JP2011151343A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011151343A JP2011151343A JP2010138669A JP2010138669A JP2011151343A JP 2011151343 A JP2011151343 A JP 2011151343A JP 2010138669 A JP2010138669 A JP 2010138669A JP 2010138669 A JP2010138669 A JP 2010138669A JP 2011151343 A JP2011151343 A JP 2011151343A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- gas
- generation unit
- turntable
- plasma generation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
- C23C16/4554—Plasma being used non-continuously in between ALD reactions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
- C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】回転テーブル2の周方向に複数のプラズマ発生部80を備えた活性化ガスインジェクター220からウエハW上のシリコン酸化膜に対して処理ガスのプラズマを供給して改質処理を行う。この時、夫々のプラズマ発生部80(補助プラズマ発生部82)の長さ寸法Rを変えることができるように構成し、回転テーブル2の中心部側から外周部側におけるウエハWの改質の度合い(プラズマの量)を調整する。
【選択図】図3
Description
真空容器内にて基板に対してプラズマにより処理を行うプラズマ処理装置において、
前記真空容器内に設けられ、基板を載置するための複数の基板載置領域が形成された回転テーブルと、
この回転テーブルを回転させる回転機構と、
前記基板載置領域にプラズマ発生用のガスを供給するガス供給部と、
前記基板載置領域の通過領域に対向する位置において前記回転テーブルの中央部側と外周側との間に棒状に伸びるように設けられ、前記ガスにエネルギーを供給してプラズマ化するための主プラズマ発生部と、
この主プラズマ発生部に対して前記真空容器の周方向に離間して設けられ、当該主プラズマ発生部によるプラズマの不足分を補償するための補助プラズマ発生部と、
前記真空容器内を真空排気する真空排気手段と、を備えたことを特徴とする。
前記複数の処理領域の間には、互に異なる反応ガスが混合することを防止するための分離ガスが供給される分離領域が設けられ、
基板の表面には互に異なる反応ガスが順番に供給されることにより成膜されること。
前記主プラズマ発生部及、前記補助プラズマ発生部及びガス供給部は、回転テーブルの回転方向上流側から流れてくるガスが前記主プラズマ発生部及び前記補助プラズマ発生部とその上方の天井部との間を流れるように、共通のカバー体により覆われていること。
前記カバー体における前記回転方向上流側には、長さ方向に伸びる側面部の下縁を当該上流側に伸び出すようにフランジ状に屈曲させて形成したガス流の規制部が設けられていること。
前記主プラズマ発生部と前記補助プラズマ発生部とは、プラズマを発生させるための電力の供給源である高周波電源を共用し、
前記補助プラズマ発生部は、前記回転テーブルの中央側部位において基板載置領域へのプラズマの拡散を抑制するために、拡散抑制部を下方側に備えていること。
前記主プラズマ発生部及び前記補助プラズマ発生部のうち少なくとも1つのプラズマ発生部は、前記回転テーブルの外周側における前記真空容器の側壁から当該真空容器内に気密に挿入され、
前記回転テーブル上の基板の表面に対して前記少なくとも1つのプラズマ発生部を当該少なくとも1つのプラズマ発生部の長さ方向に傾斜させるために、前記少なくとも1つのプラズマ発生部の基端部側に傾き調整機構が設けられていること。
前記補助プラズマ発生部は、前記主プラズマ発生部による基板載置領域の外縁側のプラズマの不足分を補償するために設けられたものであること。
前記主プラズマ発生部及び前記補助プラズマ発生部は、互に長さ方向に平行に伸び、容量結合型プラズマを発生するための平行電極であっても良いし、誘導結合型プラズマを発生させるためのアンテナのうち、棒状のアンテナ部分に相当するものであっても良い。
即ち、分離ガスノズル41を例にとると、回転テーブル2の回転方向上流側からO3ガスが侵入することを阻止し、また回転方向下流側からSi含有ガスが侵入することを阻止する。なお分離ガスとしては、窒素(N2)ガスに限られずアルゴン(Ar)ガスなどの不活性ガスなどを用いても良い。
なお、回転テーブル2の下方側をN2ガスによりパージしているため、排気領域Eに流入したガスが回転テーブル2の下方側を潜り抜けて、例えばSi含有ガスがO3ガスの供給領域に流れ込むといったおそれは全くない。
(実施例1)
まず、既述の成膜装置において、1組のプラズマ発生部80を設けた場合と比較して、複数組この例では6組のプラズマ発生部80を設けることによって、回転テーブル2の半径方向において改質の度合いがどのように変わるか実験を行った。プラズマ発生部80を6組設ける場合には、全てのプラズマ発生部80の長さ寸法Rを同じ長さ(300mm)に設定した場合(6対として記載)と、夫々のプラズマ発生部80の長さ寸法Rを例えば回転テーブル2の上流側から50、150、245、317、194、97mmに夫々設定した場合とにおいて実験を行った。また、改質の度合いを評価するにあたり、活性化ガスインジェクター220を用いずに150nmのシリコン酸化膜を予めウエハW上に形成しておき、その後このウエハWに対して改質処理を行って処理の前後における膜厚差を計算して、収縮率(=(改質処理前の膜厚−改質処理後の膜厚)÷改質処理前の膜厚×100)を回転テーブル2の半径方向において複数箇所で求めた。改質処理は、以下の条件において行った。
(改質条件)
処理ガス:He(ヘリウム)ガス/O2ガス=2.7/0.3l/分
処理圧力:533Pa(4Torr)
高周波電力:400W
回転テーブル2の回転数:30rpm
処理時間:5分
図30に示すように、プラズマ発生部80が1組の場合には、回転テーブル2の中心部側において強く改質処理が行われており、外周部側に向かうにつれて改質処理が弱くなっていた。従って、1組のプラズマ発生部80を用いて回転テーブル2の外周部側において良好な改質処理を行おうとすると、既述のように中心部側では改質処理が強くなりすぎて、ウエハWがダメージを受けているおそれがあると考えられる。
一方、6組のプラズマ発生部80を用いた場合には、回転テーブル2の中心部側から外周部側に亘って改質処理が均一に行われていることが分かった。これは、既述のように6組のプラズマ発生部80によりシリコン酸化膜の改質に必要なエネルギーを分散しているためだと考えられる。また、プラズマ発生部80の長さ寸法Rを変更することにより、回転テーブル2の半径方向において改質の度合いを調整できることが分かった。
次に、実施例1と同じ条件においてシリコン酸化膜の改質処理を行って同様に評価したところ、図31に示すように、各プラズマ発生部80の長さ寸法Rを変更することによって、同様に回転テーブル2の半径方向において改質処理の度合いを調整できることが分かった。この例では、同じ長さ寸法Rのプラズマ発生部80を設ける場合よりも、夫々のプラズマ発生部80の長さ寸法Rを調整した方が良好な均一性となっていた。
次に、既述の実施例3のように各プラズマ発生部80の長さ寸法Rを種々変えた時において、膜厚の収縮率がウエハWの面内においてどのような分布となるか測定した。この結果を図32に示す。尚、この図32において、ウエハW上における各プラズマ発生部80の概略的な配置状態及び各々のプラズマ発生部80の長さ寸法についても記載している。
次に、プラズマによりウエハWが受けるダメージについて評価を行った。この実験は、表面にリンのドープされた多結晶シリコン膜からなるアンテナ部を含むテストチップが多数形成された実験用のウエハWを用いて、このウエハWに対して以下の条件においてプラズマを供給し、その後各々のテストチップが受けたダメージ(プラズマ照射前のアンテナ部の面積÷プラズマ照射後の有効アンテナ面積)を評価した。尚、実験用のウエハWに形成されたダメージ層がシリコン酸化膜に覆われてしまわないように、成膜用のガスに代えてN2ガスを用いた。
(プラズマ供給条件)
処理ガス:Arガス/O2ガス=5/0.1slm
処理圧力:533Pa(4Torr)
高周波電力:400W(13.56Mz)
回転テーブル2の回転数:240rpm
処理時間:10分
成膜温度:350℃
成膜用のガス:N2ガス/O3ガス=200sccm/6slm
プラズマ発生部80の組数:6本(各長さ寸法R:50、150、245、317、194、97)、1本(300mm)
プラズマの暴露幅:約2cm(回転テーブル2が回転する度に1組のプラズマ発生部80毎に2cmのプラズマ領域を通り過ぎる)
その結果、図34に示すように、プラズマ発生部80が1組の場合には、回転テーブル2の外周部側から中心部側に向かう程、ダメージが大きくなっており、ウエハWに与えるプラズマのエネルギーを強くする程この傾向が増大していた。一方、6本のプラズマ発生部80を設けた場合には、回転テーブル2の半径方向においてダメージのばらつきはほとんど確認されなかった。また、プラズマのエネルギーを増やした場合においても、特に差異が現れなかった。
従って、既述のように、1組のプラズマ発生部80を用いた場合には、回転テーブル2の半径方向で改質の度合いにばらつきが生じて、面内に亘って均一な改質処理を行おうとすると、パラメータ(例えばプラズマのエネルギー)の選択範囲が限られてしまうが、複数例えば6組のプラズマ発生部80を配置すると、回転テーブル2の半径方向において改質のばらつきが小さくなり、パラメータの選択範囲が広くなることが分かった。尚、図34においては、既述のテストチップを模式的に格子状に示している。
既述のカバー体221によって当該カバー体221内へのガスの侵入がどの程度抑えられているか、以下の条件においてシミュレーションを行った。
(シミュレーション条件)
処理ガス:Arガス=20slm
処理圧力:533Pa(4Torr)
高周波電力:400W(13.56Mz)
回転テーブル2の回転数:30rpm
処理時間:10分
成膜温度:450℃
成膜用のガス:Si含有ガス/O3ガス=300sccm/10slm(200g/Nm3)
各々の分離領域Dに供給する分離ガス:N2=20slm
中心部領域Cの上方から供給する分離ガス:3slm
中心部領域Cの下方及びパージガス供給管73から供給する分離ガス:10slm
図35(a)、(b)に示すように、ガス導入ノズル34から供給されるArガスは、カバー体221内に均一に分散していることが分かった。また、同図(c)、(d)に示すように、回転テーブル2の上流側からカバー体221に向かって通流してくるN2ガスは、当該カバー体221内への侵入が防がれていることが分かった。従って、既述のように、カバー体221内では、ノズル32、34から吐出されるO3ガスと分離領域Dなどに供給されるN2ガスとの混合が防止され、NOxの生成が抑えられていると言える。
このカバー体221内において、処理ガス(Heガス)の分布や流速がどのようになっているかシミュレーションを処理圧力が533Pa(4Torr)、処理ガスの流量が3slmの条件において行ったところ、図36に示すように、処理ガスはこのカバー体221内において均一に分布しており、局所的な乱れが見られないことが分かった。
続いて、既述の傾き調整機構501を設けて、プラズマ発生部80の先端部の高さ位置を調整した場合に得られる薄膜の特性を評価した。この実験では、図37に示すように、既述の6本のプラズマ発生部80が設置される部位のうち回転テーブル2の上流側から1箇所目、3箇所目及び5箇所目にプラズマ発生部80を設けて、これら3本のプラズマ発生部80を用いて薄膜の改質を行った。そして、回転テーブル2の上流側から3箇所目のプラズマ発生部80の先端部の高さ位置(寸法H)を夫々8mm、10mm、11mm、12mmに設定すると共に、夫々の条件において得られる膜厚を測定した。
成膜温度(℃):450
処理圧力(Pa(Torr)):533.29(4)
回転テーブル2の回転数(rpm):20
高周波電力値(W):1200
次に、図39のように回転テーブル2の上流側から1箇所目及び2箇所目にプラズマ発生部80、80を配置して、これら2本のプラズマ発生部80、80を用いて薄膜の改質を行った。この時のプラズマ発生部80、80において互いに近接する電極36同士の間の離間距離Fは、45mmに設定した。また、これらプラズマ発生部80、80の寸法Hについては、先端部では回転テーブル2の上流側から夫々14mm及び12mmに設定すると共に、基端側では夫々10.5mm及び10mmに設定した。実験条件は以下の通りであり、一度実験を行った後、プラズマ発生部80を取り外して再度取り付け直し、再び同じ内容の実験を行った。
成膜温度(℃):350
処理圧力(Pa(Torr)):533.29(4)
第1の反応ガス流量(sccm):600
第2の反応ガス(O3)流量:300g/Nm3(O2:6slm)
改質用のガス(O2)流量(slm):10
回転テーブル2の回転数(rpm):20
高周波電力値(W):800
この実験では、拡散抑制板510の有無によって得られる薄膜の膜質がどのようになるか確認した。プラズマ発生部80としては、図42(a)に示すように、回転テーブル2の上流側から1箇所目及び2箇所目に設けた。また、回転テーブル2の上流側から1箇所目に寸法Gが200mmの拡散抑制板510を設けた場合(図42(b))と、回転テーブル2の上流側から1箇所目及び2箇所目に寸法Gが200mm及び100mmの拡散抑制板510を夫々設けた場合(同図(c))とについて実験を行った。実験条件は以下の通りである。
成膜温度(℃):350(高周波を供給しない例では450)
処理圧力(Pa(Torr)):533.29(4)
第1の反応ガス流量(sccm):600
第2の反応ガス(O3)流量:300g/Nm3(O2:6slm)
改質用のガス(O2)流量(slm):10
回転テーブル2の回転数(rpm):20
高周波電力値(W):1200
この時、回転テーブルの中央側の改質効果の弱くなる領域であっても、高周波を供給しないで実験を行った場合よりも膜厚が薄くなっている理由は、既述のようにプラズマ中のラジカルが拡散抑制板510の側方側を回り込んでウエハWに到達するか、あるいは回転テーブル2の周縁部側から中央部側にプラズマが拡散してきたためだと考えられる。
また、回転テーブル2の半径方向において拡散抑制板510よりも外周側では、拡散抑制板510を設けない場合に比べて、膜厚が薄くなって改質が強く行われていることが分かった。この理由は、拡散抑制板510を設けた領域のプラズマが回転テーブル2の外周側に回り込んでいるためではないかと考えられる。
2 回転テーブル
W ウエハ
31、32、34 ノズル
35a、35b シース管
36a、36b 電極
80 プラズマ発生部
81 主プラズマ発生部
82 補助プラズマ発生部
220 ガスインジェクター
Claims (10)
- 真空容器内にて基板に対してプラズマにより処理を行うプラズマ処理装置において、
前記真空容器内に設けられ、基板を載置するための複数の基板載置領域が形成された回転テーブルと、
この回転テーブルを回転させる回転機構と、
前記基板載置領域にプラズマ発生用のガスを供給するガス供給部と、
前記基板載置領域の通過領域に対向する位置において前記回転テーブルの中央部側と外周側との間に棒状に伸びるように設けられ、前記ガスにエネルギーを供給してプラズマ化するための主プラズマ発生部と、
この主プラズマ発生部に対して前記真空容器の周方向に離間して設けられ、当該主プラズマ発生部によるプラズマの不足分を補償するための補助プラズマ発生部と、
前記真空容器内を真空排気する真空排気手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記主プラズマ発生部及び前記補助プラズマ発生部に対して周方向に離間して設けられ、基板に対して成膜を行うための反応ガス供給手段を備えていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記反応ガス供給手段は、回転テーブルの周方向に互に離間して形成された複数の処理領域に互に異なる反応ガスを夫々供給するために設けられ、
前記複数の処理領域の間には、互に異なる反応ガスが混合することを防止するための分離ガスが供給される分離領域が設けられ、
基板の表面には互に異なる反応ガスが順番に供給されることにより成膜されることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記主プラズマ発生部、前記補助プラズマ発生部及びガス供給部は、回転テーブルの回転方向上流側から流れてくるガスが前記主プラズマ発生部及び前記補助プラズマ発生部とその上方の天井部との間を流れるように、共通のカバー体により覆われていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記カバー体における前記回転方向上流側には、長さ方向に伸びる側面部の下縁を当該上流側に伸び出すようにフランジ状に屈曲させて形成したガス流の規制部が設けられていることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記補助プラズマ発生部は、前記主プラズマ発生部による基板載置領域の外縁側のプラズマの不足分を補償するために設けられたものであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記主プラズマ発生部と前記補助プラズマ発生部とは、プラズマを発生させるための電力の供給源である高周波電源を共用し、
前記補助プラズマ発生部は、前記回転テーブルの中央側部位において基板載置領域へのプラズマの拡散を抑制するために、拡散抑制部を下方側に備えていることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置。 - 前記主プラズマ発生部及び前記補助プラズマ発生部のうち少なくとも1つのプラズマ発生部は、前記回転テーブルの外周側における前記真空容器の側壁から当該真空容器内に気密に挿入され、
前記回転テーブル上の基板の表面に対して前記少なくとも1つのプラズマ発生部を当該少なくとも一つのプラズマ発生部の長さ方向に傾斜させるために、前記少なくとも一つのプラズマ発生部の基端部側に傾き調整機構が設けられていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。 - 前記主プラズマ発生部及び前記補助プラズマ発生部は、互に長さ方向に平行に伸び、容量結合型プラズマを発生するための平行電極であることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記主プラズマ発生部及び前記補助プラズマ発生部は、誘導結合型プラズマを発生させるためのアンテナのうち、棒状のアンテナ部分に相当することを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010138669A JP5327147B2 (ja) | 2009-12-25 | 2010-06-17 | プラズマ処理装置 |
US12/975,355 US20110155057A1 (en) | 2009-12-25 | 2010-12-22 | Plasma process apparatus |
KR1020100134570A KR101380985B1 (ko) | 2009-12-25 | 2010-12-24 | 플라즈마 처리 장치 |
CN2010106218098A CN102110572A (zh) | 2009-12-25 | 2010-12-24 | 等离子处理装置 |
TW099145681A TW201135801A (en) | 2009-12-25 | 2010-12-24 | Plasma process apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009295110 | 2009-12-25 | ||
JP2009295110 | 2009-12-25 | ||
JP2010138669A JP5327147B2 (ja) | 2009-12-25 | 2010-06-17 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011151343A true JP2011151343A (ja) | 2011-08-04 |
JP5327147B2 JP5327147B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=44174692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010138669A Active JP5327147B2 (ja) | 2009-12-25 | 2010-06-17 | プラズマ処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110155057A1 (ja) |
JP (1) | JP5327147B2 (ja) |
KR (1) | KR101380985B1 (ja) |
CN (1) | CN102110572A (ja) |
TW (1) | TW201135801A (ja) |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013045903A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置及びプラズマ発生装置 |
JP2013055243A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
CN102994981A (zh) * | 2011-09-12 | 2013-03-27 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和成膜装置 |
JP2013084730A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び基板処理装置 |
JP2013149728A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
JP2013161874A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2013165116A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
JP2013168437A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
JP2013225655A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-10-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
KR20140009068A (ko) * | 2012-07-13 | 2014-01-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
KR20140058351A (ko) * | 2012-11-05 | 2014-05-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 발생 장치 |
JP2014120564A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置及び成膜方法 |
KR20140100442A (ko) * | 2013-02-06 | 2014-08-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 성막 방법 |
JP2015084403A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-04-30 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
KR20150048054A (ko) | 2013-10-25 | 2015-05-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
JP2015526595A (ja) * | 2012-06-29 | 2015-09-10 | ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2016086152A (ja) * | 2014-03-27 | 2016-05-19 | Sppテクノロジーズ株式会社 | シリコン酸化膜及びその製造方法、並びにシリコン酸化膜の製造装置 |
TWI561672B (en) * | 2012-06-15 | 2016-12-11 | Tokyo Electron Ltd | Film deposition apparatus, substrate processing apparatus and film deposition method |
JP2016225521A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
WO2017014179A1 (ja) * | 2015-07-17 | 2017-01-26 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
JP2017117943A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP2017117941A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US9932674B2 (en) | 2011-05-12 | 2018-04-03 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus, film deposition method, and computer-readable recording medium |
JP2021044419A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9416448B2 (en) * | 2008-08-29 | 2016-08-16 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus, substrate processing apparatus, film deposition method, and computer-readable storage medium for film deposition method |
JP5107185B2 (ja) | 2008-09-04 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
JP5445044B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US9297072B2 (en) | 2008-12-01 | 2016-03-29 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus |
JP5131240B2 (ja) * | 2009-04-09 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP5423529B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2014-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP5271456B2 (ja) * | 2010-11-10 | 2013-08-21 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR101246170B1 (ko) * | 2011-01-13 | 2013-03-25 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 반도체 제조에 사용되는 분사부재 및 그것을 갖는 플라즈마 처리 장치 |
JP2014017296A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
US9275835B2 (en) * | 2012-11-29 | 2016-03-01 | Gregory DeLarge | Plasma generating device with moving carousel and method of use |
US20160024653A1 (en) * | 2013-03-15 | 2016-01-28 | Applied Materials, Inc. | Plasma Source For Rotating Platen ALD Chambers |
TWI683382B (zh) * | 2013-03-15 | 2020-01-21 | 應用材料股份有限公司 | 具有光學測量的旋轉氣體分配組件 |
TWI627305B (zh) * | 2013-03-15 | 2018-06-21 | 應用材料股份有限公司 | 用於轉盤處理室之具有剛性板的大氣蓋 |
JP6115244B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP6146160B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2017-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、記憶媒体及び成膜装置 |
JP2015056632A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン酸化膜の製造方法 |
JP6262115B2 (ja) * | 2014-02-10 | 2018-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2015180768A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-10-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体 |
JP6221932B2 (ja) * | 2014-05-16 | 2017-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5837962B1 (ja) * | 2014-07-08 | 2015-12-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびガス整流部 |
JP6362488B2 (ja) * | 2014-09-09 | 2018-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US20160138161A1 (en) * | 2014-11-19 | 2016-05-19 | Applied Materials, Inc. | Radical assisted cure of dielectric films |
JP6361495B2 (ja) * | 2014-12-22 | 2018-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP6600990B2 (ja) * | 2015-01-27 | 2019-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
TWI715645B (zh) * | 2015-10-22 | 2021-01-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 正形及縫隙填充非晶矽薄膜的沉積 |
JP6523185B2 (ja) * | 2016-01-29 | 2019-05-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
JP6548586B2 (ja) | 2016-02-03 | 2019-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
JP6608332B2 (ja) * | 2016-05-23 | 2019-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP6602261B2 (ja) | 2016-05-23 | 2019-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
JP6733516B2 (ja) | 2016-11-21 | 2020-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN108811290A (zh) * | 2017-04-28 | 2018-11-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 等离子体产生装置和半导体设备 |
JP6930382B2 (ja) * | 2017-11-06 | 2021-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
KR102652116B1 (ko) * | 2018-06-18 | 2024-03-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 쌍을 이룬 동적 평행판 용량성 결합된 플라즈마들 |
KR20200086582A (ko) * | 2019-01-09 | 2020-07-17 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법 |
JP7158337B2 (ja) * | 2019-05-20 | 2022-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
CN110677970B (zh) * | 2019-08-19 | 2023-08-01 | 西安交通大学 | 基于混合型等离子体结构的平板式等离子体发生装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06204147A (ja) * | 1992-08-29 | 1994-07-22 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
US7153542B2 (en) * | 2002-08-06 | 2006-12-26 | Tegal Corporation | Assembly line processing method |
JP2007247066A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Asm Japan Kk | 回転サセプタを備える半導体処理装置 |
JP2009084693A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 層析出装置および層析出装置を運転する方法 |
JP2009531535A (ja) * | 2006-03-03 | 2009-09-03 | ガードギール,プラサード | 薄膜の広範囲多層原子層の化学蒸着処理のための装置および方法 |
JP2010518259A (ja) * | 2007-02-12 | 2010-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 原子層堆積システム及び方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3204527B2 (ja) * | 1992-03-09 | 2001-09-04 | 日本真空技術株式会社 | Ito薄膜形成用プレーナマグネトロンスパッタ装置 |
US5338362A (en) * | 1992-08-29 | 1994-08-16 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for processing semiconductor wafer comprising continuously rotating wafer table and plural chamber compartments |
JP2000299198A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-10-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
KR100458982B1 (ko) * | 2000-08-09 | 2004-12-03 | 주성엔지니어링(주) | 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법 |
US6869641B2 (en) * | 2002-07-03 | 2005-03-22 | Unaxis Balzers Ltd. | Method and apparatus for ALD on a rotary susceptor |
JP2004055600A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP4527431B2 (ja) * | 2004-04-08 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20070218701A1 (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-20 | Asm Japan K.K. | Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor |
-
2010
- 2010-06-17 JP JP2010138669A patent/JP5327147B2/ja active Active
- 2010-12-22 US US12/975,355 patent/US20110155057A1/en not_active Abandoned
- 2010-12-24 CN CN2010106218098A patent/CN102110572A/zh active Pending
- 2010-12-24 TW TW099145681A patent/TW201135801A/zh unknown
- 2010-12-24 KR KR1020100134570A patent/KR101380985B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06204147A (ja) * | 1992-08-29 | 1994-07-22 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
US7153542B2 (en) * | 2002-08-06 | 2006-12-26 | Tegal Corporation | Assembly line processing method |
JP2009531535A (ja) * | 2006-03-03 | 2009-09-03 | ガードギール,プラサード | 薄膜の広範囲多層原子層の化学蒸着処理のための装置および方法 |
JP2007247066A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Asm Japan Kk | 回転サセプタを備える半導体処理装置 |
JP2010518259A (ja) * | 2007-02-12 | 2010-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 原子層堆積システム及び方法 |
JP2009084693A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 層析出装置および層析出装置を運転する方法 |
Cited By (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9932674B2 (en) | 2011-05-12 | 2018-04-03 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus, film deposition method, and computer-readable recording medium |
KR101509860B1 (ko) | 2011-08-24 | 2015-04-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치, 기판 처리 장치 및 플라즈마 발생 장치 |
JP2013045903A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置及びプラズマ発生装置 |
US9453280B2 (en) | 2011-09-05 | 2016-09-27 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus, film deposition method and storage medium |
KR101536805B1 (ko) * | 2011-09-05 | 2015-07-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치, 성막 방법 및 기억 매체 |
JP2013055243A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
CN102994981A (zh) * | 2011-09-12 | 2013-03-27 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和成膜装置 |
KR101538204B1 (ko) * | 2011-09-12 | 2015-07-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 성막 장치 |
JP2013060615A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び成膜装置 |
JP2013084730A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び基板処理装置 |
TWI547592B (zh) * | 2011-10-07 | 2016-09-01 | 東京威力科創股份有限公司 | 成膜裝置及基板處理裝置 |
KR101560864B1 (ko) * | 2011-10-07 | 2015-10-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 기판 처리 장치 |
JP2013149728A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
JP2013161874A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
KR101563777B1 (ko) * | 2012-02-02 | 2015-10-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
JP2013165116A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
KR101561335B1 (ko) * | 2012-02-09 | 2015-10-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 |
JP2013168437A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
JP2013225655A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-10-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
TWI561672B (en) * | 2012-06-15 | 2016-12-11 | Tokyo Electron Ltd | Film deposition apparatus, substrate processing apparatus and film deposition method |
JP2018080399A (ja) * | 2012-06-29 | 2018-05-24 | ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2015526595A (ja) * | 2012-06-29 | 2015-09-10 | ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR101582720B1 (ko) | 2012-07-13 | 2016-01-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
KR20140009068A (ko) * | 2012-07-13 | 2014-01-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
JP2014022458A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
KR20140058351A (ko) * | 2012-11-05 | 2014-05-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 발생 장치 |
JP2014093226A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ発生装置 |
KR101690828B1 (ko) * | 2012-11-05 | 2016-12-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 발생 장치 |
US9583312B2 (en) | 2012-12-14 | 2017-02-28 | Tokyo Electron Limited | Film formation device, substrate processing device, and film formation method |
JP2014120564A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置及び成膜方法 |
KR101654968B1 (ko) * | 2013-02-06 | 2016-09-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 성막 방법 |
JP2014154630A (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び成膜方法 |
KR20140100442A (ko) * | 2013-02-06 | 2014-08-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 성막 방법 |
JP2015084403A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-04-30 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
KR20150048054A (ko) | 2013-10-25 | 2015-05-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
JP2016086152A (ja) * | 2014-03-27 | 2016-05-19 | Sppテクノロジーズ株式会社 | シリコン酸化膜及びその製造方法、並びにシリコン酸化膜の製造装置 |
JP2016225521A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
WO2017014179A1 (ja) * | 2015-07-17 | 2017-01-26 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
JP2017117943A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP2017117941A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP2021044419A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5327147B2 (ja) | 2013-10-30 |
US20110155057A1 (en) | 2011-06-30 |
CN102110572A (zh) | 2011-06-29 |
KR20110074713A (ko) | 2011-07-01 |
TW201135801A (en) | 2011-10-16 |
KR101380985B1 (ko) | 2014-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5327147B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5287592B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP5423529B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP5625624B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP5181100B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP5392069B2 (ja) | 成膜装置 | |
KR101535682B1 (ko) | 활성화 가스 인젝터, 성막 장치 및 성막 방법 | |
JP5712874B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP5131240B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP5310283B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置、基板処理装置及び記憶媒体 | |
JP5482196B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
US8202809B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, and substrate processing apparatus | |
JP5870568B2 (ja) | 成膜装置、プラズマ処理装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP6584347B2 (ja) | 成膜方法 | |
JP5549754B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP5750190B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP5447632B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5692337B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP2011142347A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20180054448A (ko) | 성막 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120808 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130605 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130625 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130708 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5327147 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |