JP2014093226A - プラズマ処理装置及びプラズマ発生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アンテナ83により形成される電磁界のうち電界を遮断するために、導電板からなるファラデーシールド95を当該アンテナ83とウエハWとの間に配置する。また、前記電磁界のうち磁界を通過させるために、アンテナ83の長さ方向に対して直交するように形成されたスリット97を当該アンテナ83の長さ方向に沿って複数箇所にファラデーシールド95に形成する。そして、アンテナ83とファラデーシールド95との間にシャッター151を配置して、複数のスリット97のうち少なくとも一つのスリット97の開口面積を調整する。
【選択図】図13
Description
特許文献2には、ファラデーシールドについて記載されており、また特許文献3にはインピーダンスを変更できる調整器31について記載されているが、プラズマ処理の度合いを調整する技術については記載されていない。
真空容器内の基板載置部に載置された基板に対してプラズマにより処理を行うプラズマ処理装置において、
前記真空容器内にプラズマ発生用ガスを供給するためのガス供給部と、
前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ化するために、高周波電力が供給されるアンテナと、
前記アンテナとプラズマが発生する領域との間に設けられ、前記アンテナにより形成される電磁界の電界を遮断し、磁界を通過させるために、前記アンテナの伸びる方向と交差するように形成されたスリットをアンテナの長さ方向に沿って複数配列した導電板からなるファラデーシールドと、
前記アンテナの長さ方向におけるプラズマ密度を調整するために、前記スリットの開口面積を調整するための導電体からなる調整部材と、を備えたことを特徴とする。
前記スリットは、前記ガスノズルに磁界が到達することを抑えるために、前記ガスノズルから前記スリットを介して前記アンテナを見通すことができないように配置されていても良い。
前記基板載置部と、前記ガス供給部、前記アンテナ、前記ファラデーシールド及び調整部材からなる組み立て体とを、プラズマ処理中に相対的に移動させるための移動機構を備えていても良い。
前記基板載置部は基板を公転させるための回転テーブルであり、前記移動機構は回転テーブルを回転させる回転機構であり、
前記アンテナは、前記回転テーブルの中心側から外縁側に向かって伸びるように形成されていても良い。
前記アンテナは、平面で見た時にこの突出部を囲むように配置され、
前記ガス供給部は、前記突出部内に収納され、
前記ファラデーシールドは、前記突出部の側周面の一部を構成し、
前記突出部の前記回転中心側の部位及び前記外縁側の部位には、スリットが無いか、または当該各部位におけるスリットの配列密度が前記回転テーブルの回転方向上流側の側面及び前記回転方向下流側の側面に形成されたスリットの配列密度よりも小さくなるように形成されていても良い。
前記調整部材は、前記突出部よりも前記回転テーブルの回転方向上流側の部位及び前記突出部よりも前記回転テーブルの回転方向下流側の部位に各々配置され、
これら部位における調整部材は、前記回転方向上流側及び前記回転方向下流側から前記突出部内に夫々到達する磁界の量を互いにずらすために、互いに異なる数量となるように配置されていても良い。
プラズマ発生用ガスが供給される領域と処理ガスが供給される領域との間を分離する分離領域に分離ガスを供給するための分離ガスノズルと、を備え、
前記ガス供給部は、前記基板に吸着した処理ガスの成分と反応する活性種を生成する反応ガスを供給するためのノズルであっても良い。
前記ガス供給部に対して前記真空容器の周方向に離間して各々配置され、基板の表面に反応生成物を形成するために互いに反応する処理ガスを夫々供給する複数の処理ガスノズルと、
各々の処理ガスが供給される領域同士を分離する分離領域に分離ガスを供給するための分離ガスノズルと、を備え、
前記ガス供給部は、前記基板に形成された反応生成物を改質する活性種を生成するガスを供給するためのノズルであっても良い。
基板に対して行われる処理の種別と前記調整部材の位置とを対応付けたデータを記憶するメモリを備え、
処理の種別が選択された時に、前記データから対応する調整部材の位置を読み出して、前記調整部材の駆動機構に制御信号を出力する制御部を備えていても良い。
プラズマを発生させるためのプラズマ発生装置であって、
プラズマ発生用ガスを真空雰囲気に供給するためのガス供給部と、
前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ化するために、高周波電力が供給されるアンテナと、
前記アンテナとプラズマが発生する領域との間に設けられ、前記アンテナにより形成される電磁界の電界を遮断し、磁界を通過させるために、前記アンテナの伸びる方向と交差するように形成されたスリットをアンテナの長さ方向に沿って複数配列した導電板からなるファラデーシールドと、
前記アンテナの長さ方向におけるプラズマ密度を調整するために、前記スリットの開口面積を調整するための導電体からなる調整部材と、を備えたことを特徴とする。
このように回転テーブル2の半径方向におけるプラズマ密度(磁界の量)を調整するにあたり、例えば複数の高周波電源に夫々個別に接続されるアンテナを前記半径方向に並べる必要がない。従って、装置のコストアップを抑えることができる。
更にまた、プラズマ発生容器200について、縦向きの扁平な形状となるように、即ち回転テーブル2の半径方向に沿うように帯状に形成している。そのため、回転テーブル2の周方向におけるプラズマ発生容器200の長さ寸法を短く抑えることができる。
更にまた、主プラズマ発生部81及び補助プラズマ発生部82において、真空容器1の外部にアンテナ83を配置しているので、プラズマ発生部81、82のメンテナンスが容易となる。
更に、以上の例では各領域P1、P2、P3についてウエハWを順番に通過させるにあたり、ウエハWを公転させる手法を採ったが、例えばこれら各領域P1、P2、P3を直線的に順番に並べた連続炉を用いても良い。この場合には、ウエハWを搬送させるコンベアなどの移動機構が設けられる。
また、シャッターの配置位置としては、アンテナとファラデーシールドとの間に介在させたが、ファラデーシールドよりもウエハ側に配置しても良い。そして、スリット97は、アンテナ83の長さ方向に対して直交する(アンテナ83とスリット97とのなす角度が90°となる)ように配置したが、アンテナ83の長さ方向に対して交差する(スリット97の伸びる向き≠アンテナ83の伸びる向き)ように配置しても良い。
2 回転テーブル
W ウエハ
32 プラズマ発生用ガスノズル
81 プラズマ発生部
82 プラズマ発生部
83 アンテナ
85 高周波電源
95 ファラデーシールド
97 スリット
151 シャッター
200 プラズマ発生容器
Claims (11)
- 真空容器内の基板載置部に載置された基板に対してプラズマにより処理を行うプラズマ処理装置において、
前記真空容器内にプラズマ発生用ガスを供給するためのガス供給部と、
前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ化するために、高周波電力が供給されるアンテナと、
前記アンテナとプラズマが発生する領域との間に設けられ、前記アンテナにより形成される電磁界の電界を遮断し、磁界を通過させるために、前記アンテナの伸びる方向と交差するように形成されたスリットをアンテナの長さ方向に沿って複数配列した導電板からなるファラデーシールドと、
前記アンテナの長さ方向におけるプラズマ密度を調整するために、前記スリットの開口面積を調整するための導電体からなる調整部材と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記ガス供給部は、前記アンテナの長さ方向に沿って伸びるガスノズルであり、
前記スリットは、前記ガスノズルに磁界が到達することを抑えるために、前記ガスノズルから前記スリットを介して前記アンテナを見通すことができないように配置されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記基板載置部と、前記ガス供給部、前記アンテナ、前記ファラデーシールド及び調整部材からなる組み立て体とを、プラズマ処理中に相対的に移動させるための移動機構を備えたことを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記基板載置部は基板を公転させるための回転テーブルであり、前記移動機構は回転テーブルを回転させる回転機構であり、
前記アンテナは、前記回転テーブルの中心側から外縁側に向かって伸びるように形成されていることを特徴とすることを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理装置。 - 前記真空容器の天井面における一部は、プラズマが発生する領域を形成するために、前記回転テーブルの回転中心側から外縁側に向かって上方に向かって突出して突出部をなしており、
前記アンテナは、平面で見た時にこの突出部を囲むように配置され、
前記ガス供給部は、前記突出部内に収納され、
前記ファラデーシールドは、前記突出部の側周面の一部を構成し、
前記突出部の前記回転中心側の部位及び前記外縁側の部位には、スリットが無いか、または当該各部位におけるスリットの配列密度が前記回転テーブルの回転方向上流側の側面及び前記回転方向下流側の側面に形成されたスリットの配列密度よりも小さいことを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。 - 前記調整部材は、前記アンテナの長さ方向に沿って複数箇所に配置されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記調整部材は、前記突出部よりも前記回転テーブルの回転方向上流側の部位及び前記突出部よりも前記回転テーブルの回転方向下流側の部位に各々配置され、
これら部位における調整部材は、前記回転方向上流側及び前記回転方向下流側から前記突出部内に夫々到達する磁界の量を互いにずらすために、互いに異なる数量となるように配置されていることを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理装置。 - 前記ガス供給部に対して前記真空容器の周方向に離間して配置され、基板に吸着する処理ガスを供給するための処理ガスノズルと、
プラズマ発生用ガスが供給される領域と処理ガスが供給される領域との間を分離する分離領域に分離ガスを供給するための分離ガスノズルと、を備え、
前記ガス供給部は、前記基板に吸着した処理ガスの成分と反応する活性種を生成する反応ガスを供給するためのノズルであることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。 - 前記ガス供給部に対して前記真空容器の周方向に離間して各々配置され、基板の表面に反応生成物を形成するために互いに反応する処理ガスを夫々供給する複数の処理ガスノズルと、
各々の処理ガスが供給される領域同士を分離する分離領域に分離ガスを供給するための分離ガスノズルと、を備え、
前記ガス供給部は、前記基板に形成された反応生成物を改質する活性種を生成するガスを供給するためのノズルであることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。 - 基板に対して行われる処理の種別と前記調整部材の位置とを対応付けたデータを記憶するメモリを備え、
処理の種別が選択された時に、前記データから対応する調整部材の位置を読み出して、前記調整部材の駆動機構に制御信号を出力する制御部を備えたことを特徴とする請求項1ないし9のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。 - プラズマを発生させるためのプラズマ発生装置であって、
プラズマ発生用ガスを真空雰囲気に供給するためのガス供給部と、
前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ化するために、高周波電力が供給されるアンテナと、
前記アンテナとプラズマが発生する領域との間に設けられ、前記アンテナにより形成される電磁界の電界を遮断し、磁界を通過させるために、前記アンテナの伸びる方向と交差するように形成されたスリットをアンテナの長さ方向に沿って複数配列した導電板からなるファラデーシールドと、
前記アンテナの長さ方向におけるプラズマ密度を調整するために、前記スリットの開口面積を調整するための導電体からなる調整部材と、を備えたことを特徴とするプラズマ発生装置。
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KR1020130131277A KR101690828B1 (ko) | 2012-11-05 | 2013-10-31 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 발생 장치 |
TW102139892A TW201432778A (zh) | 2012-11-05 | 2013-11-04 | 電漿處理裝置及電漿產生裝置 |
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016046976A1 (ja) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
JP5938491B1 (ja) * | 2015-03-20 | 2016-06-22 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 |
JP5977853B1 (ja) * | 2015-03-20 | 2016-08-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
JP2016213289A (ja) * | 2015-05-01 | 2016-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
WO2017014179A1 (ja) * | 2015-07-17 | 2017-01-26 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
JP2017183379A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR20180014656A (ko) | 2016-08-01 | 2018-02-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2019033126A (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2021509490A (ja) * | 2017-12-26 | 2021-03-25 | エルジー・ケム・リミテッド | ファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法 |
JP2021516788A (ja) * | 2018-06-29 | 2021-07-08 | エルジー・ケム・リミテッド | ファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法 |
KR20230029526A (ko) | 2021-08-23 | 2023-03-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20230117700A (ko) | 2022-02-02 | 2023-08-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 |
WO2024177066A1 (ja) * | 2023-02-24 | 2024-08-29 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5445044B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
WO2015106261A1 (en) * | 2014-01-13 | 2015-07-16 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned double patterning with spatial atomic layer deposition |
GR1009426B (el) * | 2016-04-27 | 2019-01-15 | Εθνικο Κεντρο Ερευνας Φυσικων Επιστημων "Δημοκριτος" | Μεταβλητος κλωβος faraday σε αντιδραστηρα πλασματος για την βαση του υποστρωματος, τον δακτυλιο συγκρατησης, ή το ηλεκτροδιο ή συνδυασμο τους |
CN107633994B (zh) * | 2017-09-28 | 2020-02-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种干蚀刻装置顶盖及干蚀刻装置 |
CN111164730B (zh) * | 2017-09-29 | 2023-08-15 | 应用材料公司 | 关闭机构真空腔室隔离装置和子系统 |
KR102548183B1 (ko) * | 2018-06-29 | 2023-06-28 | 주식회사 엘지화학 | 파라데이 상자를 이용한 플라즈마 식각 방법 |
CN109875045A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-14 | 常州机电职业技术学院 | 枸杞改性处理装置及处理方法 |
WO2020188809A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP7285152B2 (ja) * | 2019-07-08 | 2023-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US11049692B2 (en) | 2019-07-17 | 2021-06-29 | Mattson Technology, Inc. | Methods for tuning plasma potential using variable mode plasma chamber |
US11189464B2 (en) | 2019-07-17 | 2021-11-30 | Beijing E-town Semiconductor Technology Co., Ltd. | Variable mode plasma chamber utilizing tunable plasma potential |
JP7037526B2 (ja) * | 2019-09-10 | 2022-03-16 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP7242612B2 (ja) * | 2020-07-22 | 2023-03-20 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
TWI798760B (zh) * | 2020-08-26 | 2023-04-11 | 日商國際電氣股份有限公司 | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、基板保持具及程式 |
CN112192323A (zh) * | 2020-09-23 | 2021-01-08 | 航天科工微电子系统研究院有限公司 | 一种无亚表面损伤抛光设备及方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006522490A (ja) * | 2003-04-01 | 2006-09-28 | マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド | プラズマ均一性 |
JP2009076876A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US20100310771A1 (en) * | 2009-06-08 | 2010-12-09 | Synos Technology, Inc. | Vapor deposition reactor and method for forming thin film |
JP2011132589A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP2011151343A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-08-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5234529A (en) * | 1991-10-10 | 1993-08-10 | Johnson Wayne L | Plasma generating apparatus employing capacitive shielding and process for using such apparatus |
US5540800A (en) * | 1994-06-23 | 1996-07-30 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled high density plasma reactor for plasma assisted materials processing |
TW403959B (en) * | 1996-11-27 | 2000-09-01 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device |
US6042687A (en) * | 1997-06-30 | 2000-03-28 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for improving etch and deposition uniformity in plasma semiconductor processing |
KR100367662B1 (ko) * | 2000-05-02 | 2003-01-10 | 주식회사 셈테크놀러지 | 하이퍼서멀 중성입자 발생 장치 및 이를 채용하는 중성입자 처리 장치 |
JP2002237486A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US6685799B2 (en) * | 2001-03-14 | 2004-02-03 | Applied Materials Inc. | Variable efficiency faraday shield |
US20040173314A1 (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-09 | Ryoji Nishio | Plasma processing apparatus and method |
EP1881525A4 (en) * | 2005-04-28 | 2011-05-11 | Canon Anelva Corp | SCRAPPING METHOD, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC DIELECTRIC FILM WITH LOW DIELECTRIC CONSTANT, METHOD FOR PRODUCING POROUS MEMBER, SCALE SYSTEM, AND FINE FILM FORMING EQUIPMENT |
KR100753868B1 (ko) * | 2006-05-22 | 2007-09-03 | 최대규 | 복합형 플라즈마 반응기 |
JP2008288437A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2010126797A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、半導体製造装置、これらに用いられるサセプタ、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体 |
JP5287592B2 (ja) * | 2009-08-11 | 2013-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US20110204023A1 (en) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | No-Hyun Huh | Multi inductively coupled plasma reactor and method thereof |
JP5602711B2 (ja) * | 2011-05-18 | 2014-10-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
-
2012
- 2012-11-05 JP JP2012243814A patent/JP6051788B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-10-25 US US14/063,039 patent/US20140123895A1/en not_active Abandoned
- 2013-10-31 KR KR1020130131277A patent/KR101690828B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-04 TW TW102139892A patent/TW201432778A/zh unknown
- 2013-11-05 CN CN201310542764.9A patent/CN103805968A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006522490A (ja) * | 2003-04-01 | 2006-09-28 | マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド | プラズマ均一性 |
JP2009076876A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US20100310771A1 (en) * | 2009-06-08 | 2010-12-09 | Synos Technology, Inc. | Vapor deposition reactor and method for forming thin film |
JP2011132589A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP2011151343A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-08-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016046976A1 (ja) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
JPWO2016046976A1 (ja) * | 2014-09-26 | 2017-07-27 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
KR101846848B1 (ko) * | 2015-03-20 | 2018-04-09 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
JP5938491B1 (ja) * | 2015-03-20 | 2016-06-22 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 |
JP5977853B1 (ja) * | 2015-03-20 | 2016-08-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
JP2016213289A (ja) * | 2015-05-01 | 2016-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
WO2017014179A1 (ja) * | 2015-07-17 | 2017-01-26 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
JP2017183379A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR20180014656A (ko) | 2016-08-01 | 2018-02-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US10290496B2 (en) | 2016-08-01 | 2019-05-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2019033126A (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2021509490A (ja) * | 2017-12-26 | 2021-03-25 | エルジー・ケム・リミテッド | ファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法 |
JP2021516788A (ja) * | 2018-06-29 | 2021-07-08 | エルジー・ケム・リミテッド | ファラデーケージを用いたプラズマエッチング方法 |
US11276563B2 (en) | 2018-06-29 | 2022-03-15 | Lg Chem, Ltd. | Plasma etching method using faraday box |
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