JP2010020891A - フラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 - Google Patents
フラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010020891A JP2010020891A JP2009161161A JP2009161161A JP2010020891A JP 2010020891 A JP2010020891 A JP 2010020891A JP 2009161161 A JP2009161161 A JP 2009161161A JP 2009161161 A JP2009161161 A JP 2009161161A JP 2010020891 A JP2010020891 A JP 2010020891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory cell
- programmed
- data
- program
- state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 238000012795 verification Methods 0.000 claims description 20
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 101100028951 Homo sapiens PDIA2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910016077 MP3P Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100036351 Protein disulfide-isomerase A2 Human genes 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
- G11C16/3459—Circuits or methods to verify correct programming of nonvolatile memory cells
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
【解決手段】メモリセルを含むフラッシュメモリ装置のプログラム方法が提供され、このプログラム方法は、ロードされたデータによって選択されたメモリセルをプログラムする段階と、前記プログラムされたメモリセルの状態を感知して前記感知された状態を一次にラッチする段階と、そして前記選択されたメモリセルが正常的にプログラムされたか否かを判別する前に、前記ロードされたデータと前記ラッチされた状態に基づき前記選択されたメモリセルのうちプログラム禁止されたメモリセルがプログラムされたか否かを判別する段階と、を含む。
【選択図】図7
Description
200 ・・・ 行選択回路
300 ・・・ 読み出し及び書き込み回路
301 ・・・ ページバッファ
302 ・・・ データライン
310 ・・・ ロード部
320、330 ・・・ レジスタ
340 ・・・ ダンプ部
350 ・・・ 放電部
360 ・・・ データ出力部
400 ・・・ 検出回路
500 ・・・ 制御ロジック
2100 ・・・ マイクロプロセッサ
2200 ・・・ ユーザインタフェース
2300 ・・・ モデム
2400 ・・・ メモリ制御器
2500 ・・・ フラッシュメモリ
2600 ・・・ バッテリ
4610 ・・・ エンコーダ及びデコーダ
4620 ・・・ プレゼンテーション構成要素
4630 ・・・ インタフェース
4640 ・・・ メモリ
4650 ・・・ メモリ制御機
Claims (16)
- メモリセルを含むフラッシュメモリ装置のプログラム方法において、
ロードされたデータによって選択されたメモリセルをプログラムする段階と、
前記プログラムされたメモリセルの状態を感知し、前記感知された状態を一次にラッチする段階と、
前記選択されたメモリセルが正常的にプログラムされたか否かを判別する前に、前記ロードされたデータと前記ラッチされた状態に基づき前記選択されたメモリセルのうちプログラム禁止されたメモリセルがプログラムされたか否かを判別する段階と、を含むプログラム方法。 - 前記選択されたメモリセルのうちプログラム禁止されたメモリセルがプログラムされたと判別される時、状態フェイルとしてプログラム動作を終了する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のプログラム方法。
- 前記選択されたメモリセルのうちプログラム禁止されたメモリセルがプログラムされないことに判別される時、
前記感知された状態を2次でラッチする段階と、
前記1次及び2次でラッチされた状態に基づき、前記選択されたメモリセルが正常的にプログラムされたか否かを判別する段階とをさらに含み、
前記1次ラッチされた状態は、プログラムされたメモリセルに対して前記2次ラッチされた状態と相補的なことを特徴とする請求項1に記載のプログラム方法。 - 前記選択されたメモリセルのうちプログラム禁止されたメモリセルがプログラムされたと判別される時、前記選択されたメモリセルが正常的にプログラムされたか否かは判別されない状態で、状態フェイルとしてプログラム動作を終了する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のプログラム方法。
- 行と列で配列されたメモリセルを有するメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイに格納されるデータを臨時格納するように、前記臨時格納されたデータによって前記メモリセルアレイの選択されたメモリセルをプログラムするように構成された読み出し及び書き込み回路と、
前記読み出し及び書き込み回路を制御するように構成された制御ロジックとを含み、
前記読み出し及び書き込み回路は、前記制御ロジックの制御によって、プログラムされたメモリセルの状態を感知するとともに、前記感知された状態を一次にラッチし、かつ、
前記読み出し及び書き込み回路は、前記選択されたメモリセルが正常的にプログラムされたか否かを判別する前に、前記臨時格納されたデータと前記ラッチされた状態に基づき前記選択されたメモリセルのうちプログラム禁止されたメモリセルがプログラムされたか否かを示す第1検証データを出力するフラッシュメモリ装置。 - 前記選択されたメモリセルのうちプログラム禁止されたメモリセルがプログラムされたことを前記第1検証データが示す時、前記制御ロジックは、状態フェイルとしてプログラム動作を終了させることを特徴とする請求項5に記載のフラッシュメモリ装置。
- 前記選択されたメモリセルのうちプログラム禁止されたメモリセルがプログラムされないことを前記判別データが示す時、
前記読み出し及び書き込み回路は、前記感知された状態を2次でラッチするとともに、前記1次及び2次でラッチされた状態に基づき、前記選択されたメモリセルが正常的にプログラムされたか否かを示す第2検証データを出力し、前記1次ラッチされた状態は、プログラムされたメモリセルに対して2次ラッチされた状態と相補的なことを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記第1検証データ及び前記第2検証データは、各プログラムループで生成されることを特徴とする請求項7に記載のフラッシュメモリ装置。
- 前記選択されたメモリセルのうちプログラム禁止されたメモリセルがプログラムされることを前記第1検出データが示す時、前記制御ロジックは、前記選択されたメモリセルが正常的にログラムされたか否かを判別しない状態で、状態フェイルとしてプログラム動作を終了させることを特徴とする請求項5に記載のフラッシュメモリ装置。
- 前記読み出し及び書き込み回路は、前記列に各々対応する複数のページバッファを含むとともに、前記各ページバッファは、前記制御ロジックによって制御され、
プログラムされるデータをロードするように構成された第1レジスタと、
前記制御ロジックによって制御されるとともに、前記ロードされたデータを臨時格納するように構成された第2レジスタと、
前記制御ロジックによって制御されるとともに、対応するビットラインの電圧レベルによって前記第2レジスタに放電経路を提供する放電回路と、
前記第1及び第2レジスタに各々格納されたデータによって信号ラインで前記第1検証 データを出力するデータ出力回路とを含むことを特徴とする請求項5に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記各ページバッファの第2レジスタは、前記対応するビットラインに連結する第1ラッチロードと前記第1ラッチロードに反転連結された第2ラッチロードを含むことを特徴とする請求項10に記載のフラッシュメモリ装置。
- 前記第1ラッチロードは、前記選択されたメモリセルが正常的にプログラムされたか否かを判別する前に、前記放電経路を通じて接地されるとともに、前記第2ラッチロードは、前記選択されたメモリセルが正常的にプログラムされたか否かを判別する時、前記放電経路を通じて接地されることを特徴とする請求項11に記載のフラッシュメモリ装置。
- 前記データ出力回路は、前記第2ラッチロードに連結されたゲートと、接地されたソースと、ドレーンとを有する第1NMOSトランジスタと、
前記第1NMOSトランジスタのドレーンに連結されたソースと、前記ロードされたデータを入力されるように前記第1レジスタに連結されたゲートと、前記信号ラインに連結されたドレーンとを有する第2NMOSトランジスタとを含むことを特徴とする請求項12に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記第2NMOSトランジスタと前記信号ラインの間に連結されるとともに、前記制御ロジックによって制御される第3NMOSトランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載のフラッシュメモリ装置。
- メモリセルを有するフラッシュメモリ装置のプログラム方法であって、
前記プログラム後に前記メモリセルの少なくとも一つの状態を判別する段階と、
正常プログラム状態を判別する前に、前記判別された状態によって、ローディングされるデータを参照して、前記メモリセルの前記少なくとも一つがプログラム禁止されたメモリセルなのか判別する段階とを含むプログラム方法。 - 前記ローディングされたデータのラッチ状態が前記メモリセルの前記少なくとも一つの 感知ロードに基盤したラッチ状態と比較されるとともに、前記メモリセルの前記少なくとも一つがプログラム禁止されたメモリセルなのか判別されることを特徴とする請求項15に記載のプログラム方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080066540A KR101513714B1 (ko) | 2008-07-09 | 2008-07-09 | 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
KR10-2008-0066540 | 2008-07-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010020891A true JP2010020891A (ja) | 2010-01-28 |
JP5431814B2 JP5431814B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=41505025
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009161161A Active JP5431814B2 (ja) | 2008-07-09 | 2009-07-07 | フラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8194463B2 (ja) |
JP (1) | JP5431814B2 (ja) |
KR (1) | KR101513714B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9031455B2 (en) | 2013-01-22 | 2015-05-12 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus having pivotable casing |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101674070B1 (ko) * | 2010-07-07 | 2016-11-22 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 불휘발성 메모리 소자의 프로그램 동작 방법 |
JP5458064B2 (ja) * | 2011-07-14 | 2014-04-02 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
DE102013105356A1 (de) | 2012-05-29 | 2013-12-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Verfahren zum Betreiben von nichtflüchtigen Speichervorrichtungen, die effiziente Fehlererkennung unterstützen |
KR101996004B1 (ko) | 2012-05-29 | 2019-07-03 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 및 그것의 메모리 시스템 |
KR102568203B1 (ko) | 2016-02-23 | 2023-08-21 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 |
JP2018113084A (ja) * | 2017-01-06 | 2018-07-19 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
CN111933201B (zh) * | 2020-08-13 | 2021-03-23 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于对存储器系统进行编程的方法、装置及存储器系统 |
Citations (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0676586A (ja) * | 1991-12-19 | 1994-03-18 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びこれを用いた記憶システム |
JPH0757488A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nippon Steel Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH08235887A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-09-13 | Sgs Thomson Microelectron Sa | 電気的にプログラム可能なメモリ及びメモリへのデータ書き込み方法 |
JPH1027487A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及び誤書き込み防止方法 |
JPH1196777A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2000100178A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2001210085A (ja) * | 2001-02-13 | 2001-08-03 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2001273782A (ja) * | 1991-12-19 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | メモリセルのメモリ状態変更方法、不揮発性半導体メモリ装置およびフラッシュメモリシステム |
JP2001351391A (ja) * | 2001-04-19 | 2001-12-21 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2002025277A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Fujitsu Ltd | 多値データを記録する不揮発性メモリ |
JP2002230984A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-16 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2003022681A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2003249083A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-09-05 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2005025898A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びデータ書き込み方法。 |
JP2005032431A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Samsung Electronics Co Ltd | マルチレベルセルを有するフラッシュメモリ装置とその読み出し方法及びプログラム方法 |
JP2006031873A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2006196153A (ja) * | 2005-01-10 | 2006-07-27 | Samsung Electronics Co Ltd | キャッシュ機能を有するワイアードオアタイプのページバッファとこれを含む不揮発性半導体メモリ装置、およびその駆動方法 |
JP2007018689A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-25 | Samsung Electronics Co Ltd | ページバッファとそれを含む不揮発性メモリ装置 |
JP2007026634A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Nandフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 |
JP2007072810A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Fujitsu Ltd | 冗長置換方法、半導体記憶装置及び情報処理装置 |
JP2007134028A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Samsung Electronics Co Ltd | ページバッファ及びその駆動方法、並びにこれを具備した不揮発性メモリ装置 |
JP2007299438A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2010507181A (ja) * | 2006-10-13 | 2010-03-04 | サンディスク コーポレイション | 不揮発性記憶素子における区分化されたソフトプログラミング |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000004721A (ko) | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | 메모리 장치의 기록 확인 회로 |
KR20010001529A (ko) | 1999-06-05 | 2001-01-05 | 윤종용 | 낸드 플래시 메모리 장치 |
US6661711B2 (en) | 2002-02-06 | 2003-12-09 | Sandisk Corporation | Implementation of an inhibit during soft programming to tighten an erase voltage distribution |
JP4640658B2 (ja) | 2008-02-15 | 2011-03-02 | マイクロン テクノロジー, インク. | マルチレベル抑制スキーム |
KR101422705B1 (ko) * | 2008-04-30 | 2014-07-25 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
-
2008
- 2008-07-09 KR KR1020080066540A patent/KR101513714B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-06-17 US US12/485,983 patent/US8194463B2/en active Active
- 2009-07-07 JP JP2009161161A patent/JP5431814B2/ja active Active
Patent Citations (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0676586A (ja) * | 1991-12-19 | 1994-03-18 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びこれを用いた記憶システム |
JP2001273782A (ja) * | 1991-12-19 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | メモリセルのメモリ状態変更方法、不揮発性半導体メモリ装置およびフラッシュメモリシステム |
JPH0757488A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nippon Steel Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH08235887A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-09-13 | Sgs Thomson Microelectron Sa | 電気的にプログラム可能なメモリ及びメモリへのデータ書き込み方法 |
JPH1027487A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及び誤書き込み防止方法 |
JPH1196777A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2000100178A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2002025277A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Fujitsu Ltd | 多値データを記録する不揮発性メモリ |
JP2002230984A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-16 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2001210085A (ja) * | 2001-02-13 | 2001-08-03 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2001351391A (ja) * | 2001-04-19 | 2001-12-21 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2003022681A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2003249083A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-09-05 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2005025898A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びデータ書き込み方法。 |
JP2005032431A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Samsung Electronics Co Ltd | マルチレベルセルを有するフラッシュメモリ装置とその読み出し方法及びプログラム方法 |
JP2006031873A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2006196153A (ja) * | 2005-01-10 | 2006-07-27 | Samsung Electronics Co Ltd | キャッシュ機能を有するワイアードオアタイプのページバッファとこれを含む不揮発性半導体メモリ装置、およびその駆動方法 |
JP2007018689A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-25 | Samsung Electronics Co Ltd | ページバッファとそれを含む不揮発性メモリ装置 |
JP2007026634A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Nandフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 |
JP2007072810A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Fujitsu Ltd | 冗長置換方法、半導体記憶装置及び情報処理装置 |
JP2007134028A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Samsung Electronics Co Ltd | ページバッファ及びその駆動方法、並びにこれを具備した不揮発性メモリ装置 |
JP2007299438A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2010507181A (ja) * | 2006-10-13 | 2010-03-04 | サンディスク コーポレイション | 不揮発性記憶素子における区分化されたソフトプログラミング |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9031455B2 (en) | 2013-01-22 | 2015-05-12 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus having pivotable casing |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100008149A1 (en) | 2010-01-14 |
KR101513714B1 (ko) | 2015-04-21 |
US8194463B2 (en) | 2012-06-05 |
KR20100006343A (ko) | 2010-01-19 |
JP5431814B2 (ja) | 2014-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5431814B2 (ja) | フラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 | |
JP5916155B2 (ja) | メモリシステムの動作方法並びにそれを含むメモリシステム及びメモリカード | |
US7889592B2 (en) | Non-volatile memory device and a method of programming the same | |
US8705284B2 (en) | Flash memory device and method of programming same | |
US8023335B2 (en) | Flash memory device and systems and reading methods thereof | |
US7738292B2 (en) | Flash memory with multi-bit read | |
JP5825749B2 (ja) | マルチ−ビットフラッシュメモリー装置とそのプログラム方法 | |
US8230303B2 (en) | Memory system and data processing method thereof | |
KR101396641B1 (ko) | 플래시 메모리 장치에 데이터를 저장하는 방법 | |
KR101541812B1 (ko) | 비휘발성 메모리 장치 | |
KR101938659B1 (ko) | 불 휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함한 메모리 시스템 | |
US8335118B2 (en) | Method of operating a flash memory device | |
KR101636248B1 (ko) | 플래시 메모리 장치, 이를 포함하는 플래시 메모리 시스템 및 이의 프로그램 방법 | |
US20090213659A1 (en) | Flash memory device and flash memory system including the same | |
US8218363B2 (en) | Flash memory device and methods programming/reading flash memory device | |
KR101432108B1 (ko) | 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 구동 방법 | |
KR101495795B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 | |
JP2007035163A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及び信号処理システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120619 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130521 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5431814 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |