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  1. 不揮発性メモリ装置であって、
    制御ユニットと、
    前記不揮発性メモリ装置の主記憶媒体であって、複数の電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ装置を該主記憶媒体が含み、該不揮発性メモリ装置はそれぞれ、複数のメモリセルを有しており、該不揮発性メモリ装置は、不良メモリセルがその中に存在する場合であっても動作可能となるよう構成されていることからなる、主記憶媒体と、
    前記不良メモリセルを中に含んでいる前記主記憶媒体の不良領域のアドレス値を登録するための書き換え可能な不良登録メモリ
    とを備え、
    前記電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ装置内に格納されるデータは、複数のブロックに分けられており、該ブロックの各々は、管理されることとなる複数のデータを有しており、該データは、前記制御ユニットによるアクセスアドレスが割り当てられており、管理情報領域が、各ブロックに提供されており、及び、
    前記制御ユニットが、
    （i）前記主記憶媒体のアクセス要求と、
    （ii）不良領域と、前記主記憶媒体内の前記電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ装置の前記メモリセルのうちの幾つかのそれぞれの書き換えの書き換え発生回数との前記管理
    とを実行するよう構成されていることからなる、不揮発性メモリ装置。
  2. 各ブロックに関連付けられた不良メモリセルを前記制御ユニットが検出した時には、該制御ユニットは、該不良メモリセルを含んでいるそのブロックのアクセスアドレスに、前記書き換え可能な不良登録メモリ内の登録されたアドレス値として入るよう構成され、及び、
    前記制御ユニットが、アクセス要求を受け取った時には、該制御ユニットは、そこに伝達された該アクセス要求の内容を解読して、該アクセス要求と共にそこに伝達されたデータのアドレスを計算し、次いで、得られたアドレス値を管理アドレスとして認識し、該制御ユニットは次いで、前記主記憶媒体内の不良メモリセルに該アクセス値が関連付けられているか否かを、前記書き換え可能な不良登録メモリの内容から突き止め、及び、不良メモリセルであることが決定された場合には、前記不良メモリセルのアドレス値が置換されることとなる置換アドレス値が、前記書き換え可能な不良登録メモリ内において指定されることからなる、請求項１に記載の不揮発性メモリ装置。
  3. 前記書き換え可能な不良登録メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）か又はスタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）を含む、請求項２に記載の不揮発性メモリ装置。
  4. 前記書き換え可能な不良登録メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）か又はスタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）を含む、請求項１に記載の不揮発性メモリ装置。
  5. 前記電気的に書き換え可能な不揮発性メモリは、複数のフラッシュメモリチップを含むことからなる、請求項１に記載の不揮発性メモリ装置。
  6. 前記書き換え可能な不良登録メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）か又はスタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）を含む、請求項５に記載の不揮発性メモリ装置。
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