JP2009164236A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】色度ずれや発光輝度（発光強度）のばらつきを抑制して、画像のにじみやぼけのない表示特性に優れた表示装置、及び、該表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る表示パネルは、有機ＥＬ層（発光機能層）１８として、少なくとも正孔輸送層１８ａと電子輸送性発光層１８ｂを有する素子構造からなる有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにおいて、画素電極１５上に形成される正孔輸送層１８ａの膜厚を、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂごとに、異なる特定の膜厚になるように適宜調整することにより、ＣＩＥ色度図上で赤色光、緑色光及び青色光の最適な発光色度を設定する。
【選択図】図２０

Description

本発明は、表示装置及びその製造方法に関し、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子を有する表示画素を備えた表示装置、及び、該表示装置の製造方法に関する。

近年、携帯電話や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）を２次元配列した表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）を適用したものが知られている。特に、アクティブマトリクス駆動方式を適用した有機ＥＬ表示パネルにおいては、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さいという優れた表示特性を有しているとともに、液晶表示装置のようにバックライトや導光板を必要としないという装置構成上の特徴を有している。そのため、今後様々な電子機器への適用が期待されている。

有機ＥＬ素子は、周知のように、概略、ガラス基板等の基板の一面側に、アノード（陽極）電極と、有機ＥＬ層（発光機能層）と、カソード（陰極）電極と、を順次積層した素子構造を有し、有機ＥＬ層に発光しきい値を越えるようにアノード電極に正電圧、カソード電極に負電圧を印加することにより、有機ＥＬ層内で注入されたホールと電子が再結合する際に生じるエネルギーに基づいて光（励起光）が放射されるものである。

ここで、基板の一面側に有機ＥＬ素子（発光素子）が形成された表示パネルにおいては、上記有機ＥＬ層を介して対向して形成された一対の電極（アノード電極、カソード電極）のいずれか一方を、光透過性を有する電極材料により形成し、他方を、光反射性を有する電極材料により形成することにより、基板の一面側に光を放射するトップエミッション型と、基板の他面側に光を放射するボトムエミッション型の発光構造が知られている。例えば特許文献１等に記載されているように、トップエミッション型の表示パネルにおいては、一面側に設けられた発光素子において発光した光が基板を透過することなく反射して一面側に放射され、一方、ボトムエミッション型の表示パネルにおいては、発光素子において発光した光が基板を透過して他面側に放射される発光構造を有している。

特開２００５−２２２７５９号公報 （第３頁、第５頁〜第７頁、図１、図４）

しかしながら、上述したような発光構造を有する表示パネルにおいては、発光層で発光した光が光透過性を有する電極を介して直接視野側（基板の一面側又は他面側）に放射されるとともに、光反射特性を有する電極で反射した光が発光層及び光透過性を有する電極を介して上記視野側に放射されることにより、放射光に膜厚分の光路差が生じ、干渉効果に起因する色度ずれや発光輝度（発光強度）のばらつきを招き、画像のにじみやぼけ等の表示特性の劣化を生じるという問題を有していた。特に、発光素子として、有機ＥＬ層を高分子系の有機材料を用いて形成した高分子系の有機ＥＬ素子を適用した場合には、上述したような特性の劣化が顕著になるという問題を有していた。

そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、色度ずれや発光輝度（発光強度）のばらつきを抑制して、画像のにじみやぼけのない表示特性に優れた表示装置、及び、該表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

請求項１記載の発明は、複数の表示画素を基板上に２次元配列し、複数の発光色を発光してカラー表示を行う表示装置において、前記各表示画素は、前記複数の発光色のいずれかの発光色の発光素子を有し、前記発光素子は、少なくとも、第１の電極と、前記第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた発光機能層と、を具備し、前記発光機能層は前記複数の発光色の各々に応じて異なる膜厚を有し、該発光機能層内の発光点と前記第１の電極又は前記第２の電極との間に、担体輸送層を有していることを特徴とする。

請求項２記載の発明は、請求項１記載の表示装置において、前記担体輸送層は、正孔輸送性又は電子輸送性の層であり、該担体輸送層の膜厚が、前記各発光色に応じて異なる値を有していることを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１記載の表示装置において、前記発光機能層は、電子ブロッキング性を有する介在層を有し、該介在層の膜厚が、前記各発光色に応じて異なる値を有していることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１又は２に記載の表示装置において、前記発光機能層は、前記各発光色に応じて異なる色の発光層を有し、前記発光色ごとに前記担体輸送層の膜厚が異なるように形成されていることを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項１又は２に記載の表示装置において、前記発光機能層は、前記各発光色に応じて同一色の発光層を有し、前記発光色ごとに前記担体輸送層の膜厚が異なるように形成されていることを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置において、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする。
請求項７記載の発明は、請求項６記載の表示装置において、前記発光素子に設けられる前記発光機能層は、高分子系の有機材料からなることを特徴とする。

請求項８記載の発明は、表示パネルの基板上に設けられた互いに直交する複数の行及び複数の列に沿って複数の表示画素が配列され、複数の発光色を発光してカラー表示を行う表示装置の製造方法であって、前記列毎に異なる発光色の前記発光素子を有する前記各表示画素が配列され、同じ発光色の発光素子を有する前記表示画素が、前記基板上の前記複数の列における、１又は複数の列を隔てて離間した列群の各列に、列方向に沿って配列され、前記発光素子は、少なくとも、第１の電極と、前記第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた担体輸送層を有する発光機能層と、を具備し、前記表示パネルの前記同じ発光色の発光素子に対応する前記列群の前記発光素子が形成される領域に対して、当該発光色に対応した膜厚の前記発光機能層を形成する発光材料溶液を塗布する塗布工程を、前記各発光色の発光素子に対応する前記各列群に対して順次実行し、前記各発光色の発光素子に応じて異なる膜厚を有する前記発光機能層を形成する工程を含むことを特徴とする。

請求項９記載の発明は、請求項８記載の表示装置の製造方法において、前記各発光色の発光素子を有する前記各表示画素は、前記基板上の行方向に沿って一定の周期で配列され、前記同じ発光色の発光素子を有する前記各表示画素は、前記複数の列における一定の数の列を隔てた列群の各列に配列され、前記塗布工程は、前記同じ発光色の発光素子に対応する前記列群の各列に、前記発光材料溶液を順次塗布することを特徴とする。
請求項１０記載の発明は、請求項８又は９記載の表示装置の製造方法において、前記担体輸送層は、正孔輸送性又は電子輸送性の層であり、前記発光機能層を形成する工程は、前記担体輸送層の膜厚を、前記各発光色に応じて異なる値に形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項１１記載の発明は、請求項８又は９記載の表示装置の製造方法において、前記発光機能層は、電子ブロッキング性を有する介在層を有し、前記発光機能層を形成する工程は、前記介在層の膜厚を、前記各発光色に応じて異なる値に形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項１２記載の発明は、請求項８乃至１１のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記発光機能層を形成する工程は、第１の発光色の発光素子を有する前記表示画素が配列される第１の列群の各列に対して、該第１の発光色に対応した前記発光材料溶液を塗布する前記塗布工程が終了した後に、前記第１の発光色と異なる第２の発光色の発光素子を有する前記表示画素が配列される、前記第１の列群と異なる第２の列群の各列に対して、該第２の発光色に対応した前記発光材料溶液を塗布する前記塗布工程を実行する工程を、前記複数の発光色の全てに対して繰り返して実行することを特徴とする。
請求項１３記載の発明は、請求項８乃至１２のいずれか記載の表示装置の製造方法において、前記発光機能層を形成する工程は、前記各列の前記発光素子が形成される領域に対して塗布する前記発光材料溶液の流量を前記各発光色に応じて異なる値に制御することにより、前記各発光色に応じて前記発光機能層の膜厚を異なる値に設定することを特徴とする。
請求項１４記載の発明は、請求項８乃至１２のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記発光機能層を形成する工程は、前記各列の前記発光素子が形成される領域に対して前記発光材料溶液を塗布する際の塗布速度を前記各発光色に応じて異なる値に制御することにより、前記各発光色に応じて前記発光機能層の膜厚を異なる値に設定することを特徴とする。
請求項１５記載の発明は、請求項８乃至１２のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記発光機能層を形成する工程は、前記各列の前記発光素子が形成される領域に対して前記発光材料溶液を塗布する際の塗布回数を前記各発光色に応じて異なる値に制御することにより、前記各発光色に応じて前記発光機能層の膜厚を異なる値に設定することを特徴とする。

本発明に係る表示装置及びその製造方法によれば、色度ずれや発光輝度（発光強度）のばらつきを抑制して、画像のにじみやぼけのない優れた表示特性を実現することができる。

以下、本発明に係る表示装置及びその製造方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。
＜表示パネル＞
まず、本発明に係る表示装置に適用される表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）及び表示画素について説明する。

図１は、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図であり、図２は、本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素（発光素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。なお、図１に示す平面図においては、説明の都合上、表示パネルを視野側（一面側；有機ＥＬ素子の形成側）から見た、各表示画素に設けられる画素電極の配置と各配線層の配設構造との関係、及び、各表示画素の形成領域を画定するバンク（隔壁）との配置関係のみを示し、各表示画素の有機ＥＬ素子を発光駆動するために、各表示画素に設けられる図２に示す画素駆動回路内のトランジスタ等の表示を省略した。また、図１においては、画素電極及び各配線層、バンクの配置を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。

図１に示すように、本発明に係る表示装置（表示パネル１０）は、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側に、行方向（図面左右方向）に配設された複数の選択ラインＬｓと、該選択ラインＬｓに並行に行方向に配設された複数の電源電圧ライン（例えばアノードライン）Ｌｖと、選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬｖに直交する列方向（図面上下方向）に配設された複数のデータラインＬｄと、を備え、選択ラインＬｓとデータラインＬｄの各交点を含む領域に各表示画素ＰＩＸ（サブ画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）が配置されている。

ここで、上記表示パネル１０を備えた表示装置が、図１に示すように、カラー表示に対応している場合には、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色それぞれのサブ画素（以下、便宜的に「色画素」と記す）ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが行方向（図面左右方向）に繰り返し配列されるとともに、列方向（図面上下方向）に同一色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが複数配列される。この場合には、行方向（図面左右方向）に隣接するＲＧＢ３色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂを一組として１つの表示画素ＰＩＸとなる。

また、図１に示した表示パネル１０においては、絶縁性基板１１の一面側から突出し、柵状又は格子状の平面パターンを有して配設されたバンク（隔壁）１７により、列方向に配列された同一色の複数の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又は、ＰＸｂの画素形成領域（より具体的には、各色画素の有機ＥＬ素子の形成領域）が画定される。また、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又は、ＰＸｂの画素形成領域には、画素電極（例えばアノード電極；第１の電極）１５が形成されている。

表示画素ＰＩＸの各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂは、例えば図２に示すように、絶縁性基板１１上に複数のトランジスタ（例えばアモルファスシリコン薄膜トランジスタ等）を有する画素駆動回路ＤＣと、当該画素駆動回路ＤＣにより生成される発光駆動電流が、上記画素電極１５に供給されることにより発光動作する有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＬＥＤと、を備えた回路構成を有している。

画素駆動回路ＤＣは、具体的には、例えば図２に示すように、ゲート端子が選択ラインＬｓに、ドレイン端子がデータラインＬｄに、ソース端子が接点Ｎ１１に各々接続されたトランジスタ（選択トランジスタ）Ｔｒ１１と、ゲート端子が接点Ｎ１１に、ドレイン端子が電源電圧ラインＬｖに、ソース端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタ（駆動トランジスタ）Ｔｒ１２と、トランジスタＴｒ１２のゲート端子及びソース端子間に接続されたキャパシタＣｓと、を備えている。

ここでは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２はいずれもｎチャネル型の電界効果型トランジスタ（薄膜トランジスタ）が適用されている。トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２がｐチャネル型であれば、ソース端子及びドレイン端子が互いに逆になる。また、キャパシタＣｓはトランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート−ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは、これらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。よって、トランジスタＴｒ１２がｐチャネル型であれば、キャパシタＣｓの一方は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ側（接点Ｎ１２側）ではなく、電源電圧ラインＬｖ側に接続される。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、アノード端子（アノード電極となる画素電極１５）が上記画素駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード端子（カソード電極）が対向電極１９と一体的に形成され、所定の基準電圧Ｖcom（例えば接地電位Ｖgnd）に直接又は間接的に接続されている。ここで、対向電極１９は、絶縁性基板１１上に２次元配列された複数の表示画素ＰＩＸの画素電極１５に対して共通に対向するように、単一の電極層（べた電極）により形成されている。これにより、複数の表示画素ＰＩＸに上記基準電圧Ｖcomが共通に印加される。

なお、図１、図２に示した選択ラインＬｓは、図示を省略した選択ドライバに接続され、所定のタイミングで表示パネル１０の行方向に配列された複数の表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）を選択状態に設定するための選択信号Ｓselが印加される。また、データラインＬｄは、図示を省略したデータドライバに接続され、上記表示画素ＰＩＸの選択状態に同期するタイミングで表示データに応じた階調信号Ｖpixが印加される。ここで、階調信号Ｖpixは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度階調を設定する電圧信号である。

また、電源電圧ラインＬｖは、例えば所定の高電位電源に直接又は間接的に接続され、各表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）に設けられる有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極１５に表示データに応じた発光駆動電流を流すために、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの対向電極１９に印加される基準電圧Ｖcomより電位の高い、所定の高電圧（電源電圧Ｖdd）が印加される。

すなわち、図２に示す画素駆動回路ＤＣにおいては、各表示画素ＰＩＸにおいて直列に接続されたトランジスタＴｒ１２と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの組の両端（トランジスタＴｒ１２のドレイン端子と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子）にそれぞれ電源電圧Ｖddと基準電圧Ｖcomを印加して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに順バイアスを付与し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光可能な状態とし、さらに、階調信号Ｖpixに応じて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる発光駆動電流の電流値を制御している。

そして、このような回路構成を有する表示画素ＰＩＸにおける駆動制御動作は、まず、図示を省略した選択ドライバから選択ラインＬｓに対して、所定の選択期間に、選択レベル（オンレベル；例えばハイレベル）の選択信号Ｓselを印加することにより、トランジスタＴｒ１１がオン動作して選択状態に設定される。このタイミングに同期して、図示を省略したデータドライバから表示データに応じた電圧値を有する階調信号ＶpixをデータラインＬｄに印加するように制御する。これにより、トランジスタＴｒ１１を介して、階調信号Ｖpixに応じた電位が接点Ｎ１１（すなわち、トランジスタＴｒ１２のゲート端子）に印加される。

図２に示した回路構成を有する画素駆動回路ＤＣにおいては、トランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間電流（すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる発光駆動電流）の電流値は、ドレイン−ソース間の電位差及びゲート−ソース間の電位差によって決定される。ここで、トランジスタＴｒ１２のドレイン端子（ドレイン電極）に印加される電源電圧Ｖddと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子（カソード電極）に印加される基準電圧Ｖcomは固定値であるので、トランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間の電位差は、電源電圧Ｖddと基準電圧Ｖcomによって予め固定されている。そして、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間の電位差は、階調信号Ｖpixの電位によって一義的に決定されるので、トランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間に流れる電流の電流値は、階調信号Ｖpixによって制御することができる。

このように、トランジスタＴｒ１２が接点Ｎ１１の電位に応じた導通状態（すなわち、階調信号Ｖpixに応じた導通状態）でオン動作して、高電位側の電源電圧ＶddからトランジスタＴｒ１２及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを介して低電位側の基準電圧Ｖcom（接地電位Ｖgnd）に、所定の電流値を有する発光駆動電流が流れるので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが階調信号Ｖpix（すなわち表示データ）に応じた輝度階調で発光動作する。また、このとき、接点Ｎ１１に印加された階調信号Ｖpixに基づいて、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間のキャパシタＣｓに電荷が蓄積（充電）される。

次いで、上記選択期間終了後の非選択期間において、選択ラインＬｓに非選択レベル（オフレベル；例えばローレベル）の選択信号Ｓselを印加することにより、表示画素ＰＩＸのトランジスタＴｒ１１がオフ動作して非選択状態に設定され、データラインＬｄと画素駆動回路ＤＣ（具体的には接点Ｎ１１）とが電気的に遮断される。このとき、上記キャパシタＣｓに蓄積された電荷が保持されることにより、トランジスタＴｒ１２のゲート端子に階調信号Ｖpixに相当する電圧が保持された（すなわち、ゲート−ソース間の電位差が保持された）状態となる。

したがって、上記選択状態における発光動作と同様に、電源電圧ＶddからトランジスタＴｒ１２を介して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに所定の発光駆動電流が流れて、発光動作状態が継続される。この発光動作状態は、次の階調信号Ｖpixが印加される（書き込まれる）まで、例えば、１フレーム期間継続するように制御される。そして、このような駆動制御動作を、表示パネル１０に２次元配列された全ての表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）について、例えば各行ごとに順次実行することにより、所望の画像情報を表示する画像表示動作を実行することができる。

なお、図２においては、表示画素ＰＩＸに設けられる画素駆動回路ＤＣとして、表示データに応じて各表示画素ＰＩＸ（具体的には、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１２のゲート端子；接点Ｎ１１）に書き込む階調信号Ｖpixの電圧値を調整（指定）することにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所望の輝度階調で発光動作させる電圧指定型の階調制御方式に対応した回路構成を示したが、表示データに応じて各表示画素ＰＩＸに供給する（書き込む）電流の電流値を調整（指定）することにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所望の輝度階調で発光動作させる電流指定型の階調制御方式の回路構成を有するものであってもよい。

また、図２に示した画素駆動回路ＤＣにおいては、２個のｎチャネル型のトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２を適用した回路構成を示したが、本発明に係る表示パネルはこれに限定されるものではなく、３個以上のトランジスタを適用した他の回路構成を有するものであってもよいし、回路素子としてｐチャネル型のトランジスタのみを適用したもの、あるいは、ｎチャネル型及びｐチャネル型の双方のチャネル極性を有するトランジスタが混在するものであってもよい。ここで、図２に示したように、画素駆動回路ＤＣとしてｎチャネル型のトランジスタのみを適用した場合には、既に製造技術が確立されたアモルファスシリコン半導体製造技術を用いて、動作特性が安定したトランジスタを簡易に製造することができ、上記表示画素の発光特性のバラツキを抑制した画素駆動回路を実現することができる。

＜表示画素のデバイス構造＞
次に、上述したような回路構成を有する表示画素（画素駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。ここでは、トップエミッション型の発光構造を有する有機ＥＬ素子を適用した場合のデバイス構造について説明する。

図３は、本発明に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図１に示した表示画素ＰＩＸの赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂのうちの、特定の一の色画素の平面レイアウトを示す。なお、図３においては、画素駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線層等が形成された層を中心に示し、各配線層及び各電極の配置や平面形状を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。また、図４は、図３に示した平面レイアウトを有する表示画素におけるIVＡ−IVＡ線（本明細書においては図３中に示したローマ数字の「４」に対応する記号として便宜的に「IV」を用いる）に沿った断面を示す概略断面図である。図５（ａ）及び図５（ｂ）は、それぞれ図３に示した平面レイアウトを有する表示画素におけるＶＢ−ＶＢ線（本明細書においては図３中に示したローマ数字の「５」に対応する記号として便宜的に「Ｖ」を用いる）、ＶＣ−ＶＣ線に沿った断面を示す概略断面図である。

図２に示した表示画素（色画素）ＰＩＸは、具体的には、例えば図３に示すように、絶縁性基板１１の一面側に設定された画素形成領域Ｒpxにおいて、図面上方及び下方の縁辺領域に行方向（図面左右方向）に延在するように選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬｖが各々配設されるとともに、これらのラインＬｓ、Ｌｖに直交するように、上記図面左方の縁辺領域に列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄが配設されている。また、上記平面レイアウトの右方の縁辺領域には右側に隣接する表示画素（色画素）にまたがって列方向（図面上下方向）に延在するようにバンク１７が配設されている。

ここで、例えば図３〜図５に示すように、データラインＬｄは、選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬｖよりも下層側（絶縁性基板１１側）に設けられ、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇを形成するためのゲートメタル層をパターニングすることによって当該ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと同じ工程で形成される。また、データラインＬｄは、その上に被覆形成されたゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＨ11を介して、トランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄに接続されている。

選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬｖは、データラインＬｄやゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇよりも上層側に設けられ、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって当該ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと同じ工程で形成される。ここで、電源電圧ラインＬｖが延在されている線方向において、データラインＬｄと平面的に（平面視して）重なる領域を除いてゲート絶縁膜１２にコンタクトホールＣＨ15が設けられている。

選択ラインＬｓは、トランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇの両端に位置するゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＨ12を介してゲート電極Ｔｒ１１ｇに接続されている。また、電源電圧ラインＬｖは、トランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１２ｄと一体的に形成されている。

ここで、選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬｖは、例えば図５（ａ）、（ｂ）に示すように、低抵抗化を図るために、下層配線層Ｌs1、Ｌv1と上層配線層Ｌs2、Ｌv2を積層した配線構造を有しているものであってもよい。例えば下層配線層Ｌs1、Ｌv1は、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと同層であって、かつ、当該ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇを形成するためのゲートメタル層をパターニングすることによって当該ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと同じ工程で形成される。また、上層配線層Ｌs2、Ｌv2は、上述したように、いずれもトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと同層であって、かつ、当該ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって当該ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと同じ工程で形成される。

なお、下層配線層Ｌs1、Ｌv1は、アルミニウム単体（Ａｌ）やアルミニウム−チタン（ＡｌＴｉ）、アルミニウム−ネオジウム−チタン（ＡｌＮｄＴｉ）等のアルミニウム合金、銅（Ｃｕ）等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属の単層や合金層により形成するものであってもよいし、クロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）等のマイグレーションを低減するための遷移金属層が上記低抵抗金属層の下層に設けられた積層構造を有するものであってもよい。また、上層配線層Ｌs2、Ｌv2は、クロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）等のマイグレーションを低減するための遷移金属層と、当該遷移金属層の下層にアルミニウム単体やアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属層が設けられた積層構造を有しているものであってもよい。

そして、画素駆動回路ＤＣは、より具体的には、例えば図３に示すように、図２に示したトランジスタＴｒ１１が行方向に延在するように配置され、また、トランジスタＴｒ１２が列方向に沿って延在するように配置されている。ここで、各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、周知の電界効果型の薄膜トランジスタ構造を有し、各々、例えば絶縁性基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと、該ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇ上に被覆形成されたゲート絶縁膜１２を介して各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに対応する領域に形成された半導体層ＳＭＣと、該半導体層ＳＭＣのチャネルの両側部に延在するように形成されたソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと、を有する逆スタガ構造を有している。

なお、各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓとドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄが両端部に対向して配置された半導体層ＳＭＣのチャネル上には、製造プロセスにおいて当該半導体層ＳＭＣへのエッチングダメージを防止するための酸化シリコン又は窒化シリコン等のチャネル保護層（ブロック層）ＢＬが形成され、また、ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄが接触する半導体層ＳＭＣのチャネルの両端部上には、当該半導体層ＳＭＣとソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄとのオーミック接続を実現するための不純物層ＯＨＭが形成されている。

そして、図２に示した画素駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ１１は、図３に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＨ12を介して選択ラインＬｓに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１１ｄがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＨ11を介してデータラインＬｄに接続されている。

トランジスタＴｒ１２は、図３、図４に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＨ13を介して上記トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１２ｄが電源電圧ラインＬｖと一体的に形成され、同ソース電極Ｔｒ１２ｓが保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４に設けられたコンタクトホールＣＨ14を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極１５に接続されている。

また、キャパシタＣｓは、図３、図４に示すように、絶縁性基板１１上にトランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇと一体的に形成された電極Ｅcaと、ゲート絶縁膜１２上にトランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓと一体的に形成された電極Ｅcbと、がゲート絶縁膜１２を介して対向するように設けられている。また、上述したように、電極Ｅcb上の保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４にはコンタクトホールＣＨ14が設けられ、当該コンタクトホールＣＨ14を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極１５に接続されている。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、図３〜図５に示すように、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２を被覆するように形成された保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４の上面に設けられるとともに、保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４を貫通して設けられたコンタクトホールＣＨ14を介して、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓに接続され、所定の発光駆動電流が供給される光反射特性を有する画素電極（例えばアノード電極）１５と、上記平坦化膜１４上であって、隣接する表示画素ＰＩＸの画素電極１５との間の領域（境界領域）に形成された層間絶縁膜１６、及び、該層間絶縁膜１６上に連続的に突出して配設されたバンク１７により画定された（バンク１７に取り囲まれた領域である）ＥＬ素子形成領域Ｒelに形成された、例えば正孔輸送層１８ａ及び電子輸送性発光層１８ｂを有する有機ＥＬ層（発光機能層）１８と、絶縁性基板１１上に２次元配列された各表示画素ＰＩＸの画素電極１５に共通して対向するように設けられた光透過特性を有する単一の電極層（べた電極）からなる対向電極（例えばカソード電極）１９と、を順次積層することにより形成される。

ここで、対向電極１９は、各ＥＬ素子形成領域Ｒelだけでなく、当該ＥＬ素子形成領域Ｒelを画定するバンク１７上にも延在するように設けられている。また、ＥＬ素子形成領域Ｒelの周囲は、図３に示した平面レイアウトの左右方向に隣接する表示画素（色画素）ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelとの境界領域にバンク１７が形成されているので、選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬｖの一部、並びに、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、バンク１７と平面的に（平面視して）重なっている。そのため、バンク１７は、当該バンク１７上に形成された上記対向電極１９による寄生容量の影響を緩和している。ここで、データラインＬｄについても、同様の目的でバンク１７の下方に配置させるものであってもよい。

また、図３〜図５に示したパネル構造においては、選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬｖを積層配線構造として、上層配線層Ｌs2、Ｌv2をトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって形成し、選択ラインＬｓをコンタクトホールＣＨ12を介してトランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇに接続し、電源電圧ラインＬｖをトランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１２ｄと一体的に形成し、また、データラインＬｄをトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇを形成するためのゲートメタル層をパターニングすることによって形成し、コンタクトホールＣＨ11を介してトランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄに接続している。

ここで、コンタクトホールＣＨ12は、選択ラインＬｓの延在方向において、トランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇが設けられている領域及びデータラインＬｄが設けられている領域を除いて設けられている。したがって、選択ラインＬｓは、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、コンタクトホールＣＨ12のある領域において下層配線層Ｌs1及び上層配線層Ｌs2で構成され、データラインＬｄと重なる領域において上層配線層Ｌs2のみで構成され、ゲート電極Ｔｒ１１ｇが設けられている領域では形成されておらず、且つトランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇの両端に接続されている。そして、コンタクトホールＣＨ15は、電源電圧ラインＬｖの延在方向において、データラインＬｄが設けられている領域を除いて設けられている。したがって、電源電圧ラインＬｖは、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、コンタクトホールＣＨ15のある領域において下層配線層Ｌv1及び上層配線層Ｌv2で構成され、データラインＬｄと重なる領域において上層配線層Ｌv2のみで構成されている。

なお、選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬｖの配線構造は、上記構成に限定される必要はなく、上記ゲートメタル層をパターニングすることによってゲート絶縁膜１２の下層に形成し、データラインＬｄを上記ソース、ドレインメタル層をパターニングすることによってゲート絶縁膜１２の上層に形成することでコンタクトホールＣＨ11及びＣＨ12を設けることなく、選択ラインＬｓをゲート電極Ｔｒ１１ｇと一体的に、また、データラインＬｄをドレイン電極Ｔｒ１１ｄと一体的に設けるようにしてもよい。

また、画素電極１５と画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓ（又は、キャパシタＣｓの他方側の電極Ｅcb）とを電気的に接続する構造としては、図４に示すように、保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４を貫通して設けられたコンタクトホールＣＨ14に画素電極１５を形成する電極材料を埋め込んで、画素電極１５とソース電極Ｔｒ１２ｓとを直接接続するものであってもよいし、コンタクトホールＣＨ14に画素電極１５とは異なる導電性材料からなるコンタクトメタル（図示を省略）を埋め込んで、画素電極１５とソース電極Ｔｒ１２ｓとを当該コンタクトメタルを介して接続するものであってもよい。

バンク１７は、表示パネル１０に２次元配列される複数の表示画素（色画素）ＰＩＸ相互の境界領域（具体的には、各画素電極１５間の領域）であって、表示パネル１０の列方向に（表示パネル１０全体では図１に示すように複数の画素電極１５を取り囲む柵状、又は、各画素電極１５を取り囲む格子状の平面パターンを有するように）配設されている。

ここで、図３、図４に示すように、上記境界領域のうち、表示パネル１０（絶縁性基板１１）の列方向には上記トランジスタＴｒ１２が延在して形成されており、バンク１７は、例えば当該トランジスタＴｒ１２を略被覆し、各画素形成領域Ｒpxの画素電極１５間に形成される層間絶縁膜１６上に、絶縁性基板１１表面から高さ方向に連続的に突出するように形成されている。これにより、バンク１７により囲まれた領域、すなわち、列方向（図１の上下方向）に配列された複数の表示画素ＰＩＸの画素電極１５を含む領域が、後述する製造方法において、有機ＥＬ層１８（例えば正孔輸送層１８ａ及び電子輸送性発光層１８ｂ）を形成する際の有機化合物材料を含む溶液或いは懸濁液の溶媒（有機化合物含有液）の塗布領域（すなわち、ＥＬ素子形成領域Ｒel）として規定される。

また、バンク１７は、例えば感光性の樹脂材料を用いて形成され、上記有機ＥＬ層１８の形成時において、少なくともその表面（側面及び上面）が、ＥＬ素子形成領域Ｒelに塗布される有機化合物含有液に対して撥液性を有するように表面処理が施されている。
そして、上記画素駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ及びバンク１７が形成された絶縁性基板１１の一面側全域には、例えば図４、図５に示すように、保護絶縁膜（パッシベーション膜）としての機能を有する封止層２０が被覆形成されている。さらには、絶縁性基板１１に対向するように図示を省略したガラス基板等からなる封止基板が接合されているものであってもよい。

そして、本実施形態に係る表示パネルにおいては、特に、ＥＬ素子形成領域Ｒelの画素電極１５上に形成される有機ＥＬ層１８のうち、正孔輸送層１８ａの膜厚を、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂごとに、異なる特定の膜厚になるように形成したことを特徴としている。具体的には、有機ＥＬ層（発光機能層）１８として、上述した正孔輸送層１８ａと電子輸送性発光層１８ｂに加え、正孔輸送層１８ａと電子輸送性発光層１８ｂとの間にインターレイヤ層を介在させた層構造において、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂに共通の層構造としてインターレイヤ層を１０ｎｍ、電子輸送性発光層１８ｂを７０ｎｍの膜厚で形成した場合、赤（Ｒ）色の発光色を有する色画素ＰＸｒでは正孔輸送層１８ａの膜厚を概ね１５ｎｍ±１０ｎｍに設定し、緑（Ｇ）色の発光色を有する色画素ＰＸｇでは正孔輸送層１８ａの膜厚を概ね９５ｎｍ±２０ｎｍに設定し、青（Ｂ）色の発光色を有する色画素ＰＸｂでは正孔輸送層１８ａの膜厚を概ね９０ｎｍ±２０ｎｍに設定する。

このような表示パネル１０（表示画素ＰＩＸ）においては、データラインＬｄを介して供給される表示データに応じた階調信号Ｖpixに基づいて、所定の電流値を有する発光駆動電流がトランジスタＴｒ１２のソース−ドレイン間に流れ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極１５に供給されることにより、各表示画素（色画素）ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが上記表示データに応じた所望の輝度階調で発光動作する。

ここで、本実施形態に係る表示パネル１０においては、画素電極１５が光反射特性（可視光に対して高い反射率）を有し、かつ、対向電極１９が光透過特性（可視光に対して高い透過率）を有することにより、各表示画素ＰＩＸの有機ＥＬ層１８において発光した光が、光透過特性を有する対向電極１９を介して視野側（図４、図５の上方）に直接出射されるとともに、光反射特性を有する画素電極１５で反射し、対向電極１９を介して視野側に出射されるトップエミッション型の発光構造を実現することができる。

このとき、上述したように、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂのＥＬ素子形成領域Ｒelに形成される有機ＥＬ層１８（正孔輸送層１８ａ）の膜厚を、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応させて異なる特定の膜厚になるように設定したことにより、電子輸送性発光層１８ｂにおいて発光した光が、対向電極１９を介して直接視野側に出射されるとともに、インターレイヤ層及び特定の膜厚を有する正孔輸送層１８ａを介して光反射特性を有する画素電極１５表面で反射し、再び上記正孔輸送層１８ａ及びインターレイヤ層、さらに電子輸送性発光層１８ｂ、対向電極１９を介して視野側に出射されるので、光の干渉効果を利用して色度や発光強度を調節することができ、色度ずれや輝度のばらつきを抑制して、画像のにじみやぼけ等のない良好な表示特性を実現することができる。

また、本実施形態に係る表示パネル１０においては、トップエミッション型の発光構造を有しているので、絶縁性基板１１上に形成された画素駆動回路ＤＣの各回路素子や配線層を、保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４上に形成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと平面的に重なるように配置することができ、画素開口率を高くして、消費電力の低減やパネル寿命の長期化を図ることができるとともに、画素回路のレイアウト設計の自由度を高めることができる。

（表示パネルの製造方法）
次に、本実施形態に係る表示パネルの製造方法について説明する。
図６乃至図１０は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図である。ここでは、図４、図５（ａ）に示したIVＡ−IVＡ線及びＶＢ−ＶＢ線に沿った表示パネルの断面構造のうち、各一部分（トランジスタＴｒ１２、キャパシタＣｓ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、選択ラインＬｓ、電源電圧ラインＬｖ等）を便宜的に抜き出した構造を示して、上述した表示パネルの製造方法の概略を説明する。

上述した表示パネルの製造方法は、まず、図６（ａ）に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側（図面上面側）に設定された表示画素（色画素）ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxに、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２やキャパシタＣｓ、データラインＬｄや選択ラインＬｓ、電源電圧ラインＬｖ等の配線層を形成する（図３〜図５参照）。

具体的には、絶縁性基板１１上に、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇ、及び、当該ゲート電極Ｔｒ１２ｇと一体的に形成されるキャパシタＣｓの一方側の電極Ｅca、データラインＬｄ、選択ラインＬｓの下層配線層Ｌs1、電源電圧ラインＬｖの下層配線層Ｌv1を、同一のゲートメタル層をパターニングすることによって同時に形成し、その後、絶縁性基板１１の全域にゲート絶縁膜１２を被覆形成する。なお、図３に示したように、データラインＬｄと選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬｖが交差する領域においては、例えば選択ラインＬｓの下層配線層Ｌs1及び電源電圧ラインＬｖの下層配線層Ｌv1を形成しないようにして、相互に電気的に接続されない（絶縁される）ようにする。

次いで、上記データラインＬｄ上のゲート絶縁膜１２の所定の領域にコンタクトホールＣＨ11を、また、選択ラインＬｓの下層配線層Ｌs1上のゲート絶縁膜１２にコンタクトホールＣＨ12を、電源電圧ラインＬｖの下層配線層Ｌv1上のゲート絶縁膜１２にコンタクトホールＣＨ15を、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇ上のゲート絶縁膜１２の所定の領域にコンタクトホールＣＨ13をそれぞれ形成する。

次いで、ゲート絶縁膜１２上の各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに対応する領域に、例えば、アモルファスシリコンやポリシリコン等からなる半導体層ＳＭＣ、及び、窒化シリコン等からなるチャネル保護層ＢＬを形成し、当該半導体層ＳＭＣ（チャネル）の両端部にオーミック接続のための不純物層ＯＨＭを介してソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを形成する。

ここで、図２、図３に示したように、トランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄがゲート絶縁膜１２に形成されたコンタクトホールＣＨ11を介してデータラインＬｄに接続され、同ソース電極Ｔｒ１１ｓがゲート絶縁膜１２に形成されたコンタクトホールＣＨ13を介してトランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇに接続される。

また、このとき、同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによってソース電極Ｔｒ１２ｓに接続されたキャパシタＣｓの他方側の電極Ｅcbを形成するとともに、上記選択ラインＬｓの上層配線層Ｌs2、及び、電源電圧ラインＬｖの上層配線層Ｌv2を同時に形成する。

ここで、選択ラインＬｓの上層配線層Ｌs2は、ゲート絶縁膜１２に形成された溝状のコンタクトホール（開口部）ＣＨ12を介して、上記選択ラインＬｓの下層配線層Ｌs1に電気的に接続されるように形成され、また、電源電圧ラインＬｖの上層配線層Ｌv2は、ゲート絶縁膜１２に形成された溝状のコンタクトホール（開口部）ＣＨ15を介して、上記電源電圧ラインＬｖの下層配線層Ｌv1に電気的に接続されるように形成される。これにより、上層配線層Ｌs2及び下層配線層Ｌs1からなる積層配線構造を有する選択ラインＬｓ、及び、上層配線層Ｌv2及び下層配線層Ｌv1からなる積層配線構造を有する電源電圧ラインＬｖが形成される。

なお、上述したトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄ、キャパシタＣｓの他方側の電極Ｅcb、選択ラインＬｓの上層配線層Ｌs2、電源電圧ラインＬｖの上層配線層Ｌv2は、配線抵抗を低減し、かつ、マイグレーションを低減する目的で、例えばアルミニウム−チタン（ＡｌＴｉ）やアルミニウム−ネオジウム−チタン（ＡｌＮｄＴｉ）等のアルミニウム合金層と、クロム（Ｃｒ）等の遷移金属層からなる積層配線構造を有しているものであってもよい。

次いで、図６（ｂ）に示すように、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、キャパシタＣｓ、選択ラインＬｓの上層配線層Ｌs2及び電源電圧ラインＬｖの上層配線層Ｌv2を含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、窒化シリコン（ＳｉＮ）等からなる保護絶縁膜１３を形成し、さらにその上に、平坦化膜１４を積層形成する。ここで、平坦化膜１４は、絶縁性基板１１上に形成された上記画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や各配線層による表面段差を緩和して、当該平坦化膜１４表面の平坦性を向上させるように膜材料やその厚みが適宜設定されている。本実施形態に適用可能な平坦化膜材料としては、具体的には、熱硬化性を有する有機材料（例えばアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等）を良好に適用することができる。

次いで、図６（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ法を用いて上記平坦化膜１４及び保護絶縁膜１３をエッチングして、少なくともトランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓ（又は、キャパシタＣｓの他方側の電極Ｅcb）の上面が露出するコンタクトホールＣＨ14を形成する。

次いで、上記コンタクトホールＣＨ14を含む平坦化膜１４上に、スパッタリング法等を用いて銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料、あるいは、アルミニウム−ネオジウム−チタン（ＡｌＮｄＴｉ）等の合金材料からなる光反射特性を有する（より具体的には、可視光域に対して高い反射率を有する）金属薄膜を形成した後、当該金属薄膜をパターニングして、図７（ａ）に示すように、コンタクトホールＣＨ14内部においてトランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓと電気的に接続し、かつ、各表示画素ＰＩＸにおけるＥＬ素子形成領域Ｒelに対応する平面形状を有して平坦化膜１４上に延在する反射層１５ａを形成する。

次いで、上記反射層１５ａを含む平坦化膜１４上に、スパッタリング法等を用いて錫ドープ酸化インジウム（Indium Tin Oxide；ＩＴＯ）や亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium Zinc Oxide；ＩＺＯ）、タングステンドープ酸化インジウム（Indium Tungsten Oxide；ＩＷＯ）、タングステン−亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium Tungsten Zinc Oxide；ＩＷＺＯ）等の透明電極材料からなる（光透過特性を有する）導電性酸化金属層を薄膜形成した後、当該導電性酸化金属層をパターニングして、図７（ｂ）に示すように、少なくとも上記反射層１５ａの上面及び端面（側面）を被覆し、各ＥＬ素子形成領域Ｒelに対応する平面形状を有する透明電極層１５ｂを形成する。

これにより、反射層１５ａ及び透明電極層１５ｂを有し、コンタクトホールＣＨ14を介してトランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓに電気的に接続された積層電極構造を有する画素電極１５が形成される。
この画素電極１５の形成工程においては、各ＥＬ素子形成領域Ｒelに形成される反射層１５ａが、透明電極層１５ｂとなる導電性酸化金属層により上面及び側面が完全に被覆されて露出しないようにした状態で、当該導電性酸化金属層をエッチングすることにより透明電極層１５ｂのパターニングが行われるので、導電性酸化金属層（ＩＴＯ等）と反射層１５ａとの間の電池反応の発生を防止することができるとともに、反射層１５ａがオーバーエッチングされたり、エッチングダメージを受けたりすることを防止することができる。

次いで、上記画素電極１５を含む平坦化膜１４上に、化学気相成長法（ＣＶＤ法）等を用いて、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機の絶縁性材料からなる絶縁層を形成した後パターニングすることにより、図４及び図８（ａ）に示すように、隣接する表示画素（色画素）ＰＩＸとの境界領域（すなわち、隣接する画素電極１５間の領域）を被覆するとともに、各画素形成領域Ｒpxに画素電極１５の上面が露出する開口部を有する層間絶縁膜１６を形成する。

次いで、図８（ｂ）に示すように、隣接する表示画素ＰＩＸ（画素電極１５）間の境界領域に形成された上記層間絶縁膜１６上に、例えばポリイミド系やアクリル系等の感光性の樹脂材料からなるバンク１７を形成する。具体的には、上記層間絶縁膜１６及び画素電極１５を含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように形成された感光性樹脂層をパターニングすることにより、図１に示したように、行方向に隣接する表示画素ＰＩＸ間の境界領域であって、表示パネル１０の列方向に延在する領域を含む柵状の平面形状を有し、高さ方向に連続的に突出するバンク（隔壁）１７を形成する。これにより、表示パネル１０の列方向に配列された同一色の複数の表示画素（色画素）ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelがバンク１７及び層間絶縁膜１６により囲まれて画定されて、該ＥＬ素子形成領域Ｒel内に各表示画素ＰＩＸの画素電極１５の上面が露出する。

次いで、絶縁性基板１１を純水で洗浄した後、例えば酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等を施すことにより、ＥＬ素子形成領域Ｒelに露出する各画素電極１５の表面を、後述する正孔輸送材料や電子輸送性発光材料の有機化合物含有液に対して親液化する処理を施し、続いて、バンク１７の表面にＣＦ_４プラズマ処理を行い、バンク１７の表面を有機化合物含有液に対して撥液化する処理を施す。なお、バンク１７を形成する樹脂材料自体に予めフッ素原子が含まれていれば、上記撥液化処理は必ずしも行わなくてもよい。

これにより、同一の絶縁性基板１１上において、バンク１７の表面のみが撥液化処理され、当該バンク１７により画定された各画素形成領域Ｒpxに露出する画素電極１５の表面は撥液化されていない状態（親液性）が保持されるので、後述するように、有機化合物含有液を塗布して有機ＥＬ層１８（電子輸送性発光層１８ｂ）を形成する場合であっても、隣接するＥＬ素子形成領域Ｒelへの有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができ、隣接画素相互の混色を抑制して、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）色の塗り分けが可能となる。

なお、本実施形態において使用する「撥液性」とは、後述する正孔輸送層１８ａとなる正孔輸送材料を含有する有機化合物含有液や、電子輸送性発光層１８ｂとなる電子輸送性発光材料を含有する有機化合物含有液、もしくは、これらの溶液に用いる有機溶媒を、基板上等に滴下して、接触角の測定を行った場合に、当該接触角が５０°以上になる状態と規定する。また、「撥液性」に対峙する「親液性」とは、本実施形態においては、上記接触角が４０°以下、好ましくは１０°以下になる状態と規定する。

次いで、上記バンク１７により囲まれた（画定された）各色のＥＬ素子形成領域Ｒelに対して、プロセス制御性や生産性に優れる、インクジェット法やノズルプリンティング法等を適用して、高分子系の有機材料からなる正孔輸送材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂごとに、異なる特定の膜厚を有するように正孔輸送層１８ａを形成する。続いて、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂごとに、上記正孔輸送層１８ａ上にＲ、Ｇ、Ｂの発光色に対応した高分子系の有機材料からなる電子輸送性発光材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて電子輸送性発光層１８ｂを形成する。これにより、図９に示すように、画素電極１５上に少なくとも正孔輸送層１８ａ及び電子輸送性発光層１８ｂを有する有機ＥＬ層１８が積層形成される。なお、有機ＥＬ層１８の成膜プロセスについては詳しく後述する。

その後、図１０に示すように、少なくとも各表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelを含む絶縁性基板１１上に光透過性を有する導電層（透明電極層）を形成し、上記有機ＥＬ層１８（正孔輸送層１８ａ及び電子輸送性発光層１８ｂ）を介して各表示画素ＰＩＸの画素電極１５に対向する共通の対向電極（例えばカソード電極）１９を形成する。

具体的には、対向電極１９は、例えば蒸着法等により電子注入層となるバリウム、マグネシウム、リチウム等の金属材料からなる薄膜を形成した後、その上層にスパッタ法等によりＩＴＯ等の透明電極層を積層形成した、厚さ方向に透明な膜構造を適用することができる。ここで、対向電極１９は、上記画素電極１５に対向する領域のみならず、各ＥＬ素子形成領域Ｒelを画定するバンク１７上にまで延在する単一の導電層（べた電極）として形成される。

次いで、上記対向電極１９を形成した後、絶縁性基板１１の一面側全域に保護絶縁膜（パッシベーション膜）としてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる封止層２０をＣＶＤ法等を用いて形成することにより、図４、図５に示したような断面構造を有する表示パネル１０が完成する。なお、図示を省略したが、図４、図５に示したようなパネル構造に加えて、さらに、絶縁性基板１１に対向するようにガラス基板等からなる封止蓋や封止基板が接合されているものであってもよい。

＜有機ＥＬ層の成膜プロセス＞
次に、上述した表示パネルの製造方法において、有機ＥＬ層１８（正孔輸送層１８ａ及び電子輸送性発光層１８ｂ）の成膜プロセスについてさらに詳しく説明する。
図１１、図１２は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における正孔輸送層の成膜プロセスを説明するための概念図である。また、図１３、図１４は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における電子輸送性発光層の成膜プロセスを説明するための概念図である。ここでは、図示を明確にするために、インク塗布処理が実行された各ライン（列）について便宜的にハッチングを施して示した。

本実施形態に係る有機ＥＬ層の成膜プロセスは、上述した表示パネルの製造方法において、バンク１７により画定されたＥＬ素子形成領域Ｒelに露出する画素電極１５（透明電極層１５ｂ）上に、まず、有機高分子系の正孔輸送材料を含む有機化合物含有液として、例えばポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ；導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェンＰＥＤＯＴと、ドーパントであるポリスチレンスルホン酸ＰＳＳを水系溶媒に分散させた分散液）を、ノズルプリント成膜装置を用いて塗布した後、加熱乾燥処理を行って溶媒を除去することにより、当該画素電極１５上に有機高分子系の正孔輸送材料を定着させて、所定の膜厚を有する担体輸送層である正孔輸送層１８ａを形成する。

ここで、正孔輸送材料を含む有機化合物含有液の塗布方法は、ノズルプリント成膜装置のプリンタヘッドＰＨの吐出口から上記ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを所定量の液流状にして吐出させ、同一色の色画素（例えば赤（Ｒ）色の色画素ＰＸｒ）が配列される列のＥＬ素子形成領域Ｒelに対して、当該プリンタヘッドＰＨを所定の速度で順次走査しつつ塗布する。このとき、上述したように、バンク１７の表面は撥液化処理が施されているので、ＥＬ素子形成領域Ｒelに塗布されたＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの液流はバンク１７上に着滴した場合であってもはじかれて、親液化処理が施された各画素電極１５上に馴染んで拡がる。なお、プリンタヘッドＰＨから吐出されるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの流量は、例えばノズルプリント成膜装置の吐出ポンプの回転数（吐出量）を制御することにより調整するものであってもよいし、プリンタヘッドＰＨの吐出口の大きさ（ノズル径）を変化させることにより調整するものであってもよい。

具体的には、図１１（ａ）に示すように、まず、ノズルプリント成膜装置の基板ステージ（図示を省略）上に載置された絶縁性基板１１に対して、プリンタヘッドＰＨを表示パネル１０の例えば１列目の赤（Ｒ）色の色画素ＰＸｒが配列される１ライン目Ｌ１に沿って相対的に列方向（図１に示した表示パネル１０においては、図面上下方向であるが、図１１においては、図示の都合上、図面左右方向となる）に走査させながら、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを第１の流量で液流状にして吐出して、１ライン目Ｌ１のＥＬ素子形成領域Ｒelに連続的に塗布する（以下、便宜的に「正孔層（赤）１走査目」と記す）。

次いで、基板ステージ（絶縁性基板１１）をプリンタヘッドＰＨの走査方向（列方向）に対して直交する方向（行方向；図面上方）に３ライン（３列）分、相対的に移動させて、プリンタヘッドＰＨを表示パネル１０の４列目の赤（Ｒ）色の色画素ＰＸｒが配列される４ライン目Ｌ４に対応する位置に移動させた後、上記正孔層（赤）１走査目と同様に、プリンタヘッドＰＨを相対的に列方向に走査させながら、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを上記第１の流量で液流状にして吐出して、４ライン目Ｌ４のＥＬ素子形成領域Ｒelに連続的に塗布する（以下、便宜的に「正孔層（赤）２走査目」と記す）。

このようなプリンタヘッドＰＨを列方向に走査させながらＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを塗布した後、図１１（ｂ）に示すように、プリンタヘッドＰＨを行方向に所定のピッチ（３ライン分）移動させて、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを塗布する一連の動作を順次繰り返し、７ライン目（７列目）Ｌ７、１０ライン目（１０列目）Ｌ１０、１３ライン目（１３列目）Ｌ１３、・・・の赤（Ｒ）色の色画素ＰＸｒが配列されるＥＬ素子形成領域ＲelにもＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを塗布する（正孔層（赤）３走査目〜）。

次いで、図１２（ａ）に示すように、基板ステージ（絶縁性基板１１）をプリンタヘッドＰＨに対して行方向に相対的に移動させて、プリンタヘッドＰＨを絶縁性基板１１に対して、表示パネル１０の２列目の緑（Ｇ）色の色画素ＰＸｇが配列される２ライン目Ｌ２に対応する位置に移動させた後、プリンタヘッドＰＨを相対的に列方向に走査させながら、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを第２の流量で液流状にして吐出して、２ライン目Ｌ２のＥＬ素子形成領域Ｒelに連続的に塗布する（以下、便宜的に「正孔層（緑）１走査目」と記す）。

このとき、上述した正孔層（赤）１走査目で表示パネル１０（絶縁性基板１１）の１ライン目（１列目）Ｌ１のＥＬ素子形成領域Ｒelに塗布されたＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは、絶縁性基板１１が載置された基板ステージを所定の温度に加熱制御することにより、上述した正孔層（赤）２走査目以降の塗布動作が実行される時間中に十分に加熱乾燥が進み、画素電極１５（透明電極層１５ｂ）上を含む赤（Ｒ）色の色画素ＰＸｒのＥＬ素子形成領域Ｒel内に、正孔輸送材料が薄膜状に定着した正孔輸送層１８ａが形成される。ここで、赤（Ｒ）色の色画素ＰＸｒの画素電極１５（透明電極層１５ｂ）上に形成される正孔輸送層１８ａの膜厚は、上記プリンタヘッドＰＨの走査速度（塗布速度）や基板ステージの加熱温度等の諸条件を特定の固定値に設定し、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの流量のみを任意に設定した場合、プリンタヘッドＰＨから吐出されるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの流量（第１の流量；塗布量に相当する）に依存して決定され、例えば数十ｎｍオーダーの膜厚に形成される。

次いで、上述した正孔層（赤）２走査目と同様に、基板ステージ（絶縁性基板１１）をプリンタヘッドＰＨの走査方向（列方向）に対して直交する方向（行方向）に３ライン（３列）分、相対的に移動させて、プリンタヘッドＰＨを表示パネル１０の５列目の緑（Ｇ）色の色画素ＰＸｇが配列される５ライン目Ｌ５に対応する位置に移動させた後、上記正孔層（緑）１走査目と同様に、プリンタヘッドＰＨを相対的に列方向に走査させながら、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを上記第２の流量で液流状にして吐出して、５ライン目Ｌ５のＥＬ素子形成領域Ｒelに連続的に塗布する（以下、便宜的に「正孔層（緑）２走査目」と記す）。

以下、上述した正孔層（赤）３走査目以降と同様に、プリンタヘッドＰＨを列方向に走査させながらＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを塗布した後、プリンタヘッドＰＨを行方向に所定のピッチ（３ライン分）移動させて、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを塗布する一連の動作を順次繰り返し、８ライン目（８列目）Ｌ８、１１ライン目（１１列目）Ｌ１１、１４ライン目（１４列目）Ｌ１４、・・・の緑（Ｇ）色の色画素ＰＸｇが配列されるＥＬ素子形成領域ＲelにもＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを塗布する（正孔層（緑）３走査目〜）。

さらに、図１２（ｂ）に示すように、青（Ｂ）色の色画素ＰＸｂが配列される各ライン、すなわち、３ライン目（３列目）Ｌ３、６ライン目（６列目）Ｌ６、９ライン目（９列目）Ｌ９、・・・に対しても、上述した赤（Ｒ）、緑（Ｇ）色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇが配列されるＥＬ素子形成領域Ｒelと同様に、プリンタヘッドＰＨを列方向に走査させながらＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを第３の流量で液流状にして吐出、塗布した後、プリンタヘッドＰＨを行方向に所定のピッチ（３ライン分）移動させて、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを塗布する一連の動作を順次繰り返し、青（Ｂ）色の色画素ＰＸｂが配列されるＥＬ素子形成領域ＲelにもＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを塗布する（正孔層（青）１走査目〜）。

これにより、緑（Ｇ）色の色画素ＰＸｇ及び青（Ｂ）色の色画素ＰＸｂが配列される各ＥＬ素子形成領域Ｒelに露出する画素電極１５（透明電極層１５ｂ）上には、プリンタヘッドＰＨから吐出されるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの流量、すなわち、第２の流量及び第３の流量に依存して、所定の膜厚を有する正孔輸送層１８ａが形成される。ここで、緑（Ｇ）色の色画素ＰＸｇ及び青（Ｂ）色の色画素ＰＸｂの画素電極１５上に形成される正孔輸送層１８ａは、いずれも例えば数十〜１００ｎｍ程度の膜厚に形成される。

次に、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂごとに正孔輸送層１８ａが形成されたＥＬ素子形成領域Ｒelに、有機高分子系の電子輸送性発光材料を含む有機化合物含有液として、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光色に対応した発光材料を、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒或いは水に溶解した溶液（以下、「発光材料溶液」と記す）を、上記正孔輸送層１８ａ上に塗布した後、加熱乾燥処理を行って溶媒を除去することにより、上記正孔輸送層１８ａ上に有機高分子系の電子輸送性発光材料を定着させて、担体輸送層であり発光層でもある電子輸送性発光層１８ｂを形成する。

ここで、電子輸送性発光材料を含む有機化合物含有液の塗布方法は、上述した正孔輸送層１８ａを形成する際のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（正孔輸送材料を含む有機化合物含有液）の塗布方法と同様に、ノズルプリント成膜装置のプリンタヘッドの吐出口から各発光色に対応した発光材料溶液を液流状にして吐出させ、同一色の色画素（例えば赤（Ｒ）色の色画素ＰＸｒ）が配列される列のＥＬ素子形成領域Ｒelに対して、当該プリンタヘッドを順次走査しつつ塗布する。このとき、上述したように、バンク１７の表面は撥液化処理が施されているので、ＥＬ素子形成領域Ｒelに塗布された発光材料溶液の液流はバンク１７上に着滴した場合であってもはじかれて、親液性を有する上記正孔輸送層１８ａ上に馴染んで拡がる。

具体的には、図１３（ａ）に示すように、まず、ノズルプリント成膜装置の基板ステージ（図示を省略）上に載置された絶縁性基板１１に対して、赤（Ｒ）色の発光色に対応した発光材料溶液を吐出するプリンタヘッドＰＥｒを表示パネル１０の１列目の赤（Ｒ）色の色画素ＰＸｒが配列される１ライン目Ｌ１に沿って相対的に列方向（図面左右方向）に走査させながら、発光材料溶液所定の流量で液流状にして吐出して、１ライン目Ｌ１のＥＬ素子形成領域Ｒelに連続的に塗布する（以下、便宜的に「発光層（赤）１走査目」と記す）。

次いで、基板ステージ（絶縁性基板１１）をプリンタヘッドＰＥｒの走査方向（列方向）に対して直交する方向（行方向；図面上方）に３ライン（３列）分、相対的に移動させて、プリンタヘッドＰＥｒを表示パネル１０の４列目の赤（Ｒ）色の色画素ＰＸｒが配列される４ライン目Ｌ４に対応する位置に移動させた後、上記発光層（赤）１走査目と同様に、プリンタヘッドＰＥｒを相対的に列方向に走査させながら、発光材料溶液を上記所定の流量で液流状にして吐出して、４ライン目Ｌ４のＥＬ素子形成領域Ｒelに連続的に塗布する（発光層（赤）２走査目）。

以下同様に、図１３（ｂ）に示すように、プリンタヘッドＰＥｒを表示パネル１０の７、１０、１３・・・列目のラインに沿って走査させながら、当該各ラインのＥＬ素子形成領域Ｒelに発光材料溶液を順次塗布する（発光層（赤）３走査目〜）。すなわち、同色となる３ラインおきのＥＬ素子形成領域Ｒelに発光材料溶液を塗布する。

次いで、図１４（ａ）に示すように、プリンタヘッドＰＥｇを絶縁性基板１１に対して、表示パネル１０の２列目の緑（Ｇ）色の色画素ＰＸｇが配列される２ライン目Ｌ２に対応する位置に移動させた後、上述した発光層（赤）１走査目以降と同様に、プリンタヘッドＰＥｇを列方向に走査させながら発光材料溶液を塗布した後、プリンタヘッドＰＥｇを行方向に所定のピッチ（３ライン分）移動させて、発光材料溶液を塗布する一連の動作を順次繰り返し、２ライン目（２列目）Ｌ２、５ライン目（５列目）Ｌ５、８ライン目（８列目）Ｌ８、・・・の緑（Ｇ）色の色画素ＰＸｇが配列されるＥＬ素子形成領域Ｒelに発光材料溶液を順次塗布する（発光層（緑）１走査目〜）。

さらに、図１４（ｂ）に示すように、表示パネル１０の青（Ｂ）色の色画素ＰＸｂが配列される３ライン目（３列目）Ｌ３、６ライン目（６列目）Ｌ６、９ライン目（９列目）Ｌ９、・・・のＥＬ素子形成領域Ｒelに対しても、上述した発光層（赤）１走査目以降と同様に、プリンタヘッドＰＥｂを列方向に走査させながら発光材料溶液を塗布した後、プリンタヘッドＰＥｂを行方向に所定のピッチ（３ライン分）移動させて、発光材料溶液を塗布する一連の動作を順次繰り返す。

これにより、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）色の各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが配列される各ＥＬ素子形成領域Ｒelの正孔輸送層１８ａ上に、所定の膜厚を有する電子輸送性発光層１８ｂが形成される。ここで、各色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂに形成される電子輸送性発光層１８ｂは、いずれも例えば数十〜１００ｎｍ程度の膜厚に形成される。

したがって、このような有機ＥＬ層の成膜プロセスにより、図４、５、９に示したように、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが配列されるＥＬ素子形成領域Ｒelに、少なくとも、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色ごとに異なる膜厚を有する正孔輸送層１８ａと、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光色に対応した所定の膜厚を有する電子輸送性発光層１８ｂと、を有する有機ＥＬ層１８が形成される。

＜製造方法の検証＞
ここで、上述した成膜プロセスによる作用効果について実験結果を示して詳しく説明する。
図１５は、本実施形態に係る表示装置の製造方法（有機ＥＬ層の成膜プロセス）における作用効果の検証結果を示す概略図である。ここで、図１５（ａ）は、パネル基板へのインク塗布方法を示す概略平面図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）に示した平面図におけるXVＢ−XVＢ線及びXVＣ−XVＣ線（本明細書においては図１５中に示したローマ数字の「１５」に対応する記号として便宜的に「XV」を用いる）に沿った断面を示す概略断面形状図である。また、図１５（ａ）においては、図示を明確にするために、有機化合物含有液の塗布処理が実行されるラインについてハッチングを施して示した。

ここでは、上述した実施形態に示した表示装置（表示パネル）に対応する実験モデルとして、図１５（ａ）に示すように、ノズルプリント成膜装置の基板ステージＳＴＧ上に載置、固定されたパネル基板ＰＳＢ（上記絶縁性基板１１に対応する）の一面側に設定された各色のＥＬ素子形成領域Ｒelを含むライン（列）のうち、相互に隣接するラインに対して高分子系の有機化合物含有液（上記ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳや発光材料溶液に相当する）の塗布処理を、例えば図面上側のラインから図面下方向に連続的に順次実行する場合（図中ＥＸ１）と、特定の１ラインに対してのみ上記有機化合物含有液の塗布処理を実行し、隣接するラインへの塗布処理を行わない場合（図中ＥＸ２）における膜厚及び膜断面の形状（プロファイル）について検証する。

また、実験モデルとして、ピクセル密度８０ppi（pixels per inch）とし、上記有機化合物含有液が塗布されるライン数を４２０ライン、ライン間ピッチ３１８μｍに設定された表示パネルを適用し、４０℃に加熱した基板ステージＳＴＧ上に載置されたパネル基板ＰＳＢに対して、上述した成膜プロセスに示した塗布方法で有機化合物含有液を塗布した場合について検証を行った。

前者の塗布処理（ＥＸ１）において、各ラインのＥＬ素子形成領域Ｒelに成膜される有機膜（上記正孔輸送層１８ａ又は電子輸送性発光層１８ｂに相当する）の膜厚及び膜断面の形状は、図１５（ｂ）に点線でXVＢ−XVＢ断面として示すように、図示しない図１５（ｂ）に示すラインの左側のラインに有機化合物含有液を塗布した後、連続して図１５（ｂ）に示すラインに有機化合物含有液が塗布されることにより、先に塗布されたラインの有機化合物含有液と次に塗布されたラインの有機化合物含有液の乾燥するタイミングが違うことによって生じる隣接するライン方向（図１５（ｂ）の左方向）での局所的な溶媒雰囲気の不均一性が、有機化合物含有液の乾燥特性に影響を及ぼし、有機化合物含有液の堆積物の隣接するライン方向での膜厚が不均一になるとともに、先に塗布されたライン側の隔壁側（図１５（ｂ）の左方側）において膜表面が壁面に大きく迫り上がり、他方の隔壁側（同図右方側）では壁面への迫り上がりが小さく抑制されて膜断面の形状が大きく偏る現象が確認された。

これに対して、後者の塗布処理（ＥＸ２）における有機膜の膜厚及び膜断面の形状は、図１５（ｂ）に実線でXVＣ−XVＣ断面として示すように、特定のラインに有機化合物含有液を塗布した後、次の塗布処理が隣接するラインに対して実行されないので、有機化合物含有液の乾燥特性への影響をなくして、上記特定のラインに塗布された有機化合物含有液を十分乾燥させて膜厚を略均一にすることができるとともに、膜断面の形状を略均等にすることができることが判明した。

すなわち、特定のライン（列）と、当該ラインへの有機化合物含有液の塗布処理の後に、引き続き塗布処理が実行されるラインとが、有機化合物含有液の乾燥特性に影響し合わない程度の離間距離を有し、かつ、特定のラインに隣接するラインへの塗布処理を実行する際に、上記特定のラインに塗布された有機化合物含有液が十分に乾燥する程度に時間が経過しているように製造条件を設定することにより、各表示画素のＥＬ素子形成領域Ｒelに形成される有機膜（正孔輸送層１８ａや電子輸送性発光層１８ｂ）の膜厚や膜断面形状の均一性を向上させることができる。
特に、このような製造方法を適用することにより、高分子系の有機化合物含有液を塗布して有機ＥＬ層１８を形成した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを有する表示装置（表示パネル）において、ＲＧＢの各色ごとに異なる膜厚を有する正孔輸送層１８ａを、均一な膜厚で、かつ、良好な平坦性を有するように形成することができる。

なお、上述した実施形態に示した製造方法（有機ＥＬ層の成膜プロセス）おいては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳや発光材料溶液等の有機化合物含有液を、ＲＧＢ各色の配列に基づいて３ライン（列）おきに塗布する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、塗布される有機化合物含有液の乾きやすさや上記成膜工程におけるパネル基板の温度等の製造条件に基づいて、３の整数倍となる任意のラインごと（例えば６ラインごとや１２ラインごと）に上記有機化合物含有液を塗布するものであってもよい。

また、上述した成膜プロセスにおいては、図１に示したように、ＲＧＢの各色で発光する表示画素が２次元配列されたカラー表示パネルについて説明したため、ＲＧＢ各色の配列に基づいて３ライン（列）おきに塗布する場合について示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、表示画素の発光色の種類数に応じて、隣接するライン以外の、相互に離間して配置されたライン（すなわち、複数ラインごと）に有機化合物含有液を塗布するものであってもよい。

また、上述した成膜プロセスにおいては、プリンタヘッドから吐出する有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳや発光材料溶液）の流量に応じて、正孔輸送層や電子輸送性発光層の膜厚を調整（制御）する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、上記流量を一定にした状態で、プリンタヘッドの走査速度（基板ステージに対する相対的な移動速度であって、塗布速度に対応する）を変化させることにより膜厚を調整するものであってもよいし、上記流量と走査速度の双方を適宜設定することにより膜厚を調整するものであってもよい。また、例えば上記流量や走査速度を一定として、各ラインへの塗布回数（プリンタヘッドの走査回数）を変化させること（すなわち、２度塗り、３度塗り等）により膜厚を調整するものであってもよいし、更に、これらを組み合わせて用いるものであってもよい。

＜表示装置の検証＞
次に、上述した製造方法を用いて製造された表示装置（表示パネル）の作用効果について実験結果を示して検証する。
図１６は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成される有機ＥＬ素子の素子構造の一例（実験モデル）を示す模式図、及び、干渉効果を説明するための概略図である。ここでは、実験モデルとして青色光を発光する有機ＥＬ素子の素子構造を示す。図１７、図１８は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成される青色光を発光する有機ＥＬ素子における、正孔輸送層の膜厚と色度との関係を示す色度図である。ここでは、正孔輸送層の膜厚を変化させたときの色度について、図１６（ａ）に示す素子構造を有する有機ＥＬ素子を実際に作製して観測した結果（観測結果；図中黒丸で表記）と、当該素子構造に係る各種パラメータに基づくシミュレーション実験の結果（シミュレーション結果；図中白丸で表記）との双方を示す。また、図１９は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成される緑色光及び赤色光を発光する有機ＥＬ素子における、正孔輸送層の膜厚と色度との関係を示す色度図であり、図２０は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成される有機ＥＬ素子における、正孔輸送層の膜厚と発光色度との関係を示す色度図である。ここでは、正孔輸送層の膜厚を変化させたときの色度について、図１６（ａ）に示す有機ＥＬ素子の素子構造に係る各種パラメータに基づくシミュレーション実験の結果（シミュレーション結果）を示す。

上述した実施形態に係る表示装置の作用効果の検証においては、実験モデルとして、図１６（ａ）に示すように、シリコン窒化膜からなる平坦化膜１４上に、アルミニウム（Ａｌ）及び銀（Ａｇ）からなる反射層１５ａ、及び、当該反射層１５ａを被覆するＩＴＯからなる透明電極層１５ｂを有する画素電極１５と、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを塗布して形成された正孔輸送層１８ａと、電子ブロッキング性を有するインターレイヤ層（介在層）１８ｃと、青色発光に対応した発光材料溶液を塗布して形成された発光層（又は電子輸送性発光層）１８ｂと、カルシウム（Ｃａ）の薄膜からなる電子注入層１９ａと、ＩＴＯからなる透明電極層１９ｂと、シリコン窒化膜からなる封止膜（パッシベーション膜）２０と、を順次積層した素子構造を有する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを適用して、発光動作時に出射される光の色度を観測した。

ここで、図１６（ａ）に示した実験モデルは、概略、以下のような製造プロセスにより作成した。
まず、図示を省略した絶縁性の基板（絶縁性基板１１）上にシリコン窒化膜からなる平坦化膜１４を形成し、その上面にアルミニウム（Ａｌ）の薄膜を形成した後、当該アルミニウム薄膜の表面を酸素（Ｏ₂）プラズマ洗浄し、その上に銀（Ａｇ）を１００ｎｍの膜厚で真空蒸着する。これにより表面が銀による金属光沢（すなわち光反射特性）を有する反射層１５ａが形成される。

次いで、上記反射層１５ａ上に対向ターゲットスパッタ法によりＩＴＯを２５ｎｍの膜厚で成膜して、反射層１５ａ表面を被覆する透明導電層１５ｂを形成する。
次いで、上記透明電極層１５ｂの表面をＵＶオゾン洗浄を施して親液化した後、スピンコート法によりＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを塗布し、乾燥させて、各色ごとに異なる膜厚を有する正孔輸送層１８ａを成膜する。

なお、上述した実施形態においては、絶縁性基板１１の一面側に複数の塗布ライン（バンク１７により囲まれた複数のＥＬ素子形成領域Ｒelからなる領域に相当する）が設定されている場合には、ノズルプリント成膜装置により有機化合物含有液を液流状にして連続的に塗布して、正孔輸送層１８ａを成膜するが、ここでは、実験モデルとして便宜的にスピンコート法によりＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを塗布して、各色ごとに任意の膜厚を有する正孔輸送層１８ａを成膜した場合について示す。

具体的には、図１６（ａ）に示した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにおいては、膜厚２５ｎｍの正孔輸送層１８ａを形成するための成膜条件として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの固形分濃度を１．４％、基板の回転数を８００ｒｐｍで５ｓｅｃ、さらに回転数４５００ｒｐｍで２０ｓｅｃに設定し、また、膜厚５０ｎｍの正孔輸送層１８ａを形成するための成膜条件として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの固形分濃度を１．４％、基板の回転数を８００ｒｐｍで５ｓｅｃ、さらに回転数２０００ｒｐｍで２０ｓｅｃに設定し、膜厚９０ｎｍの正孔輸送層１８ａを形成するための成膜条件として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの固形分濃度を２．８％、基板の回転数を８００ｒｐｍで５ｓｅｃ、さらに回転数３０００ｒｐｍで２０ｓｅｃに設定し、膜厚１１０ｎｍの正孔輸送層１８ａを形成するための成膜条件として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの固形分濃度を２．８％、基板の回転数を８００ｒｐｍで５ｓｅｃ、さらに回転数２０００ｒｐｍで２０ｓｅｃに設定した。

次いで、スピンコート法により濃度０．５ｗｔ％のキシレン溶液を正孔輸送層１８ａ上に滴下し、回転数８００ｒｐｍで５ｓｅｃ、さらに回転数２０００ｒｐｍで２０ｓｅｃの成膜条件で、膜厚１０ｎｍのインターレイヤ層１８ｃを成膜する。
次いで、スピンコート法により濃度１．０ｗｔ％のキシレン溶液をインターレイヤ層１８ｃ上に滴下し、回転数８００ｒｐｍで５ｓｅｃ、さらに回転数２０００ｒｐｍで２０ｓｅｃの成膜条件で、膜厚７０ｎｍの青色発光層（又は電子輸送性発光層）１８ｂを成膜する。

次いで、真空蒸着法により上記青色発光層１８ｂ上にカルシウム（Ｃａ）を膜厚１５ｎｍで成膜して電子注入層１９ａを形成した後、対向ターゲットスパッタ法によりＩＴＯを５０ｎｍの膜厚で成膜して透明電極層１９ｂを形成する。
そして、パッシベーション膜として対向ターゲットスパッタ法により窒化シリコンを６００ｎｍの膜厚で成膜して封止層２０を形成する。

上述したような膜厚を有する各層が積層された有機ＥＬ素子において、発光時の色度特性（色度座標）を検討すると、正孔輸送層１８ａの膜厚を２５ｎｍに設定した場合には、図１７（ａ）に示すように、観測結果におけるＣＩＥ（Commission
International de l'Eclairage；国際照明委員会）ｘｙ色度座標は、ＣＩＥ（0.207,0.380）であり、シミュレーション結果におけるＣＩＥｘｙ色度座標は、ＣＩＥ（0.163,0.392）であった。また、正孔輸送層１８ａの膜厚を５０ｎｍに設定した場合には、図１７（ｂ）に示すように、観測結果におけるＣＩＥｘｙ色度座標は、ＣＩＥ（0.230,0.452）であり、シミュレーション結果におけるＣＩＥｘｙ色度座標は、ＣＩＥ（0.186,0.474）であった。すなわち、正孔輸送層１８ａの膜厚を２５ｎｍ、５０ｎｍに設定したいずれの場合においても、発光色度は青（Ｂ）色の色度領域から大きくはずれており、良好な青色発光が行われないことが判明した。

一方、正孔輸送層１８ａの膜厚を９０ｎｍに設定した場合には、図１８（ａ）に示すように、観測結果におけるＣＩＥｘｙ色度座標は、ＣＩＥ（0.145,0.085）であり、シミュレーション結果におけるＣＩＥｘｙ色度座標は、ＣＩＥ（0.133,0.083）であった。また、正孔輸送層１８ａの膜厚を１１０ｎｍに設定した場合には、図１８（ｂ）に示すように、観測結果におけるＣＩＥｘｙ色度座標は、ＣＩＥ（0.138,0.101）であり、シミュレーション結果におけるＣＩＥｘｙ色度座標は、ＣＩＥ（0.128,0.103）であった。すなわち、正孔輸送層１８ａの膜厚を９０ｎｍ、１１０ｎｍに設定したいずれの場合においても、青（Ｂ）色の色度領域内の鮮明な青色を示す座標にあって、良好な青色発光が行われることが判明した。

このような正孔輸送層１８ａの膜厚による発光色度の変化は、図１６（ａ）に示した素子構造において、図１６（ｂ）に示すように、青色発光層（電子輸送性発光層）１８ｂ内の発光点で発光し、厚さ方向に透明な電子注入層１９ａ及び透明電極層１９ｂからなる対向電極１９を透過して直接視野側（図面上方）に出射される光（すなわち、正孔輸送層１８ａを介さないで出射される光）ＲＹ１と、発光点の上方の対向電極１９表面や封止層２０表面、及び、発光点の下方の画素電極１５の透明電極層１５ｂ表面や反射層１５ａ表面で反射を繰り返した（多重反射した）後、視野側（図面上方）に出射される光（すなわち、膜厚を変化させた正孔輸送層１８ａを透過して出射される光）ＲＹ２との光路差（光学長の違い）に起因する干渉効果に基づいて発生するものである。したがって、正孔輸送層１８ａの膜厚を適宜調整することにより、ＣＩＥ色度図上で最適な発光色度を設定することができる。

また、図１７、図１８に示したように、正孔輸送層１８ａの膜厚を２５〜１１０ｎｍの範囲で変化させた場合のＣＩＥｘｙ色度座標は、有機ＥＬ素子を実際に作製した場合の観測結果と、当該有機ＥＬ素子における各種パラメータに基づくシミュレーション結果が極めて近似することが判明し、このことから、有機ＥＬ素子における各種パラメータに基づいて発光時の色度特性（色度座標）を比較的高い精度で確定できることが判明した。

以下、緑色光及び赤色光を発光する有機ＥＬ素子における発光時の色度特性（色度座標）については、各種パラメータに基づくシミュレーション結果のみを示して説明する。ここでは、上述した青色光を発光する有機ＥＬ素子の場合と同様に、図１６（ａ）に示した素子構造を有しているものとする。

緑色光を発光する有機ＥＬ素子について、発光時の色度特性（シミュレーション結果）を検討すると、図１９（ａ）に示すように、正孔輸送層１８ａの膜厚を２５ｎｍに設定した場合には、ＣＩＥｘｙ色度座標は、ＣＩＥ（0.439,0.551）であり、膜厚を１１０ｎｍに設定した場合には、ＣＩＥ（0.241,0.711）であった。また、図１９（ｂ）に示すように、赤色光を発光する有機ＥＬ素子について、正孔輸送層１８ａの膜厚を２５ｎｍに設定した場合には、ＣＩＥｘｙ色度座標は、ＣＩＥ（0.688,0.310）であり、膜厚を１１０ｎｍに設定した場合には、ＣＩＥ（0.426,0.288）であった。

このように、緑色光及び赤色光を発光する有機ＥＬ素子においても、上述した青色光を発光する有機ＥＬ素子の場合と同様に、正孔輸送層１８ａの膜厚に応じて発光色度が変化することが判明した。このことに基づいて、上述した図１６（ａ）に示した素子構造を有する有機ＥＬ素子において、正孔輸送層１８ａの膜厚を適宜調整することにより、図２０に示すように、ＣＩＥ色度図上で青色光、緑色光及び赤色光の最適な発光色度を設定することができた。

具体的には、正孔輸送層１８ａの膜厚の一例として、青色光を発光する有機ＥＬ素子においては、９０ｎｍに設定することにより色度座標をＣＩＥ（0.133,0.083）に設定することができ、緑色光を発光する有機ＥＬ素子においては、９５ｎｍに設定することにより色度座標をＣＩＥ（0.179,0.744）に設定することができ、赤色光を発光する有機ＥＬ素子においては、１５ｎｍに設定することにより色度座標をＣＩＥ（0.691,0.307）に設定することができた。これらは各々青（Ｂ）色、緑（Ｇ）色及び赤（Ｒ）色の各色度領域内の鮮明な発光色を示す座標にあって、青色発光、緑色発光及び赤色発光が良好に行われることが判明した。

このように、本実施形態に係る表示装置及びその製造方法によれば、各発光色ごとに正孔輸送層を任意の膜厚に設定し、かつ、当該正孔輸送層を均一な膜厚で良好な平坦性を有して形成することができるので、発光点から出射される光の光学長を各発光色ごとに最適に調整することができ、干渉作用に基づく色度ずれや発光輝度のばらつきを抑制して、簡易に発光色の色度調節や発光強度の調整を行うことができる。よって、画像のにじみやぼけのない表示特性に優れた表示装置を実現することができる。

また、図１６〜図１９に示したように、有機ＥＬ層１８を形成する特定の層（正孔輸送層）の膜厚を変化させることにより、ＣＩＥ色度図上の任意の座標の発光色を実現することができるので、例えば緑色光を発光する有機ＥＬ素子において、正孔輸送層の膜厚を調整することにより長波長領域の成分を干渉効果により強めて赤色光を発光させるように色調を変化させることができる。あるいは、特定の発光色を有する有機ＥＬ素子、例えば白色光を発光する有機ＥＬ素子において正孔輸送層の膜厚を調整することにより、同一色の発光層を有する有機ＥＬ素子において赤色光や緑色光、青色光を発光させるように色調を変化させることができる。

なお、上述した実施形態においては、有機ＥＬ層１８がＲＧＢの各色ごとに膜厚の異なる正孔輸送層１８ａと、所定の膜厚を有する電子輸送性発光層１８ｂからなり、正孔輸送層１８ａを形成するための有機化合物含有液としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを適用し、電子輸送性発光層１８ｂを形成するための有機化合物含有液としてポリフェニレンビニレン系ポリマーを含む発光材料溶液を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、各色ごとに膜厚を異ならせる層は、上述した正孔輸送層１８ａに限定されるものではなく、発光点となる発光層から放射される光が透過する（すなわち光路上にある）層であれば、例えば図１６（ａ）に示したインターレイヤ層１８ｃや、正孔輸送層１８ａとインターレイヤ層１８ｃの複数層に適用するものであってもよく、また、有機ＥＬ層１８が例えば各色ごとに膜厚の異なる正孔輸送兼電子輸送性発光層のみを有するものや、正孔輸送性発光層と各色ごとに膜厚の異なる電子輸送層を有するものでもよく、各層間に上記のインターレイヤ層以外の担体輸送層が適宜介在するものであってもよい。さらに、有機ＥＬ層１８を形成するための有機化合物含有液は、正孔輸送性材料や電子輸送性発光材料等を含む溶液であって、塗布可能なものであれば他の組成を有するものであっても良好に適用することができる。

また、上述した実施形態においては、プリンタヘッドに設けられた唯一の吐出口から吐出される有機化合物含有液により、１回の走査により１ライン（列）分の塗布処理を実行する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば単一のプリンタヘッドに複数ライン分のピッチ（間隔）で複数の吐出口を設け、例えば３ラインおきの複数のラインに対して有機化合物含有液を同時に吐出して塗布するものであってもよい。

また、上述した実施形態においては、画素電極１５を有機ＥＬ素子のアノード電極とし、対向電極１９をカソード電極として、画素電極１５側に正孔輸送層１８ａを、また、対向電極１９側に電子輸送性発光層１８ｂを形成した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、画素電極１５を有機ＥＬ素子のカソード電極とし、対向電極１９をアノード電極とするものであってもよい。この場合、画素電極１５側に電子輸送性発光層１８ｂを、また、対向電極１９側に正孔輸送層１８ａを形成した素子構造となる。

また、上述した実施形態においては、発光層からの光を絶縁性基板を透過させることなく、絶縁性基板の一面側の視野側に出射するトップエミッション型の発光構造を有する表示パネルについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発光層からの光を絶縁性基板を透過させて、絶縁性基板の他面側の視野側に出射するボトムエミッション型の発光構造を有するものであってもよい。この場合、画素電極はＩＴＯ等の光透過特性を有する導電性材料により形成され、対向電極はアルミニウムやクロム等の光反射特性を有する導電性材料により形成されていればよい。

本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図である。 本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素（発光素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。 本発明に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。 本実施形態に係る平面レイアウトを有する表示画素におけるIVＡ−IVＡ線に沿った断面を示す概略断面図である。 本実施形態に係る平面レイアウトを有する表示画素におけるＶＢ−ＶＢ線、ＶＣ−ＶＣ線に沿った断面を示す概略断面図である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その１）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その２）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その３）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その４）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その５）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における正孔輸送層の成膜プロセスを説明するための概念図（その１）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における正孔輸送層の成膜プロセスを説明するための概念図（その２）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における電子輸送性発光層の成膜プロセスを説明するための概念図（その１）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における電子輸送性発光層の成膜プロセスを説明するための概念図（その２）である。 本実施形態に係る表示装置の製造方法（有機ＥＬ層の成膜プロセス）における作用効果の検証結果を示す概略図である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成される有機ＥＬ素子の素子構造の一例（実験モデル）を示す模式図、及び、干渉効果を説明するための概略図である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成される青色光を発光する有機ＥＬ素子における、正孔輸送層の膜厚と色度との関係を示す色度図（その１）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成される青色光を発光する有機ＥＬ素子における、正孔輸送層の膜厚と色度との関係を示す色度図（その２）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成される緑色光及び赤色光を発光する有機ＥＬ素子における、正孔輸送層の膜厚と色度との関係を示す色度図である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成される有機ＥＬ素子における、正孔輸送層の膜厚と発光色度との関係を示す色度図である。

符号の説明

１０ 表示パネル
１１ 絶縁性基板
１２ ゲート絶縁膜
１３ 保護絶縁膜
１４ 平坦化膜
１５ 画素電極
１６ 層間絶縁膜
１７ バンク
１８ 有機ＥＬ層
１８ａ 正孔輸送層
１８ｂ 電子輸送性発光層
１９ 対向電極
ＤＣ 画素駆動回路
ＯＬＥＤ 有機ＥＬ素子
Ｌｓ 選択ライン
Ｌｖ 電源電圧ライン

Claims (15)

1. 複数の表示画素を基板上に２次元配列し、複数の発光色を発光してカラー表示を行う表示装置において、
   前記各表示画素は、前記複数の発光色のいずれかの発光色の発光素子を有し、
   前記発光素子は、少なくとも、第１の電極と、前記第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた発光機能層と、を具備し、
   前記発光機能層は前記複数の発光色の各々に応じて異なる膜厚を有し、該発光機能層内の発光点と前記第１の電極又は前記第２の電極との間に、担体輸送層を有していることを特徴とする表示装置。
2. 前記担体輸送層は、正孔輸送性又は電子輸送性の層であり、該担体輸送層の膜厚が、前記各発光色に応じて異なる値を有していることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
3. 前記発光機能層は、電子ブロッキング性を有する介在層を有し、該介在層の膜厚が、前記各発光色に応じて異なる値を有していることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
4. 前記発光機能層は、前記各発光色に応じて異なる色の発光層を有し、前記発光色ごとに前記担体輸送層の膜厚が異なるように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
5. 前記発光機能層は、前記各発光色に応じて同一色の発光層を有し、前記発光色ごとに前記担体輸送層の膜厚が異なるように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
6. 前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置。
7. 前記発光素子に設けられる前記発光機能層は、高分子系の有機材料からなることを特徴とする請求項６記載の表示装置。
8. 表示パネルの基板上に設けられた互いに直交する複数の行及び複数の列に沿って複数の表示画素が配列され、複数の発光色を発光してカラー表示を行う表示装置の製造方法であって、
   前記列毎に異なる発光色の前記発光素子を有する前記各表示画素が配列され、同じ発光色の発光素子を有する前記表示画素が、前記基板上の前記複数の列における、１又は複数の列を隔てて離間した列群の各列に、列方向に沿って配列され、
   前記発光素子は、少なくとも、第１の電極と、前記第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた担体輸送層を有する発光機能層と、を具備し、
   前記表示パネルの前記同じ発光色の発光素子に対応する前記列群の前記発光素子が形成される領域に対して、当該発光色に対応した膜厚の前記発光機能層を形成する発光材料溶液を塗布する塗布工程を、前記各発光色の発光素子に対応する前記各列群に対して順次実行し、前記各発光色の発光素子に応じて異なる膜厚を有する前記発光機能層を形成する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
9. 前記各発光色の発光素子を有する前記各表示画素は、前記基板上の行方向に沿って一定の周期で配列され、前記同じ発光色の発光素子を有する前記各表示画素は、前記複数の列における一定の数の列を隔てた列群の各列に配列され、
   前記塗布工程は、前記同じ発光色の発光素子に対応する前記列群の各列に、前記発光材料溶液を順次塗布することを特徴とする請求項８記載の表示装置の製造方法。
10. 前記担体輸送層は、正孔輸送性又は電子輸送性の層であり、前記発光機能層を形成する工程は、前記担体輸送層の膜厚を、前記各発光色に応じて異なる値に形成する工程を含むことを特徴とする請求項８又は９記載の表示装置の製造方法。
11. 前記発光機能層は、電子ブロッキング性を有する介在層を有し、前記発光機能層を形成する工程は、前記介在層の膜厚を、前記各発光色に応じて異なる値に形成する工程を含むことを特徴とする請求項８又は９記載の表示装置の製造方法。
12. 前記発光機能層を形成する工程は、第１の発光色の発光素子を有する前記表示画素が配列される第１の列群の各列に対して、該第１の発光色に対応した前記発光材料溶液を塗布する前記塗布工程が終了した後に、前記第１の発光色と異なる第２の発光色の発光素子を有する前記表示画素が配列される、前記第１の列群と異なる第２の列群の各列に対して、該第２の発光色に対応した前記発光材料溶液を塗布する前記塗布工程を実行する工程を、前記複数の発光色の全てに対して繰り返して実行することを特徴とする請求項８乃至１１のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
13. 前記発光機能層を形成する工程は、前記各列の前記発光素子が形成される領域に対して塗布する前記発光材料溶液の流量を前記各発光色に応じて異なる値に制御することにより、前記各発光色に応じて前記発光機能層の膜厚を異なる値に設定することを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか記載の表示装置の製造方法。
14. 前記発光機能層を形成する工程は、前記各列の前記発光素子が形成される領域に対して前記発光材料溶液を塗布する際の塗布速度を前記各発光色に応じて異なる値に制御することにより、前記各発光色に応じて前記発光機能層の膜厚を異なる値に設定することを特徴とする請求項８乃至１２のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
15. 前記発光機能層を形成する工程は、前記各列の前記発光素子が形成される領域に対して前記発光材料溶液を塗布する際の塗布回数を前記各発光色に応じて異なる値に制御することにより、前記各発光色に応じて前記発光機能層の膜厚を異なる値に設定することを特徴とする請求項８乃至１２のいずれかに記載の表示装置の製造方法。

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