TWI605462B - 資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法 - Google Patents

資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI605462B
TWI605462B TW105114620A TW105114620A TWI605462B TW I605462 B TWI605462 B TW I605462B TW 105114620 A TW105114620 A TW 105114620A TW 105114620 A TW105114620 A TW 105114620A TW I605462 B TWI605462 B TW I605462B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
damaged data
damaged
data
row
rows
Prior art date
Application number
TW105114620A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201740389A (zh
Inventor
黃聖元
張譽繽
Original Assignee
慧榮科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 慧榮科技股份有限公司 filed Critical 慧榮科技股份有限公司
Priority to TW105114620A priority Critical patent/TWI605462B/zh
Priority to CN201610592972.3A priority patent/CN107368258B/zh
Priority to US15/243,972 priority patent/US10261689B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI605462B publication Critical patent/TWI605462B/zh
Publication of TW201740389A publication Critical patent/TW201740389A/zh
Priority to US16/028,891 priority patent/US10481796B2/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0614Improving the reliability of storage systems
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0604Improving or facilitating administration, e.g. storage management
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0614Improving the reliability of storage systems
    • G06F3/0619Improving the reliability of storage systems in relation to data integrity, e.g. data losses, bit errors
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0638Organizing or formatting or addressing of data
    • G06F3/0644Management of space entities, e.g. partitions, extents, pools
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671In-line storage system
    • G06F3/0673Single storage device
    • G06F3/0679Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/44Indication or identification of errors, e.g. for repair
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/52Protection of memory contents; Detection of errors in memory contents
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/80Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout
    • G11C29/804Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout to prevent clustered faults
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C2029/4402Internal storage of test result, quality data, chip identification, repair information
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/76Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using address translation or modifications

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Description

資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法
本發明是一種有關於資料儲存媒體的相關技術,尤其是有關於一種資料儲存媒體的損壞資料行的篩選方法。
儲存裝置,例如是固態硬碟(solid state drive,SSD)、SD記憶卡(secure digital memory card)或隨身碟(USB)等,主要由控制單元與資料儲存媒體所構成,而其中資料儲存媒體又是由多個用以儲存資料的資料行(column)所構成。
在儲存裝置的製造過程中,難免會生產出次級品,而這些次級品在販售給使用者之前,都要先將資料儲存媒體中的損壞資料行(bad column)篩選出來並加以標註(可採軟體方式來操作)至損壞資料行表中。據此,控制單元在往後的操作中,便不會再對已標註的損壞資料行存取資料,進而避免存取的資料發生錯誤。
然而,舊有的標註或記錄方式乃是對損壞資料行一個一個地標註或記錄,然而,損壞資料行的標註或記錄的數量有其限制(例如最多可標註254個),因此若是資料儲存媒體的瑕疵程度較嚴重,因而具有超過可標註數量的損壞資料行,且可標註的數量也用完時,那麼資料儲存媒體中尚未標註的損壞資料行便可能消耗錯誤校正碼(error correcting code,ECC)的校正能力(例如可校正44個位元),造成原本可以校正的資料無法被適當的校正。
本發明之一目的在提供一種資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法,使用此新篩選方法可以將鄰近的損壞資料行合併成損壞資料行群組,並以群組的方式來標註,因此在相同的標註數量限制下可標註更多的損壞資料行。
本發明提出一種資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法,所述之資料儲存媒體包括有多個資料行,而所述之篩選方法包括有下列步驟:a)以多個損壞資料行群組來標註或記錄多個損壞資料行,上述損壞資料行係選自於上述資料行,每一損壞資料行群組標註或記錄損壞資料行之位置及損壞資料行之數目;b)判斷是否有至少一損壞資料行未標註或記錄於上述損壞資料行群組,其中,至少一損壞資料行未包含於上述損壞資料行;c)當判斷為是時,將任二個相隔P個資料行的損壞資料行標註或記錄於上述損壞資料行群組,其中P為正整數;以及d)調整P的數值並執行步驟b。
本發明之篩選方法係將鄰近的損壞資料行合併成損壞資料行群組,並以群組的方式來標註,因此在相同的標註數量限制下可標註更多的損壞資料行。
圖1為依照本發明一實施例之資料儲存媒體的示意圖。如圖1所示,此資料儲存媒體10包括有多個資料行11,置於同一列的資料行稱之為資料頁(page,如標示P0至PN-1所示),每N個資料頁被劃分成一資料區塊(block,如標示B0到BZ-1所示。其中N與Z皆為正整數。在此例中,資料儲存媒體包括以非揮發性記憶體來實現,例如是以快閃記憶體(Flash memory)、磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive RAM)、鐵電隨機存取記憶體(Ferroelectric RAM)等具有長時間資料保存之記憶體裝置來實現。
圖2為依照本發明一實施例之資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法的流程圖。在開始執行此方法後(如步驟S201所示),係先以損壞資料行群組來標註或記錄資料儲存媒體10中的損壞資料行(如步驟S202所示),此時,每一損壞資料行群組僅標註或記錄一條損壞資料行。由於判斷特定資料行是否為損壞資料行乃習知技術,故不多作說明。損壞資料行群組不同於習知記錄損壞資料行之方法,其除了記錄相鄰損壞資料行的起始位置以外,更記錄相鄰損壞資料行的數目。例如,損壞資料行群組的內容為[333,3],[333]表示第一條損壞資料行為第333條資料行,[3] 表示有3條相鄰損壞資料行。最後,將損壞資料行判斷的結果標註或記錄至損壞資料行群組中。接著,判斷損壞資料行的數目是否大於損壞資料行群組上限值(如步驟S203所示),損壞資料行群組上限值例如為254。當判斷為否時,便直接結束整個篩選流程(如步驟S208所示)。
圖3為部分之損壞資料行的分佈示意圖。在圖3中,被標上符號叉的資料行302、305、321與323皆為損壞資料行,而其餘未標上符號叉的資料行則皆為可正常使用的資料行。請同時參照圖2與圖3,當步驟S203之判斷結果為是時,便將任二個相隔P個資料行的損壞資料行之間的P個資料行皆視為損壞資料行,其中P亦為正整數(如步驟S204所示)。在此例中,係將P設為1,然本發明並不以此為限。因此,按照步驟S204之規則,圖3中的損壞資料行321與323之間只相隔一個正常的資料行322,符合此步驟所述之條件,因此便將資料行322亦視為損壞資料行。同樣地,其他任二個符合相同條件的損壞資料行(圖中未繪示),亦比照辦理。
接著,將相鄰的損壞資料行標註或記錄在同一損壞資料行群組(如步驟S205所示)。以圖3所繪示之損壞資料行的分佈情行來看,由於資料行322亦被視為損壞資料行,因此資料行321、322與323乃是三個相鄰的損壞資料行,而資料行302與305則並非是相鄰的損壞資料行,因此圖3中資料行321、322與323被標註或記錄在同一損壞資料行群組。同樣地,其他相鄰的損壞資料行亦比照辦理。
接下來,判斷損壞資料行群組的總數是否小於等於損壞資料行群組上限值(如步驟S206所示)。當判斷為是時,便結束整個流程(如步驟S208所示)。反之,當判斷為否時,調整P值,例如,以P值加1取代原本的P值,則P值調整為數值2(如步驟S207所示)。
在執行完步驟S207後,便再回到步驟S204。而由於在步驟S207中,P值由1被取代為2,因此步驟S204之執行內容就會變成:將任二個相隔二個資料行的損壞資料行之間的那二個資料行皆視為損壞資料行。以圖3所繪示之損壞資料行的分佈情行來看,由於資料行321、322與323這三個相鄰的損壞資料行已被視為同一損壞資料行群組,只有資料行302與305符合目前的條件,因此圖3中只有資料行303與304這二個正常的資料行會被視為是損壞資料行。同樣地,其他任二個符合相同條件的損壞資料行(圖中未繪示),亦比照辦理。
接著,再執行步驟S205,以將相鄰的損壞資料行標註或記錄在同一損壞資料行群組。以圖3所繪示之損壞資料行的分佈情行來看,由於資料行321、322與323這三個相鄰的損壞資料行已被標註或記錄在同一損壞資料行群組,目前只有資料行302至305符合目前的條件,因此資料行302至305便被標註或記錄在同一個損壞資料行群組。同樣地,其他相鄰的損壞資料行亦比照辦理。
接下來,再執行步驟S206,判斷損壞資料行群組的總數是否小於等於損壞資料行群組上限值,如此不斷地反覆執行步驟S204至S207,直到在步驟S206中,判斷損壞資料行群組的總數小於等於損壞資料行群組上限值後,便可結束整個流程(如步驟S208所示)。如此一來,便可有效地將所有損壞資料行標註或記錄於損壞資料行群組中以進行損壞資料行之管理,達到本發明之目的。
圖4為依照本發明第二實施例之資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法的流程圖。步驟S401,開始執行本發明損壞資料行的篩選方法。步驟S402,以損壞資料行群組來標註或記錄資料儲存媒體10中的損壞資料行,此時每一損壞資料行群組僅標註或記錄一條損壞資料行或數條相鄰的損壞資料行。步驟S403,判斷損壞資料行群組的數目是否等於損壞資料行群組上限值,如果是則執行步驟S404,如果否則執行步驟S408。步驟S404,判斷是否仍有損壞資料行,如果是則執行步驟S405,將任二個相隔P個資料行的損壞資料行之間的P個資料行皆視為損壞資料行,其中P亦為正整數;如果否則執行步驟S408,結束本發明損壞資料行的篩選方法。步驟S406,將相鄰的損壞資料行標註或記錄在同一損壞資料行群組。步驟S407,調整P值後,重新執行S403。本發明第二實施例與本發明第一實施例近似,主要差別在於步驟S403的判斷條件與步驟S203不同,並使用步驟S404進行進一步的判斷。由於運作及判斷的原理近似,故不多作說明。
在其他的實施例中,可以將結合損壞資料行記錄以及損壞資料行群組來標註或記錄於損壞資料行,並記錄在同一損壞資料行記錄表中,例如,損壞資料行的記錄筆數之上限值為128,單獨的損壞資料行可單獨記錄之,損壞資料行群組之上限值也為128,相鄰的損壞資料行則由損壞資料行群組或記錄之,此實施例可結合習知及本發明之優點。
綜上所述,本發明之篩選方法係將鄰近的損壞資料行合併成損壞資料行群組,並以群組的方式來標註或記錄,因此在相同的標註數量限制下可標註更多的損壞資料行。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧資料儲存媒體
11、302~305、321~323‧‧‧資料行
P0~PN-1‧‧‧資料頁
B0~BZ-1‧‧‧資料區塊
S201~S208、S401~S408‧‧‧步驟
圖1為依照本發明一實施例之資料儲存媒體的示意圖;   圖2為依照本發明一實施例之資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法的流程圖;   圖3為部分之損壞資料行的分佈示意圖;   圖4為依照本發明第二實施例之資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法的流程圖。
S401~S408‧‧‧步驟

Claims (6)

  1. 一種損壞資料行的篩選方法,可應用於包括有多個資料行的一資料儲存媒體,該篩選方法包括:a)以多個損壞資料行群組來標註或記錄多個損壞資料行,該些損壞資料行係選自於該些資料行,每一該些損壞資料行群組標註或記錄一損壞資料行之位置以及一損壞資料行之數目;b)判斷是否有至少一損壞資料行未標註或記錄於該些損壞資料行群組,其中,至少一該損壞資料行未包含於該些損壞資料行;c)當判斷為是時,將任二個相隔P個資料行的該些損壞資料行標註或記錄於該些損壞資料行群組,其中P為正整數;以及d)調整P的數值並執行步驟b。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的篩選方法,其中步驟b更包括:判斷該些損壞資料行群組之數目是否等於一損壞資料行群組上限值。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的篩選方法,其中步驟b更包括:判斷標註或記錄該些損壞資料行以及至少一該損壞資料行的該些損壞資料行群組之數目是否大於一損壞資料行群組上限值,其中,至少一該損壞資料行未包含於該些損壞資料行。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的篩選方法,其中該些損壞資料行群組係記錄至一損壞資料行表中。
  5. 一種損壞資料行的篩選方法,可應用於包括有多個資料行的一資料儲存媒體,該篩選方法包括:a)以多個損壞資料行群組來標註或記錄多個損壞資料行,該些損壞資料行係選自於該些資料行,每一該些損壞資料行群組標註或記錄一損壞資料行之位置以及一損壞資料行之數目;b)判斷該些損壞資料行的總數是否大於該些損壞資料行群組的總數;c)當判斷為是時,將任二個相隔P個資料行的該些損壞資料行標註或記錄於該些損壞資料行群組,其中P為正整數;d)判斷該些損壞資料行群組的總數是否小於等於一損壞資料行群組上限值;以及e)調整P的數值並執行步驟b。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的篩選方法,其中該些損壞資料行群組係記錄至一損壞資料行表中。
TW105114620A 2016-05-11 2016-05-11 資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法 TWI605462B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW105114620A TWI605462B (zh) 2016-05-11 2016-05-11 資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法
CN201610592972.3A CN107368258B (zh) 2016-05-11 2016-07-26 数据储存媒体之损坏数据行的筛选方法
US15/243,972 US10261689B2 (en) 2016-05-11 2016-08-23 Method for screening bad data columns in data storage medium
US16/028,891 US10481796B2 (en) 2016-05-11 2018-07-06 Method for screening bad data columns in data storage medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW105114620A TWI605462B (zh) 2016-05-11 2016-05-11 資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI605462B true TWI605462B (zh) 2017-11-11
TW201740389A TW201740389A (zh) 2017-11-16

Family

ID=60294689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105114620A TWI605462B (zh) 2016-05-11 2016-05-11 資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10261689B2 (zh)
CN (1) CN107368258B (zh)
TW (1) TWI605462B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113254257A (zh) * 2020-02-12 2021-08-13 慧荣科技股份有限公司 数据存储媒体的损坏数据列的筛选方法
TWI774015B (zh) * 2020-07-03 2022-08-11 慧榮科技股份有限公司 資料的寫入方法及其資料儲存裝置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5764824A (en) * 1995-08-25 1998-06-09 International Business Machines Corporation Clustering mechanism for identifying and grouping of classes in manufacturing process behavior
AU3832297A (en) 1996-02-29 1997-09-16 Hitachi Limited Semiconductor memory device having faulty cells
US7076703B1 (en) * 2002-11-26 2006-07-11 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for defining a redundancy window around a particular column in a memory array
CA2414632A1 (en) * 2002-12-18 2004-06-18 Logicvision, Inc. Method and circuit for collecting memory failure information
KR20080010544A (ko) * 2006-07-27 2008-01-31 엘지전자 주식회사 기록매체, 기록매체 기록방법 및 장치
US7788550B2 (en) * 2007-12-17 2010-08-31 Atmel Rousset S.A.S. Redundant bit patterns for column defects coding
CN102053919A (zh) * 2009-10-29 2011-05-11 宏碁股份有限公司 数据相关性辨识方法及其存储器数据处理方法
US8467258B2 (en) * 2010-08-30 2013-06-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for bit cell repair
US8892968B2 (en) * 2011-12-07 2014-11-18 Skymedi Corporation Bit-level memory controller and a method thereof
US9146807B2 (en) 2012-12-04 2015-09-29 Sandisk Technologies Inc. Bad column handling in flash memory
US9136014B2 (en) 2013-12-23 2015-09-15 Storart Technology Co. Ltd. Method for replacing the address of some bad bytes of the data area and the spare area to good address of bytes in non-volatile storage system
US9436549B2 (en) 2014-07-31 2016-09-06 Sandisk Technologies Llc Storage module and method for improved error correction by detection of grown bad bit lines
US20160124664A1 (en) 2014-10-30 2016-05-05 Sandisk Technologies Inc. Block Level Local Column Redundancy Methods for Higher Yield
TWI608488B (zh) * 2015-03-25 2017-12-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置以及資料存取方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113254257A (zh) * 2020-02-12 2021-08-13 慧荣科技股份有限公司 数据存储媒体的损坏数据列的筛选方法
CN113254257B (zh) * 2020-02-12 2022-09-30 慧荣科技股份有限公司 数据存储媒体的损坏数据列的筛选方法
TWI774015B (zh) * 2020-07-03 2022-08-11 慧榮科技股份有限公司 資料的寫入方法及其資料儲存裝置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201740389A (zh) 2017-11-16
CN107368258A (zh) 2017-11-21
CN107368258B (zh) 2020-06-12
US10261689B2 (en) 2019-04-16
US20170329521A1 (en) 2017-11-16
US10481796B2 (en) 2019-11-19
US20180314428A1 (en) 2018-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI601148B (zh) 損壞資料行的篩選方法與具有損壞資料行總表的資料儲存裝置
US6990622B2 (en) Method for error correction decoding in an MRAM device (historical erasures)
CN106486170B (zh) 固态硬盘的潜在坏块定位方法及装置
TWI581093B (zh) 資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法
US20120110419A1 (en) Data Structure for Flash Memory and Data Reading/Writing Method Thereof
US10635527B2 (en) Method for processing data stored in a memory device and a data storage device utilizing the same
JP4762323B2 (ja) アクセス制御装置、情報処理装置、アクセス制御プログラム及びアクセス制御方法
TWI605462B (zh) 資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法
TW201324518A (zh) 位元層次記憶體控制器及控制方法
JP2008159198A (ja) 誤り訂正装置及び記録再生装置
TWI763608B (zh) 資料儲存裝置及其損壞資料行的篩選方法
TWI778326B (zh) 資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法
TWI637261B (zh) 資料儲存媒體之損壞資料行的篩選方法
CN114203252A (zh) 非易失存储器的坏块检测方法、装置、设备及存储介质
TWI795974B (zh) 資料儲存裝置及其錯誤容忍度的篩選方法
TWI774015B (zh) 資料的寫入方法及其資料儲存裝置
US11803312B2 (en) Data storage device and selecting bad data block method thereof
CN110610737B (zh) 存储器的修复方法
CN116343883A (zh) 一种存储器及存储器修复方法
JP2003115196A5 (zh)