TWI441189B - 用於改良冗餘分析之記憶體裝置故障彙總資料縮減技術 - Google Patents

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Description

用於改良冗餘分析之記憶體裝置故障彙總資料縮減技術
本發明是關於一種用於改良冗餘分析之記憶體裝置故障彙總資料縮減技術。
 發明背景
電腦依靠隨機存取記憶體儲存程式指令及資料。電腦記憶體由記憶體單元(cell)組成，其中每個單元儲存一個單一位元的資料。每個電腦化指令及/或資料之電腦化元素典型地包含一組位元，該等位元被有意義地組織為可同時被定址的位元之集合，例如一位元組(一般是8位元)、一字(一般是多個位元組)，一區塊(一般是多個字)等。一給定位元組、字、區塊等(之後被共同稱為“位元組”)內的一位元之位置是有意義的，因為資料之位元組或指令依據置於該等位元組內的位元之值(依據一預先定義的順序格式)被賦予一定的意義。
位元組及字因此典型地利用一位址匯流排、一資料匯流排以及記憶體單元致能電路被定址為一個單一的實體。較特別地，一位址被設於該位址匯流排上，該記憶體裝置之單元藉由啟動寫入或讀取致能線(對應該等被定址單元)而被致能，以及基於該操作是一寫入操作還是一讀取操作，資料被寫入由該位址匯流排所定址的該等單元或者自該等單元被讀取。
為了滿足較快及較大容量系統之需求，如隨機存取記憶體(或RAM)、靜態RAM(SRAM)此類的現代記憶體裝置是非常密集的。因為其等之密集以及製造過程之限制，半導體記憶體裝置通常包含一或多個製造後立刻存在缺陷的記憶體單元。
在一記憶體裝置之製造及測試期間，會執行記憶體測試，此時該記憶體裝置之所有記憶體單元被測試。典型的測試包括：當將0及1寫入該等記憶體單元時，依次地增加或減少記憶體位址。習慣將在一記憶體循環期間同時寫入或讀取的1及0之一集合稱為一“向量”，而該詞語“圖形”表示為一序列的向量。測試通常包括將圖形寫入記憶體空間(例如，棋盤)，步進1及蝶式圖形。
如先前所提到的，個別的記憶體單元在測試期間可能產生故障。為了增進此等裝置之產率，製造商典型地加入冗餘記憶體單元族群(例如，單元的冗餘列及/或冗餘行)。通常可能用冗餘記憶體單元族群替換包含一或多個缺陷記憶體單元的該記憶體裝置內的對應記憶體單元族群，從而產生一功能完全的記憶體裝置。該等冗餘記憶體單元族群可被映射到該記憶體裝置以替換具有一或多個有故障的記憶體單元之記憶體裝置中的記憶體單元族群。識別包含故障記憶體單元的缺陷記憶體單元族群且將冗餘記憶體單元族群映射到該記憶體裝置內的對應缺陷記憶體單元族群之過程被稱為“冗餘分析”。
典型地，一個單一給定記憶體單元是多個不同記憶體單元族群之一成員，因此可利用可得的多個不同的冗餘記憶體單元族群中的一者被修補。例如，該記憶體裝置可被組織為列及行，從而考慮到包含列的記憶體單元族群及包含行的記憶體單元族群。該記憶體裝置可提供可被映射以替換該記憶體裝置中的各個列及行的許多冗餘列及許多冗餘行。在此例中，可得到一冗餘列及一冗餘行，其等中的任一者都可用以修補給定單元。若沿著相同列具有多個故障，則最好是使用一個單一冗餘列修補該等記憶體單元故障，而不是使用幾個冗餘行，因為這是較有效率的，且只有有限數目的冗餘記憶體列及行是可用的。例如，假設只有四個冗餘行及四個冗餘列用以修補一給定記憶體裝置中的缺陷記憶體單元。在此例中，若有一列在不同的三行具有故障，則該列可藉由利用該等冗餘行中的三者或者藉由利用該等冗餘列中的一者被修補。然而，若有一列在不同的五行具有故障，則該列只可利用該等冗餘列中的一者被修補，因為沒有足夠的冗餘行可用以修補該列中的所有故障。只可利用該等可用的冗餘列中的一者被修補的列被稱為一“必須修補”列。類似地，只可利用該等可用的冗餘行中的一者被修補的行被稱為一“必須修補”行。
已知一旦一給定列或行已分別被識別為一“必須修補”列或行，則由於在該列或行中檢測出一最小數目的記憶體單元故障，故給定列或行內的所有記憶體單元故障將分別由一可用的列或行修補，因此進一步測試或分析產生故障的該記憶體裝置之給定列或行內的任何剩下的未被測試的記憶體單元是不必要的。
在該電路層上如何實際上實現利用冗餘記憶體單元族群修補缺陷記憶體單元可較佳地被製造此等裝置的人所理解，因此該項技術領域內具有通常知識者只要說明該等裝置包含一些數目的可選擇之可破壞元件即已足夠，該等可選擇的可破壞元件之破壞致能接著改變一關聯的電路之內部邏輯的閘控功能。此能力是用以將內部信號路由給替換有缺陷的電路之替換電路。
理想地，一記憶體測試器將能夠識別以下需求：修補該待測記憶體裝置、所需的修補之位置以及所需的修補之類型，以及接著必須能夠執行適當的修補。
在一些記憶體測試器中，硬體可被設計以擷取該等裝置內容之一整個位元映射，此處被稱為一誤差影像(error image)。該誤差影像由與施加給該待測記憶體裝置之位址相同或自其推出的位址定址。在一測試期間，當該記憶體裝置內的一記憶體單元之該等內容匹配或者沒有成功匹配被期望的結果時，則依據使用中的慣例，該誤差影像內的該位址上的一對應位元被設定或清除。例如，一零(“0”)可被用以表示沒有成功匹配，及一(“1”)可用以表示一匹配。該誤差影像可被分析以找到該等誤差及最佳解決方法。此策略大大地減少了分析任務之複雜度，以及減少了測試時間。
通常，多個“標籤(tag)”影像在該記憶體之測試期間被產生。該等標籤影像在一個單一維度上映射記憶體裝置內被檢測的記憶體單元故障。在以上例子中，一標籤可包含故障列之一映射，以及另一標籤可包含故障行之一映射。在該列標籤內，一位置可包含指示該記憶體裝置之對應列中的該等記憶體單元中的任何單元內是否有任何錯誤的旗標。類似地，在該行標籤內，一位置可包含指示該記憶體裝置之對應行中的該等記憶體單元中的任何單元內是否有任何錯誤的旗標。因為該等標籤影像內的一個單一記憶體位置(一般按大小而言只有一個位元)被用以表示該記憶體裝置之一整列或一整行，一標籤影像實質上小於一全誤差影像，這使其可能快速地識別已經產生故障的記憶體單元族群(在以上例子中是列及行)。因此，該等標籤影像用以儲存被檢測的事件之一索引集合以供之後的檢測。
第1圖是用以測試一記憶體裝置的一習知系統之方塊圖。一記憶體測試器4將一系列的測試向量3施加給一待測記憶體裝置(DUT)2，以檢測該記憶體DUT 2之該等記憶體單元中的任何記憶體單元內的故障。該DUT 2包括一記憶體單元2a之一陣列，以列之記憶體單元族群([0...X－1])及行之記憶體單元族群([0...Y－1])排列。傳統上，與該待測記憶體裝置(DUT)2之大小(列、行)相同且以相同方式被定址的誤差影像6被提供以儲存對應於該記憶體DUT 2之每個記憶體單元之一位元。習知地，該誤差影像6內的一位元單元內的0值表示在該記憶體DUT 2內的對應位元單元2a之測試期間所產生的故障，而一個1表示在該記憶體DUT 2內的對應位元單元2a內沒有檢測出任何故障。當然，其他慣例可被用以表示該記憶體DUT 2內的對應位元單元之通過或故障。
列之一組冗餘記憶體單元族群8([0...M－1])及行之一組冗餘記憶體單元族群10([0...N－1])可被實現用以修補由對應列及行位址所定址的該DUT 2之記憶體單元2a內所檢測出的故障。
傳統地，列及行標籤影像14、12在對應的列或行方向內實現每個位址一個單一位元，以表示沿著該DUT 2之對應列或行的某些地方存在至少一故障。標籤影像可有助於執行誤差影像之分析，以決定如何修補該記憶體DUT內的任何檢測出的故障。
作為一說明性的例子，考慮到用於該DUT 2的一位址可分為列及行維度(dimension)，具有與該記憶體DUT 2之內部組織相關的對應列X及行Y位址分量。因此該記憶體DUT 2在兩個維度內是可定址的，且用於該DUT 2的位址具有被嵌入其內的X及Y位址分量，但是也許不是以一明顯或方便的方式。例如，適合的閘控電路可取出該Y位址分量，且將其作為一位址用於一行標籤影像12，這允許儲存依據該Y位址被索引的資訊。類似地，閘控電路可取出X位址分量，且將其作為一位址用於一列標籤影像14，這允許儲存依據該X位址被索引的資訊。傳統上，儲存在該等列及行標籤影像之每個項目內的資訊是一個單一位元，該單一位元之測試結束意義是沿著分別對應的X定址列或Y定址行，該DUT 2內發生或者沒有發生至少一次故障。藉由產生列X及行Y位址分量之標籤影像，一測試分析器可獲得與一記憶體DUT內的故障有關的有用資訊，該記憶體DUT之內部組織包括列X及行Y位址之概念。標籤影像12、14之使用可實現大大減少測試器記憶體需求，因為所需的標籤影像儲存需求由許多的區域組成，該等區域只等於該X及Y位址空間之總和，而不是等於其等的乘積(這是習知的誤差影像必須具有的)。
記憶體裝置之共同故障機制減少了習知的標籤影像之有效性。裝置經常具有固定(stuck)族群的記憶體單元，其中該特定記憶體單元族群內的很多或所有位址是有缺陷的。例如，在第1圖之記憶體DUT 2中，測試可揭露該DUT 2具有一固定列或一固定行，其中該特定固定列或固定行內的許多或所有位址是有缺陷的。一個單一冗餘記憶體單元族群可修補該記憶體裝置內的固定記憶體單元族群。然而，在以記憶體單元族群及多個維度被組織，因此用於該記憶體裝置的一給定位址包括嵌入在該位址內的多維位址分量之裝置內，對於冗餘分析之目的而言，該等標籤影像可能表現為無效率的，這可從以下例子中最佳地被理解。再次參看第1圖之DUT 2，該DUT 2可在兩個維度(一列維度及一行維度)被組織為記憶體單元族群(列0...X－1及行0...Y－1)，一個單一冗餘列可修補該DUT 2內的一固定列。然而，該行標籤12可表示由於該DUT 2之該固定列之所有記憶體單元內的故障所產生的所有Y位址內的一故障。若該記憶體DUT 2具有一固定列及一固定行，則該等標籤影像12及14可表示所有位址內的全部故障，而實際上可能僅僅是一個單一行中的所有X位址及一個單一列中的所有Y位址是有缺陷的。在具有固定列或固定行故障之裝置中，該等標籤影像之有用性因此可能被限制或者甚至在取出與只包含少量故障的列及/或行之資訊有關的範圍內完全表現為無效率。
因此，在該項技術領域中存在用以增進及簡化記憶體測試的冗餘分析以減少測試記憶體所需的測試時間及硬體之技術的需求。也存在增進具有固定列及/或固定行的記憶體裝置內的標籤影像之有效性及可用性之需求。
 發明概要
在一實施例中，具有沿著多數個維度被組織為多數個記憶體單元族群的多數個記憶體單元的一記憶體裝置被一種方法測試，其中每個記憶體單元族群可由對應於該等維度中的一者之多數個位址分量中的一者定址，該方法包含以下步驟：選擇一記憶體裝置位址，以選擇由沿著各個不同維度的該被選擇記憶體位址所定址的該記憶體裝置內的多數個記憶體單元族群，該記憶體裝置位址包含對應於該等各個不同維度中的每個之位址分量；在該被選擇的記憶體裝置位址上將一測試向量施加給該記憶體裝置；在該被選擇的記憶體裝置位址上自該記憶體裝置讀取內容；將該測試向量與該等內容相比較；以及若該測試向量與該等內容之間存在失配，則將該失配故障計數為一故障，且將被故障計數的故障與每個被選擇的記憶體單元族群相關。
在一實施例中，具有沿著多數個維度被組織為多數個記憶體單元族群的多數個記憶體單元的該記憶體裝置被一方法測試，其中每個記憶體單元族群可由對應於該等維度中之一者的多數個位址分量中之一者定址，該方法包含以下步驟：選擇一記憶體裝置位址，以選擇由沿著各個不同維度的該被選擇記憶體位址所定址的該記憶體裝置內的多數個記憶體單元族群，該記憶體裝置位址包含對應於該等各個不同維度中之每個的位址分量；在該被選擇的記憶體裝置位址上將一測試向量施加給該記憶體裝置；在該被選擇的記憶體裝置位址上自該記憶體裝置讀取內容；將該測試向量與該等內容相比較；以及若該測試向量與該等內容之間存在失配，及若該等被選擇的記憶體單元族群中沒有任何一者包含與各個被選擇的記憶體單元族群中的各個維度相關的一最大數目之故障，則將該失配故障計數為一故障，以及將被故障計數的該故障與每個被選擇的記憶體單元族群相關，且將該被選擇的記憶體位址加到故障位址之一列表內。
在一實施例中，一種用於追蹤一記憶體裝置內的故障之設備，該記憶體裝置包含沿著多數個維度被組織為多數個記憶體單元族群的多數個記憶體單元，其中每個記憶體單元族群由對應該等維度中的一者之多數個位址分量中的一者定址，該設備包含：多數個故障計數，每個分別與該記憶體裝置之各個記憶體單元族群相關；一測試向量產生器，產生一測試向量；一位址產生器，產生一被選擇的記憶體裝置位址；一測試函數，在該被選擇的位址上將該測試向量施加給該記憶體裝置；以及一計數管理器，比較該被施加的測試向量與該等內容，以及若該測試向量與該等內容之間存在一失配，則調整與該被選擇的位址所選擇的每個記憶體單元族群相關的各自的故障計數。
圖式簡單說明
藉由參看以下結合附圖考慮的詳細描述，本發明之較完整的理解以及其具有的許多優點將顯而易見且可被較好地理解，在該等圖中，類似的參考符號表示相同或類似的元件，其中：第1圖是用於測試一記憶體裝置之習知系統的方塊圖；第2圖是用於測試依據本發明所實現的一記憶體裝置之一示範性系統的方塊圖；第3圖是用於測試一記憶體裝置的一示範性方法之流程圖；第4圖是用於測試一記憶體裝置的一示範性方法之流程圖。
 較佳實施例之詳細說明
在以下本實施例之詳細描述中，給出是其一部分的附圖之參考，以及顯示了透過描述本發明可被實踐的特定實施例。此等實施例被足夠詳細地描述，以使該項技術領域中的具有通常知識者能夠實踐本發明，以及需明白的是，其他實施例可被利用，且該結構的邏輯及電變化可在不脫離本發明之精神及範圍下作出。因此，以下詳細描述不具有限制的含義，且本發明之範圍只由附隨的申請專利範圍所定義。
本發明之實施例增進了自一標籤影像取出的資訊之可用性，該標籤影像用於一記憶體裝置之冗餘分析，該記憶體裝置包含沿著多數個維度被組織為多數個記憶體單元族群的多數個記憶體單元，其中每個記憶體單元族群由對應該等維度中的一者之多數個位址分量中的一者定址。對該等維度中的每個可產生標籤影像，每個標籤影像包含與該記憶體裝置之一給定維度內的該等記憶體單元族群中的每個相關的故障計數(failure count)。每個維度內的每個故障計數儲存以下一指示：與該故障計數相關的該記憶體單元族群內檢測出的故障之數目。故障計數將其等與“過期”之概念相關聯，這意味著與該特定故障計數相關的一給定記憶體單元族群內的故障之數目已達到或超過故障之一預定最大值。在一實施例中，故障之預定最大數目是基於沿著一給定維度(其不是該給定記憶體單元族群之維度)被組織的可用的冗餘記憶體單元族群之數目，該等冗餘記憶體單元族群可用以修補該記憶體單元族群。因此，當其他維度內沒有足夠的冗餘記憶體單元族群可用以修補相關的記憶體單元族群時，一故障計數就會過期。與一過期的故障計數相關的記憶體單元族群必須由一冗餘記憶體單元族群修補，該冗餘記憶體單元族群沿著與該過期故障計數相關的記憶體單元族群相同的維度被組織。追蹤一故障計數之過期可以各種方式實現，包括下列但不限於下列：增加或減少與該記憶體單元族群相關的可允許的故障之最大數目(可能與可用以修補該第一維度內的一記憶體單元族群的在另一維度內可用的冗餘記憶體單元族群之數目一致)，直到故障計數達到一預定的過期值，或者保存指示相關的故障計數之過期或未過期的一旗標。
第2圖是用於測試一記憶體裝置之一系統的一實施例之功能方塊圖。該系統包括一記憶體測試器104及電腦儲存器120。該記憶體測試器104包含用於協調一位址產生器116、一向量產生器117及一計數管理器118之功能的處理裝置，如之後所討論的。該處理裝置可包括一或多個處理器126，該(等)處理器126執行實現該等功能及協調該位址產生器116、向量產生器117及計數管理器118中的任何及所有之功能的電腦指令，或者可包含該等功能元件116、117、118中的每個或任何之獨立的處理器。該位址產生器116、向量產生器117以及計數管理器118，以及該記憶體測試器104之協調功能可以軟體及/或硬體實現。
該電腦儲存器120可包括電腦指令被儲存在其內的任何媒體，包括下列但不限於下列：執行期間媒體，如隨機存取記憶體(RAM)或唯讀記憶體(ROM)，及散佈媒體(例如，軟碟、CD－ROM、DVD、資料儲存磁帶，以及硬碟。
一待測記憶體裝置(DUT)102包括以多個維度排列的記憶體單元101，該等記憶體單元101具有獨立的位址分量。第2圖所示的記憶體DUT 102被組織，使得一給定被使用的位址包括對應一列維度及一行維度的位址分量。每個維度包括許多記憶體單元族群。因此，該列維度包括許多(X)列[0...X－1]，以及該行維度包括許多(Y)行[0...Y－1]。每個記憶體單元族群包括許多的記憶體單元101，該等記憶體單元101可由對應該維度的一共同位址分量同時定址。例如，由列位址分量[X－1]定址的列122被顯示由一虛線包圍，以描述以列維度所組織的一個單一列記憶體單元族群。類似地，由行位址分量[Y－1]定址的一行124被顯示由一虛線包圍，以描述以該行維度所組織的一單一行記憶體單元族群。每個記憶體單元101儲存一個單一位元的資料。該(等)被選擇的記憶體單元是其等列及行位址分量符合該被使用的位址103之該等列及行位址分量的單元101。
用於該記憶體裝置102的位址103可分為與該記憶體裝置102之該位元單元101之內部組織相關的維度位址分量(即，列位址(x)及行位址(y)分量)。用於該記憶體裝置102的位址具有被嵌入其內的被歸為族群的記憶體單元之列及行位址。
該記憶體裝置102在每個列維度及行維度內被提供許多的冗餘記憶體單元族群。因此，許多(M)冗餘列108[0...M－1]及許多(N)冗餘行110[0...N－1]可被實現用以修補該裝置102內檢測出的記憶體單元故障。
可對每一列維度及行維度產生標籤影像112及114。此等標籤影像112、114不同於傳統的列及行標籤影像，因為取代了在每個對應列或行內分別實現一個單一位元以指示該裝置之對應列或行內的任何數目的記憶體單元故障，而取而代之的是每個可定址標籤影像項目(RowTag[x]，其中x＝0...X－1以及ColTag[y]，其中y＝0...Y－1)包含用於儲存該裝置之對應列或行內所檢測出的故障之數目的至少一故障計數(或者可藉以推出所檢測的故障數目的數目)，以及用以指示該相關的故障計數之過期或未過期的機制。
與一記憶體單元族群相關的每個故障計數儲存一故障計數，該故障計數反映(直接或間接)該對應記憶體單元族群內檢測出的故障之數目(達到可允許的最大數目，如之後所描述)。該故障計數可依據許多不同的實施例被實現。在一實施例中，沿著一給定第一維度組織的一給定記憶體單元族群之故障計數以最大數目的可用冗餘分量被預先載入該給定記憶體單元族群之一第二維度中，而不是第一維度。接著，每當一故障在其相關的記憶體單元族群中的任何單元被檢測出時(受某些條件限制，如之後所討論的)，故障計數減少。藉由將預先載入的故障計數值(例如，該第二維度內的最大可允許的故障或者可用的冗餘記憶體單元族群之數目)減去最終的故障計數值，一給定記憶體單元族群內的故障之實際數目可自其故障計數值推出。
在一實施例中，該故障計數被初始化為一預定低值，以及每當一故障在與該故障計數相關的被定址記憶體單元族群內中的任何單元被檢測出時(受某些條件限制，如之後所討論的)，故障計數就增加。若該預定低值為零，則該故障計數值直接表示該相關的記憶體單元族群內檢測出的故障之實際數目。若該預定低值是除了零之外的值，則藉由將故障計數值減去該預定低值，該相關的記憶體單元族群內的故障之實際數目可自該故障計數值中推出。因此，該值間接表示故障之數目。其他故障計數方案也可用以追蹤故障計數該記憶體單元族群內檢測出的故障之數目。
若與該特定故障計數相關的記憶體單元族群內檢測出的故障之數目已達到或超過故障之一預定最大數目，則任何給定的故障計數可能“過期”。在一實施例中，用於指示相關的故障計數之過期或未過期的機制是藉由將該故障計數之一或多個值與該意義“過期”相關聯，以及藉由將不與該意義“過期”相關聯的值與“未過期”之意義相關聯。例如，在一實施例中，故障計數以最大數目的可用冗餘分量被預先載入一維度內，而不是與該故障計數相關的記憶體單元族群之維度，以及每當在與該故障計數相關的被定址記憶體單元族群內的任何單元中檢測出一故障時(受某些條件限制，如之後所討論的)，該故障計數就減少，該故障之過期可由達到一零值(或更小)的故障計數表示。在此實施例中，該故障計數之未過期由該故障計數之一正值表示。在另一實施例中，在該故障計數被初始化為一預定低值時，每當在與該故障計數相關的被定址記憶體單元族群內的任何單元檢測出一故障時，該預定低值就增加，該故障計數之過期可由達到一預定高值的故障計數表示，使得該預定高值與該故障計數之預先載入值之間的差值等於(或大於)配置給冗餘記憶體單元族群的一預定最大值，該等冗餘記憶體單元族群被配置給與該故障計數相關的該記憶體單元族群之該特定維度。在另一實施例中，表示該相關的故障計數之過期或未過期的一旗標或其他類型的欄位可被維持。
仍參看第2圖，一位址產生器116產生記憶體位址103，以及一測試向量產生器117產生測試向量105。該記憶體測試器104在該位址產生器116產生的一被選擇的記憶體位址103上，協調將該測試向量產生器117所產生的一測試向量105施加給該待測記憶體裝置102。該記憶體測試器104協調自該被選擇的記憶體位址103讀回該記憶體裝置102之內容107。自該記憶體裝置102讀回的內容107與該被施加的測試向量105相比較。若自該記憶體裝置102讀回的該等內容107與該被施加的測試向量105之間存在一失配，則在由該被選擇的記憶體位址103所定址的該等記憶體單元101中的一者或多者上存在一故障。一計數管理器118作出與各個被選擇的列及行有關的該等故障計數111、113之過期狀態的決定，以及若該等故障計數111、113中沒有任一者過期，則調整相關的故障計數111、113以反映額外的故障，且將該被選擇的記憶體位址增加到一故障列表106內。
在一實施例中，該列標籤影像112之每個故障計數項目111被預先載入一預定最大數目之可用的冗餘行，且該行標籤影像114之每個故障計數項目113被預先載入一預定最大數目之可用的冗餘列。可用的冗餘列之預定最大數目可能是冗餘列之數目M，以及可用的冗餘行之預定最大數目可能是冗餘行之數目N。例如，若該裝置102被提供8個冗餘列(即，M＝8)及32個冗餘行(即，N＝32)，則可用的冗餘列影像112內的每個故障計數項目111可被預先載入數目32，以及該可用的冗餘行影像114內的每個故障計數項目113可被預先載入數目8。若為了替換之目的，一或多個冗餘列及/或行被保留，則可用的冗餘列及行之預定最大數目可能小於所提供的數目(M,N)。
第3圖是描述用於測試第2圖之該記憶體裝置102的方法130之一示範性實施例的高階流程圖。在該測試之開始時，所有故障計數111(儲存在該列標籤影像112之對應列中)利用一故障計數值被初始化，該故障計數值表示沿著一列之可允許的最大數目之故障，使得該列沒有被指定為一“必須－修補”列(步驟131)。在一實施例中，此數目等於可用於修補該記憶體裝置的冗餘行之數目。類似地，所有的故障計數113(儲存在該行標籤影像114之對應列中)利用一故障計數值被初始化，該故障計數值表示沿著一行之可允許最大數目的故障，使得該行沒有被指定為一“必須－修補”行(步驟132)。在一實施例中，此數目等於可用於修補該記憶體裝置的冗餘列之數目。一測試向量105及記憶體裝置位址103被選擇(步驟133至136)。該測試向量105在該被選擇的位址103上被施加給該記憶體裝置102(步驟137)。在該被選擇的位址103上的該裝置102之該等記憶體單元101之內容107被讀回(步驟138)，且與該被施加的測試向量相比較(步驟139)。
若該等內容107與該被施加的測試向量105相符合，則由該被選擇的記憶體位址所選擇的該等記憶體單元101中的每個被認為對於該特定測試向量是良好的(或“無缺陷的”)，以及該記憶體裝置102在額外位址上的測試及/或利用額外測試向量的測試可繼續。
然而，若該等內容107不符合該被施加的測試向量105(在步驟139內決定)，以及若對應由該被選擇的記憶體位址103所選擇的列及行的該列及行故障計數111及113未過期(例如，還沒有減少到零(或更小))(在步驟140內決定)，則對應該被選擇的記憶體位址103的該列故障計數111及行故障計數113二者都減少，以“計數”該對應被選擇的列及行上的故障(步驟141)。該被選擇的記憶體位址被加到故障位址之一列表內(步驟142)，以供之後一最佳修補方法之分析。該記憶體裝置102在額外位址上的測試及/或利用額外測試向量的測試可繼續。
將注意到的是，該演算法之固有邏輯是，若與該記憶體裝置102之該被選擇的列及行相關的該等故障計數111、113之任何一者或二者都過期(在此情況下，該(等)故障計數為零或更小)，則該(等)故障單元位於一對應的已知的必須－修補列及/或已知的必須－修補行(由該過期計數決定)內。因為一必須－修補列或行修補該裝置之對應列或行內的所有單元，所以在一必須修補列或行上的額外故障資訊被認為是冗餘的。因此，一旦一列或行已被識別為一必須－修補列或行，則由於將測試向量施加給額外被選擇的位址而在該列或行內所檢測出的額外故障不會被記錄在該故障列表106中。
將注意到的是，一旦一給定列或行已被指定為一“必須－修補”列或行(如與該給定列或行有關的一故障計數之過期所指示的)，則存在可用以修補該記憶體裝置內的任何剩餘的故障之較少的冗餘列或行。因此，在一實施例中，若減少與一列或一行相關的一給定故障計數(在步驟141內)導致給定故障計數過期，使得對應列或行必須由相同類型的一冗餘列或行修補(在步驟145內決定)，則與行或列(沿著相反維度組織的記憶體單元族群)相關的未過期之故障計數也被減少(在步驟146內)以反映以下事實：可用以修補該記憶體的冗餘列或行減少了。例如，假設該記憶體裝置被配置兩個冗餘列及四個冗餘行。進一步假設與該等列相關的所有故障計數利用一故障計數“4”被初始化，從而在將一給定列指定為一“必須－修補”列之前允許達到4個故障(可由4個可用的冗餘行修補)，以及與行相關的所有故障計數利用一故障計數“2”被初始化，從而在將一給定行指定為一“必須－修補”行之前允許達到2個故障(可由2個可用的冗餘列修補)。進一步假設：在數次反覆施加測試向量及自該記憶體讀回該等內容之後，該記憶體裝置內的該等列中的一者被指定為“必須－修補”(由於其相關的故障計數器過期)。在此情況下，該兩個冗餘列中的一者必須用以修補該“必須－修補”列。因此，實際上只剩下一個可用的冗餘列被留下用以修補故障。在所呈現的例子中，因為與該行記憶體單元族群相關的該等故障計數反映可用以修補該行的冗餘列之數目，故與行相關的所有未過期故障計數被減少以反映以下事實：透過將該等冗餘列中的一者分配給該被指定的必須－修補列，仍未被分配的冗餘列之數目已經減少一。(注意到在第2圖中，與該記憶體裝置之列相關的該等故障計數111在該列標籤112中被儲存為列－定址項目，以及每個故障計數111被預先載入可用的冗餘行之數目。類似地，與該記憶體裝置之行相關的該等故障計數113在該行標籤114內被儲存為行－定址項目，以及每個故障計數113被預先載入可用的冗餘列之數目。因此，在本例中，該行標籤114內的該等故障計數113減少，因為可用以修補行故障的列減少了)。
繼續以上例子，若在進一步反覆期間，一行在兩或多個不同列(而不是剛才所討論的“必須－修補”列)具有錯誤，則該行只可利用剩餘的冗餘行中的一者修補，因為剩餘可用的冗餘列之數目已經減少一，因此沒有足夠的可用的冗餘列，以利用冗餘列修補該行中的故障。
如透過此等例子所描述的，因為列或行被分配給必須－修補元素，可用的列或行之數目減少。因此，該等故障計數可如步驟146中一樣被更新，以反映未被分配的冗餘記憶體單元族群之供應減少。
將進一步注意到的是，若該記憶體測試將多個測試向量施加給該等記憶體裝置位址中的任何一者，則一旦藉由將任何測試向量施加給一給定位址而識別出一故障時，則在該位址上進一步識別出的故障應被忽略。因此，在更新故障計數及將該位址加到該故障列表之前，較佳的是進行一檢查(例如，在步驟143或144內)，以決定目前所選擇的一位址是否在先前已被識別為具有一故障，例如藉由判斷目前所選擇的位址是否已出現在該故障列表中。若該目前所選擇的位址在先前已被識別為具有一故障，則與該位址相關的該等故障計數較佳地是不被更新，且繼續處理額外的位址。因此在測試結束時，該產生的故障列表106包含少量故障之一位址列表，以及正好具有足夠的固定列及固定行故障之位址，以允許修補分析軟體產生一修補方法。
在一實施例中，該計數管理器118之功能(第2圖)被實施為執行第3圖所示的方法之至少步驟140至142(以及可包括步驟144，及/或145及146)的軟體。
當分析最終的標籤影像112、114及故障列表106時，在該記憶體裝置102中該列標籤112內的對應相關的故障計數111已過期的任何列必須利用該等可用的冗餘列中的一者修補。類似地，在該記憶體裝置102中該行標籤114內的對應相關的故障計數113已過期的任何行必須利用該等可用的冗餘行中的一者修補。
在該列標籤112內的對應相關的故障計數111保持為預先載入值的該記憶體裝置102中的任何列不包含任何缺陷記憶體單元101，因此不需要任何修補。類似地，在該行標籤114內的對應相關的故障計數113保持為預先載入值(例如，可用的冗餘列之最大數目)的該記憶體裝置102中的所有行不包含任何缺陷記憶體單元101，因此不需要任何修補。
在該列標籤112內的對應相關的故障計數111沒有過期但也未被保持為預先載入值(大於零但是小於預先載入的故障計數值)的該記憶體裝置102中的任何列包含少量缺陷單元，且因此在將冗餘列分配給該記憶體裝置102內的所有被指定的“必須－修補”列之後，該等列是可用的冗餘列修補的候選者。類似地，在該行標籤114內的對應相關的故障計數113沒有過期但也未被保持為預先載入值(大於零但是小於預先載入的故障計數值)的該記憶體裝置102中的任何行包含少量缺陷單元，且因此在將冗餘行分配給該記憶體裝置102內的所有被指定的“必須－修補”行之後，該等行是可用的冗餘行修補的候選者。
將瞭解的是，在一測試之後的該列標籤112內的該等故障計數111與該行標籤114中的故障計數113中的每個之最終值表示一些重要資訊。首先，一給定故障計數之值表示了對應列或行內的至少一缺陷記憶體單元之有無。第二，該故障計數之值表示了該DUT 102內的對應列或行是否被指定為一“必須－修補”列或行、該DUT 102內的對應列或行是否只包含少量的故障，或者該DUT 102內的對應列或行是否不包含故障。第三，在一測試完成之後的一給定故障計數之值表示了在該DUT 102內的對應列或行內檢測出的缺陷記憶體單元之數目，在各自的列或行被指定為一“必須－修補”列或行之前達到缺陷記憶體單元101被允許的最大數目。
為了最佳化該修補方法，具有與該被指定的“必須－修補”列或行相同的位址分量之所有位址自該故障列表106中被移除，因為位於一必須－修補列或行內的故障自動地由一冗餘列或行修補。
第4圖是一流程圖，描述了用以對一記憶體裝置執行一記憶體測試的方法之實施例，該記憶體裝置具有被組織到多個獨立可定址維度的記憶體單元族群。如所示，一被選擇的測試向量在一被選擇的記憶體裝置位址上被施加給該記憶體裝置，該被選擇的記憶體裝置位址包含對應該等維度中的每個之位址分量(步驟31－33)。在該被選擇的記憶體裝置位址上的來自該記憶體裝置之內容被讀取，且與該被施加的測試向量比較(步驟34－35)。若該被施加的測試向量與該等內容之間存在一失配(在步驟36內被決定)，以及與由該被選擇的記憶體位址所定址的該記憶體裝置內的對應各自記憶體單元族群相關的該等故障計數中的任何一者是過期的(在步驟37內被決定)，則該方法可利用額外被選擇的位址及/或測試向量被重複。然而，若沒有任何該等相關的故障計數是過期的，則在一實施例中，與該等被選擇的記憶體單元族群中的每個相關的各自的故障計數被調整以計數該失配(在步驟38內)，以及該被選擇的記憶體位址也較佳地被加到故障位址之一列表內(步驟39)。對於額外被選擇的位址，該方法可被重複，較佳地是測試該記憶體裝置的每個記憶體單元。在測試結束時，該故障列表包含位址的一列表，該列表包含少量故障之位址，以及與被識別出的必須－修補記憶體單元族群相關的最小數目之位址。
在一些記憶體裝置測試中，多個測試向量可被施加給每個位址。若對於一給定的測試向量，在一被選擇的記憶體裝置位址上檢測出一故障，則為了保存少量故障之一列表，當額外測試向量被施加給該位址時，該被選擇的記憶體裝置位址上的額外故障沒有被計數為故障是重要的。因此，在一實施例中，該測試方法包括以下步驟：決定一被選擇的記憶體裝置位址是否已存在該故障列表中(步驟40)。該故障列表中的一位址之存在表示：導致將該特定位址加到該故障列表中的故障已被計數為故障(即，在目前的故障計數值中已說明)。因此，與該位址相關的該等故障計數不應該由於在該位址上檢測出的額外故障被再次更新。因此，若該被選擇的記憶體裝置位址已存在於該故障列表內(如步驟40所決定)，則在一實施例中，該被選擇的位址立即被丟棄，且另一記憶體裝置位址取而代之而被選擇用於處理(進行到步驟32)。在另一實施例中，該被選擇的記憶體裝置位址是否已存在該故障列表中的決定(步驟41)在該被選擇的記憶體裝置位址上已檢測出一故障之後作出(在步驟36內)。在此實施例中，若判定(在步驟41內)該被選擇的記憶體裝置位址已存在於該故障列表內，則該等故障計數不被更新，且該位址沒有被重複加到該故障列表中(即，步驟38及39被跳過)，以及過程可利用另一記憶體位址及/或另一測試向量繼續。
在一實施例中，該計數管理器118之功能(第2圖)被實施為執行第4圖所示的方法之至少步驟37到39的軟體。
將瞭解的是，與傳統方法不同，本發明並不需要產生一誤差影像，從而藉由去除與該記憶體裝置本身相同大小(列、行及深度)之硬體元件而減少了成本及複雜度。
雖然說明性的實施例已被呈現，其中該等維度包括一列維度及一行維度，該等維度可額外或可選擇地包括一深度維度、一或多個對角線維度及/或一或較多個其他記憶體單元群組圖形中的任何一個，其具有沿著相關的維度存取記憶體單元族群的對應位址分量。
在本文所描述且說明的實施例可以軟體、韌體或硬體，或者其等的任何適合的組合實現。本發明之方法及裝置可由指令在其中被執行的一電腦或微處理器過程實現，該等指令被儲存以在一電腦－可讀媒體上執行，以及由任何適合的指令處理器執行。然而，可替換的實施例被考慮，且落於本發明之精神及範圍內。
2．．．待測裝置
2a．．．記憶體單元
3．．．測試向量
4．．．記憶體測試器
6．．．誤差影像
8．．．冗餘記憶體單元族群
10．．．冗餘記憶體單元族群
12．．．行標籤影像
14．．．列標籤影像
30．．．方法
31~41．．．步驟
101．．．記憶體單元
102．．．待測記憶體裝置
103．．．位址
104．．．記憶體測試器
105．．．測試向量
106．．．故障列表
107．．．內容
108．．．冗餘列
110．．．冗餘行
111．．．故障計數
112．．．標籤影像
113．．．故障計數
114．．．標籤影像
116．．．位址產生器
117．．．測試向量產生器
118．．．計數管理器
120．．．電腦儲存器
122．．．列
124．．．行
126．．．處理器
130．．．方法
131~146．．．步驟
第1圖是用於測試一記憶體裝置之習知系統的方塊圖；第2圖是用於測試依據本發明所實現的一記憶體裝置之一示範性系統的方塊圖；第3圖是用於測試一記憶體裝置的一示範性方法之流程圖；第4圖是用於測試一記憶體裝置的一示範性方法之流程圖。
101．．．記憶體單元
102．．．待測記憶體裝置
103．．．位址
104．．．記憶體測試器
105．．．測試向量
106．．．故障列表
107．．．內容
108．．．冗餘列
110．．．冗餘行
111．．．故障計數
112．．．標籤影像
113．．．故障計數
114．．．標籤影像
116．．．位址產生器
117．．．測試向量產生器
118．．．計數管理器
120．．．電腦儲存器
122．．．列
124．．．行
126．．．處理器

Claims (32)

  1. 一種用於追蹤一待測記憶體裝置內的故障之方法，該記憶體裝置包含沿著多數個維度被組織為多數個記憶體單元族群的多數個記憶體單元，每一記憶體單元族群可由對應該等多數個維度中的一者之多數個位址分量中的一者定址，該方法包含以下步驟：接收一故障記憶體位址之指示，該故障記憶體位址包含多數個位址分量，該等位址分量對應該故障記憶體位址所定址的多數個被選擇的記憶體單元族群，該等被選擇的記憶體單元族群中的每個沿著一不同的相關維度被組織，以及該等被選擇的記憶體單元族群中的每個與一對應的故障計數相關，該故障計數表示了沿著由不同於該相關記憶體單元族群之維度的一維度所組織的冗餘記憶體單元族群之一數目，該等冗餘記憶體單元族群用以修補該相關記憶體單元族群；判定與該等被選擇的記憶體單元族群相關的該等故障計數中的任何一者是否具有過期狀態，該過期狀態表示了該對應被選擇的記憶體單元族群必須利用沿著該對應記憶體單元族群之維度組織的冗餘記憶體單元族群被修補；以及若與該等被選擇的記憶體單元族群相關的該等故障計數中沒有任何一者具有過期狀態，則調整與該等被選擇的記憶體單元族群相關的該等故障計數，以反映在該故障記憶體位址上檢測出一故障。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，進一步包含以下步驟：將該故障記憶體位址加到一故障列表中，該故障列表包含該記憶體裝置內檢測出的故障記憶體位址之一列表。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中只要該被選擇的記憶體位址不存在該故障列表內，則調整該等故障計數之步驟就被執行。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中：若調整該等故障計數之步驟導致與該被選擇的記憶體單元族群相關的各個故障計數中的任何一者變化到過期狀態，則調整與記憶體單元族群相關的個別故障計數，該等記憶體單元族群的故障計數追蹤可用的冗餘記憶體單元族群，該等冗餘記憶體單元族群沿著與變化到過期狀態相關的該被選擇記憶體單元族群之維度被組織。
  5. 一種電腦可讀儲存媒體，具體地收錄用以實現追蹤一待測記憶體裝置內的故障之方法的程式指令，該記憶體裝置包含沿著多數個維度被組織為多數個記憶體單元族群的多數個記憶體單元，每個記憶體單元族群可由對應該等多數個維度中的一者之多數個位址分量中的一者定址，該方法包含以下步驟：接收一故障記憶體位址之指示，該故障記憶體位址包含多數個位址分量，該等位址分量對應由該故障記憶 體位址所定址的多數個被選擇的記憶體單元族群，該等被選擇的記憶體單元族群中的每個沿著一不同的相關維度被組織，以及該等被選擇的記憶體單元族群中的每個與一對應的故障計數相關，該故障計數表示沿著不同於該相關記憶體單元族群之維度的一維度所組織的冗餘記憶體單元族群之一數目，該等冗餘記憶體單元族群可用以修補該相關記憶體單元族群；判定與該等被選擇的記憶體單元族群相關的該等故障計數中的任何一者是否具有過期狀態，該過期狀態表示該對應被選擇的記憶體單元族群必須利用沿著該對應記憶體單元族群之維度組織的一冗餘記憶體單元族群被修補；以及若與該等被選擇的記憶體單元族群相關的該等故障計數中沒有任何一者具有過期狀態，則調整與該等被選擇的記憶體單元族群相關的該等故障計數，以反映在該故障記憶體位址上檢測出一故障。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之電腦可讀儲存媒體，該方法進一步包含以下步驟：將該故障記憶體位址加到一故障列表中，該故障列表包含該記憶體裝置內檢測出的故障記憶體位址之一列表。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之電腦可讀儲存媒體，其中只要該被選擇的記憶體位址不存在該故障列表內，則調整該等故障計數之步驟就被執行。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之電腦可讀儲存媒體，其中：若調整該等故障計數之步驟導致與該被選擇的記憶體單元族群相關的各個故障計數中的任何一者變化到過期狀態，則調整與記憶體單元族群相關的個別故障計數，該等記憶體單元族群的故障計數追蹤可用的冗餘記憶體單元族群，該等冗餘記憶體單元族群沿著與變化到過期狀態相關的該被選擇記憶體單元族群之維度被組織。
  9. 一種用於測試一記憶體裝置的方法，該記憶體裝置包含沿著多數個維度被組織為多數個記憶體單元族群的多數個記憶體單元，每個記憶體單元族群可由對應該等多數個維度中的一者之多數個位址分量中的一者定址，該方法包含以下步驟：選擇一記憶體裝置位址，以選擇由沿著各個不同維度的該被選擇記憶體位址所定址的該記憶體裝置內的多數個記憶體單元族群，該記憶體裝置位址包含對應該等各個不同維度中的每個之位址分量；在該被選擇的記憶體裝置位址上將一測試向量施加給該記憶體裝置；在該被選擇的記憶體裝置位址上自該記憶體裝置讀取內容；將該測試向量與該等內容相比較；以及若該測試向量與該等內容之間存在一失配，以及若個別故障計數中沒有任何一者具有過期狀態，則在與每 個被選擇的記憶體單元族群相關的各個故障計數中將該失配計數為一故障，該過期狀態表示該對應被選擇的記憶體單元族群必須利用沿著該對應記憶體單元族群之維度組織的一冗餘記憶體單元族群被修補。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，進一步包含以下步驟：若該失配被計數，則將該被選擇記憶體位址加到故障位址之一列表中。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中只要該被選擇的記憶體位址不存在故障位址之該列表內，則計數該失配之步驟被執行。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中將該失配計數為一故障之步驟進一步包含以下步驟：若將該失配計數為一故障之步驟導致與由該被選擇的記憶體位址所選擇的記憶體單元族群相關的各個故障計數中的任何一者達到過期狀態，則更新與沿著一第二維度被組織的記憶體單元族群相關的各個故障計數，以反映出沿著一第一維度被組織的一較少可用的冗餘記憶體單元族群。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中將該失配故障計數為一故障的步驟包含以下步驟：若該等各個故障計數中沒有任何一者是因為已達到先前故障計數出的與和各個故障計數相關的該記憶體單元族群之維度相關的故障之最大數目而過期，則減 少與每個被選擇的記憶體單元族群相關的各個故障計數中的每個，在測試該記憶體裝置之前，該一或多個故障計數中的每個在最初已被預先載入一預定數目，該預定數目與被分配給一維度的冗餘記憶體單元族群之一數目相關，該維度不同於該等記憶體單元族群中對應的一者所屬的維度。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中將該失配故障計數為一故障的步驟進一步包含以下步驟：若減少與該等被選擇的記憶體單元族群中的每個相關的各個故障計數中的每個之步驟導致與該等被選擇的記憶體單元族群相關的各個故障計數中的任何一者達到過期狀態，則更新與不是由該被選擇的記憶體位址所選擇的記憶體單元族群相關的各個故障計數，以反映出與具有該過期狀態的該故障計數之維度相關的一較少可用的冗餘記憶體單元族群。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中將該失配故障計數為一故障的步驟包含以下步驟：若該等各個故障計數中沒有任何一者是因為已達到與和各個故障計數相關的該記憶體單元族群之維度相關的故障之一預定最大數目而過期，則增加與每個被選擇的記憶體單元族群相關的各個故障計數中的每個，在測試該記憶體裝置之前，各個故障計數中的每個在最初已被預先載入一預定值，使得該預定值與該故障計數之該預先載入值之間的一差值等於或大於分配給 冗餘記憶體單元族群的一預定最大值，該等冗餘記憶體單元族群被分配給與該故障計數相關的該記憶體單元族群之特定維度。
  16. 如申請專利範圍第9項所述之方法，將該失配故障計數為一故障的步驟包含以下步驟：將過期狀態與該等被選擇的記憶體單元族群中的每個相關，每個各自的過期狀態表示在相關的被選擇記憶體單元族群內是否已檢測出與各個被選擇的記憶體單元族群相關的故障之一最大數目。
  17. 如申請專利範圍第9項所述之方法，進一步包含以下步驟：利用至少一額外被選擇的不同記憶體裝置位址，重複該選擇步驟至該故障計數步驟。
  18. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該等維度包含對應該記憶體裝置之一列維度的一第一維度，以及對應該記憶體裝置之一行維度的一第二維度，以及該等記憶體單元族群包含該列維度內的多數個列以及該行維度內的多數個行。
  19. 一種電腦可讀儲存媒體，具體地收錄用以實現測試一記憶體裝置的方法之程式指令，該記憶體裝置包含沿著多數個維度被組織為多數個記憶體單元族群的多數個記憶體單元，每個記憶體單元族群可由對應該等維度中的一者之多數個位址分量中的一者定址，該方法包含以下步驟： 選擇一記憶體裝置位址，以選擇由沿著各個不同維度的該被選擇記憶體位址所定址的該記憶體裝置內的多數個記憶體單元族群，該記憶體裝置位址包含對應該等各個不同維度中的每個之位址分量；在該被選擇的記憶體裝置位址上將一測試向量施加給該記憶體裝置；在該被選擇的記憶體裝置位址上自該記憶體裝置讀取內容；將該測試向量與該等內容比較；以及若該測試向量與該等內容之間存在一失配，以及若個別故障計數中沒有任何一者具有過期狀態，則在與每個被選擇的記憶體單元族群相關的各個故障計數中將該失配計數為一故障，該過期狀態表示該對應被選擇的記憶體單元族群必須利用沿著該對應記憶體單元族群之維度組織的一冗餘記憶體單元族群被修補。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之電腦可讀儲存媒體，該方法進一步包含以下步驟：若該失配被計數，則將該被選擇記憶體位址加到故障位址之一列表中。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之電腦可讀儲存媒體，其中只要該被選擇的記憶體位址不存在故障位址之該列表內，則計數該失配之步驟被執行。
  22. 如申請專利範圍第19項所述之電腦可讀儲存媒體，其中將該失配計數為一故障之步驟進一步包含以下步驟： 若將該失配計數為一故障之步驟導致與由該被選擇的記憶體位址所選擇的記憶體單元族群相關的各個故障計數中的任何一者達到過期狀態，則更新與沿著一第二維度被組織的記憶體單元族群相關的各個故障計數，以反映出沿著一第一維度被組織的一較少可用的冗餘記憶體單元族群。
  23. 如申請專利範圍第19項所述之電腦可讀儲存媒體，將該失配故障計數為一故障的步驟包含以下步驟：若該等各個故障計數中沒有任何一者是因為已達到先前故障計數出的與和該故障計數相關的該記憶體單元族群之維度相關的故障之最大數目而過期，則減少與每個被選擇的記憶體單元族群相關的各個故障計數中的每個，在測試該記憶體裝置之前，該一或多個故障計數中的每個在最初已被預先載入一預定數目，該預定數目與被分配給一維度的冗餘記憶體單元族群之一數目相關，該維度不同於該等記憶體單元族群中對應的一者所屬的維度。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之電腦可讀儲存媒體，其中將該失配故障計數為一故障的步驟進一步包含以下步驟：若減少與該等被選擇的記憶體單元族群中的每個相關的各個故障計數中的每個之步驟導致與該等被選擇的記憶體單元族群相關的各個故障計數中的任何一者達到過期狀態，則更新與不是由該被選擇的記憶體位 址所選擇的記憶體單元族群相關的各個故障計數，以反映出與具有該過期狀態的該故障計數之維度相關的一較少可用的冗餘記憶體單元族群。
  25. 如申請專利範圍第19項所述之電腦可讀儲存媒體，其中將該失配故障計數為一故障的步驟包含以下步驟：若該等各個故障計數中沒有任何一者是因為已達到與和各個故障計數相關的該記憶體單元族群之維度相關的故障之一預定最大數目而過期，則增加與每個被選擇的記憶體單元族群相關的各個故障計數中的每個，在測試該記憶體裝置之前，各個故障計數中的每個在最初已被預先載入一預定值，使得該預定值與該故障計數之該預先載入值之間的一差值等於或大於分配給冗餘記憶體單元族群的一預定最大值，該等冗餘記憶體單元族群被分配給與該故障計數相關的該記憶體單元族群之特定維度。
  26. 如申請專利範圍第19項所述之電腦可讀儲存媒體，將該失配故障計數為一故障的步驟包含以下步驟：將過期狀態與該等被選擇的記憶體單元族群中的每個相關，每個各自的過期狀態表示在相關的被選擇記憶體單元族群內是否已檢測出與各個被選擇的記憶體單元族群相關的故障之一最大數目。
  27. 如申請專利範圍第19項所述之電腦可讀儲存媒體，該方法進一步包含以下步驟：利用至少一額外被選擇的不同記憶體裝置位址，重 複該選擇步驟至該故障計數步驟。
  28. 如申請專利範圍第19項所述之電腦可讀儲存媒體，其中該等維度包含對應該記憶體裝置之一列維度的一第一維度，以及對應該記憶體裝置之一行維度的一第二維度，以及該等記憶體單元族群包含該列維度內的多數個列以及該行維度內的多數個行。
  29. 一種用於追蹤一記憶體裝置內的故障之設備，該記憶體裝置包含沿著多數個維度被組織為多數個記憶體單元族群的多數個記憶體單元，每個記憶體單元族群可由對應該等維度中的一者之多數個位址分量中的一者定址，該設備包含：多數個故障計數，每個分別與該記憶體裝置之一個別的記憶體單元族群相關，以及每個具有相關的過期狀態，該過期狀態指示在其各個記憶體單元族群中是否已檢測出一最大數目的故障；一測試向量產生器，產生一測試向量；一位址產生器，產生一被選擇的記憶體裝置位址；一測試函數，在該被選擇的位址上將該測試向量施加給該記憶體裝置，將該被施加的測試向量與內容相比較，以及若該測試向量不符合該等內容，則指示在該被選擇的位址上檢測出一故障；以及一計數管理器，接收在該被選擇的位址上檢測出故障的指示，以及若與由該被選擇的位址所選擇的每個記憶體單元族群相關的各個故障計數之過期狀態表示在 該對應的各個記憶體單元族群內沒有檢測出一最大數目的故障，則調整各個故障計數及與該被選擇的位址所選擇的每個記憶體單元族群相關的對應過期狀態。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之設備，其中該記憶體裝置進一步包含該等維度中的每個之多數個冗餘記憶體單元族群，該等故障計數中的每個預先載入分配給一維度的可用的冗餘記憶體單元族群之一數目，該維度不同於與各個故障計數相關的該記憶體單元族群之維度。
  31. 一種儲存與一記憶體裝置之一錯誤資料影像有關的資訊之標籤影像，該記憶體裝置包含沿著多數個維度被組織為多數個記憶體單元族群的多數個記憶體單元，每個記憶體單元族群可由對應該等維度中的一者之多數個位址分量中的一者定址，該標籤影像包含：多數個故障計數，每個故障計數具有包括一已過期態及一未過期態的一相關的過期狀態，該等故障計數中的每個分別與該記憶體裝置之一個別的記憶體單元族群相關，以及若該過期狀態處於一未過期態中，則該等故障計數中的每個表示在個別的記憶體單元族群中檢測出的故障之一數目，且若該失效狀態處於已過期態中，則該等故障計數中的每個表示在個別的記憶體單元族群中檢測出的故障之一最小數目。
  32. 一種電腦可讀儲存媒體，包含：一標籤影像，儲存與一記憶體裝置之一錯誤資料影像有關的資訊，該記憶體裝置包含沿著多數個維度被組 織為多數個記憶體單元族群的多數個記憶體單元，每個記憶體單元族群可由對應該等維度中的一者之多數個位址分量中的一者定址，該標籤影像包含多數個故障計數，該等故障計數中的每個具有包括一已過期態及一未過期態的一相關的過期狀態，該等計數故障中的每個分別與該記憶體裝置之一個別的記憶體單元族群相關，以及若該過期狀態處於一未過期態中，則該等故障計數中的每個表示在個別的記憶體單元族群中檢測出的故障之一數目，且若該過期狀態處於已過期態中，則該等故障計數中的每個表示在個別的記憶體單元族群中檢測出的故障之一最小數目。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI794967B (zh) * 2021-09-10 2023-03-01 臺灣發展軟體科技股份有限公司 資料處理電路及故障修補方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4782189B2 (ja) 2006-03-03 2011-09-28 シャープ株式会社 光情報記録媒体及び再生装置
US7444566B2 (en) * 2006-03-06 2008-10-28 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Memory device fail summary data reduction for improved redundancy analysis
WO2009028593A1 (ja) 2007-08-30 2009-03-05 Sharp Kabushiki Kaisha 超解像光記録媒体、光記録媒体再生装置、光記録媒体再生装置の制御方法、光記録媒体再生装置制御プログラム、並びにそれを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
WO2011037758A1 (en) * 2009-09-28 2011-03-31 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Characterization and repair of integrated circuits
US9165679B2 (en) 2012-09-18 2015-10-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Post package repairing method, method of preventing multiple activation of spare word lines, and semiconductor memory device including fuse programming circuit
EP2901281B1 (en) * 2012-09-25 2017-11-01 Hewlett-Packard Enterprise Development LP Notification of address range including non-correctable error
US9007856B2 (en) 2012-11-21 2015-04-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Repair control circuit and semiconductor memory device including the same
US9715424B1 (en) * 2013-08-23 2017-07-25 Rambus Inc. Memory device and repair method with column-based error code tracking
KR101521258B1 (ko) * 2013-09-10 2015-05-21 연세대학교 산학협력단 메모리 수리 방법 및 메모리 수리 장치
CN107240421B (zh) * 2017-05-19 2020-09-01 上海华虹宏力半导体制造有限公司 存储器的测试方法及装置、存储介质和测试终端
DE102020134945A1 (de) * 2020-02-27 2021-09-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dynamische fehlerüberwachung und -reparatur
US11495314B2 (en) * 2021-01-08 2022-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Memory repair using optimized redundancy utilization

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10222999A (ja) * 1997-02-03 1998-08-21 Fujitsu Ltd 半導体試験方法及び装置
US7055074B2 (en) * 2001-04-25 2006-05-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Device to inhibit duplicate cache repairs
US6667918B2 (en) * 2002-05-01 2003-12-23 Mellanox Technologies Ltd. Self-repair of embedded memory arrays

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI794967B (zh) * 2021-09-10 2023-03-01 臺灣發展軟體科技股份有限公司 資料處理電路及故障修補方法
US11978526B2 (en) 2021-09-10 2024-05-07 Skymizer Taiwan Inc. Data processing circuit and fault mitigating method

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