JP4836487B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
H.Kurata et al.,Symp.VLSI Circuits Dig.Tech.Papers,2004,pp.72-73
図1は、この発明の実施の形態1によるAG−AND型フラッシュメモリの要部を示す図である。図1において、AG−ANDフラッシュメモリでは、半導体基板の表面にメモリセルトランジスタMCのフローティングゲートFGとアシストゲートトランジスタAGTのアシストゲートAGとがワード線WLの延在する方向に交互に配置されている。フローティングゲートFGは、メモリセルトランジスタMCのしきい値電圧VTHCを決める電荷を蓄える。ワード線WLは、メモリセルトランジスタMCのコントロールゲートCGを兼ねている。
実施の形態1の読出動作ではデータをメモリアレイMAから読出すのに前後半に分けてシリアル動作させていた。この方式では、グローバルビット線GBL間のカップリングノイズ問題は回避されるものの、読出スループットが半分になるという問題がある。
数式(1)を変形すると、次式(2)が導かれる。
図11の例では、Cmbl=0.2pF、Cgbl=0.5pF、Vgbl=0.6Vであるから、VRW>VTHCの場合は、Vmbl=0.5Vとなり、Vread=(0.2pF*0.5V+0.5pF*0.6V)/(0.2pF+0.5pF)=0.57Vとなる。また、VRW<VTHCの場合は、Vmbl=1.3Vとなり、Vread=(0.2pF*1.3V+0.5pF*0.6V)/(0.2pF+0.5pF)=0.8Vとなる。ここで、センスラッチSLの論理しきい値電圧VTHLが0.65Vであるから、VRW>VTHCの場合はVTHL>Vreadとなり、逆にVRW<VTHCの場合はVTHL<Vreadとなる。つまり、センスラッチSLにて、両者を識別できることになる。
=2*0.8pF*(1.2V−0.65V)/Icell
=0.88pC/Icell …(3)
一方、本実施の形態2での読出時間Tread2は、メインビット線MBLとグローバルビット線GBLの間の電荷転送時間をTchsとすると、次式(4)で表される。
=0.2pF*(1.3V−0.5V)/Icell+2*Tchs
=0.16pC/Icell+2*Tchs …(4)
メインビット線MBLとグローバルビット線GBLはメタル配線で抵抗値はそれほど高くなく、電荷転送は高々100nsオーダで終了する。Icellを0.1μAオーダとするとTread2の最終式の第1項に比べて第2項は無視しても構わない程度である。よって、Tread2は、次式(5)で表される。
数式(3)と(5)を比較すると、実施の形態2の読出方式のほうが圧倒的に高速であることが明白である(5倍以上の高速化)。また、読出動作時の消費電力を考えると、従来はグローバルビット線GBLを振幅させるため消費電力が大きいが、本実施の形態2ではメインビット線MBLを同程度振幅させるだけなので大幅に消費電力を低減させることが可能である。
実施の形態1および実施の形態2で示した階層ビット線構成をさらに発展させると、各メモリアレイMAを擬似的な複数の独立したバンクとして使用することが可能である。
実施の形態1〜3で示した階層ビット線構成は、従来構成よりも高速かつ低消費電力動作が容易に実現できるというメリットがある。その一方で、新たなビット線階層であるメインビット線MBLを追加したためにビット線に必要な配線層が1層増えることになる。新たなプロセスステップの追加が必要になることも考えられ、チップコストの上昇につながる可能性もある。そこで、この実施の形態4では、新たな配線層の追加なしに同様のメリットを享受できる構成について説明する。
従来例および実施の形態1〜3のグローバルビット線GBLおよび実施の形態4の分割グローバルビット線DGBLは読出時にシングルエンドのデータバスとして機能している。そして、データバスとなるグローバルビット線GBL間もしくは分割グローバルビット線DGBL間のカップリングノイズを抑制するため、間にシールドとなる0V固定のグローバルビット線GBLもしくは分割グローバルビット線DGBLが走っている。つまり、1ページ分のデータをセンスラッチSLに読出すのにデータのビット数の2倍の数の配線を使用していることになる。また、図23に示すセンスラッチ単位回路SLUを参照すると、データバスの電圧はトランジスタ29のゲートに入っている。つまり、データバスの電圧はトランジスタ29のしきい値電圧程度まで振幅させねばならず、比較的大振幅の読出電圧になってしまう。これは読出時間の観点から不利である。
Claims (3)
- メモリアレイ部を備え、
前記メモリアレイ部は複数のサブブロックから構成され、
各サブブロックは、複数のワード線と、ワード線と交差する方向に延びる複数のローカルビット線と、ワード線とローカルビット線の各交点に対応して配置され、しきい値電圧の変化によって情報を記憶するメモリセルから構成され、
前記メモリアレイ部は、さらに、前記複数のサブブロックに共通して設けられる複数のグローバルビット線を有し、
各グローバルビット線は、それぞれ前記複数のサブブロックに対応する複数の分割グローバルビット線を含み、
各分割グローバルビット線は、その延在方向に隣接する分割グローバルビット線と選択的に接続可能であるとともに、対応するサブブロック内の1つのローカルビット線と選択的に接続可能であり、
さらに、各分割グローバルビット線の電圧を独立に制御する電圧制御回路を備え、
前記メモリアレイ部は、各々が2以上のサブブロックから構成される複数のバンクに分割され、
これら複数のバンクはサブブロック単位で分割された分割グローバルビット線から構成される複数のグローバルビット線を共有し、
前記複数のバンクのうちの任意のバンクを順次選択し、各バンク内の選択されたサブブロック内の一部の分割グローバルビット線がその延在方向の非選択サブブロック内の分割グローバルビット線と選択的に接続され、かつ選択されたサブブロック内の残りの分割グローバルビット線にはバンク選択に同期して前記電圧制御回路において所定の電圧が順次供給される、不揮発性半導体記憶装置。 - 書込時、選択された各バンク内の選択されたサブブロック内の一部の分割グローバルビット線は所定期間その延在方向の非選択サブブロック内の分割グローバルビット線と選択的に接続されるとともに書込情報が供給され、
前記一部の分割グローバルビット線を含むグローバルビット線には前記書込情報を供給する回路が接続され、
前記回路に選択されたバンク毎の書込情報を供給するためのデータ保持回路が設けられた、請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 読出時、グローバルビット線に接続される読出回路に近いバンクから順次選択され、
選択されたバンク内の対応するメモリセルからの読出データが読出回路に送られ、
さらに選択されたバンク内の分割グローバルビット線は前記読出回路から遠い側の非選択サブブロック内に対応する分割グローバルビット線とは切り離される、請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
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