JP2008090998A - フラッシュメモリ素子及びその読出し方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】フラッシュメモリ素子において、各ページバッファの感知ノードのローディング時間を同一にし、感知ノード配線の間のカップリングキャパシタンスを排除して、正確なデータ読出し動作を行わせることができるようにする。
【解決手段】フラッシュメモリ素子のページバッファにおいて、ビットライン選択部と感知ノード配線の間に伝送部を配置してその間を離すことにより、多数のページバッファの各感知ノードの配線の長さを同一に構成しつつ、各感知ノードの配線の位置を互いに隣接しないようにずらして配置する。
【選択図】図5
【解決手段】フラッシュメモリ素子のページバッファにおいて、ビットライン選択部と感知ノード配線の間に伝送部を配置してその間を離すことにより、多数のページバッファの各感知ノードの配線の長さを同一に構成しつつ、各感知ノードの配線の位置を互いに隣接しないようにずらして配置する。
【選択図】図5
Description
この発明は、フラッシュメモリ素子及びその読出し方法に関するものであり、特にページバッファの感知ノード配線間の干渉現象に影響を受けないフラッシュメモリ素子及びその読出し方法に関するものである。
近年、電気的にプログラム(program)と消去(erase)が可能であって、一定周期でデータ(data)を再作成するリフレッシュ(refresh)動作が不要な半導体メモリ素子の需要が増加してきている。そして、多くのデータを格納することができる大容量のメモリ素子(memory device)の開発のために、メモリ素子の高集積化技術に関する研究が活発に進行している。ここに、プログラムとは、データをメモリセルに書き込む(write)動作をいい、消去とは、メモリセルに書き込まれたデータを消去する動作をいう。
メモリ素子の高集積化のために、複数のメモリセルが直列に接続(すなわち、隣接したセル同士がドレインまたはソースを互いに共有する構造)され、一つのストリング(string)を構成するNAND型フラッシュメモリ素子(NAND-type flash memory device)が開発された。NAND型フラッシュメモリ素子は、NOR型フラッシュメモリ素子(NOR-type flash memory device)とは異なり、順次情報を読み出す(read)メモリ素子である。このようなNAND型フラッシュメモリ素子のプログラム及び消去は、F−Nトンネリング(F-N tunneling)現象を用いてフローティングゲート(floating gate)に電子を注入したりフローティングゲートから電子を放出させたりしながら、メモリセルのしきい値電圧(threshold voltage)を制御することによりなされる。
NAND型フラッシュメモリ素子では、短時間内に大容量の情報を格納するためにページバッファ(page buffer)が使われる。
図1は、従来技術によるフラッシュメモリ素子のページバッファを説明するためのメモリ素子の回路図である。
図1を参照すると、フラッシュメモリ素子のページバッファ(例えば、PB[0])は、偶数ビットラインBLe[0]と奇数ビットラインBLo[0]を選択的に感知ノードSO[0]と連結させるビットライン選択部10、選択されたビットラインBLe[0]またはBLo[0]のデータを感知ノードSO[0]を介してセンシングする感知部20を含む。上述した構成のページバッファは、多数のビットライン対BLe、BLoの各対にそれぞれ一つずつ連結されている。ビットライン選択部10は、消去動作時にビットラインBLe[0]またはBLo[0]に印加される高電圧に耐えるためにメモリ素子の高電圧領域に高電圧トランジスタで製作され、同じウェルを共有する。
図2は、図1のように構成されたフラッシュメモリ素子のページバッファの読出し動作を説明するための各信号の動作タイミング波形図である。
ページバッファのうち、PB[0]を挙げて動作説明をすれば、次のとおりである。
感知部20のNMOSトランジスタN8に初期化信号RESETが印加され、ノードQAがロー(L)レベルに初期化される。また、ビットライン選択部10のNMOSトランジスタN1、N2にハイ(H)レベルのディスチャージ信号DISCHe、DISCHoが印加される。したがって、NMOSトランジスタN1及びN2がターンオンされ、バイアス電圧VIRPWRがビットラインBLe[0]及びBLo[0]に印加される。このとき、バイアス電圧VIRPWRは0Vであるため、ビットラインBLe[0]及びBLo[0]は、0Vにディスチャージされる。
感知部20のPMOSトランジスタP1にローレベルのプリチャージ信号PRECHbが印加されて、PMOSトランジスタP1がターンオンされ、感知ノードSO[0]は、ハイレベルにプリチャージされる。例えば、偶数ンビットラインBLe[0]が選択された場合、ディスチャージ信号DISCHeがローレベルに遷移してビットライン選択部10のNMOSトランジスタN1がターンオフされる。ビットライン選択部10のNMOSトランジスタN3にV1レベルのビットライン選択信号BSLeが一定時間印加される。したがって、偶数ビットラインBLe[0]は、V1電圧からしきい値電圧Vtを差し引いた電位V1−Vtを有するようになる。このとき、奇数ビットラインBLo[0]は、0Vを維持する。
次いで、プリチャージ信号PRECHbがハイレベルに遷移して、PMOSトランジスタP1がターンオフされる。その後、ビットライン選択部10のNMOSトランジスタN3にV2レベルのビットライン選択信号BSLeが印加される。このとき、ビットラインBLe[0]の電位がV2−Vt以上である場合、NMOSトランジスタN3は、ターンオフ状態を維持することになり、感知ノード(SO[0])はハイレベルを維持する。反対に、ビットラインBLe[0]の電位がV2−Vt以下である場合、NMOSトランジスタN3はターンオンされ、感知ノードSO[0]とビットラインBLe[0]の間でチャージ・シェアリング(charge sharing)がなされる。その後、ハイレベルの読出し信号READが感知部20のNMOSトランジスタN7に印加され、感知ノードSO[0]の電位によりNMOSトランジスタN6が駆動される。したがって、感知ノードSO[0]の電位によりラッチ回路IV2、IV3にデータが格納される。
上述した従来技術によるページバッファのそれぞれは、その配置構造によって感知ノードSOの配線の長さが互いに異なる。これは、一つのページバッファが二つのビットライン(偶数ビットライン及び奇数ビットライン)に連結されているのに対して、二つのビットラインのピッチ間隔の間に一つのページバッファを配置させ難いためである。そのため、多数のページバッファの感知ノード配線の長さが互いに異なるようになり、その結果、ローディング時間とキャパシタンスが互いに異なるようになる。
図3は、感知ノードの配線の長さの違いによる感知ノードの電位のチャージ・シェアリングの違いを説明するためのグラフである。
図3を参照すると、感知ノードSOの配線の長さによりキャパシタンスの値が互いに異なり、電位レベルの下降時間が互いに異なる様子が示されている。したがって、同一の時間に一定レベルまで電位が立ち下がるためには、感知ノード配線のキャパシタンスが大きい場合には、小さい場合よりさらに低いビットライン電圧が要求される。そのため、感知ノードの配線のキャパシタンスの違いによりページバッファが感知するセル電流がそれぞれ異なることになる。
図4は、従来技術によるページバッファのセル読出しマージンを説明するためのグラフである。
ページバッファが感知するセル電流は、感知ノードの配線の配置によって異なる。したがって、感知ノードのローディングが最も小さいページバッファが感知するセル電流は、ビットラインに流れる漏洩電流より大きくなければならない。このような差は「0」セル読出しマージンとなる。反対に、感知ノードのローディングが最も大きいページバッファが感知するセル電流は、セルが流し得る電流のうち、最も小さい値(worst on-cell current)より小さくなければならない。このような差は「1」セル読出しマージンとなる。ページバッファの配線構成の違いによる感知電流の差は、このようなセル読出しマージンの幅の減少を意味する。
また、図1のように隣接したページバッファPB[0]、PB[1]の場合、隣接した感知ノードSO[0]、SO[1]間の間隔が狭くなると、それにより、カップリングキャパシタンスCsoの値が大きくなる。これは、感知ノードの電位の低下(drop)現象を発生させることになり、それは、読出し動作時にメモリセルのデータが「0」の場合に、ページバッファのエラーにより「1」データとしてセンシングするという誤動作を発生させる原因となる。
この発明が解決しようとする技術的課題は、フラッシュメモリ素子のページバッファにおいて、ビットラインと感知ノードとの間に伝送部を配置してその間を離すことにより、多数のページバッファの各感知ノードの配線の長さを実質的に同一に構成しつつ、各感知ノードの配線の位置を互いに隣接しないようにずらして配置して、各ページバッファの感知ノードのローディング時間を実質的に同一にし、感知ノード配線の間のカップリングキャパシタンスを排除して、正確なデータ読出し動作を行わせることができるように工夫したフラッシュメモリ素子及びその読出し方法を提供することにある。
この発明によるフラッシュメモリ素子は、多数のメモリセルがマトリクス状に配列され多数のビットライン対で連結されてなるメモリセルアレイと、上記多数のビットライン対のそれぞれに連結され、上記多数のメモリセルのうち選択されたメモリセルのデータを読み出す多数のページバッファとを備えてなり、上記多数のページバッファのそれぞれは、各上記ビットライン対のうちの一方のビットラインを選択して当該選択されたビットラインに接続されたメモリセルのデータを共通ノードに出力するビットライン選択部と、上記共通ノードに出力されたデータの感知ノードへの伝送を制御する伝送部と、上記感知ノードに伝送されたデータを格納する感知部とを含んでなり、上記ビットライン選択部は、メモリ素子の高電圧トランジスタ領域に配置され、上記伝送部及び上記感知部は、メモリ素子の低電圧トランジスタ領域に配置されている。
前記多数のページバッファのそれぞれにおける上記感知ノードは、互いに実質的に同じ長さの感知ノード配線で形成され、当該感知ノード配線は上記多数のページバッファについて互いに隣接しないようにずらした位置に配置されている。
この発明によるフラッシュメモリ素子の読出し方法は、上記多数のメモリセルから選択された各選択ビットラインのデータを上記多数のページバッファの各共通ノードに出力する段階と、上記各感知ノードをハイレベルでプリチャージした後、上記各共通ノードに出力されたデータを当該共通ノードから対応する上記感知ノードに伝送する段階と、上記感知ノードに伝送されたデータをラッチする段階とを含んでなる。
この発明によれば、フラッシュメモリ素子のページバッファにおいて、ビットラインと感知ノードの間に伝送部を配置してその間を離すことにより、多数のページバッファの各感知ノード配線の長さを同一に構成しつつ、各感知ノードの配線の位置を互いに隣接しないようにずらして配置して、各ページバッファの感知ノードのローディング時間を同一にし、感知ノード配線の間のカップリングキャパシタンスを排除して、正確なデータ読出し動作を行わせることができる。
以下、添付した図面を参照しながら、この発明の望ましい実施態様を説明する。しかし、この発明は、以下に開示する実施態様に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現することができ、以下の実施態様は、単にこの発明の開示が完全であるべく、通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。
図5は、この発明の一実施態様によるフラッシュメモリ素子の構成図である。
図5を参照すると、フラッシュメモリ素子は、メモリセルアレイ100、多数のビットライン選択部110〜11n(nは整数)、多数の伝送部(120〜12n)、及び多数の感知部(130〜13n)を備えて構成されている。
メモリセルアレイ100は、多数のメモリセルを含み、多数のメモリセルは、ストリング構造に連結されて多数のビットラインBLe、BLoを形成する。多数のビットライン選択部110〜11nのそれぞれは、ビットライン対BLe、BLoにそれぞれ連結され、ビットライン対BLe、BLoのうちの一方のビットラインを共通ノード(例えば、BLCM[0])に連結する。多数の伝送部120〜12nのそれぞれは、共通ノードBLCM[0]〜BLCM[n])と感知ノードSO[0]〜SO[n]の間にそれぞれ連結され、共通ノードBLCM[0]〜BLCM[n]と感知ノードSO[0]〜SO[n]を互いに連結する。多数の感知部130〜13nが感知ノードSO[0]〜SO[n]にそれぞれ連結され、各感知ノードSO[0]〜SO[n]に伝送されたデータを感知して、それぞれ格納する。多数のビットライン選択部110〜11nは、高電圧トランジスタ領域HVNに形成され、多数の伝送部120〜12n、及び多数の感知部30〜13nは、低電圧トランジスタ領域LVNに形成されている。この発明では、図示のように、多数のページバッファのそれぞれにおける感知ノードは、互いに実質的に同じ長さの感知ノード配線で形成され、当該感知ノード配線は多数のページバッファについて互いに隣接しないようにずらした位置に配置されている。図面では、伝送部120、感知ノードSO[0]、感知部130の組は、紙面の上方の段に配置され、伝送部121、感知ノードSO[1]、感知部131の組は、紙面の中程の段に配置され、伝送部122、感知ノードSO[2]、感知部132の組みは、紙面の下方の段に配置されている。
各ページバッファは、一つのビットライン対BLe、BLoに連結された一つのビットライン選択部(例えば、110)、一つの伝送部(例えば, 120)、及び一つの感知部(例えば、130)を含んでいる。多数の感知ノードSO[0]〜SO[n]は、互いに同一の長さで、低電圧トランジスタ領域LVNに、配置されている。互いに隣接して配置されておらず、感知部130〜13nの配置に応じてそれぞれずれた位置(例えば、図面で、上段、…、下段)に配置されている。そのため、各感知ノードSO[0]〜SO[n]同士の間のカップリングキャパシタンスが生じない。
図6は、図5のページバッファの詳細回路図である。
図6を参照すると、ページバッファPBは、ビットライン選択部110、伝送部120、及び感知部130を含んで構成されている。
ビットライン選択部110は、四つのNMOSトランジスタN11〜N14を含む。NMOSトランジスタN11は、ビットラインBLeとバイアス電圧VIRPWRの間に連結され、ディスチャージ信号DISCHeに応答してバイアス電圧VIRPWRをビットラインBLeに印加する。NMOSトランジスタN12は、ビットラインBLoとバイアス電圧VIRPWRの間に連結され、ディスチャージ信号DISCHoに応答してバイアス電圧VIRPWRをビットラインBLoに印加する。NMOSトランジスタN13は、ビットラインBLeと共通ノードBLCMの間に連結され、ビットライン選択信号BSLeに応答してビットラインBLeと共通ノードBLCMを連結する。NMOSトランジスタN14は、ビットラインBLoと共通ノードBLCMの間に連結され、ビットライン選択信号BSLoに応答してビットラインBLoと共通ノードBLCMを連結する。
伝送部120は、共通ノードBLCMと感知ノードSOの間に連結され、センシング信号SENSEに応答して共通ノードBLCMと感知ノードSOとを連結する。
感知部130は、PMOSトランジスタP11、四つのNMOSトランジスタN16〜N19、ラッチLAT、及びインバータIV11を含む。
PMOSトランジスタP11は、電源電圧と感知ノードSOの間に連結され、プリチャージ信号PRECHbに応答して電源電圧と感知ノードSOを連結する。ラッチLATは、ノードQAとノードQBの間に逆向きで並列接続されたインバータIV12、IV13で構成されている。NMOSトランジスタN16、N17は、ノードQBと接地電源Vssの間に直列接続され、それぞれ感知ノードSOの電位と読出し信号READに応答して駆動される。NMOSトランジスタN16、N17が同時にターンオンされると、ノードQBが接地電源Vssに接続される。NMOSトランジスタN18は、ノードQAと接地電源Vssの間に接続され、初期化信号RESETに応答してノードQAを接地電源Vssに接続する。インバータIV11は、ノードQBに接続され、ノードQBの信号を反転させて出力する。NMOSトランジスタN19は、インバータIV11の出力と感知ノードSOとの間に接続され、プログラム信号PGMに応答してインバータIV11の出力信号を感知ノードS0に伝送する。
図7は、図6のページバッファを用いたフラッシュメモリ素子の読出し方法を説明するための各信号の動作タイミング波形図である。
図8は、この発明の読出し動作時のチャージ・シェアリング動作を説明するための概念図であり、図9は、この発明の読出し動作時におけるセル読出しマージンを説明するためのグラフである。
図5〜図9を参照して、この発明のフラッシュメモリ素子の読出し動作を詳細に説明すると、次のとおりである。以下の説明では偶数ビットラインBLeのデータを読み出す方法を例として説明する。
1)第1段階(T1期間)
まず、準備段階として、初期化信号RESETが所定時間ハイレベル(Hレベル)に遷移され、NMOSトランジスタN18がターンオンされる。したがって、ノードQAは、接地電源Vssに接続されてローレベル(Lレベル)にディスチャージされて、初期化される。
まず、準備段階として、初期化信号RESETが所定時間ハイレベル(Hレベル)に遷移され、NMOSトランジスタN18がターンオンされる。したがって、ノードQAは、接地電源Vssに接続されてローレベル(Lレベル)にディスチャージされて、初期化される。
次いで、ローレベルのディスチャージ信号DISCHe、DISCHoがハイレベルに遷移され、NMOSトランジスタN11、N12がターンオンされる。したがって、ビットラインBLe、BLoの両方にバイアス電圧VIRPWRが印加される。このとき、バイアス電圧VIRPWRは、0Vである。
NMOSトランジスタN13、N14には、ハイレベルのビットライン選択信号BSLe、BSLoが印加され、ビットラインBLe、BLoが共通ノードBLCMに接続される。
2)第2段階(T2期間)
ハイレベルで印加されたディスチャージ信号DISCHeがローレベルに遷移されてNMOSトランジスタN11がターンオフされる。したがって、ビットラインBLeに印加されていたバイアス電圧VIRPWRを遮断する。
ハイレベルで印加されたディスチャージ信号DISCHeがローレベルに遷移されてNMOSトランジスタN11がターンオフされる。したがって、ビットラインBLeに印加されていたバイアス電圧VIRPWRを遮断する。
ハイレベルであったビットライン選択信号BSLoがローレベルに遷移されて、ビットラインBLoと共通ノードBLCMの接続を遮断する。したがって、ビットラインBLeと共通ノードBLCMのみが接続されている。
ハイレベルであったプリチャージ信号PRESHbがローレベルに遷移して、PMOSトランジスタP11がターンオンされる。したがって、感知ノードSOは、電源電圧Vccレベルにプリチャージされる。
このとき、ハイレベルのV1電位を有するセンシング信号SENSEが伝送部120に印加されて、感知ノードSOと共通ノードBLCMが接続される。したがって、感知ノードSOの電位によりビットラインBLeと共通ノードBLCMの電位がV1−Vtレベルまで上昇する。
3)第3段階(T3期間)
センシング信号SENSEがローレベルに遷移されて、感知ノードSOと共通ノードBLCMの接続状態が遮断される。このとき、ビットラインBLeと共通ノードBLCMの電位は、読み出そうとするセルが「0」データ状態の場合、V1−Vtレベルを維持し、読み出そうとするセルが「1」データ状態の場合、ローレベルにディスチャージされる。
センシング信号SENSEがローレベルに遷移されて、感知ノードSOと共通ノードBLCMの接続状態が遮断される。このとき、ビットラインBLeと共通ノードBLCMの電位は、読み出そうとするセルが「0」データ状態の場合、V1−Vtレベルを維持し、読み出そうとするセルが「1」データ状態の場合、ローレベルにディスチャージされる。
その後、ローレベルのプリチャージ信号PRESHbがハイレベルに遷移して、感知ノードSOに印加されている電源電圧Vccを遮断する。
4)第4段階(T4期間)
伝送部120にV1電位より低いV2電位のセンシング信号SENSEが印加され、感知ノードSOと共通ノードBLCMが接続される。したがって、読み出そうとするセルの状態に応じて電位が変化した共通ノードBLCMにより、感知ノードSOの電位が変化する。すなわち、「0」データセルの場合、感知ノードSOはハイレベルを維持し、「1」データセルの場合、感知ノードSOはローレベルにディスチャージされる。感知ノードSOの電位に応じてNMOSトランジスタN16がターンオンまたはターンオフされる。
伝送部120にV1電位より低いV2電位のセンシング信号SENSEが印加され、感知ノードSOと共通ノードBLCMが接続される。したがって、読み出そうとするセルの状態に応じて電位が変化した共通ノードBLCMにより、感知ノードSOの電位が変化する。すなわち、「0」データセルの場合、感知ノードSOはハイレベルを維持し、「1」データセルの場合、感知ノードSOはローレベルにディスチャージされる。感知ノードSOの電位に応じてNMOSトランジスタN16がターンオンまたはターンオフされる。
このことを図8を参照して説明すると、共通ノードBLCMは、NMOSトランジスタN13を介してビットラインBLeと同一の電位を維持する。以後、NMOSトランジスタN15にV2電位のセンシング信号SENSEが印加される。このとき、共通ノードBLCMの電位がV2−Vtより小さければ、NMOSトランジスタN15がターンオンされる。それにより感知ノードのキャパシタンスCSOに充電されているチャージがNMOSトランジスタN15を介して共通ノードキャパシタンスCBLCM、ビットラインキャパシタンスCBLで放電される。このとき、共通ノードキャパシタンスCBLCMは、ビットラインキャパシタンスCBLに比べて非常に小さいため、共通ノードキャパシタンスCBLCMとビットラインキャパシタンスCBLの和は、共通ノードキャパシタンスCBLCMの差にそれほど影響を受けない。したがって、チャージ・シェアリング時に感知ノードSOの電位下降速度は、ページバッファの配置に関係なく一定になる。これは、ページバッファの感知電流が一定であることを意味し、これにより図9のようにページバッファのセル読出しマージンがより大きくなる。
この後、感知部130のNMOSトランジスタN17にハイレベルの読出し信号READが印加され、NMOSトランジスタN17がターンオンされる。したがって、感知ノードSOがハイレベルの場合、NMOSトランジスタN16、N17が同時にターンオンされ、ノードQBがローレベルとなる。反対に、感知ノードSOがローレベルの場合、NMOSトランジスタN16がターンオフされ、NMOSトランジスタN17がターンオンされても、ノードQBは、初期化状態、すなわち、ハイレベル状態を維持する。
上述したとおり、一つのページバッファが読出し動作を進行しているときに、隣接するページバッファも読出し動作を進行する。このとき、図5のようにそれぞれのページバッファの感知ノードSOの配線の長さが同一であるため、これによるローディング時間も互いに等しい。また、隣接するページバッファの各感知ノードの配線の位置がずれた位置に配置されることにより、互いの干渉効果を排除することができる。これにより、感知ノードの電圧の低下現象が全く発生しなくなる。
この発明の技術思想は、上記の望ましい実施態様により具体的に記述されたが、上記の実施態様はその説明のためのものであり、その制限のためのものでないことを理解しなければならない。また、この発明の技術分野において通常の知識を有する者であれば、この発明の技術思想の範囲内で多様な実施形態が可能であることを理解することができるであろう。
100 … メモリセルアレイ
110 … ビットライン選択部
120 … 伝送部
130 … 感知部
BLCM … 共通ノード
SO … 感知ノード
110 … ビットライン選択部
120 … 伝送部
130 … 感知部
BLCM … 共通ノード
SO … 感知ノード
Claims (10)
- 複数のメモリセルがマトリクス状に配列され複数のビットライン対で連結されてなるメモリセルアレイと、
前記複数のビットライン対のそれぞれに接続され、前記複数のメモリセルから選択されたメモリセルのデータを読み出す複数のページバッファとを備えてなり、
前記複数のページバッファのそれぞれは、
各前記ビットライン対のうちの一方のビットラインを選択して当該選択されたビットラインに接続されたメモリセルのデータを共通ノードに出力するビットライン選択部と、
前記共通ノードに出力されたデータの感知ノードへの伝送を制御する伝送部と、
前記感知ノードに伝送されたデータを格納する感知部とを含み、
前記ビットライン選択部は、メモリ素子の高電圧トランジスタ領域に配置され、前記伝送部及び前記感知部は、メモリ素子の低電圧トランジスタ領域に配置されてなる
フラッシュメモリ素子。 - 請求項1に記載のフラッシュメモリ素子において、
前記複数のページバッファのそれぞれにおける前記感知ノードは、互いに実質的に同じ長さの感知ノード配線で形成され、当該感知ノード配線は前記複数のページバッファについて互いに隣接しないようにずらした位置に配置されている
ことを特徴とするフラッシュメモリ素子。 - 請求項1に記載のフラッシュメモリ素子において、
前記ビットライン選択部は、ディスチャージ信号に応答して前記ビットライン対の少なくともいずれか一方にバイアス電圧を印加しまたは遮断するバイアス印加回路と、前記ビットライン対のうちの一方のビットラインを前記共通ノードに連結するビットライン連結部をと含む
ことを特徴とするフラッシュメモリ素子。 - 請求項1に記載のフラッシュメモリ素子において、
前記伝送部は、第1センシング信号に応答して前記感知ノードの電位を用いて前記共通ノードの電位をプリチャージするか、または第2センシング信号に応答して前記共通ノードに出力されたデータをチャージ・シェアリング動作で前記感知ノードに伝送する
ことを特徴とするフラッシュメモリ素子。 - 請求項1に記載のフラッシュメモリ素子において、
前記感知部は、前記感知ノードに伝送されたデータを格納するためのラッチと、初期化信号に応答して前記ラッチを初期化する初期化回路と、前記感知ノードに伝送されたデータを前記感知ノードの電位と読出し信号に応答して前記ラッチに伝送するセンシング回路とを含む
ことを特徴とするフラッシュメモリ素子。 - 複数のメモリセルがマトリクス状に配列され複数のビットライン対で連結されてなるメモリセルアレイと、
前記複数のビットライン対のそれぞれに接続され、前記複数のメモリセルから選択されたメモリセルのデータを読み出す複数のページバッファとを備えてなり、
前記複数のページバッファのそれぞれは、互いに実質的に同じ長さの配線で形成された感知ノードを含み、当該感知ノードの配線は前記複数のページバッファについて互いに隣接しないようにずらした位置に配置されているフラッシュメモリ素子の読出し方法であって、
前記複数のメモリセルから選択されたメモリセルの連結された各選択ビットラインのデータを前記複数のページバッファの各共通ノードに出力する段階と、
前記各感知ノードをハイレベルでプリチャージした後、前記各共通ノードに出力されたデータを当該共通ノードから対応する前記各感知ノードに伝送する段階と、
前記感知ノードに伝送されたデータをラッチに格納する段階と、
を含んでなるフラッシュメモリ素子の読出し方法。 - 請求項6に記載のフラッシュメモリ素子の読出し方法において、
前記各選択ビットラインのデータを前記各共通ノードに出力する段階は、
前記ビットライン対に印加されたバイアス電圧をディスチャージ信号に応答して前記選択ビットラインから遮断する段階と、
ビットライン選択信号に応答して前記選択ビットラインと前記共通ノードを連結する段階とを含む
ことを特徴とするフラッシュメモリ素子の読出し方法。 - 請求項6に記載のフラッシュメモリ素子の読出し方法において、
前記共通ノードに出力されたデータを前記感知ノードに伝送する段階は、
電源電圧レベルの前記感知ノード電位を用いて前記共通ノードをプリチャージする段階と、
前記選択されたメモリセルのプログラムされた状態に応じて前記共通ノードの電位が変化して前記共通ノードに前記データが伝送される段階と、
前記感知ノードと前記共通ノードを連結して電源電圧レベルの前記感知ノードの電位が変化して前記データが前記感知ノードに伝送される段階とを含む
ことを特徴とするフラッシュメモリ素子の読出し方法。 - 請求項8に記載のフラッシュメモリ素子の読出し方法において、
前記複数のページバッファにおいて前記共通ノードに出力されたデータを前記感知ノードに伝送する段階は、前記感知ノードの位置が前記複数のページバッファについて互いに異なるようにずらして配置されていて、各ページバッファの前記感知ノードのキャパシタンスに影響を受けない
ことを特徴とするフラッシュメモリ素子の読み出し方法。 - 請求項8に記載のフラッシュメモリ素子の読出し方法において、
前記複数のページバッファのそれぞれの前記各データを前記各感知ノードに伝送する段階は、各ページバッファにおけるチャージ・シェアリング動作は、前記ビットラインのキャパシタンスに比べて前記共通ノードのキャパシタンスが小さいため、前記共通ノードの長さによる前記チャージ・シェアリング動作の時間の影響を受けない
ことを特徴とするフラッシュメモリ素子の読出し方法。
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TW408332B (en) * | 1997-07-29 | 2000-10-11 | Toshiba Corp | Semiconductor memory and method for controlling programming the same |
US6469955B1 (en) * | 2000-11-21 | 2002-10-22 | Integrated Memory Technologies, Inc. | Integrated circuit memory device having interleaved read and program capabilities and methods of operating same |
US6147910A (en) * | 1999-08-31 | 2000-11-14 | Macronix International Co., Ltd. | Parallel read and verify for floating gate memory device |
JP3983969B2 (ja) * | 2000-03-08 | 2007-09-26 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US6281539B1 (en) * | 2000-03-31 | 2001-08-28 | International Business Machines Corporation | Structure and process for 6F2 DT cell having vertical MOSFET and large storage capacitance |
US6576945B2 (en) * | 2001-02-05 | 2003-06-10 | International Business Machines Corporation | Structure and method for a compact trench-capacitor DRAM cell with body contact |
KR100471167B1 (ko) * | 2002-05-13 | 2005-03-08 | 삼성전자주식회사 | 프로그램된 메모리 셀들을 검증하기 위한 페이지 버퍼를구비한 반도체 메모리 장치 |
US6727540B2 (en) * | 2002-08-23 | 2004-04-27 | International Business Machines Corporation | Structure and method of fabricating embedded DRAM having a vertical device array and a bordered bitline contact |
JP2004087002A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Fujitsu Ltd | Acセンス方式のメモリ回路 |
WO2004021191A1 (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体メモリ装置、及び、フラッシュメモリへのデータ書き込み方法 |
US7002258B2 (en) * | 2003-12-03 | 2006-02-21 | Arm Physical Ip, Inc. | Dual port memory core cell architecture with matched bit line capacitances |
KR100546136B1 (ko) * | 2003-12-04 | 2006-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 와이드 페이지 버퍼를 갖는 불휘발성 강유전체 메모리 장치 |
KR100630535B1 (ko) * | 2004-03-23 | 2006-09-29 | 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이. | 멀티 레벨 낸드 플래시 메모리 셀의 독출 방법 및 회로 |
KR100543474B1 (ko) * | 2004-03-25 | 2006-01-20 | 삼성전자주식회사 | 감지 라인들 사이의 커플링 노이즈로 인한 읽기 에러를방지할 수 있는 플래시 메모리 장치 |
KR100626371B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 캐쉬 읽기 동작을 수행하는 비휘발성 메모리 장치, 그것을포함한 메모리 시스템, 그리고 캐쉬 읽기 방법 |
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KR20060086465A (ko) * | 2005-01-26 | 2006-07-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자 및 그 테스트 방법 |
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KR100600301B1 (ko) * | 2005-05-25 | 2006-07-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 면적이 감소된 페이지 버퍼 회로와, 이를 포함하는 플래시메모리 장치 및 그 프로그램 동작 방법 |
KR100673703B1 (ko) * | 2005-06-14 | 2007-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 멀티 레벨 셀들을 포함하는 플래시 메모리 장치의 카피백동작 제어 방법 |
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