JP4907957B2 - Nandフラッシュメモリ装置及びそれのプログラム方法 - Google Patents
Nandフラッシュメモリ装置及びそれのプログラム方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4907957B2 JP4907957B2 JP2005331824A JP2005331824A JP4907957B2 JP 4907957 B2 JP4907957 B2 JP 4907957B2 JP 2005331824 A JP2005331824 A JP 2005331824A JP 2005331824 A JP2005331824 A JP 2005331824A JP 4907957 B2 JP4907957 B2 JP 4907957B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bit lines
- bit line
- memory device
- flash memory
- nand flash
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 52
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 17
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 17
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 17
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 230000004044 response Effects 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/24—Bit-line control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Description
110、310、510 セルアレイ
120、320、520 Xデコーディング回路
130、330、340、530、540 スイッチ回路
140、335、345、535、545 制御回路
150、350、550、560 ページバッファ
160、360 Yパスゲート
Claims (17)
- 複数個のビットラインに連結されるセルアレイと、
前記複数個のビットラインを通じて前記セルアレイに連結され、前記セルアレイにプログラムされるデータを貯蔵するページバッファと、
前記複数個のビットラインをプリチャージした後、前記ページバッファに貯蔵されたデータに応じて、前記複数個のビットラインのうちの偶数ビットラインまたは奇数ビットラインのいずれか一方を一定の単位で順にディスチャージするビットラインセットアップ回路とを含むことを特徴とするNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記ビットラインセットアップ回路は、
前記複数個のビットラインと前記ページバッファとを電気的に連結するか、遮断するスイッチ回路と、
前記複数個のビットラインが一定の単位で連結されるか、遮断されるように前記スイッチ回路を制御する制御回路とを含むことを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記スイッチ回路は、前記複数個のビットラインに設けられたスイッチで構成されることを特徴とする請求項2に記載のNANDフラッシュメモリ装置。
- 前記スイッチはNMOSトランジスタであることを特徴とする請求項3に記載のNANDフラッシュメモリ装置。
- 前記ページバッファは前記セルアレイの上側と下側に位置する第1及び第2ページバッファを含み、
前記ビットラインセットアップ回路は前記セルアレイと前記第1ページバッファとの間に連結された第1ビットラインをセットアップする第1ビットラインセットアップ回路と、前記セルアレイと前記第2ページバッファとの間に連結された第2ビットラインをセットアップする第2ビットラインセットアップ回路とを含むことを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記第1及び第2ビットラインは順にセットアップされることを特徴とする請求項5に記載のNANDフラッシュメモリ装置。
- セルアレイと、
前記セルアレイに連結された第1ビットラインと、
前記セルアレイに連結され、前記第1ビットラインと交互に配列された第2ビットラインと、
前記第1ビットライン及び前記第2ビットラインの結合ノードに連結された第3ビットラインと、
前記第3ビットラインに連結され、前記セルアレイにプログラムされるデータを貯蔵するページバッファと、
前記第1ビットライン及び第2ビットラインをプリチャージした後、前記ページバッファに貯蔵されたデータに応じて、前記第1ビットラインまたは前記第2ビットラインのいずれか一方を一定の単位で順にディスチャージするビットラインセットアップ回路とを含むことを特徴とするNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記ビットラインセットアップ回路は、
前記第1乃至第3ビットラインと前記ページバッファとを電気的に連結するか、遮断するスイッチ回路と、
前記第1乃至第3ビットラインが一定の単位で連結されるか、遮断されるように前記スイッチ回路を制御する制御回路とを含むことを特徴とする請求項7に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記スイッチ回路は、前記第1乃至第3ビットラインの各々に設けられたスイッチで構成されることを特徴とする請求項8に記載のNANDフラッシュメモリ装置。
- 前記第1及び第2ビットラインに設けられたスイッチは、NMOSトランジスタであることを特徴とする請求項9に記載のNANDフラッシュメモリ装置。
- 前記制御回路は、ビットラインセットアップ時、前記第1ビットラインまたは前記第2ビットラインが一定の単位で順に連結されるように前記NMOSトランジスタを制御することを特徴とする請求項10に記載のNANDフラッシュメモリ装置。
- 前記第3ビットラインに設けられたスイッチは、NMOSトランジスタであることを特徴とする請求項9に記載のNANDフラッシュメモリ装置。
- 前記制御回路は、ビットラインセットアップ時、前記第3ビットラインが一定の単位で順に連結されるように前記NMOSトランジスタを制御することを特徴とする請求項12に記載のNANDフラッシュメモリ装置。
- 前記スイッチはNMOSトランジスタであることを特徴とする請求項9に記載のNANDフラッシュメモリ装置。
- NANDフラッシュメモリ装置のプログラム方法において、
a)セルアレイにプログラムされるデータをページバッファに貯蔵する段階と、
b)前記ページバッファに貯蔵されたデータに応じて、複数個のビットラインを一定の単位で順にセットアップする段階と、
c)複数個のビットラインを全部セットアップした後に、選択されたワードラインにプログラム電圧を印加する段階とを含み、
前記b)段階は、
b1)前記複数個のビットラインをプリチャージする段階と、
b2)前記ページバッファに貯蔵されたデータに応じて、前記複数個のビットラインのうちの偶数ビットラインまたは奇数ビットラインのいずれか一方を一定の単位で順にディスチャージする段階とを含むことを特徴とするプログラム方法。 - 前記b2)段階で、前記ページバッファに貯蔵されたデータが‘0’である場合に、対応するビットラインはディスチャージされることを特徴とする請求項15に記載のプログラム方法。
- 前記b2)段階で、前記ページバッファに貯蔵されたデータが‘1’である場合に、対応するビットラインはプリチャージ状態を維持することを特徴とする請求項15に記載のプログラム方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2004-0117618 | 2004-12-31 | ||
KR1020040117618A KR100729351B1 (ko) | 2004-12-31 | 2004-12-31 | 낸드 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006190444A JP2006190444A (ja) | 2006-07-20 |
JP4907957B2 true JP4907957B2 (ja) | 2012-04-04 |
Family
ID=36599607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005331824A Active JP4907957B2 (ja) | 2004-12-31 | 2005-11-16 | Nandフラッシュメモリ装置及びそれのプログラム方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7443728B2 (ja) |
JP (1) | JP4907957B2 (ja) |
KR (1) | KR100729351B1 (ja) |
CN (1) | CN1832024B (ja) |
DE (1) | DE102005063049B4 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100694967B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2007-03-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 프로그램 동작시 에러 발생 비율을 감소시키는 플래시메모리 장치 및 그 프로그램 동작 제어 방법 |
JP4564476B2 (ja) * | 2006-09-04 | 2010-10-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
KR101227368B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2013-01-29 | 삼성전자주식회사 | 낸드 플래시 메모리 소자의 프로그래밍 방법 및 데이터읽기 방법. |
JP5214393B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2013-06-19 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US9123397B2 (en) * | 2013-08-19 | 2015-09-01 | Infineon Technologies Ag | Circuit arrangement and method for operating a circuit arrangement |
US10037801B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-07-31 | Hefei Reliance Memory Limited | 2T-1R architecture for resistive RAM |
US9887009B2 (en) * | 2014-10-14 | 2018-02-06 | Macronix International Co., Ltd. | Memory page buffer with simultaneous multiple bit programming capability |
JP5992983B2 (ja) * | 2014-12-03 | 2016-09-14 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR20180057431A (ko) | 2016-11-22 | 2018-05-30 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 |
KR102400098B1 (ko) * | 2017-01-25 | 2022-05-23 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 상기 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 |
KR20210020697A (ko) | 2019-08-16 | 2021-02-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
TWI701669B (zh) * | 2019-09-19 | 2020-08-11 | 旺宏電子股份有限公司 | 及式快閃記憶體 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3594626B2 (ja) * | 1993-03-04 | 2004-12-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性メモリ装置 |
US5537350A (en) * | 1993-09-10 | 1996-07-16 | Intel Corporation | Method and apparatus for sequential programming of the bits in a word of a flash EEPROM memory array |
KR0140179B1 (ko) * | 1994-12-19 | 1998-07-15 | 김광호 | 불휘발성 반도체 메모리 |
KR100206696B1 (ko) * | 1995-12-21 | 1999-07-01 | 김광호 | 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법 |
KR100255955B1 (ko) * | 1997-07-29 | 2000-05-01 | 윤종용 | 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
US5969986A (en) * | 1998-06-23 | 1999-10-19 | Invox Technology | High-bandwidth read and write architectures for non-volatile memories |
JP3920550B2 (ja) * | 1999-09-27 | 2007-05-30 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US6160750A (en) * | 2000-02-04 | 2000-12-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Noise reduction during simultaneous operation of a flash memory device |
KR100343285B1 (ko) * | 2000-02-11 | 2002-07-15 | 윤종용 | 프로그램 시간을 단축시킬 수 있는 플래시 메모리 장치의프로그램 방법 |
US6480419B2 (en) * | 2001-02-22 | 2002-11-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bit line setup and discharge circuit for programming non-volatile memory |
JP4530562B2 (ja) | 2001-03-27 | 2010-08-25 | ローム株式会社 | 不揮発性メモリ |
US6522580B2 (en) * | 2001-06-27 | 2003-02-18 | Sandisk Corporation | Operating techniques for reducing effects of coupling between storage elements of a non-volatile memory operated in multiple data states |
JP4004809B2 (ja) * | 2001-10-24 | 2007-11-07 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその動作方法 |
JP3987715B2 (ja) * | 2001-12-06 | 2007-10-10 | 富士通株式会社 | 不揮発性半導体メモリおよび不揮発性半導体メモリのプログラム電圧制御方法 |
KR100471167B1 (ko) | 2002-05-13 | 2005-03-08 | 삼성전자주식회사 | 프로그램된 메모리 셀들을 검증하기 위한 페이지 버퍼를구비한 반도체 메모리 장치 |
JP4086584B2 (ja) * | 2002-08-08 | 2008-05-14 | 富士通株式会社 | 試験工程を簡略化できるメモリカード及びメモリカードの試験方法 |
KR100539964B1 (ko) * | 2003-06-27 | 2005-12-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자의 프리차지 장치 및 이를 이용한 프리차지 방법 |
JP2006107546A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその動作方法 |
-
2004
- 2004-12-31 KR KR1020040117618A patent/KR100729351B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-10-04 US US11/242,013 patent/US7443728B2/en active Active
- 2005-11-16 JP JP2005331824A patent/JP4907957B2/ja active Active
- 2005-12-28 CN CN2005101357159A patent/CN1832024B/zh active Active
- 2005-12-29 DE DE102005063049A patent/DE102005063049B4/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102005063049A1 (de) | 2006-07-13 |
KR20060079427A (ko) | 2006-07-06 |
US7443728B2 (en) | 2008-10-28 |
US20060146609A1 (en) | 2006-07-06 |
CN1832024B (zh) | 2012-03-21 |
DE102005063049B4 (de) | 2009-05-07 |
KR100729351B1 (ko) | 2007-06-15 |
JP2006190444A (ja) | 2006-07-20 |
CN1832024A (zh) | 2006-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4907957B2 (ja) | Nandフラッシュメモリ装置及びそれのプログラム方法 | |
JP4169965B2 (ja) | プログラミング用のビットラインセットアップ及びディスチャージ回路を有する不揮発性メモリ装置及びそのプログラミング方法 | |
US7353326B2 (en) | Flash memory device supporting cache read operation | |
JP4836487B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US7336543B2 (en) | Non-volatile memory device with page buffer having dual registers and methods using the same | |
JP5106779B2 (ja) | 不揮発性半導体メモリ装置のプログラム駆動方法 | |
US8923055B2 (en) | Semiconductor device and method of operating the same | |
JP5020588B2 (ja) | ページバッファ及びその駆動方法、並びにこれを具備した不揮発性メモリ装置 | |
JP2006031906A (ja) | 不揮発性メモリ装置のページバッファ及びこれを用いたプログラム方法と読み出し方法 | |
KR20090125142A (ko) | 페이지 삭제 기능내의 어드레스 천이 검출을 갖춘 디코딩 제어 | |
JP2004014043A (ja) | 不揮発性半導体メモリ | |
US11029861B2 (en) | Sense flags in a memory device | |
KR20130046521A (ko) | 전압 선택 회로 및 이를 구비한 집적회로 | |
US7193911B2 (en) | Page buffer for preventing program fail in check board program of non-volatile memory device | |
KR20100088914A (ko) | 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법 | |
KR100733952B1 (ko) | 플래그 셀들 사이의 커플링을 최소화시킬 수 있는멀티-비트 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 | |
JP2006146989A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US7515476B2 (en) | Non-volatile memory device and data read method and program verify method of non-volatile memory device | |
JP2009163857A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR101131559B1 (ko) | 비휘발성 메모리 장치 | |
KR20080039107A (ko) | 페이지 버퍼를 구비한 낸드 플래시 메모리 소자 및 그의데이터 독출방법 | |
KR20070021370A (ko) | 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법 | |
JP2005190582A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR20010092073A (ko) | 낸드형 플래시 메모리 장치의 검증 읽기 방법 | |
KR100539445B1 (ko) | 플래시 메모리 장치 및 그 구동 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110406 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110810 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111213 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120112 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4907957 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |