pure Storage, Inc. Segment level heterogeneity
US12087382B2 (en) 2019-04-11 2024-09-10 Pure Storage, Inc. Adaptive threshold for bad flash memory blocks
US11099986B2 (en) 2019-04-12 2021-08-24 Pure Storage, Inc. Efficient transfer of memory contents
US11487665B2 (en) 2019-06-05 2022-11-01 Pure Storage, Inc. Tiered caching of data in a storage system
US11714572B2 (en) 2019-06-19 2023-08-01 Pure Storage, Inc. Optimized data resiliency in a modular storage system
US11281394B2 (en) 2019-06-24 2022-03-22 Pure Storage, Inc. Replication across partitioning schemes in a distributed storage system
US11893126B2 (en) 2019-10-14 2024-02-06 Pure Storage, Inc. Data deletion for a multi-tenant environment
US12001684B2 (en) 2019-12-12 2024-06-04 Pure Storage, Inc. Optimizing dynamic power loss protection adjustment in a storage system
US11416144B2 (en) 2019-12-12 2022-08-16 Pure Storage, Inc. Dynamic use of segment or zone power loss protection in a flash device
US11704192B2 (en) 2019-12-12 2023-07-18 Pure Storage, Inc. Budgeting open blocks based on power loss protection
US11847331B2 (en) 2019-12-12 2023-12-19 Pure Storage, Inc. Budgeting open blocks of a storage unit based on power loss prevention
US11188432B2 (en) 2020-02-28 2021-11-30 Pure Storage, Inc. Data resiliency by partially deallocating data blocks of a storage device
US11507297B2 (en) 2020-04-15 2022-11-22 Pure Storage, Inc. Efficient management of optimal read levels for flash storage systems
US11256587B2 (en) 2020-04-17 2022-02-22 Pure Storage, Inc. Intelligent access to a storage device
US12056365B2 (en) 2020-04-24 2024-08-06 Pure Storage, Inc. Resiliency for a storage system
US11416338B2 (en) 2020-04-24 2022-08-16 Pure Storage, Inc. Resiliency scheme to enhance storage performance
US11474986B2 (en) 2020-04-24 2022-10-18 Pure Storage, Inc. Utilizing machine learning to streamline telemetry processing of storage media
US11768763B2 (en) 2020-07-08 2023-09-26 Pure Storage, Inc. Flash secure erase
US11513974B2 (en) 2020-09-08 2022-11-29 Pure Storage, Inc. Using nonce to control erasure of data blocks of a multi-controller storage system
US11681448B2 (en) 2020-09-08 2023-06-20 Pure Storage, Inc. Multiple device IDs in a multi-fabric module storage system
US11487455B2 (en) 2020-12-17 2022-11-01 Pure Storage, Inc. Dynamic block allocation to optimize storage system performance
US11847324B2 (en) 2020-12-31 2023-12-19 Pure Storage, Inc. Optimizing resiliency groups for data regions of a storage system
US12067282B2 (en) 2020-12-31 2024-08-20 Pure Storage, Inc. Write path selection
US12093545B2 (en) 2020-12-31 2024-09-17 Pure Storage, Inc. Storage system with selectable write modes
US11614880B2 (en) 2020-12-31 2023-03-28 Pure Storage, Inc. Storage system with selectable write paths
US12061814B2 (en) 2021-01-25 2024-08-13 Pure Storage, Inc. Using data similarity to select segments for garbage collection
US11630593B2 (en) 2021-03-12 2023-04-18 Pure Storage, Inc. Inline flash memory qualification in a storage system
US11507597B2 (en) 2021-03-31 2022-11-22 Pure Storage, Inc. Data replication to meet a recovery point objective
US12032848B2 (en) 2021-06-21 2024-07-09 Pure Storage, Inc. Intelligent block allocation in a heterogeneous storage system
US11832410B2 (en) 2021-09-14 2023-11-28 Pure Storage, Inc. Mechanical energy absorbing bracket apparatus
US11994723B2 (en) 2021-12-30 2024-05-28 Pure Storage, Inc. Ribbon cable alignment apparatus

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW587252B (en) 2000-01-18 2004-05-11 Hitachi Ltd Semiconductor memory device and data processing device
US7079408B2 (en) * 2003-08-19 2006-07-18 Texas Instruments Incorporated Circuit and method for reducing fatigue in ferroelectric memories
JP2005108304A (ja) * 2003-09-29 2005-04-21 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその制御方法
US7158410B2 (en) 2004-08-27 2007-01-02 Micron Technology, Inc. Integrated DRAM-NVRAM multi-level memory
KR100672996B1 (ko) 2005-02-07 2007-01-24 삼성전자주식회사 메타 데이터가 저장되는 에프램을 포함하는 메모리 장치
US20080229161A1 (en) * 2007-03-16 2008-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Memory products and manufacturing methods thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US7916538B2 (en) 2011-03-29
US20090190401A1 (en) 2009-07-30

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