JP2011176816A - オンダイ終端回路、オンダイ終端及びトレーニング回路、メモリ装置、終端インピーダンスを提供する方法、オンダイ終端及びトレーニング方法、メモリモジュール、並びにコンピューティングシステム - Google Patents
オンダイ終端回路、オンダイ終端及びトレーニング回路、メモリ装置、終端インピーダンスを提供する方法、オンダイ終端及びトレーニング方法、メモリモジュール、並びにコンピューティングシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011176816A JP2011176816A JP2011034441A JP2011034441A JP2011176816A JP 2011176816 A JP2011176816 A JP 2011176816A JP 2011034441 A JP2011034441 A JP 2011034441A JP 2011034441 A JP2011034441 A JP 2011034441A JP 2011176816 A JP2011176816 A JP 2011176816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- termination
- memory
- control signal
- circuit
- asynchronous control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1057—Data output buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
- G11C7/1084—Data input buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
- G11C7/109—Control signal input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
Abstract
【解決手段】メモリ装置はメモリセルアレイを具備するメモリコア、これにに接続されたデータ入出力ピン、及びオンダイ終端回路を含み、オンダイ終端回路は、データ入出力ピンに終端インピーダンスを提供し、メモリ書き込みコマンドに基づいて生成される非同期制御信号に基づいて終端インピーダンスを入出力データピンに選択的に接続するスイッチング装置を具備する終端回路と、非同期制御信号の終端回路への信号経路を遅延させる非同期遅延部並びに非同期制御信号と基準信号の位相差を比較し、トレーニング結果として位相差を出力する位相検出器及び非同期制御信号の位相検出器への信号経路を遅延させる複製遅延部を具備する比較部を含むトレーニング回路とを含み得る。
【選択図】図1
Description
以下の説明では、「外部ピン210、210a」を、「データ入出力ピン(入出力データノードともいう)210、210a」の意味に限定して用いる。
非同期制御信号ACSは外部ピン210に接続された伝送線を通じてデータが入力される書き込みモード(write mode)において活性化される。スイッチング制御部110は活性化された非同期制御信号ACSに応答して前記終端抵抗の抵抗値を増加するように終端抵抗部120を制御する。一実施形態において、非同期制御信号ACSはメモリコントローラから制御ピンを通じて入力される。例えば、前記制御ピンはODTピンであってもよい。他の実施形態において、非同期制御信号ACSはメモリコントローラから受信された書き込みコマンドに基づいて生成される。
具体的には、前記スイッチング信号SWSのロジックレベルが変更されるまでは、終端抵抗部120はノーマル終端抵抗値である第1抵抗値を提供し、前記ロジックレベルが変更されたスイッチング信号SWSに応答して、終端抵抗部120は、第2抵抗値を有する書き込み用終端抵抗を提供する。例えば、前記ノーマル終端抵抗の前記第1抵抗値は約(実質的に)60Ωであり、前記書き込み用終端抵抗の前記第2抵抗値は約120Ωである。
これによって、ノーマルモード(normal mode)及び書き込みモード(write mode)においては、オンダイ終端回路100aが終端抵抗部120aをイネーブルするためのODTイネーブル信号を受信するODTイネーブルピンを有しないけれども、終端抵抗として第1抵抗R1が外部ピン210に接続された伝送線に常に提供される。
これによって、ノーマルモードにおいては、終端抵抗部120aは外部ピン210に接続された伝送線に終端抵抗として並列接続された第1抵抗R1及び第2抵抗R2で構成されたノーマル終端抵抗を提供する。
これによって、書き込みモードにおいては、終端抵抗部120aは外部ピン210に接続された伝送線に終端抵抗として第1抵抗R1で構成された書き込み終端抵抗を提供する。前記書き込み終端抵抗は、並列接続された第1抵抗R1及び第2抵抗R2で構成されたノーマル終端抵抗の抵抗値に比べて大きい抵抗値を有する。一実施形態において、第1抵抗R1及び第2抵抗R2は実質的に同一の抵抗値を有する。例えば、第1抵抗R1及び第2抵抗R2の各々は約120Ωの抵抗値を有する。この場合、並列接続された第1抵抗R1及び第2抵抗R2で構成された前記ノーマル終端抵抗は約60Ωの抵抗値を有し、第1抵抗R1で構成された前記書き込み終端抵抗は約120Ωの抵抗値を有する。
これによって、ノーマルモード及び書き込みモードにおいては、終端抵抗として第1抵抗R1が外部ピン210に接続された伝送線に常に提供される。
そこで本発明の一部の実施形態においては、非同期制御信号ACSの活性化時点を調節するようにODTトレーニングが遂行される。前記ODTトレーニングは図8〜図15、及び、図18〜図21を参照して後述する。
コマンドデコーダ460は前記メモリコントローラからコマンドピン230を通じて受信したコマンド信号CMD、例えば、書き込みイネーブル信号、ローアドレスストロボ信号、コラムアドレスストロボ信号、チップ選択信号等をデコーディングしてコマンド信号CMDに相応する制御信号を生成する。半導体メモリ装置400はモードレジスタセットのためのモードレジスタ(図示せず)をさらに含む。クロック同期回路470はクロックピン250を通じて外部クロック信号CLKを受信し、外部クロック信号CLKに同期した内部クロック信号をレイテンシ回路465及びデータ出力バッファ420に提供する。クロック同期回路470は遅延同期ループDLL、又は、位相固定ループPLLを含む(図7では、遅延同期ループDLLで代表して示してある)。
説明の便宜上、図7にはデータ入出力ピン210、データ出力バッファ420及びデータ入力バッファ430が各々1つずつ示されているが、半導体メモリ装置400は複数のデータ入出力ピン、データ入力バッファ、及びデータ出力バッファを含む。また、半導体メモリ装置400は複数のアドレスピン及びコマンドピンを含む。
また、半導体メモリ装置400はデータストロボピン、データマスクピン、終端データストロボピン等をさらに含み、これらに各々、又は、共有して接続されたODT回路をさらに含む。
従来の半導体メモリ装置においては、ODTピン、又は、ODTイネーブルピンを通じて終端抵抗をイネーブルするためのODTイネーブル信号を受信したが、本発明の一実施形態に係る半導体メモリ装置400はODTピン220を通じて、前記ODTイネーブル信号の代わりに、非同期制御信号ACSを受信する。即ち、ODT回路100は前記ODTイネーブル信号を受信することなく、半導体メモリ装置400のパワー−アップ、又は初期化の後、データ入出力ピン210に接続されたデータ伝送線に終端抵抗を提供する。
コマンドデコーダ460が前記メモリコントローラからコマンドピン230を通じて読み出しコマンドを受信すると、コマンドデコーダ460は読み出しモード信号RDMSを生成する。
レイテンシ回路465はコマンドデコーダ460から読み出しモード信号RDMSを受信し、クロック同期回路470から外部クロック信号CLKに同期した内部クロック信号を受信し、データ入出力ピン210を通じて前記読み出しデータが伝送される間、ロジックハイレベルを有する出力イネーブル信号DOENを生成する。
ODT回路100は、データ入出力ピン210を通じて前記読み出しデータが伝送される読み出しモードにおいて、出力イネーブル信号DOENに応答してデータ入出力ピン210から電気的に遮断される。ODT回路100はデータ入出力ピン210を通じて前記書き込みデータが受信される書き込みモードにおいて非同期制御信号ACSに応答して、前記ノーマル終端抵抗の抵抗値より大きい抵抗値を有する書き込み終端抵抗を前記データ伝送線に提供する。
位相検出器492は受信した非同期制御信号ACS@492の位相と受信した基準信号REF@492の位相を比較して比較結果信号UP/DNを生成する。例えば、位相検出器492は受信した非同期制御信号ACS@492の上昇エッジ703が受信した基準信号REF@492の上昇エッジ712を基準として先導する場合、非同期制御信号ACS@492の印加時点が遅延されなければならないことを示した比較結果信号720を生成する。
比較結果信号UP/DNは前記望む時点を基準として非同期制御信号ACS@100がODT回路100に印加される時点が先導している(UP)か、又は、遅れている(DN)かを示す。
このように、前記メモリコントローラが非同期制御信号ACS@450の前記送信時点を調節することによって、半導体メモリ装置400は、書き込みコマンドWRを受信した時点から書き込みレイテンシWLだけ後の時点(即ち、書き込みデータWRDの受信開始時点)より第1マージンM1だけ前の時点以降に前記書き込み終端抵抗を提供する。これによって、半導体メモリ装置のODTトレーニングに係る部分400aはPVTの変化にもかかわらず、望む時点に前記書き込み終端抵抗を提供できる。
図14に係る以下の説明は、上記図10に示した半導体メモリ装置のODTトレーニングに係る部分400aと同様の箇所については省略又は簡略化する。
例えば、位相検出器492は受信した非同期制御信号ACSの上昇エッジ733が受信した基準信号REFの上昇エッジ742を基準として先導する場合、非同期制御信号ACSの印加時点が遅延されなければならないことを示した比較結果信号を生成する。位相検出器492は、位相検出器492によって比較される非同期制御信号ACS及び基準信号REFは全て第2遅延時間TD2だけ遅延されるので、実質的にODT回路100に非同期制御信号ACSが印加される時点と、書き込み終端抵抗が提供されることを望む時点を比較して比較結果信号UP/DNを生成する。
図16に係る以下の説明は、上記図7に示した半導体メモリ装置400と同様の部分については省略又は簡略化する。
データ出力バッファ920及びデータ入力バッファ930はデータ入出力ピン210に接続される。データ出力バッファ920は半導体メモリ装置900の外部に位置したメモリコントローラ(図示せず)にデータ入出力ピン210を通じて前記読み出しデータを伝送し、データ入力バッファ930は前記メモリコントローラからデータ入出力ピン210を通じて前記書き込みデータを受信する。
レイテンシ回路945はコマンドデコーダ940から受信した読み出しモード信号RDMSを同期化してデータ入出力ピン210を通じて前記読み出しデータが伝送される間、ロジックハイレベルを有する出力イネーブル信号DOENを生成する。
パルス生成器950は書き込みモード信号WDMSに応答して外部クロック信号に同期していない非同期制御信号ACSを生成する。パルス生成器950は所定の時間の間ロジックハイレベルを有するパルス形態の非同期制御信号ACSを生成する。
実施形態によっては、パルス生成器950は前記書き込みデータのバースト長に合わせて非同期制御信号ACSが活性化する前記所定の時間を調節する。パルス生成器950はコマンドデコーダ940の外部に位置するか、又はコマンドデコーダ940に包含される。
非同期制御信号ACSが前記書き込みコマンドに基づいてコマンドデコーダ940及びパルス生成器950によって生成されるので、半導体メモリ装置900は前記メモリコントローラから非同期制御信号ACSを受信する必要がなく、従って、ODTピン又はODTイネーブルピンなしで具現できる。これによって、半導体メモリ装置900の外部ピンの数を削減できる。また、コマンドデコーダ940及びパルス生成器950によって生成された非同期制御信号ACSは外部クロック信号との同期を要しないので、半導体メモリ装置900はノーマルモード及び書き込みモードにおいてクロック同期回路をターンオフできる。これによって、半導体メモリ装置900は電力消耗を削減できる。
図20に係る以下の説明は、上記図10に示した半導体メモリ装置のODTトレーニングに係る部分400aと同様の箇所については省略又は簡略化する。
例えば、位相検出器972は受信した非同期制御信号ACSの上昇エッジ763が受信した基準信号REFの上昇エッジ772を基準として先導する場合、非同期制御信号ACSの印加時点が遅延されなければならないことを示す比較結果信号780を生成する。位相検出器972は、位相検出器972によって比較される非同期制御信号ACS及び基準信号REFは全て第2遅延時間TD2だけ遅延されるので、実質的にODT回路100に非同期制御信号ACSが印加される時点と前記書き込み終端抵抗が提供されることを望む時点を比較して比較結果信号UP/DNを生成する。
従って、第1選択器1141a、第2選択器1142a、第3選択器1143a、及び第4選択器1144aは各々、第1トランジスタP1、第2トランジスタP2、第3トランジスタP3、及び第4トランジスタN1に反転読み出しデータDOUTBを出力する。
例えば、読み出しデータDOUTがロジックハイレベルを有する場合、スイッチング制御部1112aはロジックローレベルを有する反転読み出しデータDOUTBを出力し、第1トランジスタP1、第2トランジスタP2、及び第3トランジスタP3がターンオンされ、第4トランジスタN1がターンオフされる。これによって、プルアップ駆動器1121aによって外部ピン210に接続された伝送線を通じてロジックハイレベルを有するデータが伝送される。
読み出しデータDOUTがロジックローレベルを有する場合、スイッチング制御部1112aはロジックハイレベルを有する反転読み出しデータDOUTBを出力し、第1トランジスタP1、第2トランジスタP2、及び第3トランジスタP3がターンオフされ、第4トランジスタN1がターンオンされる。これによって、プルダウン駆動器1122aによって前記伝送線を通じてロジックローレベルを有するデータが伝送される。
別の一実施形態においては、前記読み出しモードにおいて、ローレベルの読み出しデータDOUTが出力される時に限り、プルダウンドライバ1121aによってデータ信号が前記伝送線を通じて実際に送信される。プルアップドライバ1121aに含まれた第1トランジスタP1、第2トランジスタP2、及び第3トランジスタP3は前記読み出しモードの間ターンオフされる。即ち、データ出力バッファ1100aがハイレベルの読み出しデータDOUTを出力する時、データ出力バッファ1100aは前記伝送線から電気的に遮断される。即ち、データ出力バッファ1100aはオープンドレイン、又は、擬似オープンドレイン方式で読み出しデータDOUTを出力する。
従って、第1選択器1141aはロジックローレベルに相当する接地電圧VSSQを出力し、第2選択器1142aはロジックローレベルを有する非同期制御信号ACSを出力し、第3選択器1143aはロジックハイレベルに相当する電源電圧VDDQを出力し、第4選択器1144aはロジックローレベルに相当する接地電圧VSSQを出力する。第1トランジスタP1はロジックローレベルに相当する接地電圧VSSQに応答してターンオンされ、第2トランジスタP2はロジックローレベルを有する非同期制御信号ACSに応答してターンオンされ、第3トランジスタP3はロジックハイレベルに相当する電源電圧VDDQに応答してターンオフされ、第4トランジスタN1はロジックローレベルに相当する接地電圧VSSQに応答してターンオフされる。これによって、ノーマルモードにおいて、プルアップ駆動器1121aは外部ピン210に接続された伝送線に終端抵抗として、並列接続された第1抵抗R1及び第2抵抗R2で構成されたノーマル終端抵抗を提供する。
従って、第1トランジスタP1、第3トランジスタP3、及び第4トランジスタN1は各々、ターンオン、ターンオフ、及びターンオフ状態を維持し、第2トランジスタP2がロジックハイレベルを有する非同期制御信号ACSに応答してターンオフされる。 これによって、書き込みモードにおいて、プルアップ駆動器1121aは外部ピン210に接続された伝送線に終端抵抗として、第1抵抗R1で構成された書き込み終端抵抗を提供する。
読み出しモードにおいては、出力イネーブル信号DOENが活性化する。従って、第1ANDゲート1141b、第2ANDゲート1142b、及び第4ANDゲート1144bは、ロジックハイレベルを有する出力イネーブル信号DOEN及び反転読み出しデータDOUTBにAND演算を遂行して反転読み出しデータDOUTBを出力する。第3ANDゲート1143bは第2インバータ1147bによって反転した出力イネーブル信号DOENに応答してロジックローレベルを有する信号を出力し、第1ORゲート1145bは反転読み出しデータDOUTB及び第3ANDゲート1143bから出力されたロジックローレベルを有する信号のOR演算を遂行して反転読み出しデータDOUTBを出力する。第2ORゲート1146bは第2インバータ1147bによって反転した出力イネーブル信号DOEN及び反転読み出しデータDOUTBにOR演算を遂行して反転読み出しデータDOUTBを出力する。
これによって、前記読み出しモードにおいてプルアップ駆動器1121b及びプルダウン駆動器1122bは反転読み出しデータDOUTBに基づいてドライバ動作を遂行する。
これによって、ノーマルモードにおいて、プルアップ駆動器1121bは外部ピン210に接続された伝送線に終端抵抗として、並列接続された第1抵抗R1及び第2抵抗R2で構成されたノーマル終端抵抗を提供する。
データ出力バッファ1100は、出力イネーブル信号DOENと非同期制御信号ACSが共に非活性化されている場合は、前記データ伝送線に約60Ωの終端抵抗を提供する。
図29に係る以下の説明は、上記図7に示した半導体メモリ装置400と同様の箇所については省略又は簡略化する。
データ出力バッファ1100及びデータ入力バッファ1320はデータ入出力ピン210に接続される。データ出力バッファ1100はメモリコントローラ(図示せず)にデータ入出力ピン210を通じて前記読み出しデータを伝送し、データ入力バッファ1320は前記メモリコントローラからデータ入出力ピン210を通じて前記書き込みデータを受信する。
レイテンシ回路1355はコマンドデコーダ1350から受信した読み出しモード信号RDMSを同期化してデータ入出力ピン210を通じて前記読み出しデータが伝送される間、ロジックハイレベルを有する出力イネーブル信号DOENを生成する。データ出力バッファ1100はレイテンシ回路1355から受信した出力イネーブル信号DOENに応答してドライバ動作を遂行する。
また、半導体メモリ装置1300は、データ出力バッファ1100の終端動作が非同期制御信号ACSによって制御されるので、前記終端動作をイネーブル、又は、制御するためにクロック同期回路をイネーブルする必要がなく、ノーマルモード及び書き込みモードにおいて前記クロック同期回路をターンオフして消費電力を削減できる。
図30に係る以下の説明は、上記図10に示した半導体メモリ装置のODTトレーニングに係る部分400aと同様の箇所については省略又は簡略化する。
これによって、非同期制御信号ACSがデータ出力バッファ1100に印加される時点と、基準信号REFがDQSバッファ1360に印加される時点とが比較される。位相検出器1372は受信した非同期制御信号ACSの位相と受信した基準信号REFの位相を比較して比較結果信号UP/DNを生成する。これによって、比較結果信号UP/DNは基準信号REF、即ち、前記書き込み終端抵抗が提供されることを望む時点、を基準として非同期制御信号ACSがデータ出力バッファ1100に印加される時点が先導している(UP)か又は遅れている(DN)かを示す。
比較結果信号UP/DNは、例えばデータ入出力ピン210aを通じて前記メモリコントローラに送信される。
図31に係る以下の説明は、上記図14に示した半導体メモリ装置のODTトレーニングに係る部分400bと同様の箇所については省略又は簡略化する。
図32に係る以下の説明は、上記図16に示した半導体メモリ装置900と同様の箇所については省略又は簡略化する。
レイテンシ回路1445はコマンドデコーダ1440から受信した読み出しモード信号RDMSを同期化してデータ入出力ピン210を通じて前記読み出しデータが伝送される間、ロジックハイレベルを有する出力イネーブル信号DOENを生成する。
データ出力バッファ1100はレイテンシ回路1445から受信した出力イネーブル信号DOENに応答してドライバ動作を遂行する。
110、110a、110b スイッチング制御部
111a、112a 第1、第2選択器
120、120a、120b 終端抵抗部
121a、122a 第1、第2終端回路
210、210a 外部ピン、データ入出力ピン、入出力データノード
220 ODTピン
230 コマンドピン
240 アドレスピン
250 クロックピン
260 DQSピン(データストロボピン)
400、900、1300、1400 半導体メモリ装置
400a、400b、900a、1300a、1300b、1400a 半導体メモリ装置のODTトレーニングに係る部分
410、910、1310 メモリコア
411 メモリセルアレイ
412 ローデコーダ
413 コラムデコーダ
414 感知増幅器
420、920、1100 データ出力バッファ
430、930、1320 データ入力バッファ
440 アドレス バッファ
450、1340 ODTバッファ
455、955 非同期遅延部
460、940、1350 コマンドデコーダ
465、945、1355 レイテンシ回路
470 クロック同期回路
480 DQSバッファ(データストロボバッファ)
490 比較部
491 複製遅延部
492 位相検出器
495、980 可変遅延部
500 メモリコントローラ
510 レジスタ
720 比較結果信号
950 パルス生成器
1100、1100a、1100b データ出力バッファ
1110 制御部
1111、1111a、1111b プリドライバ
1112、1112a、1112b スイッチング制御部
1141a、1142a、1143a、1144a 第1、第2、第3、第4選択器
1120 駆動部
1121、1121a、1121b プルアップ駆動器
1122、1122a、1122b プルダウン駆動器
1123a、1123b 第1終端回路
1124a、1124b 第2終端回路
1125a、1125b 第3終端回路
1126a、1126b 第4終端回路
1131a インバータ
1131b、1147b 第1、第2インバータ
1141b、1142b、1143b、1144b 第1〜第4 ANDゲート
1145b、1146b 第1、第2 ORゲート
1500、1700a、1700b、1700c、1700d メモリモジュール
1510、1610 第1メモリランク
1520、1620 第2メモリランク
1731b、1732c、1733c モジュール終端抵抗部
1731c、1731d コマンド/アドレスレジスタ
1731e ハブ(AMB)
1731f バッファ
1810 メモリコントローラ
1820、1830 第1、第2メモリモジュール
1840 バス
1900 コンピューティングシステム
1910 プロセッサ
1920 システムコントローラ
1930 プロセッサバス
1940 拡張バス
1950 入力装置
1960 出力装置
1970 保存装置
Claims (51)
- 入出力データノード(データ入出力ピン)に第1終端インピーダンスを提供する第1終端回路と、
前記入出力データノードに第2終端インピーダンスを提供する第2終端回路と、
前記入出力データノードに、前記第1終端インピーダンス、前記第2終端インピーダンス、又は、前記第1終端インピーダンスと前記第2終端インピーダンスとの双方、を選択的に提供するように、前記第1終端回路及び前記第2終端回路を各々選択的に活性化する第1制御信号及び第2制御信号を出力するように、出力イネーブル信号(DOEN)及び非同期制御信号(ACS)に論理演算を遂行する制御回路と、を含むオンダイ終端(ODT)回路。 - 前記入出力データノードにおいてメモリ装置(半導体メモリ装置)から読み出されるか、又は前記メモリ装置に書き込まれるデータが受信され、
メモリ読み出しモード、メモリ書き込みモード、又は、一般モード(ノーマルモード)によって、前記出力イネーブル信号及び前記非同期制御信号の所定のロジックレベルに基づいて前記入出力データノードに相異なる終端インピーダンス値が提供されることを特徴とする請求項1に記載のオンダイ終端回路。 - ロジックハイレベルの前記出力イネーブル信号はメモリ読み出しモードを示し、前記メモリ読み出しモードにおいて前記第1終端回路及び前記第2終端回路は活性化されず、
ロジックローレベルの前記出力イネーブル信号及びロジックハイレベルの前記非同期制御信号はメモリ書き込みモードを示し、前記メモリ書き込みモードにおいて前記第1終端回路が活性化され、前記第2終端回路は活性化されず、
ロジックローレベルの前記出力イネーブル信号及びロジックローレベルの前記非同期制御信号は一般モードを示し、前記一般モードにおいて前記第1終端回路及び前記第2終端回路が活性化されることを特徴とする請求項1に記載のオンダイ終端回路。 - 前記メモリ書き込みモードにおいて前記入出力データノードに実質的に120オームの終端インピーダンスが提供され、
前記一般モードにおいて前記入出力データノードに実質的に60オームの終端インピーダンスが提供され、
前記メモリ読み出しモードにおいて終端インピーダンスが提供されないことを特徴とする請求項2に記載のオンダイ終端回路。 - 前記非同期制御信号は前記メモリ装置の外部ピンにおいて受信され、前記入出力データノードは前記メモリ装置の他の外部ピンに接続されることを特徴とする請求項2に記載のオンダイ終端回路。
- 前記非同期制御信号は前記メモリ装置のクロック信号に対して非同期的であることを特徴とする請求項2に記載のオンダイ終端回路。
- 前記非同期制御信号はメモリ書き込みコマンドに基づいて生成されることを特徴とする請求項2に記載のオンダイ終端。
- 書き込みデータウィンドウより大きいパルス幅を有する前記非同期制御信号を生成するパルス生成器をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載のオンダイ終端回路。
- 外部のメモリコントローラからメモリ読み出しコマンド及びメモリ書き込みコマンドを受信するコマンドデコーダをさらに含むことを特徴とする請求項7に記載のオンダイ終端回路。
- 前記出力イネーブル信号は前記メモリ装置の出力バッファをイネーブルすることを特徴とする請求項2に記載のオンダイ終端回路。
- 前記第1終端回路は、
前記第1制御信号に応答するスイッチング装置と、
少なくとも1つの抵抗を含むことと、を特徴とする請求項1に記載のオンダイ終端回路。 - 前記制御回路は、
ロジックゲート、又は、マルチプレクサのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載のオンダイ終端回路。 - 前記入出力データノードに第3インピーダンスを選択的に提供するように前記制御回路において生成された第3制御信号に応答して選択的に活性化される第3終端回路をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のオンダイ終端回路。
- メモリ書き込みモードにおいて前記入出力データノードに実質的に120オームの終端インピーダンスが提供され、
一般モードにおいて前記入出力データノードに実質的に60オームの終端インピーダンスが提供され、
メモリ読み出しモードにおいて前書き込み出力データノードに実質的に40オームのドライバインピーダンスが提供されることを特徴とする請求項13に記載のオンダイ終端回路。
- 入出力データノードに終端インピーダンスを提供し、非同期制御信号に基づいて前記入出力データノードに前記終端インピーダンスを選択的に接続するスイッチング装置を具備する終端回路と、
トレーニング回路とを含み、前記トレーニング回路は、
前記非同期制御信号の前記終端回路への信号経路を遅延させる非同期遅延部と、
前記非同期制御信号と基準信号の位相差を比較し、トレーニング結果として前記位相差を出力する位相検出器及び前記非同期制御信号の前記位相検出器への信号経路を遅延させる複製遅延部を具備する比較部と、を含むことを特徴とするオンダイ終端及びトレーニング回路。 - 前記非同期制御信号及び前記基準信号は外部のメモリコントローラから外部ピンを通じて受信されることを特徴とする請求項15に記載のオンダイ終端及びトレーニング回路。
- 前記トレーニング結果は外部のメモリコントローラのレジスタに保存されるように外部ピンを通じて前記メモリコントローラに出力されることを特徴とする請求項15に記載のオンダイ終端及びトレーニング回路。
- 前記メモリコントローラは前記トレーニング結果を活用して前記非同期制御信号、又は、前記基準信号の位相を調節することを特徴とする請求項17に記載のオンダイ終端及びトレーニング回路。
- 前記メモリコントローラはメモリ書き込みコマンドを生成する時、前記非同期制御信号を生成することを特徴とする請求項16に記載のオンダイ終端及びトレーニング回路。
- 前記位相検出器から出力された前記トレーニング結果に基づいて前記非同期制御信号の遅延時間を変更する可変遅延部をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載のオンダイ終端及びトレーニング回路。
- 前記非同期制御信号及び前記基準信号は外部のメモリコントローラから外部ピンを通じて受信されることを特徴とする請求項20に記載のオンダイ終端及びトレーニング回路。
- 前記メモリコントローラはメモリ書き込みコマンドを生成する時、前記非同期制御信号を生成することを特徴とする請求項21に記載のオンダイ終端及びトレーニング回路。
- 外部のメモリコントローラからコマンドを受信するコマンドデコーダと、
前記コマンドデコーダからメモリ書き込み信号を受信する時、前記非同期制御信号を生成するパルス生成器をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載のオンダイ終端及びトレーニング回路。
- メモリセルアレイを具備するメモリコアと、
データバッファを通じて前記メモリコアに接続されるデータ入出力ピンと、
オンダイ終端回路と、を含み、前記オンダイ終端回路は、
前記データ入出力ピンに終端インピーダンスを提供し、メモリ書き込みコマンドに基づいて生成される非同期制御信号に応答して前記終端インピーダンスを前記データ入出力ピンに選択的に接続するスイッチング装置を具備する終端回路を含むことを特徴とするメモリ装置。 - トレーニング回路をさらに含み、
前記トレーニング回路は、
前記非同期制御信号の前記終端回路への信号経路を遅延させる非同期遅延部と、
前記非同期制御信号と基準信号の位相差を比較し、トレーニング結果として前記位相差を出力する位相検出器及び前記非同期制御信号の前記位相検出器への信号経路を遅延させる複製遅延部を具備する比較部と、を含むことを特徴とする請求項24に記載のメモリ装置。 - 前記位相検出器から出力された前記トレーニング結果に基づいて前記非同期制御信号の遅延時間を変更する可変遅延部をさらに含むことを特徴とする請求項25に記載のメモリ装置。
- 前記トレーニング結果はメモリコントローラのレジスタに保存されるように外部ピンを通じて前記メモリコントローラに出力されることを特徴とする請求項25に記載のメモリ装置。
- メモリ装置のデータ入出力ピンに接続されるラインに終端インピーダンスを提供する方法であって、
前記データ入出力ピンに第1終端インピーダンス、第2終端インピーダンス、又は、前記第1終端インピーダンスと前記第2終端インピーダンスとの双方、を選択的に提供するように、前記第1終端インピーダンスを有する第1終端回路及び前記第2終端インピーダンスを有する前記第2終端回路を各々選択的に活性化する第1制御信号及び第2制御信号を出力するように、出力イネーブル信号及び非同期制御信号に論理演算を遂行する段階を含み、
前記非同期制御信号は、前記メモリ装置のクロック信号に対して非同期的であり、メモリ書き込みコマンドに基づいて生成され、
前記出力イネーブル信号はメモリ読み出しコマンドに基づいて生成されることを特徴とする終端インピーダンスを提供する方法。 - メモリ読み出しモード、メモリ書き込みモード、又は、一般モードによって、前記出力イネーブル信号及び前記非同期制御信号の所定のロジックレベルに基づいて前記データ入出力ピンに相異なる終端インピーダンス値が提供されることを特徴とする請求項28に記載の終端インピーダンスを提供する方法。
- 前記出力イネーブル信号は外部クロック信号から生成された内部クロック信号を利用して生成され、前記内部クロック信号は前記メモリ書き込みモード及び前記一般モードにおいてターンオフされることを特徴とする請求項29に記載の終端インピーダンスを提供する方法。
- メモリ書き込みモードにおいて前記第1終端回路は前書き込み出力データラインに実質的に120オームの終端インピーダンスを提供するように活性化され、
一般モードにおいて前記第1終端回路及び前記第2終端回路は前書き込み出力データラインに実質的に60オームの終端インピーダンスを提供するように活性化され、
メモリ読み出しモードにおいて終端インピーダンスが提供されないことを特徴とする請求項28に記載の終端インピーダンスを提供する方法。 - 前記非同期制御信号は前記メモリ装置の外部ピンにおいて受信され、前記データ入出力ピンは前記メモリ装置の他の外部ピンに接続されることを特徴とする請求項28に記載の終端インピーダンスを提供する方法。
- 前記メモリ装置において外部のメモリコントローラから受信したコマンドをデコーディングする段階と、
前記メモリ書き込みコマンドをデコーディングして前記非同期制御信号を生成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項28に記載の終端インピーダンスを提供する方法。 - 前記非同期制御信号を生成する段階は、
書き込みデータウィンドウより大きいパルス幅を有する前記非同期制御信号を生成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項33に記載の終端インピーダンスを提供する方法。 - 前記データ入出力ピンに接続されるラインに前記第3インピーダンスを選択的に提供するように第3終端回路を選択的に活性化する第3制御信号を生成することを特徴とする請求項28に記載の終端インピーダンスを提供する方法。
- メモリ書き込みモードにおいて前記データ入出力ピンに実質的に120オームの終端インピーダンスが提供され、
一般モードにおいて前記データ入出力ピンに実質的に60オームの終端インピーダンスが提供され、
メモリ読み出しモードにおいて前記データ入出力ピンに実質的に40オームのドライバインピーダンスが提供されることを特徴とする請求項35に記載の終端インピーダンスを提供する方法。
- メモリ書き込みコマンドに基づいて非同期制御信号を生成する段階と、前記非同期制御信号と基準信号の位相差を比較する段階と、
前記比較結果に基づいて前記非同期制御信号の遅延時間を変更する段階と、
前記非同期制御信号に基づいてメモリ装置のデータ入出力ピンに終端インピーダンスを接続するように終端回路を活性化する段階と、を含むことを特徴とするオンダイ終端及びトレーニング方法。 - 前記非同期制御信号及び前記基準信号は外部のメモリコントローラにおいて生成されることを特徴とする請求項37に記載のオンダイ終端及びトレーニング方法。
- 前記トレーニング結果は前記メモリコントローラのレジスタに保存されるように外部ピンを通じて前記メモリコントローラに出力されることを特徴とする請求項38に記載のオンダイ終端及びトレーニング方法。
- 前記非同期制御信号の前記遅延時間は、前記比較結果を受信するメモリ装置に含まれた可変遅延部によって変更されることを特徴とする請求項37に記載のオンダイ終端及びトレーニング方法。
- 前記メモリ装置において外部のメモリコントローラから受信したコマンドをデコーディングする段階をさらに含み、
前記非同期制御信号を生成する段階は、前記メモリ書き込みコマンドをデコーディングして前記非同期制御信号を生成する段階を含むことを特徴とする請求項37に記載のオンダイ終端及びトレーニング方法。
- 第1チップ選択信号を通じてアクセス可能な複数の第1メモリ装置を含む第1メモリランクと、
第2チップ選択信号を通じてアクセス可能な複数の第2メモリ装置を含むダイ2メモリランクを含み、
前記第1メモリ装置及び前記第2メモリ装置は各々、
データを保存し、前記保存されたデータに基づいて読み出しデータを生成するメモリコアと、
メモリコントローラに第1外部ピンに接続された伝送線を通じて前記読み出しデータを伝送するデータ出力バッファと、
前記第1チップ選択信号、前記第2チップ選択信号、及びクロック信号に対して非同期的な非同期制御信号の論理組み合わせに基づいて前記伝送線に相異なる終端インピーダンスを選択的に提供するオンダイ終端回路と、を含むことを特徴とするメモリモジュール。 - 前記第1メモリランク及び前記第2メモリランクは前記メモリコントローラから前記非同期制御信号を同一の信号線を通じて受信することを特徴とする請求項42に記載のメモリモジュール。
- 前記非同期制御信号はメモリ書き込みコマンドに基づいて生成されることを特徴とする請求項42に記載のメモリモジュール。
- 前記メモリモジュールはUDIMM、RDIMM、FBDIMM又はLRDIMMのうちいずれか1つであることを特徴とする請求項42に記載のメモリモジュール。
- 前記メモリモジュールはRDIMMであり、前記メモリモジュールのコマンド/アドレスラインは両端で終端されることを特徴とする請求項42に記載のメモリモジュール。
- 前記メモリモジュールはRDIMMであり、前記メモリモジュールのコマンド/アドレスラインはフライ−バイ方式で接続されて一端で終端されることを特徴とする請求項42に記載のメモリモジュール。
- メモリ書き込みモードで動作するメモリ装置は前記伝送線に実質的に120オームの終端インピーダンスを提供し、
一般モードで動作するメモリ装置は前記伝送線に実質的に60オームの終端インピーダンスを提供し、
メモリ読み出しモードで動作するメモリ装置は前記伝送線に実質的に40オームのドライバインピーダンスを提供することを特徴とする請求項42に記載のメモリモジュール。
- 少なくとも1つのクロック信号を利用してシステムを制御するようにプロセッサバスを通じてシステムコントローラに接続されたプロセッサと、
少なくとも1つのメモリ装置を具備する少なくとも1つのメモリモジュール、及び前記少なくとも1つのメモリモジュールを制御するメモリコントローラを含むメモリシステムを含み、前記少なくとも1つのメモリ装置は、
メモリセルアレイを具備するメモリコアと、
データバッファを通じて前記メモリコアに接続されたデータ入出力ピンと、
オンダイ終端回路と、を含み、前記オンダイ終端回路は、
前記データ入出力ピンに終端インピーダンスを提供し、前記クロック信号に対して非同期的に生成される非同期制御信号に基づいて前記終端インピーダンスを前記データ入出力ピンに選択的に接続するスイッチング装置を具備する終端回路を含むことを特徴とするコンピューティングシステム。 - 前記非同期制御信号は、前記メモリコントローラによるメモリ書き込みコマンドの発生に基づいて生成されることを特徴とする請求項49に記載のコンピューティングシステム。
- 前記コンピューティングシステムはデスクトップ、又は、携帯型コンピュータ装置で具現されることを特徴とする請求項49に記載のコンピューティングシステム。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2010-0016167 | 2010-02-23 | ||
KR1020100016167A KR101789077B1 (ko) | 2010-02-23 | 2010-02-23 | 온-다이 터미네이션 회로, 데이터 출력 버퍼, 반도체 메모리 장치, 메모리 모듈, 온-다이 터미네이션 회로의 구동 방법, 데이터 출력 버퍼의 구동 방법 및 온-다이 터미네이션 트레이닝 방법 |
US12/917,566 | 2010-11-02 | ||
US12/917,566 US8619492B2 (en) | 2010-02-23 | 2010-11-02 | On-die termination circuit, memory device, memory module, and method of operating and training an on-die termination |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011176816A true JP2011176816A (ja) | 2011-09-08 |
JP2011176816A5 JP2011176816A5 (ja) | 2014-01-23 |
Family
ID=44476376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011034441A Pending JP2011176816A (ja) | 2010-02-23 | 2011-02-21 | オンダイ終端回路、オンダイ終端及びトレーニング回路、メモリ装置、終端インピーダンスを提供する方法、オンダイ終端及びトレーニング方法、メモリモジュール、並びにコンピューティングシステム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8619492B2 (ja) |
JP (1) | JP2011176816A (ja) |
KR (1) | KR101789077B1 (ja) |
CN (1) | CN102194515A (ja) |
DE (1) | DE102011003890A1 (ja) |
TW (1) | TW201142871A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013042233A1 (ja) * | 2011-09-21 | 2013-03-28 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
US9368174B2 (en) | 2012-05-01 | 2016-06-14 | Ps4 Luxco S.A.R.L. | Data strobe control device |
CN106653082A (zh) * | 2015-10-29 | 2017-05-10 | 株式会社东芝 | 非易失性半导体存储装置及存储器系统 |
JP2019012544A (ja) * | 2015-09-24 | 2019-01-24 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | 調節可能な電圧および終端を持つメモリインタフェースおよび使用の方法 |
US10566038B2 (en) | 2017-05-29 | 2020-02-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of controlling on-die termination and system performing the same |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101092996B1 (ko) * | 2009-12-29 | 2011-12-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 지연 고정 루프 |
KR101806817B1 (ko) * | 2010-10-20 | 2017-12-11 | 삼성전자주식회사 | 데이터 출력 버퍼 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치 |
US8988102B2 (en) | 2011-02-02 | 2015-03-24 | Rambus Inc. | On-die termination |
JP2013073651A (ja) | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
US8570063B2 (en) * | 2011-10-25 | 2013-10-29 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses including an adjustable termination impedance ratio |
KR101894469B1 (ko) * | 2012-02-24 | 2018-10-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 제어신호생성회로 및 이를 이용한 반도체모듈 및 반도체시스템 |
US9412423B2 (en) * | 2012-03-15 | 2016-08-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory modules including plural memory devices arranged in rows and module resistor units |
KR102014341B1 (ko) * | 2012-03-15 | 2019-08-26 | 삼성전자주식회사 | 메모리 모듈 |
US9350386B2 (en) | 2012-04-12 | 2016-05-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device, memory system, and method of operating the same |
US9087570B2 (en) * | 2013-01-17 | 2015-07-21 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for controlling a clock signal provided to a clock tree |
US9088445B2 (en) * | 2013-03-07 | 2015-07-21 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for selectively terminating signals on a bidirectional bus based on bus speed |
US9257164B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-02-09 | Altera Corporation | Circuits and methods for DQS autogating |
TWI521508B (zh) | 2013-08-13 | 2016-02-11 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 記憶體控制電路與控制記憶體模組之資料讀取程序之方法 |
US9804931B2 (en) | 2014-04-25 | 2017-10-31 | Rambus Inc. | Memory mirroring utilizing single write operations |
US9780782B2 (en) | 2014-07-23 | 2017-10-03 | Intel Corporation | On-die termination control without a dedicated pin in a multi-rank system |
US9571155B2 (en) * | 2014-08-25 | 2017-02-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of startup sequence for a panel interface |
CN104332176A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-02-04 | 福州瑞芯微电子有限公司 | 一种省掉内存odt引脚的方法和系统 |
US9473142B2 (en) * | 2014-12-12 | 2016-10-18 | Mediatek Inc. | Method for performing signal driving control in an electronic device with aid of driving control signals, and associated apparatus |
KR20170005328A (ko) | 2015-07-03 | 2017-01-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 반도체 시스템 |
US9564185B1 (en) * | 2015-09-10 | 2017-02-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
US10141935B2 (en) | 2015-09-25 | 2018-11-27 | Intel Corporation | Programmable on-die termination timing in a multi-rank system |
CN105575419B (zh) * | 2015-12-17 | 2018-04-27 | 上海斐讯数据通信技术有限公司 | 同步动态随机存储器 |
KR20170075103A (ko) | 2015-12-22 | 2017-07-03 | 삼성전자주식회사 | 온 다이 터미네이션 회로를 포함하는 메모리 모듈 및 그것의 온 다이 터미네이션 제어 방법 |
US20170255412A1 (en) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | Intel Corporation | Techniques for Command Based On Die Termination |
CN107180653A (zh) * | 2016-03-10 | 2017-09-19 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种获取ddr odt参数的方法和装置 |
KR102451996B1 (ko) * | 2016-03-31 | 2022-10-07 | 삼성전자주식회사 | 기준 전압의 셀프 트레이닝을 수행하는 수신 인터페이스 회로 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
US10181346B2 (en) | 2016-08-02 | 2019-01-15 | SK Hynix Inc. | Semiconductor devices and operations thereof |
US11217286B2 (en) | 2016-06-27 | 2022-01-04 | SK Hynix Inc. | Semiconductor memory device with power down operation |
US11133042B2 (en) | 2016-06-27 | 2021-09-28 | SK Hynix Inc. | Semiconductor memory system and semiconductor memory device, which can be remotely initialized |
KR102592359B1 (ko) * | 2016-06-27 | 2023-10-20 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 |
KR102536657B1 (ko) * | 2016-07-12 | 2023-05-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 반도체 시스템 |
KR102646905B1 (ko) * | 2016-07-21 | 2024-03-12 | 삼성전자주식회사 | 온 다이 터미네이션 회로, 이를 구비하는 메모리 장치 및 메모리 시스템 |
US10037788B2 (en) | 2016-08-02 | 2018-07-31 | SK Hynix Inc. | Semiconductor devices and semiconductor systems |
CN107844439B (zh) * | 2016-09-20 | 2020-09-08 | 三星电子株式会社 | 支持命令总线训练的存储设备和系统及其操作方法 |
KR20180046428A (ko) | 2016-10-27 | 2018-05-09 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 그것의 트레이닝 방법 |
US11017839B2 (en) | 2017-01-13 | 2021-05-25 | Mediatek Inc. | DRAM, memory controller and associated training method |
US20180322914A1 (en) * | 2017-05-03 | 2018-11-08 | Mediatek Inc. | Multi-rank topology of memory module and associated control method |
US10340022B2 (en) * | 2017-05-16 | 2019-07-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory including on-die-termination circuit and storage device including the nonvolatile memory |
KR102471160B1 (ko) | 2017-05-16 | 2022-11-25 | 삼성전자주식회사 | 온-다이-터미네이션 회로를 포함하는 비휘발성 메모리 및 상기 비휘발성 메모리를 포함하는 스토리지 장치 |
JP2018207195A (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-27 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置及び電子機器 |
US10148269B1 (en) * | 2017-07-24 | 2018-12-04 | Micron Technology, Inc. | Dynamic termination edge control |
KR102392055B1 (ko) * | 2017-08-09 | 2022-04-28 | 삼성전자주식회사 | 리트레이닝 동작의 수행 여부를 효율적으로 결정하기 위한 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
US10153014B1 (en) * | 2017-08-17 | 2018-12-11 | Micron Technology, Inc. | DQS-offset and read-RTT-disable edge control |
US10720197B2 (en) * | 2017-11-21 | 2020-07-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device for supporting command bus training mode and method of operating the same |
KR102407439B1 (ko) * | 2017-12-05 | 2022-06-10 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치의 구동 강도, odt 트레이닝 방법, 이를 수행하는 컴퓨팅 시스템 및 시스템 온 칩 |
KR20190102930A (ko) * | 2018-02-27 | 2019-09-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 |
KR20190113507A (ko) | 2018-03-27 | 2019-10-08 | 삼성전자주식회사 | 멀티-랭크들의 온-다이 터미네이션(odt) 셋팅을 최적화하는 방법 및 메모리 시스템 |
CN110310681B (zh) | 2018-03-27 | 2023-09-08 | 三星电子株式会社 | 存储装置、其操作方法、存储控制器及其操作方法 |
KR102544182B1 (ko) | 2018-05-08 | 2023-06-16 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 |
KR102600000B1 (ko) * | 2018-08-06 | 2023-11-08 | 삼성전자주식회사 | 출력 드라이버, 및 이를 구비하는 반도체 메모리 장치 및 메모리 시스템 |
TWI676180B (zh) * | 2018-09-04 | 2019-11-01 | 華邦電子股份有限公司 | 記憶體裝置以及虛擬靜態隨機存取記憶體之刷新方法 |
KR20200048607A (ko) * | 2018-10-30 | 2020-05-08 | 삼성전자주식회사 | 모드 레지스터 쓰기 명령을 이용하여 쓰기 클럭의 듀티 사이클의 트레이닝을 수행하는 시스템 온 칩, 시스템 온 칩의 동작 방법, 및 시스템 온 칩을 포함하는 전자 장치 |
US10585835B1 (en) * | 2018-11-20 | 2020-03-10 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for independent tuning of on-die termination impedances and output driver impedances, and related semiconductor devices and systems |
US11416250B2 (en) * | 2019-05-17 | 2022-08-16 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus in memory for input and output parameters optimization in a memory system during operation |
US11081191B2 (en) | 2019-06-18 | 2021-08-03 | Western Digital Technologies, Inc. | Dynamic switching for improved power utilization |
CN112817884A (zh) * | 2019-11-15 | 2021-05-18 | 安徽寒武纪信息科技有限公司 | 一种存储器以及包括该存储器的设备 |
KR20210070557A (ko) | 2019-12-05 | 2021-06-15 | 삼성전자주식회사 | 온-다이 터미네이션의 제어 방법 및 이를 수행하는 메모리 시스템 |
US11750190B2 (en) * | 2020-12-14 | 2023-09-05 | Intel Corporation | Encoded on-die termination for efficient multipackage termination |
KR20220084592A (ko) * | 2020-12-14 | 2022-06-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 캘리브레이션 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
JP6999791B1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-01-19 | 華邦電子股▲ふん▼有限公司 | 半導体記憶装置 |
CN117198370A (zh) * | 2022-05-30 | 2023-12-08 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种终结阻抗参数的产生方法和测试系统 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07182078A (ja) * | 1993-11-03 | 1995-07-21 | Motorola Inc | データ処理システムおよび動作方法 |
JP2001007692A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Hitachi Ltd | Lsi実装回路基板 |
JP2003068082A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Elpida Memory Inc | メモリデバイス及びメモリシステム |
JP2004200990A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Nec Corp | 送受信システムのインターフェース回路、及びその消費電力削減方法 |
JP2005130217A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路の入出力インターフェース回路 |
JP2006129423A (ja) * | 2004-10-30 | 2006-05-18 | Hynix Semiconductor Inc | オンダイターミネーション回路を備えた半導体メモリ装置 |
JP2008021733A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2010529759A (ja) * | 2007-06-08 | 2010-08-26 | モーセッド・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 入力/出力バッファの動作インピーダンス制御 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6675117B2 (en) * | 2000-12-12 | 2004-01-06 | Teradyne, Inc. | Calibrating single ended channels for differential performance |
KR100480612B1 (ko) | 2001-10-19 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템의 능동 종단저항 제어장치 및 방법 |
KR100502664B1 (ko) * | 2003-04-29 | 2005-07-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온 다이 터미네이션 모드 전환 회로 및 그방법 |
KR100541045B1 (ko) * | 2003-05-13 | 2006-01-10 | 삼성전자주식회사 | 듀얼 뱅크 시스템, 이 시스템에 사용을 위한 메모리, 및이 메모리의 온 다이 종단 방법 |
JP4717373B2 (ja) * | 2004-05-20 | 2011-07-06 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体メモリ |
US7188208B2 (en) * | 2004-09-07 | 2007-03-06 | Intel Corporation | Side-by-side inverted memory address and command buses |
US7259585B2 (en) * | 2005-09-28 | 2007-08-21 | International Business Machines Corporation | Selective on-die termination for improved power management and thermal distribution |
KR100625298B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2006-09-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온 다이 터미네이션 제어 장치 |
KR100801033B1 (ko) * | 2005-11-03 | 2008-02-04 | 삼성전자주식회사 | 경계 스캔 회로를 이용하여 온 다이 터미네이션 회로를테스트할 수 있는 반도체 장치, 이를 구비한 테스트시스템, 및 테스트 방법 |
US7372293B2 (en) | 2005-12-07 | 2008-05-13 | Intel Corporation | Polarity driven dynamic on-die termination |
US7327293B2 (en) * | 2006-03-03 | 2008-02-05 | Honeywell International Inc. | Compression and data encoding for transmission over a character-based protocol |
US7486104B2 (en) | 2006-06-02 | 2009-02-03 | Rambus Inc. | Integrated circuit with graduated on-die termination |
KR100866601B1 (ko) * | 2006-12-04 | 2008-11-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 종단 저항을 제어할 수 있는 장치 및 방법 |
US7646213B2 (en) * | 2007-05-16 | 2010-01-12 | Micron Technology, Inc. | On-die system and method for controlling termination impedance of memory device data bus terminals |
KR100861308B1 (ko) * | 2007-06-29 | 2008-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온 다이 터미네이션 장치 |
-
2010
- 2010-02-23 KR KR1020100016167A patent/KR101789077B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-02 US US12/917,566 patent/US8619492B2/en active Active
-
2011
- 2011-01-26 TW TW100102925A patent/TW201142871A/zh unknown
- 2011-02-09 DE DE102011003890A patent/DE102011003890A1/de not_active Withdrawn
- 2011-02-21 JP JP2011034441A patent/JP2011176816A/ja active Pending
- 2011-02-22 CN CN2011100422071A patent/CN102194515A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07182078A (ja) * | 1993-11-03 | 1995-07-21 | Motorola Inc | データ処理システムおよび動作方法 |
JP2001007692A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Hitachi Ltd | Lsi実装回路基板 |
JP2003068082A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Elpida Memory Inc | メモリデバイス及びメモリシステム |
JP2004200990A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Nec Corp | 送受信システムのインターフェース回路、及びその消費電力削減方法 |
JP2005130217A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路の入出力インターフェース回路 |
JP2006129423A (ja) * | 2004-10-30 | 2006-05-18 | Hynix Semiconductor Inc | オンダイターミネーション回路を備えた半導体メモリ装置 |
JP2008021733A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2010529759A (ja) * | 2007-06-08 | 2010-08-26 | モーセッド・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 入力/出力バッファの動作インピーダンス制御 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013042233A1 (ja) * | 2011-09-21 | 2013-03-28 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
US8976619B2 (en) | 2011-09-21 | 2015-03-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor apparatus |
US9368174B2 (en) | 2012-05-01 | 2016-06-14 | Ps4 Luxco S.A.R.L. | Data strobe control device |
JP2019012544A (ja) * | 2015-09-24 | 2019-01-24 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | 調節可能な電圧および終端を持つメモリインタフェースおよび使用の方法 |
US10613613B2 (en) | 2015-09-24 | 2020-04-07 | Qualcomm Incorporated | Memory interface with adjustable voltage and termination and methods of use |
CN106653082A (zh) * | 2015-10-29 | 2017-05-10 | 株式会社东芝 | 非易失性半导体存储装置及存储器系统 |
JP2017084432A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びメモリシステム |
CN106653082B (zh) * | 2015-10-29 | 2020-10-30 | 东芝存储器株式会社 | 非易失性半导体存储装置及存储器系统 |
US10566038B2 (en) | 2017-05-29 | 2020-02-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of controlling on-die termination and system performing the same |
US10692554B2 (en) | 2017-05-29 | 2020-06-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of controlling on-die termination and system performing the same |
US10916279B2 (en) | 2017-05-29 | 2021-02-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of controlling on-die termination and system performing the same |
US11475930B2 (en) | 2017-05-29 | 2022-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of controlling on-die termination and system performing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102011003890A1 (de) | 2011-11-03 |
KR20110096745A (ko) | 2011-08-31 |
US20110205832A1 (en) | 2011-08-25 |
CN102194515A (zh) | 2011-09-21 |
TW201142871A (en) | 2011-12-01 |
US8619492B2 (en) | 2013-12-31 |
KR101789077B1 (ko) | 2017-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011176816A (ja) | オンダイ終端回路、オンダイ終端及びトレーニング回路、メモリ装置、終端インピーダンスを提供する方法、オンダイ終端及びトレーニング方法、メモリモジュール、並びにコンピューティングシステム | |
US11513955B2 (en) | Memory module with local synchronization and method of operation | |
KR100574989B1 (ko) | 데이터 스트로브 버스라인의 효율을 향상시키는메모리장치 및 이를 구비하는 메모리 시스템, 및 데이터스트로브 신호 제어방법 | |
US7138823B2 (en) | Apparatus and method for independent control of on-die termination for output buffers of a memory device | |
US10872646B2 (en) | Apparatuses and methods for providing active and inactive clock signals | |
US20190180803A1 (en) | Semiconductor memory device and memory system | |
US7440340B2 (en) | Output buffer of a semiconductor memory device | |
JP2010170296A (ja) | メモリシステム、半導体記憶装置、及び配線基板 | |
JPH09198875A (ja) | 同期型半導体記憶装置 | |
JP2003249077A (ja) | 半導体記憶装置及びその制御方法 | |
JP2003188705A (ja) | 出力バッファ回路及び半導体集積回路装置 | |
US8035412B2 (en) | On-die termination latency clock control circuit and method of controlling the on-die termination latency clock | |
JP2005322379A (ja) | データ出力ドライバのインピーダンスを調整することができる半導体メモリ装置 | |
KR101536019B1 (ko) | 고속 dram에서 신호들을 처리하기 위한 시스템 및 방법 | |
US20150071014A1 (en) | Data training device | |
KR102536639B1 (ko) | 메모리 장치의 버퍼 제어 회로 | |
US9646675B1 (en) | Data training device and semiconductor device including the same | |
CN113223575B (zh) | 高速电平移位器 | |
US8027205B2 (en) | Semiconductor memory device and operation method thereof | |
KR20030092506A (ko) | 클럭 드라이버 | |
KR20220023614A (ko) | 타이밍 지연 조절회로 및 이를 포함하는 전자장치 | |
JP2005322373A (ja) | マルチポートメモリ素子 | |
KR20050020141A (ko) | 반도체 소자에서의 위상 지연 보상 장치 및 방법 | |
Kim et al. | An I/O Line Configuration and Organization of DRAM | |
JP2002170385A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131203 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131203 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140715 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141209 |