JP2009167101A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NO329987B1 (no) 2009-02-26 2011-01-31 Harsharn Tathgar Halvkontinuerlig fremgangsmate for dannelse, separasjon og smelting av store, rene silisiumkrystaller
CN101798705A (zh) * 2010-03-12 2010-08-11 上海太阳能电池研究与发展中心 一种从低温熔体中连续拉晶提纯多晶硅的方法及专用装置
CN101812727B (zh) * 2010-04-13 2011-12-28 上海太阳能电池研究与发展中心 一种直流电场下定向凝固提纯多晶硅的方法
JP5483591B2 (ja) * 2010-10-08 2014-05-07 日鉄住金ファインテック株式会社 単結晶引上装置および坩堝支持装置
KR101690490B1 (ko) * 2010-10-21 2016-12-28 에스케이이노베이션 주식회사 탄화규소 단결정의 제조방법 및 장치
CN102749128B (zh) * 2011-04-19 2014-08-27 蒂雅克股份有限公司 测压元件单元
JP5679120B2 (ja) * 2011-04-19 2015-03-04 ティアック株式会社 ロードセルユニット
CN102311121A (zh) * 2011-08-29 2012-01-11 大连理工大学 一种合金化分凝提纯工业硅的方法
KR101317198B1 (ko) * 2011-10-24 2013-10-15 한국생산기술연구원 성장로 감시 장치
WO2013111314A1 (ja) * 2012-01-27 2013-08-01 Kaneko Kyojiro シリコン純化法
TWI627131B (zh) * 2012-02-01 2018-06-21 美商希利柯爾材料股份有限公司 矽純化之模具及方法
CN102605424A (zh) * 2012-03-06 2012-07-25 浙江宏业新能源有限公司 多晶硅铸锭炉控制系统及控制方法
CN102786060B (zh) * 2012-08-15 2016-08-17 大连理工大学 一种增强合金化分凝提纯多晶硅的方法
CN104635805B (zh) * 2014-12-24 2017-05-17 湖南顶立科技有限公司 一种温度控制系统
JP6451333B2 (ja) * 2015-01-14 2019-01-16 株式会社Sumco シリコン単結晶の製造方法
FR3052773B1 (fr) * 2016-06-15 2020-10-30 Snecma Procede de fabrication d'une piece de turbomachine
CN108018602A (zh) * 2016-11-03 2018-05-11 上海新昇半导体科技有限公司 自动进料系统及进料方法
CN108706590A (zh) * 2018-07-07 2018-10-26 孟静 太阳能级多晶硅制备方法
CN108796606B (zh) * 2018-07-07 2020-11-03 玉环市几偶孵化器有限公司 太阳能级多晶硅制备装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5950629B2 (ja) * 1982-04-20 1984-12-10 東芝セラミツクス株式会社 単結晶シリコン引上げ用窒化珪素製治具の製造方法
JPH0633235B2 (ja) * 1989-04-05 1994-05-02 新日本製鐵株式会社 酸化膜耐圧特性の優れたシリコン単結晶及びその製造方法
JP2795030B2 (ja) * 1992-01-29 1998-09-10 信越半導体株式会社 単結晶シリコン棒の製造方法
JP3085568B2 (ja) * 1993-11-01 2000-09-11 コマツ電子金属株式会社 シリコン単結晶の製造装置および製造方法
JP3000923B2 (ja) * 1996-03-28 2000-01-17 住友金属工業株式会社 単結晶引き上げ方法
JP3325900B2 (ja) 1996-10-14 2002-09-17 川崎製鉄株式会社 多結晶シリコンの製造方法及び装置、並びに太陽電池用シリコン基板の製造方法
JPH10273313A (ja) 1997-03-28 1998-10-13 Kawasaki Steel Corp 多結晶シリコン鋳塊の製造方法
JP4383639B2 (ja) 2000-07-31 2009-12-16 信越半導体株式会社 Ｇａドープシリコン単結晶の製造方法およびＧａドープシリコン単結晶、並びにこれから作製されたシリコン単結晶太陽電池
JP2003277040A (ja) 2002-03-19 2003-10-02 Sharp Corp シリコンの精製方法および該方法により精製したシリコンを用いて製造する太陽電池
JP4060106B2 (ja) 2002-03-27 2008-03-12 三菱マテリアル株式会社 一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材
JP2004067452A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶の引き上げ条件の設計方法
JP4380204B2 (ja) * 2003-04-10 2009-12-09 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶及び単結晶育成方法
JP2008069055A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Covalent Materials Corp シリコン単結晶の製造方法

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