CN116343883A - 一种存储器及存储器修复方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种存储器，包括存储区、失效记录区和修复电路；存储区设置有冗余位元；失效记录区设置有多态位元，多态位元用于记录存储区中失效位元的位置信息；修复电路用于根据位置信息通过冗余位元对失效位元进行修复。由于多态位元代表三进制或者其他进制，使用多态位元存储信息相较于传统的二级制可以存储更多的信息，从而在修复时所用修复位少于传统修复方式，修复效率高，消耗资源少，同时在芯片工作过程中，也可进行即时修复，提高芯片可靠性。本发明还提供了一种存储器修复方法，同样具有上述有益效果。

Description

一种存储器及存储器修复方法

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种存储器以及一种存储器修复方法。

背景技术

在集成电路中，为提升存储芯片良率，因此在设计存储器时，会利用内部部分空间作为冗余存储位区域，当测试到故障位时，可以提供冗余存储位代替故障位来进行修复。

目前，存储器一般采用冗余电路进行修复，但行冗余电路的结构相对复杂，若将行冗余加至存储器的冗余存储位中，会造成存储器面积大量增加；而且，修复组数通常很少，通常都会进行一整行或者一整列的修复，修复效率低。所以如何提供一种具有较高修复效率的存储器是本领域技术人员急需解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种存储器，具有较高的修复效率；本发明的另一目的在于提供一种存储器修复方法，具有较高的修复效率。

为解决上述技术问题，本发明提供一种存储器，包括存储区、失效记录区和修复电路；

所述存储区设置有冗余位元；

所述失效记录区设置有多态位元，所述多态位元用于记录所述存储区中失效位元的位置信息；

所述修复电路用于根据所述位置信息通过所述冗余位元对所述失效位元进行修复。

可选的，所述修复电路具体用于：

根据所述位置信息，使用冗余位元替代所述位置信息对应的失效位元，以对所述存储区进行修复。

可选的，所述多态位元为三态位元。

可选的，所述存储区中每个字节均设置有所述冗余位元。

可选的，还包括ECC修复电路，所述存储区还包括ECC数据区；所述ECC数据区包括ECC位元，所述ECC位元用于存储对应所述存储区中失效位元的ECC信息；所述ECC修复电路用于根据所述ECC信息对所述失效位元进行修复。

可选的，所述多态位元还用于记录所述ECC数据区中失效位元的位置信息。

可选的，还包括寄存器、内部自测模块和失效监测模块；

所述失效检测模块用于将所述ECC数据区生成的对应失效位元的失效地址存储至所述寄存器；

所述内部自测模块用于：

将所述失效地址与所述失效地址对应的ECC信息写入所述寄存器；

将所述失效地址对应的位置信息写入所述多态位元，以通过所述修复电路根据所述位置信息通过所述冗余位元对所述失效位元进行修复；

在修复所述失效位元之后，根据所述寄存器中存储的所述失效地址与所述ECC信息向修复后的位元写入数据。

本发明还提供了一种存储器修复方法，包括：

获取存储器修复指令；

根据所述存储器修复指令调用修复电路，根据位置信息通过冗余位元对存储区中的失效位元进行修复；所述位置信息为多态位元中记录的所述存储区中失效位元的位置信息，所述多态位元为失效记录区中设置的多态位元；所述冗余位元为所述存储区设置的冗余位元。

可选的，所述根据所述存储器修复指令调用修复电路，根据位置信息通过冗余位元对存储区中的失效位元进行修复包括：

根据所述存储器修复指令调用修复电路，根据位置信息，使用冗余位元替代所述位置信息对应的失效位元，以对所述存储区进行修复。

可选的，在所述获取存储器修复指令之后，还包括：

检测所述失效记录区记录的失效信息；

所述根据所述存储器修复指令调用修复电路，根据位置信息通过冗余位元对存储区中的失效位元进行修复包括：

当所述失效信息表明需要对存储区中失效位元进行修复时，调用修复电路，根据位置信息通过冗余位元对存储区中的失效位元进行修复。

可选的，在所述检测所述失效记录区记录的失效信息之后，还包括：

当所述失效信息未表明需要对存储区中失效位元进行修复时，检测所述存储区中是否存在失效位元；

当所述存储区中存在失效位元时，检测所述失效记录区中是否有可存储的多态位元；

当所述失效记录区中有可存储的多态位元时，将所述失效位元对应的位置信息存入所述可存储的多态位元。

可选的，还包括：

获取失效记录区检测指令；

根据所述失效记录区检测指令，将所述失效记录区中的失效位元烧录至失效状态。

本发明所提供的一种存储器，包括存储区、失效记录区和修复电路；存储区设置有冗余位元；失效记录区设置有多态位元，多态位元用于记录存储区中失效位元的位置信息；修复电路用于根据位置信息通过冗余位元对失效位元进行修复。由于多态位元代表三进制或者其他进制，使用多态位元存储信息相较于传统的二级制可以存储更多的信息，从而在修复时所用修复位少于传统修复方式，修复效率高，消耗资源少，同时在芯片工作过程中，也可进行即时修复，提高芯片可靠性。

本发明还提供了一种存储器修复方法，同样具有上述有益效果，在此不再进行赘述。

附图说明

为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所提供的一种存储器的结构示意图；

图2为一种冗余位元修复方式示意图；

图3为另一种冗余位元修复方式示意图；

图4为本发明实施例所提供的一种具体的存储器的结构示意图；

图5为本发明实施例所提供的另一种具体的存储器的结构示意图；

图6为本发明实施例所提供的一种存储器修复方法的流程图；

图7为本发明实施例所提供的一种具体的存储器修复方法的流程图。

图中：1.修复电路、2.失效监测模块、3.寄存器、4.内部自测模块。

具体实施方式

本发明的核心是提供一种存储器。在现有技术中，存储器一般采用冗余电路进行修复，但行冗余电路的结构相对复杂，若将行冗余加至存储器的冗余存储位中，会造成存储器面积大量增加；而且，修复组数通常很少，通常都会进行一整行或者一整列的修复，修复效率低。

而本发明所提供的一种存储器，包括存储区、失效记录区和修复电路；存储区设置有冗余位元；失效记录区设置有多态位元，多态位元用于记录存储区中失效位元的位置信息；修复电路用于根据位置信息通过冗余位元对失效位元进行修复。由于多态位元代表三进制或者其他进制，使用多态位元存储信息相较于传统的二级制可以存储更多的信息，从而在修复时所用修复位少于传统修复方式，修复效率高，消耗资源少，同时在芯片工作过程中，也可进行即时修复，提高芯片可靠性。

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参考图1至图3，图1为本发明实施例所提供的一种存储器的结构示意图；图2为一种冗余位元修复方式示意图；图3为另一种冗余位元修复方式示意图。

参见图1，在本发明实施例中，存储器包括存储区、失效记录区和修复电路1；所述存储区设置有冗余位元；所述失效记录区设置有多态位元，所述多态位元用于记录所述存储区中失效位元的位置信息；所述修复电路1用于根据所述位置信息通过所述冗余位元对所述失效位元进行修复。

上述存储区即用于存储常规数据的区域，该存储区通常具有多个字节，而每个字节包括多个位元。在本发明实施例中，该存储区设置有冗余位元，该冗余位元用于对失效的位元，即失效位元进行修复。在本发明实施例中，上述失效位元通常包括硬失效位元以及不良位元。通常情况下，上述存储区中每一字节均需要设置有冗余位元，以保证可以及时对存储区的每一字节中的失效位元进行修复。

上述失效记录区即用于记录存储区中失效位元位置信息的区域，该失效记录区中具体设置有多态位元，具体通过多态位元记录存储区中失效位元的位置信息。具体的，在本发明实施例中该多态位元通常为三态位元，当然可以是其他的多态位元亦可，视具体情况而定。上述多态位元可以分别为高阻态、低阻态、及击穿态或其他状态作为三态或更多态。由于多态位元代表三进制或者其他进制，其存储信息比传统方法多，相较于传统的二进制来说可以使用更少的位元对失效位元进行修复。

上述修复电路1用于根据失效记录区中记录的位置信息，通过存储区中设置的冗余位元对失效位元进行修复。具体的，在本发明实施例中，所述修复电路1具体用于：根据所述位置信息，使用冗余位元替代所述位置信息对应的失效位元，以对所述存储区进行修复。即在本发明实施例中，具体会通过多态位元中记录的位置信息对失效位元进行定位，之后会使用冗余位元替代该失效位元，即对存储区进行修复。具体的，在本发明实施例中，失效记录区可以设置有一组或多组多态位元，每组多态位元可以记录一个或多个存储区的失效位元。

在本发明实施例中，具体提供两种替代方法，均可以实现对失效位元的替代。参见图2，第一种为冗余替代，即使用冗余位元直接替代失效位元，而其余的位元的位置不变；参见图3，第二种为去除坏点移位替代，即将失效位元去除，然后将存储区中其他的位元，通常是同一字节中的其他位元进行移位，以填补去除失效位元时产生的空缺的位置，此时在移位后通常该字节的开头位置会空缺；最后将冗余位元填补进移位后空缺的位置，通常是将冗余位元填补进失效位元所在字节的开头位置。

具体的，上述修复电路1可以根据失效记录区中记录的位置信息对失效位元进行定位，并对该失效位元的IO进行标记；之后，修复电路1在再次写入数据时，会将未被标记的位元的IO以及冗余位元的IO进行选通，将上述选通的IO重新排列；修复电路1具体会通过上述冗余替代或去除坏点移位替代的修复方式，将上述选通的IO重新排列，以组成新的存储位元；最后，会将写入的数据根据选通后的IO写入对应的位元，以完成对失效位元的修复，实现数据的存储。

在本发明实施例中，以三态位元作为多态位元为例，假设存储区设置有8bit常规位元+1bit冗余位元，失效记录区为两位三态位元为例，失效记录区的真值表如下表1所示：

表1.失效记录区真值表

与现有的ECC(Error Correcting Code，错误检查和纠正)修复技术相比，本发明实施例公开的上述修复结构所使用的资源与ECC修复所使用的资源，对于8bit数据存储位元对比如下表2：

表2.8bit数据存储位元修复能力与所需资源对比

修复能力	本申请所需资源	ECC修复所需资源
			1bit	3bit	4bit
2bit	7bit	10bit
			3bit	13bit或16bit	>16bit

对于64bit数据存储位元对比如下表3：

表3.64bit数据存储位元修复能力与所需资源对比

修复能力	本申请所需资源	ECC修复所需资源
			1bit	5bit	7bit
2bit	12bit	14bit
			3bit	19bit或24bit	>24bit

显然，本发明实施例所提供的一种存储器，在对失效位元进行修复时，可以使用更少的资源即可实现对失效位元的修复。

本发明实施例所提供的一种存储器，包括存储区、失效记录区和修复电路1；存储区设置有冗余位元；失效记录区设置有多态位元，多态位元用于记录存储区中失效位元的位置信息；修复电路1用于根据位置信息通过冗余位元对失效位元进行修复。由于多态位元代表三进制或者其他进制，使用多态位元存储信息相较于传统的二级制可以存储更多的信息，从而在修复时所用修复位少于传统修复方式，修复效率高，消耗资源少，同时在芯片工作过程中，也可进行即时修复，提高芯片可靠性。

有关本发明所提供的一种存储器的具体内容将在下述发明实施例中做详细介绍。

请参考图4以及图5，图4为本发明实施例所提供的一种具体的存储器的结构示意图；图5为本发明实施例所提供的另一种具体的存储器的结构示意图。

参见图4，在本发明实施例中，还包括ECC修复电路，所述存储区还包括ECC数据区；所述ECC数据区包括ECC位元，所述ECC位元用于存储对应所述存储区中失效位元的ECC信息；所述ECC修复电路用于根据所述ECC信息对所述失效位元进行修复。

即在本发明实施例中，可以同步应用ECC修复技术，在存储器中设置ECC数据区和ECC修复电路。其中ECC数据区包括ECC位元，该ECC位元用于存储对应存储区中失效位元的ECC信息，该ECC信息通常为ECC纠错码。而上述ECC修复电路用于根据ECC信息对存储区中失效位元进行修复。该ECC修复电路为针对ECC修复技术所设置的电路，与上述发明实施例中所涉及的修复电路1并不等同，该ECC修复电路以及上述ECC信息的具体内容可以参考现有技术，在此不再进行赘述。

需要说明的是，在现阶段失效位元通常包括有硬失效位元和不良位元，其中硬失效为不可逆失效，失效后永远保持为失效状态。不良位元是随机失效可以恢复成正常状态。而上述发明实施例所提供的修复技术更加适用于对硬失效位元进行修复，而ECC修复技术更适用于对不良位元进行修复。因此在检测到存储区存在失效位元时，可以进一步确定该失效位元的类型。当失效位元具体为硬失效位元时，可以通过上述发明实施例所提供的方式进行修复；当失效位元具体为不良位元时，可以通过ECC修复技术，基于ECC数据区和ECC修复电路对不良位元进行修复。相应的，当上述冗余位元均被使用后，则可以只通过ECC修复技术对失效位元进行修复。

进一步的，在本发明实施例中，所述多态位元还用于记录所述ECC数据区中失效位元的位置信息。即在本发明实施例中，上述失效记录区结合冗余位元的修复技术，具体可以对ECC数据区中的失效位元进行修复。具体的，当ECC数据区中存在失效位元时，该失效位元对应的位置信息同样可以存储在失效记录区的多态位元中。之后，修复电路1可以根据上述位置信息使用冗余位元对ECC数据区中的失效位元进行替换，以完成对ECC数据区中失效位元的修复。有关对ECC数据区中失效位元的修复过程可以参考上述发明实施例中对存储区中失效位元的修复过程，在此不再进行赘述。

参见图5，具体的，在本发明实施例中，存储器还可以包括寄存器3、内部自测模块4和失效监测模块2；所述失效检测模块用于将所述ECC数据区生成的对应失效位元的失效地址存储至所述寄存器3；所述内部自测模块4用于：将所述失效地址与所述失效地址对应的ECC信息写入所述寄存器3；将所述失效地址对应的位置信息写入所述多态位元，以通过所述修复电路1根据所述位置信息通过所述冗余位元对所述失效位元进行修复；在修复所述失效位元之后，根据所述寄存器3中存储的所述失效地址与所述ECC信息向修复后的位元写入数据。

上述失效监测模块2即失效监测电路，在本发明实施例中，当存储区发生位元失效，产生失效位元时，ECC数据区可以记录到失效位元的地址，即失效地址。上述失效位元可以为存储区中常规存储位元失效后产生的失效位元，也可以是ECC数据区中位元失效后产生的失效位元。相应的，上述可以将失效检测模块ECC数据区生成的对应失效位元的失效地址存储至寄存器3。具体的，在本发明实施例中上述失效监测模块2可以由ECC修复码或者其他方法触发。触发后的失效监测模块2将失效位元的地址保存在寄存器3中。

上述内部自测模块4即BIST模块，该内部自测模块4可以在存储器或芯片空闲，或在其他条件下开启上述对存储器进行修复的流程。具体的，当内部自测模块4启动后，可以从寄存器3中获取到失效地址，将该失效地址对应的失效位元所存储的数据，以及ECC数据区存储的ECC信息存储到寄存器3中。

之后，该内部自测模块4可以将失效地址对应的位置信息写入多态位元，以通过修复电路1对失效位元进行修复，具体根据上述位置信息通过冗余位元对所述失效位元进行替代以实现修复。具体的，在本发明实施例中可以通过上述失效监测模块2实现对失效记录区中存储的位置信息进行更新。

在修复失效位元之后，将寄存器3中存储的数据以及ECC信息，写入修复后的位元，以完成数据的存储。再之后，内部自测模块4可以清除寄存器3中存储的内容，并退出当前模式。

本发明实施例所提供的一种存储器，可以实现对ECC数据区进行修复，同时可以与传统ECC修复技术共用，实现对失效位元的全面修复。

下面对本发明实施例提供的一种存储器修复方法进行介绍，下文描述的存储器修复方法与上文描述的存储器可相互对应参照。

请参考图6，图6为本发明实施例所提供的一种存储器修复方法的流程图。

下文两实施例描述的存储器修复方法具体可以应用于上述内部自测模块4或其他的控制器，用于实现对存储器的全面修复。参见图6，存储器修复方法包括：

S101：获取存储器修复指令。

有关存储器修复指令的具体内容可以参考现有技术，在此不再进行赘述。该存储器修复指令主要用于触发下述对失效位元进行修复的流程。

S102：根据存储器修复指令调用修复电路，根据位置信息通过冗余位元对存储区中的失效位元进行修复。

在本发明实施例中，所述位置信息为多态位元中记录的所述存储区中失效位元的位置信息，所述多态位元为失效记录区中设置的多态位元；所述冗余位元为所述存储区设置的冗余位元。有关存储器的具体结构，及其各个部分的功能已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。

在本步骤中，具体会根据上述存储器修复指令调用修复电路1，通过修复电路1根据多态位元中存储的位置信息，基于冗余位元对存储区中的失效位元进行修复。有关具体的修复过程已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。具体的，本步骤可以具体包括：根据所述存储器修复指令调用修复电路1，根据位置信息，使用冗余位元替代所述位置信息对应的失效位元，以对所述存储区进行修复。即本步骤通常具体通过替代的方式，使用冗余位元替代失效位元，以实现对存储区的修复。

本发明实施例所提供的一种存储器修复方法，由于多态位元代表三进制或者其他进制，使用多态位元存储信息相较于传统的二级制可以存储更多的信息，从而在修复时所用修复位少于传统修复方式，修复效率高，消耗资源少，同时在芯片工作过程中，也可进行即时修复，提高芯片可靠性。

有关本发明所提供的一种存储器修复方法的具体内容将在下述发明实施例中做详细介绍。

请参考图7，图7为本发明实施例所提供的一种具体的存储器修复方法的流程图。

参见图7，在本发明实施例中，存储器修复方法包括：

S201：获取存储器修复指令。

本步骤与上述S 101基本一致，详细内容请参考上述发明实施例，在此不再进行赘述。

S202：检测失效记录区记录的失效信息。

该失效信息至少需要包括上述位置信息，通常情况下该失效信息等同于位置信息，即只要该失效记录区存储有位置信息，即可调用修复电路1根据该位置信息对失效位元进行修复。当然，该失效信息还可以包括其他信息，在此不做具体限定。

S203：当失效信息表明需要对存储区中失效位元进行修复时，调用修复电路，根据位置信息通过冗余位元对存储区中的失效位元进行修复。

当失效信息表明需要对存储区中失效位元进行修复时，例如当失效记录区中存储有位置信息时，再调用修复电路1，根据位置信息通过冗余位元对存储区中的失效位元进行修复。

S204：当失效信息未表明需要对存储区中失效位元进行修复时，检测存储区中是否存在失效位元。

在本步骤中，当失效信息表明不需要对存储区中失效位元进行修复时，例如当失效记录区中未存储有位置信息时，会进一步检测存储区中是否存在失效位元。

S205：当存储区中存在失效位元时，检测失效记录区中是否有可存储的多态位元。

在本步骤中，当检测到存储区中存在失效位元时，会进一步再检测失效记录区中是否有可存储的多态位元，用于记录该新检测到的失效位元对应的位置信息。

当未检测到存储区中存在失效位元时，则表明该存储器当前不需要修复，则会结束流程。

S206：当失效记录区中有可存储的多态位元时，将失效位元对应的位置信息存入可存储的多态位元。

在本步骤中，当失效记录区中有可存储的多态位元时，会将上述新检测到的失效位元对应的位置信息存入多态位元，以便对该失效位元进行修复。在本步骤之后，可以循环会上述S203，或者是等待下一次检索失效记录区中记录的信息时，在对失效位元进行修复。

具体的，当失效记录区中没有可存储的多态位元时，表明本存储器已经失效，需要结束流程并进行告警。

S207：获取失效记录区检测指令。

有关失效记录区检测指令的具体内容可以参考现有技术，在此不再进行赘述。该失效记录区检测指令主要用于触发下述对失效记录区进行检测的流程。

需要说明的是，该失效记录区检测指令与上述存储器修复指令可以为同一指令，以便对失效记录区进行检测。相应的，下述S208可以与上述任一步骤并行执行或在任一步骤前后执行均可，视具体情况而定，在此不做具体限定。

S208：根据失效记录区检测指令，将失效记录区中的失效位元烧录至失效状态。

在本步骤中，首先会检测失效记录区中是否有失效位元，包括失效记录区中是否有硬失效位元以及不良位元。之后，在本步骤中会将失效记录区中的失效位元烧录至失效状态，具体可以将不良位元烧录至失效状态，保持硬失效位元处于失效状态，以使得失效记录区中的失效位元均为失效状态。

当失效记录区中不存在失效位元时，可以将失效记录区的其他失效类型烧录至逻辑“1”或其他状态，以对失效记录区的失效类型进行初始化。在本步骤之后，可以继续去执行上述S204中的对存储区是否存在失效位元进行检测，并执行后续步骤，也可以是结束流程，以便下次对存储器进行修复时使用均可，视具体情况而定，在此不做具体限定。

本发明实施例所提供的一种存储器修复方法，由于多态位元代表三进制或者其他进制，使用多态位元存储信息相较于传统的二级制可以存储更多的信息，从而在修复时所用修复位少于传统修复方式，修复效率高，消耗资源少，同时在芯片工作过程中，也可进行即时修复，提高芯片可靠性。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。

专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。

结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种存储器以及一种存储器修复方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (12)

1.一种存储器，其特征在于，包括存储区、失效记录区和修复电路；

所述存储区设置有冗余位元；

所述失效记录区设置有多态位元，所述多态位元用于记录所述存储区中失效位元的位置信息；

所述修复电路用于根据所述位置信息通过所述冗余位元对所述失效位元进行修复。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述修复电路具体用于：

根据所述位置信息，使用冗余位元替代所述位置信息对应的失效位元，以对所述存储区进行修复。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述多态位元为三态位元。

4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储区中每个字节均设置有所述冗余位元。

5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括ECC修复电路，所述存储区还包括ECC数据区；所述ECC数据区包括ECC位元，所述ECC位元用于存储对应所述存储区中失效位元的ECC信息；所述ECC修复电路用于根据所述ECC信息对所述失效位元进行修复。

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述多态位元还用于记录所述ECC数据区中失效位元的位置信息。

7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，还包括寄存器、内部自测模块和失效监测模块；

所述失效检测模块用于将所述ECC数据区生成的对应失效位元的失效地址存储至所述寄存器；

所述内部自测模块用于：

将所述失效地址与所述失效地址对应的ECC信息写入所述寄存器；

将所述失效地址对应的位置信息写入所述多态位元，以通过所述修复电路根据所述位置信息通过所述冗余位元对所述失效位元进行修复；

在修复所述失效位元之后，根据所述寄存器中存储的所述失效地址与所述ECC信息向修复后的位元写入数据。

8.一种存储器修复方法，其特征在于，包括：

获取存储器修复指令；

根据所述存储器修复指令调用修复电路，根据位置信息通过冗余位元对存储区中的失效位元进行修复；所述位置信息为多态位元中记录的所述存储区中失效位元的位置信息，所述多态位元为失效记录区中设置的多态位元；所述冗余位元为所述存储区设置的冗余位元。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述根据所述存储器修复指令调用修复电路，根据位置信息通过冗余位元对存储区中的失效位元进行修复包括：

根据所述存储器修复指令调用修复电路，根据位置信息，使用冗余位元替代所述位置信息对应的失效位元，以对所述存储区进行修复。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述获取存储器修复指令之后，还包括：

检测所述失效记录区记录的失效信息；

所述根据所述存储器修复指令调用修复电路，根据位置信息通过冗余位元对存储区中的失效位元进行修复包括：

当所述失效信息表明需要对存储区中失效位元进行修复时，调用修复电路，根据位置信息通过冗余位元对存储区中的失效位元进行修复。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述检测所述失效记录区记录的失效信息之后，还包括：

当所述失效信息未表明需要对存储区中失效位元进行修复时，检测所述存储区中是否存在失效位元；

当所述存储区中存在失效位元时，检测所述失效记录区中是否有可存储的多态位元；

当所述失效记录区中有可存储的多态位元时，将所述失效位元对应的位置信息存入所述可存储的多态位元。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括：

获取失效记录区检测指令；

根据所述失效记录区检测指令，将所述失效记录区中的失效位元烧录至失效状态。

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