JP2009026271A5 - - Google Patents
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Claims (11)
- ホスト装置に接続される記憶制御装置であって、
前記ホスト装置からのデータを格納する不揮発性メモリを複数有する、複数の不揮発性メモリモジュールと、
前記不揮発性メモリモジュールの電源を制御することで前記ホスト装置からのデータの入出力を制御する不揮発性メモリ制御部と、を備え、
前記ホスト装置からのデータの読み書き要求に基づいて、所定のタイミングで指定の不揮発性メモリモジュールに対してデータの読み書きを行う場合に、
前記不揮発性メモリ制御部は、前記指定の不揮発性メモリモジュールの電源のみをオン制御する
ことを特徴とする記憶制御装置。 - 前記記憶制御装置は、複数のハードディスクドライブの記憶領域上に形成され、前記ホスト装置からのデータを格納する複数の論理ボリュームと、
複数の前記不揮発性メモリモジュールから構成される不揮発性メモリパッケージと、をさらに備え、
不揮発性メモリパッケージは、前記複数の不揮発性メモリモジュールと、前記不揮発性メモリ制御部と、を有し、
複数の不揮発性メモリパッケージから構成される不揮発性メモリパッケージ群上で形成されるECCグループと、複数のハードディスクドライブから構成されるハードディスクドライブ群上で形成されるECCグループと、の数を同じ数になるように形成し、
前記ホスト装置からのデータを指定の論理ボリュームに格納し、
前記指定の論理ボリュームに格納されたデータを、前記指定の論理ボリュームが所属するECCグループと対応するECCグループに所属する不揮発性メモリモジュールに移行するときに、前記指定の不揮発性メモリモジュールの電源のみをオンする制御は、ECCグループ単位で行われる
ことを特徴とする請求項1に記載の記憶制御装置。 - 前記不揮発性メモリパッケージは、自不揮発性メモリパッケージを構成する前記複数の不揮発性メモリモジュール及び前記不揮発性メモリ制御部のみを管理する管理テーブルを有し、
前記不揮発性メモリパッケージの前記不揮発性メモリ制御部は、前記管理テーブルを読み込んで前記データの読み書き要求が自不揮発性メモリパッケージの不揮発性メモリモジュールに対して与えられた要求か否かを判断し、
前記データの読み書き要求が自不揮発性メモリパッケージの不揮発性メモリモジュールに対して与えられているときは、前記管理テーブルに基づいて指定の不揮発性メモリモジュールの電源のみをオン制御し、
前記データの読み書き要求が自不揮発性メモリパッケージの不揮発性メモリモジュールに対して与えられていないときは、他の不揮発性メモリパッケージに前記データの読み書き要求を送信する
ことを特徴とする請求項2に記載の記憶制御装置。 - 前記不揮発性メモリ制御部は、前記ホスト装置からのデータを格納するためにオン制御した指定の不揮発性メモリモジュールに対して、データの格納後にオフ制御を行う
ことを特徴とする請求項3に記載の記憶制御装置。 - 前記不揮発性メモリモジュールに対するデータの入出力を制御するディスク制御部を備え、
前記ディスク制御部と前記不揮発性パッケージ群とは相互に接続され、
前記ディスク制御部は、最初の不揮発性メモリパッケージ内で任意に選択した前記不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを所定のタイミングで読み出しできるか否かを判断し、
前記不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出せないときは、次に選択した不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出しできるか否かを判断し、
次に選択した前記不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出せないときは、他の不揮発性メモリパッケージ内で任意に選択した不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出しできるか否かを判断する
ことを特徴とする請求項4に記載の記憶制御装置。 - 前記ディスク制御部は、
次に選択した前記不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出せる場合には、最初の不揮発性メモリパッケージ内で任意に選択した前記不揮発性メモリモジュールを交換し、
他の前記不揮発性メモリパッケージにある任意の不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出せる場合には、
前記最初の不揮発性メモリパッケージを交換し、
他の前記不揮発性メモリパッケージにある任意の不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出せない場合には、
前記不揮発性パッケージ群を交換する
ことを特徴とする請求項5に記載の記憶制御装置。 - ホスト装置に接続される記憶制御装置の制御方法であって、
前記記憶制御装置は、前記ホスト装置からのデータを格納する不揮発性メモリを複数有する、複数の不揮発性メモリモジュールと、
前記不揮発性メモリモジュールの電源を制御することで前記ホスト装置からのデータの入出力を制御する不揮発性メモリ制御部と、を備え、
前記ホスト装置からのデータの読み書き要求に基づいて、所定のタイミングで指定の不揮発性メモリモジュールに対してデータの読み書きを行うときに、前記不揮発性メモリ制御部は、前記指定の不揮発性メモリモジュールの電源のみをオン制御するステップ、を有する
ことを特徴とする記憶制御装置の制御方法。 - 前記記憶制御装置は、複数のハードディスクドライブの記憶領域上に形成され、前記ホスト装置からのデータを格納する複数の論理ボリュームと、
複数の前記不揮発性メモリモジュールから構成される不揮発性メモリパッケージと、をさらに備え、
不揮発性メモリパッケージは、前記複数の不揮発性メモリモジュールと、前記不揮発性メモリ制御部と、を有し、
複数の不揮発性メモリパッケージから構成される不揮発性メモリパッケージ群上で形成されるECCグループと、複数のハードディスクドライブから構成されるハードディスクドライブ群上で形成されるECCグループと、の数を対応するように形成するステップと、
前記ホスト装置からのデータを指定の論理ボリュームに格納するステップと、
前記指定の論理ボリュームに格納されたデータを、前記指定の論理ボリュームが所属するECCグループと対応するECCグループに所属する前記不揮発性メモリモジュールに移行するときに、前記指定の不揮発性メモリモジュールの電源のみをオンする制御は、ECCグループ単位で行われるステップと、を有する
ことを特徴とする請求項7に記載の記憶制御装置の制御方法。 - 前記不揮発性メモリパッケージは、自不揮発性メモリパッケージを構成する前記複数の不揮発性メモリモジュール及び前記不揮発性メモリ制御部のみを管理する管理テーブルを有し、
前記不揮発性メモリパッケージの前記不揮発性メモリ制御部では、前記管理テーブルを読み込んで前記データの読み書き要求が自不揮発性メモリパッケージの不揮発性メモリモジュールに対して与えられた要求か否かを判断するステップと、
前記データの読み書き要求が自不揮発性メモリパッケージの不揮発性メモリモジュールに対して与えられているときには、前記管理テーブルに基づいて指定の不揮発性メモリモジュールの電源のみをオン制御するステップと、
前記データの読み書き要求が自不揮発性メモリパッケージの不揮発性メモリモジュールに対して与えられていないときには、他の不揮発性メモリパッケージに前記データの読み書き要求を送信するステップと、を有する
ことを特徴とする請求項8に記載の記憶制御装置の制御方法。 - 前記不揮発性メモリ制御部は、前記ホスト装置からのデータを格納するためにオン制御した指定の不揮発性メモリモジュールに対して、データの格納後にオフ制御を行うステップを有する
ことを特徴とする請求項9に記載の記憶制御装置の制御方法。 - 前記不揮発性メモリモジュールに対するデータの入出力を制御するディスク制御部を備え、
前記ディスク制御部と前記不揮発性パッケージ群とは相互に接続され、
前記ディスク制御部では、
所定のタイミングで、最初の不揮発性メモリパッケージ内で任意に選択した前記不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出しできるか否かを判断するステップと、
前記不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出せないときには、次に選択した不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出しできるか否かを判断するステップと、
次に選択した前記不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出せないときには、他の不揮発性メモリパッケージ内で任意に選択した不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出しできるか否かを判断するステップと、を有する
ことを特徴とする請求項10に記載の記憶制御装置の制御方法。
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