JP2006196153A - キャッシュ機能を有するワイアードオアタイプのページバッファとこれを含む不揮発性半導体メモリ装置、およびその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】キャッシュ機能をするキャッシュラッチブロックを内蔵する。前記キャッシュラッチブロックによって、プログラム動作の際、一番目のページデータを除いた残りのページデータのデータローディング時間はほとんど必要でないので、全体プログラム所要時間が著しく短縮される。また、一方向に内部出力線を駆動する出力ドライバーを含むので、ワイアードオア方式でプログラム確認読み出しが可能である。よって、プログラム確認読み出しにかかる時間が著しく減少する。
【選択図】図3
Description
BLe、BLo ビットライン
CLD キャッシュラッチデータ
GDI、nGDI 第1および第2グローバル入力線
GDOUT グローバル出力線
IDI、nIDI 第1および第2内部入力線
IDOUT 内部出力線
NLAM メインラッチノード
MLD メインラッチデータ
NCALA キャッシュラッチノード
NCPA 応答伝送ノード
NSEN センシングノード
PBN ページバッファ
VCADR キャッシュ駆動電圧
VODR 出力ドライビング電圧
YCr キャッシュラッチ選択アドレス
YMr キャッシュラッチ選択アドレス
/BLDEC ブロックデコーディング信号
Claims (10)
- 所定のビットラインのデータに対応するデータをプログラムして格納する複数のメモリセルを有する不揮発性半導体メモリ装置のページバッファにおいて、
所定の応答伝送ノードの状態によって論理状態が制御されて前記ビットラインに反映される所定のメインラッチデータをラッチして格納するメインラッチノードを含むメインラッチブロックと、
外部から提供される入力データの論理状態によって制御されるとともに所定のダンピング制御信号に応答して前記応答伝送ノードに反映される所定のキャッシュラッチデータをラッチして格納するキャッシュラッチノードを含むキャッシュラッチブロックと、
前記メインラッチデータに対応して、前記入力データの伝送経路とは電気的に分離される所定の内部出力線を一方向に駆動する出力ドライバーと、
を備え、
前記キャッシュラッチブロックは、以前の前記メインラッチデータが前記メモリセルにプログラムされる間、つぎにプログラムされるデータをロードして格納することができることを特徴とする、不揮発性半導体メモリ装置のページバッファ。 - 前記キャッシュラッチブロックは、
前記キャッシュラッチノードを含み、前記入力データに対応する前記キャッシュラッチデータを前記キャッシュラッチノードに格納するキャッシュラッチ部と、
前記ダンピング制御信号に応答して、前記キャッシュラッチデータによって所定のキャッシュ駆動電圧を前記応答伝送ノードに提供するキャッシュダンピング部と、
を備えることを特徴とする、請求項1に記載の不揮発性半導体メモリ装置のページバッファ。 - 前記キャッシュラッチ部は、
前記キャッシュラッチノードを含むキャッシュラッチ手段と、
前記キャッシュラッチノードに第1論理状態の前記キャッシュラッチデータが格納されるように、所定の第1内部入力線に応答してゲートされる第1キャッシュラッチトランジスタと、
前記キャッシュラッチノードに第2論理状態の前記キャッシュラッチデータが格納されるように、所定の第2内部入力線に応答してゲートされる第2キャッシュラッチトランジスタと、
を備え、
前記第1論理状態と前記第2論理状態は相反する論理状態であり、
前記第1内部入力線と前記第2内部入力線は、前記入力データによって、選択的に活性化されることを特徴とする、請求項2に記載の不揮発性半導体メモリ装置のページバッファ。 - 前記キャッシュダンピング部は、前記キャッシュ駆動電圧と前記応答伝送ノードとの間に直列に形成され、それぞれ前記ダンピング制御信号と前記キャッシュラッチノードに応答してゲートされる第1キャッシュダンピングトランジスタおよび第2キャッシュダンピングトランジスタを備えることを特徴とする、請求項2に記載の不揮発性半導体メモリ装置のページバッファ。
- 前記キャッシュ駆動電圧は接地電圧であり、
前記第1キャッシュダンピングトランジスタおよび前記第2キャッシュダンピングトランジスタはNMOSトランジスタで具現されることを特徴とする、請求項4に記載の不揮発性半導体メモリ装置のページバッファ。 - 前記ページバッファは、前記メインラッチデータに対応するデータを前記ビットラインに提供するバッファ選択部をさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載の不揮発性半導体メモリ装置のページバッファ。
- 所定のビットラインのデータに対応するデータをプログラムして格納する複数のメモリセルを有する不揮発性半導体メモリ装置のページバッファにおいて、
所定のメインラッチデータをラッチして格納し、前記メインラッチデータに対応して前記ビットラインが駆動されるようにするメインラッチブロックと、
所定の入力データに対応するキャッシュラッチデータを格納し、前記メインラッチブロックに前記メインラッチデータが格納されるように制御するために、所定のダンピング制御信号に応答して前記キャッシュラッチデータに対応するデータを前記メインラッチブロックに提供する前記キャッシュラッチブロックと、
前記メインラッチデータに対応して、外部に提供されるデータを伝送するとともに前記入力データの伝送経路とは電気的に分離される内部出力線を一方向に駆動する出力ドライバーと、
を備えることを特徴とする、不揮発性半導体メモリ装置のページバッファ。 - 不揮発性半導体メモリ装置において、
複数のビットラインを含み、対応するビットラインのデータをプログラムして格納する複数のメモリセルを含む前記メモリセルアレイと、
対応する各自のビットラインと送受信されるデータに対応するデータをメインラッチデータとして格納する複数のページバッファと、
前記ページバッファのメインラッチデータのそれぞれに対応して駆動されることができ、前記ページバッファのメインラッチデータのいずれか一つが所定の論理状態であれば、前記ページバッファの残りメインラッチデータの論理状態にかかわらず、所定の出力ドライビング電圧に駆動される前記内部出力線と、
を備え、
前記ページバッファのそれぞれは、
前記メインラッチデータをラッチして格納し、前記メインラッチデータに対応するデータを前記ビットラインに反映するメインラッチブロックと、
所定の入力データに対応するキャッシュラッチデータを格納し、前記メインラッチブロックに前記メインラッチデータが格納されるように制御するために、所定のダンピング制御信号に応答して、前記キャッシュラッチデータに対応するデータを前記メインラッチブロックに提供するキャッシュラッチブロックと、
前記メインラッチデータに対応して、外部に提供されるデータを伝送するとともに前記入力データの伝送経路とは電気的に分離される内部出力線を一方向に駆動する出力ドライバーと、
を備えることを特徴とする、不揮発性半導体メモリ装置。 - 前記キャッシュラッチブロックは、前記キャッシュラッチデータが前記入力データに対応するように制御するために、所定の第1内部入力線および第2内部入力線を受信し、
前記不揮発性半導体メモリ装置は、前記入力データに前記キャッシュラッチデータが前記入力データに対応するように制御するために、前記キャッシュラッチブロックに提供される第1内部入力線および第2内部入力線の論理状態を制御する入力データ制御器をさらに備えることを特徴とする、請求項8に記載のマルチビート不揮発性半導体メモリ装置。 - 対応するビットラインのデータをプログラムして格納する複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、所定のメインラッチデータを格納するページバッファと、前記メインラッチデータに対応して駆動できる内部出力線とを含む不揮発性半導体メモリ装置であって、前記ページバッファは前記メインラッチデータをラッチして格納する前記メインラッチブロックと、所定のキャッシュラッチデータを格納するキャッシュラッチブロックと、前記メインラッチデータに対応して前記内部出力線を一方向に駆動する出力ドライバーとを含むようになった不揮発性半導体メモリ装置のプログラム方法において、
外部から提供される入力データの論理状態に対応して、前記キャッシュラッチブロックに前記キャッシュラッチデータを格納するデータローディング段階と、
前記キャッシュラッチデータに対応する前記メインラッチデータを前記メインラッチブロックに格納するデータダンピング段階と、
前記メインラッチデータを前記ビットラインに反映し、前記ビットラインの電圧レベルを用いて前記メモリセルをプログラムするプログラム実行段階と、
を備え、
つぎにプログラムされる前記キャッシュラッチデータを格納する前記データローディング段階が、以前の前記メインラッチデータを用いる前記プログラム実行段階が進行される間に行われることを特徴とする、不揮発性半導体メモリ装置のプログラム方法。
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