JPH09212429A - 不揮発性半導体ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 メモリ部１３から読み出されたデータに
誤りが検出されると、これを保存しておくと共にサンプ
ルデータをメモリ部１３の該当位置に書き込み、直ちに
これを読み出す。こうして、メモリが正しく読み書きさ
れない場所、即ち誤りビット位置２７を得る。保存して
いた既格納データ２３の該当する部分のビットを反転さ
せて修復し、誤りの有無を再び検査する。データが修復
できればこれをメモリ部１３の健全な領域に再格納す
る。 【効果】 誤りビット位置を反転し、その部分に着目し
てデータを修復するので、これまで修正不可能であった
誤りも修正ができ、データ誤りの発生による処理の中断
を減少させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フラッシュメモリ
のような半導体メモリを用いた記憶装置であって、誤り
検出／訂正データ等を用いてもその訂正が不可能なエラ
ーが生じたような場合に、これを救済することのできる
不揮発性半導体ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】不揮発性半導体ディスク装置は半導体メ
モリを用いて構成され、上位装置から見て磁気ディスク
装置等と同様の制御が可能な構成をしている。これは機
械的な動作部分が無いため、高速アクセスが可能である
という特徴を持つ。従来、この種の不揮発性半導体ディ
スク装置は、チップ単位あるいはブロック単位に電気的
なデータ消去が可能なフラッシュメモリを用いて構成し
ていた。ところが、このようなフラッシュメモリを用い
た場合には電気的にデータ消去が可能な単位が上位装置
からのアクセスデータ数より大きいため、上位装置から
のライト要求に対し一定の処理が必要となり、性能が著
しく低下するという問題があった。ところが、近年、上
位装置からのアクセス単位で電気的な消去が可能なフラ
ッシュメモリが実用化されるようになり、このようなチ
ップを使用した不揮発性半導体ディスク装置の開発が盛
んに行われている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な従来の不揮発性半導体ディスク装置には次のような解
決すべき課題があった。不揮発性半導体ディスク装置
は、上記のように一般の磁気ディスク装置と同様の取扱
いが可能であって、データ書込みの際には、読出し時デ
ータ誤りが発生した場合にこれを修復することのできる
ような、誤り検出／修正データが同時に格納される。即
ち、不揮発性半導体ディスク装置からデータを読み出し
た場合に、その誤り検出／訂正データを用いてデータの
誤りの有無を検査し、もし誤りがあれば同データを用い
て誤りの修正を行う。特に、不揮発性半導体ディスク装
置は、データの読み書き回数が一定回数を越えると、デ
ータ誤りが増加する性質がある。従って、このような誤
り検査や訂正はデータの信頼性を高めるため重要な処理
となる。また、データに誤りがあれば、再度同一のデー
タを読み出して処理するという方法もある。

【０００４】ところが、エラーを生じたビット数が多い
場合や、そのままでは簡単にデータを修復できない場合
があり、更に、データのエラーチェックができても訂正
まではできないといったケースもある。こうした場合に
は、上位装置に対しデータ異常通知を行った後、処理を
中断するといった方法で対処していた。しかしながら、
上位装置に対する負担の軽減やシステムの信頼性、動作
の安定性等を向上させるために、可能な限り修復可能な
データを修復し、動作を継続できるような装置の開発が
望まれている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は以上の点を解決
するため次の構成を採用する。 〈構成１〉不揮発性半導体により構成されたメモリ部の
単位領域から読み出した既格納データが正常かどうかを
判定するデータ誤り検出部と、上記既格納データが正常
でない場合に、そのメモリ部の単位領域に対して既知の
サンプルデータを書き込んだ後すぐに読み出して、書き
込んだサンプルデータと読み出したサンプルデータとを
比較することによって単位領域中の誤りビット位置を判
定する誤り判定部と、上記既格納データ中の、上記判定
により得た誤りビット位置のデータを、可能な全ての組
み合せで反転させて、該当する組み合せ数の修復データ
を得るデータ修復部と、上記該当する組み合せ数の修復
データの中から、正常なデータを選択して、上記メモリ
部の別の単位領域に再格納する再格納処理部とを備えた
ことを特徴とする不揮発性半導体ディスク装置。

【０００６】〈説明〉不揮発性半導体により構成された
メモリを対象としたのは、この種のメモリは、一定回数
以上の繰り返し使用により記憶誤りが発生し易くなるた
めに、別に用意した予備領域にそのデータを再格納する
ことが要求されるからである。単位領域とは、セクタの
ようなデータを１回でアクセスする単位の領域をいう。
その大きさは任意でよい。読み出した既格納データが正
常かどうかは、そのデータとともに格納された誤り訂正
符号等により判断する。既格納データを読み出した領域
にサンプルデータを書き込みそれを読み出すと、例えば
動作不良領域に書き込んだデータが反転して読み出され
る。これにより、誤りビット位置が判定できる。従っ
て、保持しておいた既格納データのこの部分のビットを
再度反転させると、その修復が可能となる。誤りビット
位置が２箇所以上あると、データの修復位置や修復内容
の組み合せが増える。そこで、全ての組合せについて判
定を行い、再格納処理部は、データが正常な状態に修復
されたもののみを選択してメモリに書き込む。こうして
データを修復し、予備領域へ代替をさせれば、演算処理
はそのまま継続し、その後の記憶誤り発生も防止でき
る。

【０００７】〈構成２〉構成１において、誤り判定部
は、既知のサンプルデータとして、全てのビットが
“０”のデータと全てのビットが“１”のデータとを使
用して、いずれか一方もしくは双方のデータの書き込み
と読み出し内容に相違がある部分を誤りビット位置と判
定することを特徴とする不揮発性半導体ディスク装置。

【０００８】〈説明〉サンプルデータを、全てのビット
が“０”のデータと全てのビットが“１”のデータにし
て判定を行うと、正確な判定ができる。“０”か“１”
のいずれか一方の値しか出力できないといった障害が発
生するからである。

【０００９】〈構成３〉構成１において、メモリに対す
る書き込み用のデータとして、全てのビットが“０”の
データと全てのビットが“１”のデータのいずれかを選
択するライトセレクタと、上記メモリから読み出された
データのいずれかのビットが“０”でないときエラー通
知を出力する“０”比較器と、上記メモリから読み出さ
れたデータのいずれかのビットが“１”でないときエラ
ー通知を出力する“１”比較器と、全てのビットが
“０”のデータを書き込んだ後にメモリからそのデータ
を読み出す場合には、上記“０”比較器の出力を選択
し、全てのビットが“１”のデータを書き込んだ後にメ
モリからそのデータを読み出す場合には、上記“１”比
較器の出力を選択するリードセレクタと、上記“０”比
較器と、“１”比較器の出力から、誤りビット位置を検
出するデータカウンタとを備えたことを特徴とする不揮
発性半導体ディスク装置。

【００１０】〈説明〉メモリへ書き込みをするためのサ
ンプルデータを供給するセレクタとそのサンプルデータ
の内容に応じて読み出しデータを書き込みデータと比較
するセレクタとを設けることにより、ハードウェアを用
いて簡便に高速で既格納データの修復と再格納とが可能
になる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具体
例を用いて説明する。 〈具体例〉図１は、本発明による不揮発性半導体ディス
ク装置の具体例を示す詳細なブロック図である。この半
導体ディスク装置１０は、上位装置２０に対しシステム
バス２１を介して接続されている。上位装置２０は、パ
ーソナルコンピュータ等から構成される。半導体ディス
ク装置１０は、磁気ディスク装置等と同等にして使用さ
れる。この半導体ディスク装置１０は、コントローラ部
１１、マイクロコントローラ部１２及びメモリ部１３か
ら構成される。コントローラ部１１は、上位装置２０と
マイクロコントローラ部１２やメモリ部１３との間のイ
ンタフェース制御を行う部分である。従って、これらの
間はインタフェースバス１８を介して相互に接続されて
いる。マイクロコントローラ部１２は上位装置２０から
のコマンドを解釈し、この半導体ディスク装置１０を一
般の磁気ディスクと同様に動作させるよう制御を行うマ
イクロプロセッサ等から構成される部分である。メモリ
部１３は、フラッシュメモリにより構成され、ここにデ
ータが格納される。この例では、マイクロコントローラ
部１２に、本発明の装置によるデータ修復処理を行うた
めにデータ誤り検出部１４、誤り判定部１５、データ修
復部１６、再格納処理部１７等が設けられる。

【００１２】これらの詳細な動作説明をする前に、まず
本発明の装置の概略構成を説明する。図２には、本発明
の不揮発性半導体ディスク装置概略ブロック図を示す。
本発明の装置は、この図に示すように、上位装置２０に
対しシステムバス２１を介して接続され、内部に設けら
れたコントローラ部１１、マイクロコントローラ部１２
及びメモリ部１３は、インタフェースバス１８を介して
相互に接続されている。本発明では、マイクロコントロ
ーラ部１２に設けられたデータ救済制御部２８が、図１
に示した各ブロックにより構成され、データ修復処理を
行う。

【００１３】図３には、メモリ部の構成説明図を示す。
この図には、データ格納フォーマットを論理的に示して
ある。データ格納フォーマットとは、物理的には区別さ
れていないフィールドをソフト的に区別して使用するフ
ォーマットのことを意味する。メモリ部１３に格納され
るデータは、ヘッダ部３０とデータ部４０により構成さ
れる。ヘッダ部３０は、フラグ部３１、カウント部３
２、ヘッダ部用誤り検出／訂正情報部３３から構成され
る。また、データ部４０は、ユーザデータ部４１と、ユ
ーザデータ部用誤り検出／訂正情報部４２から構成され
る。このヘッダ部３０とデータ部４０とを合わせて１セ
クタ分のデータとされる。即ち、この単位でデータが読
み書きされる。

【００１４】メモリ部１３はこのような多数のセクタに
より構成されているが、そのセクタ群はユーザ領域５０
とスペア領域５１とに分かれている。メモリ部全体が健
全な場合には、ユーザ領域５０のみがアクセスの対象と
なる。一方、一部のユーザ領域が何らかの理由により使
用できない状態になった場合には、その代替のためにス
ペア領域５１が使用される。

【００１５】上記ヘッダ部３０のフラグ部３１は、セク
タの状態を示すコードを格納する部分である。即ち、セ
クタが正常に使用されているか、例えば代替セクタと切
り換えられているかといった情報を示す。カウント部３
２は、このセクタに対して行われたライト回数を格納す
る部分である。半導体ディスクの場合には、この書き込
み回数が一定以上を越えるとデータ誤りが生じ易くな
る。従って、書き込み履歴を管理するためにこのような
領域が設けられている。ヘッダ部用誤り検出／訂正情報
部３３は、ヘッダ部３０の全てのデータに対するデータ
誤りを検出し、必要な場合にその訂正をすることができ
ることができるような情報を格納する部分である。ユー
ザデータ部４１は、上位装置からのライトアクセスに対
してそのライトデータを格納し、リードアクセスに対し
ては上位装置にそのデータを転送するための部分であ
る。ユーザデータ部用誤り検出／訂正情報部４２は、デ
ータ部４０全体のデータに対する誤り検出と訂正を行う
ための情報を格納する部分である。

【００１６】再び、図１に戻って、本発明の装置の具体
的な動作を説明する。この半導体ディスク装置１０は上
位装置２０からのライト／リードアクセスに対し、マイ
クロコントローラ部１２がコントローラ部１１に設けら
れた図示しないメモリ制御部を起動することによって、
１セクタ分のデータをライト／リードする。リードアク
セスの場合には、コントローラ部１１に設けられた図示
しないメモリ制御部がメモリ部１３から読み出したユー
ザデータとユーザデータ部用誤り検出／訂正情報を用い
て、データ誤り検出部１４がリードしたデータが正常か
どうかを判断する。なお、データが正常かどうかの判断
を行う方法には、例えばリードソロモン方式といった各
種の方式が知られている。また、データ誤り検出部１４
はメモリ制御部と一体化されてコントローラ部１１に設
けられていてもよい。

【００１７】通常、ライトアクセスを行う場合には、コ
ントローラ部１１に設けられた図示しないメモリ制御部
が上位装置２０から転送されたユーザデータを元にし
て、そのデータに対する誤り検出／訂正情報を生成す
る。そして、このユーザデータと誤り検出／訂正情報と
をメモリ部１３にライトする。なお、後で説明する誤り
判定部１５の処理を実行するために、コントローラ部１
１は、ライト処理を行う場合にそのデータに対する誤り
検出／訂正情報の生成をせず、かつリード処理の場合に
読み出したデータに対する誤り検出／訂正情報を元にし
たデータの検査や修正等をしない、ライトオール／リー
ドオール制御をすることもできるように構成されてい
る。

【００１８】図４は、本発明の装置の動作フローチャー
ト（その１）を示し、これに続く処理を図５に示した。
これらの図を用いて図１を参照しながら本発明の操作を
順に具体的に説明する。まず、図４ステップＳ１におい
て、図１に示したメモリ部１３からデータのリード処理
を行う。本発明においては、メモリ部１３に格納された
データに異常があった場合の機能を説明するため、リー
ド処理を中心にして説明を進める。このとき、先に説明
したように、読み出されたデータについて、まずその誤
り検出処理が行われる。この具体例では、マイクロコン
トローラ部１２にデータ誤り検出部１４を設け、ここで
データ誤り検出を行う。読み出された既格納データ２３
は、同時に読み出された誤り検出データ２４を用いて誤
りの検出が行われる。そして、データ誤りがあるかどう
かの判断がなされる（図４ステップＳ２）。データに誤
りが無いと判断されると、ステップＳ２からステップＳ
３に移り、一般の正常な処理に進む。

【００１９】一方、データに誤りがあれば、図４のステ
ップＳ２からステップＳ４に進む。そして、マイクロコ
ントローラ部１２において、読み出された既格納データ
２３をそのまま保持しておく。これまでこのデータが書
き込まれていた領域にサンプルデータを書き込むとデー
タが破壊されてしまうからである。次に、図４のステッ
プＳ５に進み、誤り判定部１５がメモリ部１３に対しサ
ンプルデータの書き込みを行う。なお、既格納データ２
３を保持する部分はこの例ではマイクロコントローラ部
１２に設定しているが、コントローラ部１１に設定して
もよい。また、誤りを検出した場合に、直ちに本発明の
処理に移らず、もう一度メモリ部１３からデータを読み
出すリトライ処理を行うようにしてもよい。

【００２０】そして、例えば２回データエラーが検出さ
れた場合には、誤り判定部１５がメモリ部１３にサンプ
ルデータを書き込む。サンプルデータは、例えば全て
“０”のデータあるいは全て“１”のデータとする。即
ち、図４ステップＳ５において、全て“０”のデータを
先に説明したライトオール処理によってメモリ部１３に
書き込む。そして、次のステップＳ６において、直ちに
該当する部分からリードオール処理によってデータを読
み出す。誤り判定部１５は、ここで図１に示すように書
き込みサンプルデータ２５と読み出しサンプルデータ２
６との比較を各ビットについて行う。そして、不一致の
ビットを誤りビットと判定する。

【００２１】この例では、ビットｄ１，ｄ２を誤りビッ
トとする。この誤りビットの位置を誤り判定部１５は一
時記憶しておく（図４ステップＳ７）。次に、ステップ
Ｓ８において、全てが“１”のデータをライトオール処
理によりメモリ部１３に格納する。そして、ステップＳ
９において、リードオール処理によってデータを読み出
す。ステップＳ１０では、再び書き込みサンプルデータ
２５と読み出しサンプルデータ２６とを比較し、誤りビ
ット位置の判定を行う。そして、これを図示しないレジ
スタ等に一時記憶する（図４ステップＳ１０）。

【００２２】上記のように、全て“０”のデータを書き
込んで再び読み出した場合に、メモリの一部に障害があ
れば、その部分のデータが“０”でないことがある。ま
た、全て“１”のデータを書き込んだ場合に、メモリの
一部に障害があれば、その部分のデータは“１”でない
ことがある。メモリの障害の種類によって、“０”を書
き込んだ場合と、“１”を書き込んだ場合のどちらで障
害の有無を検出できるか必ずしも明確でない。そこで、
両方の動作をここで行い、異常なビットを判定する。即
ち、“０”のデータがライトできない、あるいは“１”
のデータがライトできない全ての誤りビット位置２７を
検出してこれをデータ修復部１６に送り込む。データ修
復部１６では、データ誤り検出部１４に保存しておいた
既格納データ２３の該当するビットを反転する（図５ス
テップＳ１１）。

【００２３】例えば、１ビットだけ誤りが生じるとすれ
ば、その部分を反転することによって正しいデータに修
復できる。正しく修復できたかどうかは誤り検出データ
２４を使用して検査する。２ビット誤りがあれば、それ
ぞれのビットを反転したり元へ戻したりして、どのよう
な組み合せの場合にデータが修復されるかを検査する。
即ち、２ビットならば２×２、３ビットならば２×２×
２組の組み合せが存在し、そのいずれかの組み合せが正
しいデータとなる。従って、全ての組み合せを実施し、
その都度誤り検出を行って、正常なデータを得る。この
目的のために、図５ステップＳ１１〜Ｓ１６のループを
実行する。

【００２４】先ず１つの組み合せを実行し、図５ステッ
プＳ１２に移り、メモリ部１３の未使用正常領域へその
データをライトする。続いて、ステップＳ１３におい
て、その領域からデータをリードし、ステップＳ１４に
おいてそのデータが正常かどうかの判断をする。ここ
で、状態が正常と判断されると、ステップＳ１７に移
り、通常の正常処理に進む。一方、ここでエラー有りと
判断された場合には、修正をして書き込んだデータが正
しくなかったと判断される。そこで、ステップＳ１５で
は、データを反転すべきビットの選択方法を変更する。
即ち、例えば２箇所誤りビットが存在し、その両方につ
いてデータを反転した処理を既に行った場合には、いず
れか一方のみについて反転処理を行うという方針をここ
で設定する。

【００２５】そして、ステップＳ１６からステップＳ１
１に戻り、その方針に従って該当する誤り位置のビット
を反転する。こうして、ステップＳ１１からＳ１６の処
理を繰り返すことによって、全ての場合の反転処理の組
み合せを実施する。これにより、いずれかの組み合せで
正常なデータが得られると、ステップＳ１４からステッ
プＳ１７に移り、正常処理へ進む。一方、いずれの組み
合せによっても正しいデータを得ることができない場合
には、例えば全く修復不可能なデータであるといった判
定がなされ、動作を停止し、上位装置にその結果を伝え
るといった異常処理に進む（図５ステップＳ１８）。

【００２６】以上のような方法により、本発明の装置
は、一部のビットに障害が発生しているような場合にお
いても、可能な限りデータを修復してこれを上位装置に
伝えるとともに、メモリ部１３の新たな領域にそのデー
タを格納して動作を続行するため、記憶されたデータの
信頼性が向上し、更に異常処理による中断等が少ない安
定性の高い記憶装置を提供できる。

【００２７】図６には、本発明の不揮発性半導体ディス
ク装置の変形例ブロック図を示す。この変形例では、上
記の装置と同様の動作を行うが、その処理をより高速に
行うためにコントローラ部１１に高速データ救済制御部
２９を設けるようにしている。即ち、これまで説明した
具体例は、マイクロコントローラ部１２が上記図５に示
したような動作フローチャートに従って一定のプログラ
ムを処理して読み出したデータの修復を行うようにし
た。この変形例では、インタフェースを構成するコント
ローラ部１１にゲート回路やレジスタ等から構成された
ハードウェアを設け、高速でデータ修復処理を行うよう
にしている。

【００２８】図７には、高速データ救済制御部ブロック
図（ライト系）の具体例を示す。ここには、ライト制御
部５５とライトセレクタ５６とが設けられている。ライ
ト制御部５５は、図６に示したメモリ部１３に対しデー
タの格納を行うための制御をする部分である。メモリ部
１３から読み出されたデータに誤りを検出すると、ライ
トセレクタ５６は、まず全て“０”（ａｌｌ“０”）の
データを選択してメモリ制御部に供給するよう動作す
る。ライト制御部５５はこのときメモリ部１３に対しそ
のデータ書き込みを制御するよう動作する。また、先に
説明した要領で、全て“１”（ａｌｌ“１”）のデータ
を書き込む処理を行う場合には、ライトセレクタ５６が
このデータを選択して、メモリ制御部へ供給する。

【００２９】図８には、高速データ救済制御部ブロック
図（リード系）を示した。ここには、リードセレクタ５
７、リード制御部５８、“０”比較器５９、“１”比較
器６０、誤りビット位置情報保持バッファ６１及び受信
データ数カウンタ６２が設けられている。リードセレク
タ５７は、メモリ部１３から全て“０”のデータを読み
出す場合には、その出力を“０”比較器５９に出力する
ように選択する。また、全て“１”のデータを読み出す
場合には、“１”比較器６０に出力するよう選択動作を
行う。リード制御部５８はメモリ部１３の読み出しを制
御するための部分である。

【００３０】なお、この例では、全て“０”のデータを
メモリ部１３に書き込みこれを読み出す場合に、１ビッ
トずつシリアルに“０”比較器５９に読み出した結果が
送り込まれる。そして、“０”比較器５９では各ビット
が“０”であるかどうかを判断し、“０”でない場合
に、その結果を誤りビット位置情報保持バッファ６１に
伝える構成になっている。従って、これは入力したデー
タを“０”と比較するためのナンドゲート等により構成
することができる。

【００３１】また、全て“１”のデータをメモリ部１３
に書き込んでこれを読み出す場合には、リードセレクタ
５７から読み出されたデータが“１”比較器６０に１ビ
ットずつシリアルに入力する。“１”比較器６０では読
み出されたデータが“１”かどうかを判断し、“１”で
ない場合に、誤りビット位置情報保持バッファ６１にそ
の結果を伝えるよう動作する。この回路は、例えばアン
ドゲートにより構成することができる。受信データ数カ
ウンタ６２は、リードセレクタ５７が１ビットずつ読み
出したデータを“０”比較器５９あるいは“１”比較器
６０に転送する際に、そのビット数をカウントするため
に設けられている。

【００３２】従って、受信データ数カウンタ６２は、１
セクタ分のデータ数を周期的にカウントするよう動作
し、そのカウント値を誤りビット位置情報保持バッファ
６１に供給する。そして、誤りビット位置情報保持バッ
ファ６１は、“０”比較器５９あるいは“１”比較器６
０からいずれかのビットが不一致という旨の信号を受け
ると、受信データ数カウンタ６２から受け入れたそのと
きのカウント値を保持するよう動作する。これによっ
て、誤りビット位置情報保持バッファ６１に全ての誤り
ビット位置に対応するデータが格納される。これを参照
することによって、その後は読み出された既格納データ
の該当するビット位置のデータを反転する処理等が進め
られる。なお、以上の例では、メモリからのデータ読み
出しやその内容の比較器での比較処理を１ビットずつシ
リアルに処理したが、例えば８ビットや１６ビットパラ
レルでメモリからデータを読み出し、比較処理もパラレ
ルで行えば処理速度は向上する。

【００３３】以上のように構成することによって、この
具体例の装置は、オール０あるいはオール１のデータを
効率よくメモリ部に格納し読み出し、誤りビット位置を
検出して訂正処理を行うといった一連の動作を進めるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による不揮発性半導体ディスク装置ブロ
ック図である。

【図２】本発明の不揮発性半導体ディスク装置概略ブロ
ック図である。

【図３】メモリ部の構成説明図である。

【図４】本発明の装置の動作フローチャート（その１）
である。

【図５】本発明の装置の動作フローチャート（その２）
である。

【図６】本発明の不揮発性半導体ディスク装置変形例ブ
ロック図である。

【図７】高速データ救済制御部ブロック図（ライト系）
である。

【図８】高速データ救済制御部ブロック図（リード系）
である。

【符号の説明】

１０ 不揮発性半導体ディスク装置 １１ コントローラ部 １２ マイクロコントローラ部 １３ メモリ部 １４ データ誤り検出部 １５ 誤り判定部 １６ データ修復部 １７ 再格納処理部 ２０ 上位装置

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 不揮発性半導体により構成されたメモリ
   部の単位領域から読み出した既格納データが正常かどう
   かを判定するデータ誤り検出部と、 前記既格納データが正常でない場合に、そのメモリ部の
   単位領域に対して既知のサンプルデータを書き込んだ後
   すぐに読み出して、書き込んだサンプルデータと読み出
   したサンプルデータとを比較することによって単位領域
   中の誤りビット位置を判定する誤り判定部と、 前記既格納データ中の、前記判定により得た誤りビット
   位置のデータを、可能な全ての組み合せで反転させて、
   該当する組み合せ数の修復データを得るデータ修復部
   と、 前記該当する組み合せ数の修復データの中から、正常な
   データを選択して、前記メモリ部の別の単位領域に再格
   納する再格納処理部とを備えたことを特徴とする不揮発
   性半導体ディスク装置。
2. 【請求項２】 請求項１において、 誤り判定部は、既知のサンプルデータとして、全てのビ
   ットが“０”のデータと全てのビットが“１”のデータ
   とを使用して、いずれか一方もしくは双方のデータの書
   き込みと読み出し内容に相違がある部分を誤りビット位
   置と判定することを特徴とする不揮発性半導体ディスク
   装置。
3. 【請求項３】 請求項１において、 メモリに対する書き込み用のデータとして、全てのビッ
   トが“０”のデータと全てのビットが“１”のデータの
   いずれかを選択するライトセレクタと、 前記メモリから読み出されたデータのいずれかのビット
   が“０”でないときエラー通知を出力する“０”比較器
   と、 前記メモリから読み出されたデータのいずれかのビット
   が“１”でないときエラー通知を出力する“１”比較器
   と、 全てのビットが“０”のデータを書き込んだ後にメモリ
   からそのデータを読み出す場合には、前記“０”比較器
   の出力を選択し、全てのビットが“１”のデータを書き
   込んだ後にメモリからそのデータを読み出す場合には、
   前記“１”比較器の出力を選択するリードセレクタと、 前記“０”比較器と、“１”比較器の出力から、誤りビ
   ット位置を検出するデータカウンタとを備えたことを特
   徴とする不揮発性半導体ディスク装置。