以下、本発明に係る表示装置及びその製造方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。ここで、以下に示す実施形態においては、表示画素を構成する発光素子として、高分子系の有機材料からなる有機EL層を備えた有機EL素子を適用した場合について説明する。
(表示パネル)
まず、本発明に係る表示装置に適用される表示パネル(有機ELパネル)及び表示画素について説明する。
図1は、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図であり、図2は、本発明に係る表示装置の表示パネルに2次元配列される各表示画素(表示素子及び画素駆動回路)の回路構成の一例を示す等価回路図である。なお、図1に示す平面図においては、説明の都合上、表示パネル(絶縁性基板)を視野側から見た、各表示画素(色画素)に設けられる画素電極の配置と各配線層の配設構造との関係のみを示し、各表示画素の有機EL素子(発光素子)を発光駆動するために、各表示画素に設けられる図2に示す画素駆動回路内のトランジスタ等の表示を省略した。また、図1においては、画素電極及び各配線層の配置を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。
本発明に係る表示装置(表示パネル10)は、図1に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板11の一面側に、列方向(図面上下方向)に配設された供給電圧ライン(例えばアノードライン)Laと、行方向(図面左右方向)に配設された共通電圧ライン(例えばカソードライン)Lcとを備え、当該供給電圧ラインLaと共通電圧ラインLcの各交点を含む領域に各表示画素PIX(色画素PXr、PXg、PXb)が配置されている。
より具体的には、絶縁性基板11の一面側に赤(R)、緑(G)、青(B)の3色からなる色画素PXr、PXg、PXbが図面左右方向に繰り返し複数(3の倍数)配列されるとともに、列方向(図面上下方向)に同一色の色画素PXr、PXg、PXbが複数配列され、隣接するRGB3色の色画素PXr、PXg、PXbを一組として一の表示画素PIXが形成されている。
また、表示画素PIXの各色画素PXr、PXg、PXbの形成領域には、画素電極(例えばアノード電極)15が形成されているとともに、上記供給電圧ラインLaに並行して列方向(図面上下方向)に信号ライン(データライン)Ldが配設され、また、上記共通電圧ラインLcに並行して行方向(図面左右方向)に選択ライン(走査ライン)Lsが配設されている。
表示画素PIXの各色画素PXr、PXg、PXbの具体的な回路構成は、例えば図2に示すように、絶縁性基板11上に1乃至複数のトランジスタ(例えばアモルファスシリコン薄膜トランジスタ等)からなる画素駆動回路(又は画素回路)DCと、当該画素駆動回路DCにより生成される発光駆動電流が、上記画素電極15に供給されることにより発光動作する有機EL素子(発光素子)OELと、を備えている。
画素駆動回路DCは、例えば図2に示すように、ゲート端子が選択ラインLsに、ソース端子が信号ラインLdに、ドレイン端子が接点N11に各々接続されたトランジスタ(選択用薄膜トランジスタ)Tr11と、ゲート端子が接点N11に、ソース端子が供給電圧ラインLaに、ソース端子が接点N12に各々接続されたトランジスタ(発光駆動用薄膜トランジスタ)Tr12と、を備えている。ここでは、トランジスタTr11、Tr12はいずれもnチャネル型の薄膜トランジスタが適用されている。
また、有機EL素子OELは、アノード端子(アノード電極となる画素電極15)が上記画素駆動回路DCの接点N12に接続され、カソード端子(カソード電極となる対向電極17;従来技術に示した上部電極に相当する。詳しくは後述する。)が共通電圧ラインLcに接続されている。また、図示を省略したが、トランジスタTr12のゲート−ソース間には寄生容量、又は、付加的な補助容量が形成されている。
ここで、選択ラインLsは、図示を省略した選択ドライバに接続され、所定のタイミングで表示パネル10の行方向に配列された複数の表示画素PIX(色画素PXr、PXg、PXb)を選択状態に設定するための選択信号Sselが印加され、また、信号ラインLdは、図示を省略した信号ドライバに接続され、上記表示画素PIXの選択状態に同期するタイミングで表示データに応じた階調信号Vpixが印加される。
また、供給電圧ラインLaは、例えば所定の高電位電源に直接又は間接的に接続され、各表示画素PIX(色画素PXr、PXg、PXb)に設けられる有機EL素子OELの画素電極(例えばアノード電極)15に表示データに応じた発光駆動電流が流れるための所定の高電圧(供給電圧Vdd)が印加され、また、共通電圧ラインLcは、例えば所定の低電位電源に直接又は間接的に接続され、複数の有機EL素子OELに所定の低電圧(共通電圧Vcom;例えば接地電位Vgnd)が共通に印加される。
そして、このような回路構成を有する表示画素PIXにおける駆動制御動作は、まず、図示を省略した選択ドライバから選択ラインLsに対して、選択レベル(オンレベル;例えばハイレベル)の選択信号Sselを印加することにより、トランジスタTr11がオン動作して選択状態に設定される。このタイミングに同期して、図示を省略した信号ドライバから表示データに応じた電圧値を有する階調信号Vpixを信号ラインLdに印加するように制御する。これにより、トランジスタTr11を介して、階調信号Vpixに応じた電位が接点N11(すなわち、トランジスタTr12のゲート端子)に印加される。
これにより、薄膜トランジスタTr12が接点N11の電位に応じた導通状態(すなわち、階調信号Vpixに応じた導通状態)でオン動作して、供給電圧Vddから薄膜トランジスタTr12及び有機EL素子OELを介して共通電圧Vcom(接地電位Vgnd)に、所定の発光駆動電流が流れ、有機EL素子OELが階調信号Vpix(すなわち表示データ)に応じた輝度階調で発光動作する。また、このとき、接点N11に印加された階調信号Vpixに基づいて、トランジスタTr12のゲート−ソース間の寄生容量(又は補助容量)に電荷が蓄積(充電)される。
次いで、選択ラインLsに非選択レベル(オフレベル;例えばローレベル)の選択信号Sselを印加することにより、表示画素PIXのトランジスタTr11がオフ動作して非選択状態に設定され、信号ラインLdと画素駆動回路DCとが電気的に遮断される。このとき、上記寄生容量に蓄積された電荷が保持されることにより、トランジスタTr12はオン状態を持続する。
したがって、上記選択状態における発光動作と同様に、供給電圧VddからトランジスタTr12を介して、有機EL素子OELに所定の発光駆動電流が流れて、発光動作が継続される。この発光動作は、次の階調信号Vpixが印加される(書き込まれる)まで、例えば、1フレーム期間継続するように制御される。そして、このような駆動制御動作を、表示パネル10に2次元配列された全ての表示画素PIX(各色画素PXr、PXg、PXb)について、例えば各行ごとに順次実行することにより、所望の画像情報を表示する画像表示動作を実行することができる。
なお、図2においては、表示画素PIXを構成する画素駆動回路DCとして、階調信号Vpixの電圧値を調整することにより、有機EL素子OELに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所定の輝度階調で発光動作させる電圧階調指定方式(又は、電圧階調指定駆動)の回路構成を示したが、表示データに応じて書き込む電流値を調整することにより、有機EL素子OELに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所定の輝度階調で発光動作させる電流階調指定方式(又は、電流階調指定駆動)の回路構成を有するものであってもよい。
(表示画素のデバイス構造)
次いで、上述したような回路構成を有する表示画素(発光駆動回路及び有機EL素子)の具体的なデバイス構造(平面レイアウト及び断面構造)について説明する。
図3は、本実施形態に係る表示装置(表示パネル)に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図1に示した表示画素PIXの赤(R)、緑(G)、青(B)の各色画素PXr、PXg、PXbのうちの、特定の一の色画素の平面レイアウトの一例を示す。なお、図3においては、画素駆動回路DCの各トランジスタ及び配線層等が形成された層を中心に示す。また、図4、図5は、各々、図3に示した平面レイアウトを有する表示画素PIXにおけるA−A断面及びB−B断面を示す概略断面図である。
図2に示した表示画素PIX(色画素PXr、PXg、PXb)は、具体的には、絶縁性基板11の一面側に設定された画素形成領域(各色画素PXr、PXg、PXbにおける有機EL素子の形成領域)Rpxにおいて、例えば図3に示した平面レイアウトの上方及び下方の縁辺領域に行方向(図面左右方向)に延在するように選択ラインLs及び共通電圧ラインLcが各々配設されるとともに、これらのラインLs、Lcに直交するように、上記平面レイアウトの左方及び右方の縁辺領域に列方向(図面上下方向)に延在するように信号ラインLd及び供給電圧ラインLaが配設されている。
ここで、例えば図3〜図5に示すように、選択ラインLsは、絶縁性基板11上に形成され、信号ラインLd(及び信号ラインLdから行方向に突出して形成された信号配線層Ldx)は、選択ラインLsに対して上層側に設けられ、また、供給電圧ラインLaは、信号ラインLd(信号配線層Ldxを含む)に対して上層側に設けられ、さらに、供給電圧ラインLcは、供給電圧ラインLaに対して上層側に設けられている。
なお、選択ラインLsは、例えばトランジスタTr11、Tr12のゲート電極Tr11g、Tr12gを形成するためのゲートメタル層をパターニングすることによって当該ゲート電極と同じ工程で形成される。また、信号ラインLdは、トランジスタTr11、Tr12のソース電極Tr11s、Tr12s、ドレイン電極Tr11d、Tr12dを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって当該ソース電極、ドレイン電極と同じ工程で形成される。
すなわち、表示画素PIXは、図4、図5に示すように、絶縁性基板11上に表示画素PIX内に設けられる画素駆動回路DC(図2参照)の複数のトランジスタTr11、Tr12や、選択ラインLs及び信号ラインLdを含む各種配線層が設けられ、当該トランジスタTr11、Tr12及び配線層を被覆するように順次形成された保護絶縁膜13及び平坦化膜14を介して、その上層に、画素駆動回路DCに接続されて所定の発光駆動電流が供給される画素電極(例えばアノード電極;下部電極)15、少なくとも正孔輸送層(電荷輸送層)と発光層と電子輸送層(電荷輸送層)からなる有機EL層16、及び、少なくとも酸素濃度が異なる複数の層から形成され、共通電圧Vcomが印加される対向電極(例えばカソード電極;上部電極、視野側の電極)17からなる有機EL素子OELが形成されている。また、各表示画素PIXを含む絶縁性基板11の全域を被覆するように、パッシベーション膜(封止層;絶縁性の保護膜)19が形成されている。
なお、図4、図5においては、トランジスタTr11、Tr12及び配線層と、上層の有機EL素子OEL(画素電極15)との間に、保護絶縁膜13及び平坦化膜14の2層の絶縁膜を設けたパネル構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば保護絶縁膜としての機能をも兼ね備えた平坦化膜一層のみからなるものであってもよいし、3層以上の絶縁膜からなる多層構造を有しているものであってもよい。
画素駆動回路DCは、より具体的には、例えば図3に示すように、図2に示したトランジスタTr11が行方向に配設された選択ラインLs(又は信号ラインLdから行方向に突出して形成された信号配線層Ldx)に沿って延在するように配置され、トランジスタTr12が列方向に配設された供給電圧ラインLaに沿って延在するように配置されている。
ここで、各トランジスタTr11、Tr12は、周知の電界効果型トランジスタ構造を有し、各々、絶縁性基板11上に形成されたゲート電極Tr11g、Tr12gと、ゲート絶縁膜12を介して各ゲート電極Tr11g、Tr12gに対応する領域に形成された半導体層SMCと、該半導体層SMCの両端部に延在するように形成されたソース電極Tr11s、Tr12s及びドレイン電極Tr11d、Tr12dと、を有している。
なお、各トランジスタTr11、Tr12のソース電極とドレイン電極が対向する半導体層SMC上には当該半導体層SMCへのエッチングダメージを防止するための酸化シリコン又は窒化シリコン等のブロック層BLが形成され、また、ソース電極とドレイン電極が接触する半導体層SMC上には、当該半導体層SMCとソース電極及びドレイン電極とのオーミック接続を実現するための不純物層OHMが形成されている。トランジスタTr11、Tr12のゲート電極Tr11g、Tr12gはいずれも同一のゲートメタル層をパターニングすることによって形成されている。また、トランジスタTr11、Tr12のソース電極Tr11s、Tr12s及びドレイン電極Tr11d、Tr12dはいずれも同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって形成されている。
そして、図2に示した画素駆動回路DCの回路構成に対応するように、トランジスタTr11は、図3〜図5に示すように、ゲート電極Tr11gが選択ラインLsと一体的に形成され、同ソース電極Tr11sが信号ラインLdと一体的に形成された信号配線層Ldxに接続されている。
また、トランジスタTr12は、図3〜図5に示すように、ゲート電極Tr12gがゲート絶縁膜12に設けられたコンタクトホール(図示を省略)を介して上記トランジスタTr11のドレイン電極Tr11dに接続され、同ソース電極Tr12sが供給電圧ラインLaに接続され、同ドレイン電極Tr12dが保護絶縁膜13及び平坦化膜14に形成されたコンタクトホールHLa(コンタクトメタルMTL)を介して有機EL素子OELの画素電極15に接続されている。
ここで、供給電圧ラインLa(アノードライン)は、図3、図4に示すように、保護絶縁膜13及び平坦化膜14に形成された配線溝に埋め込まれた厚膜配線構造を有し、上記コンタクトホールHLaに埋め込まれるコンタクトメタルMTLと同じ工程で形成される。
そして、各画素形成領域Rpxの平坦化膜14上には、図4、図5に示すように、例えばアノード電極となる画素電極15、少なくとも正孔輸送層と発光層と電子輸送層からなる有機EL層16、及び、例えばカソード電極となる対向電極17を順次積層した有機EL素子が設けられている。ここで、本実施形態に係る表示パネル10(有機EL素子OEL)は、トップエミッション型の発光構造を有しているので、画素電極15が少なくとも光反射特性を有するとともに、対向電極17が光透過性を有するように形成されている。
対向電極17は、少なくとも各画素形成領域Rpxにおける画素電極15に対して有機EL層16を介して共通に対向するように、単一の平面電極(べた電極)により形成されている。
また、各画素形成領域Rpx間(各表示画素PIXの有機EL素子OELの形成領域相互の境界領域)には、有機EL素子OELの形成領域(厳密には、有機EL層16の形成領域)を画定するためのバンク(隔壁)BKx、BKyが平坦化膜14の上面から連続的に突出するように設けられている。
ここで、本実施形態においてバンクBKyは、例えば図4に示すように、表示パネル10(絶縁性基板11)の列方向に形成され、各画素形成領域Rpxに形成される画素電極15相互を絶縁する層間絶縁膜18aと、該層間絶縁膜18a上に表示パネル10の列方向に形成された絶縁性バンク部18cからなる積層構造を有している。また、バンクBKxは、例えば図5に示すように、表示パネル10(絶縁性基板11)の行方向に形成され、各画素形成領域Rpxに形成される画素電極15相互を絶縁する層間絶縁膜18bと、該層間絶縁膜18b上に表示パネル10の行方向に形成された導電性バンク部18d(共通電圧ラインLc)からなる積層構造を有している。
バンクBKx、BKyは、より具体的には、隣接する表示画素PIX(画素電極15)間の境界領域付近に露出する平坦化膜14の上面から、有機EL素子OELの画素電極15上に一部が延在するようにシリコン窒化膜(SiN)やシリコン酸化膜(SiO2)等からなる層間絶縁膜18a及び18bが各々設けられ、当該層間絶縁膜18a及び18b上に、例えば感光性の樹脂材料等からなる絶縁性バンク部18c、及び、例えば少なくとも表面が金属材料等からなる導電性バンク部18dが、各々厚さ方向に突出するように積層形成されている。
特に、図4、図5に示すように、各表示画素PIXに共通に設けられる対向電極17は、各画素形成領域Rpxだけでなく、当該画素形成領域Rpxを画定するバンクBKx、BKy上にも延在するように設けられ、さらに、金属材料等からなる導電性バンク部18dに対して電気的に接続するように接合されている。これにより、バンクBKxを形成する導電性バンク部18dを共通電圧ライン(例えばカソードライン)Lcとして兼用することができる。
そして、図1に示した表示パネル10において、図3〜図5に示すように、上記積層構造を有するバンクBKx、BKyを柵状又は格子状の平面パターンを有するように配設することにより、各表示画素PIXの画素形成領域Rpx(すなわち、各画素形成領域Rpxにおいて有機EL素子OELの有機EL層16を形成する際の有機化合物材料(有機化合物含有液)の塗布領域)が画定される。
なお、上記画素駆動回路DC、有機EL素子OEL及びバンクBKx、BKyが形成された絶縁性基板11上には、図4、図5に示したように、透明なパッシベーション膜19のみを被覆形成したパネル構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、上記パッシベーション膜を介して、絶縁性基板11に対向するようにガラス基板等からなる封止基板がさらに接合されているものであってもよい。
そして、このような表示パネル10においては、例えば、表示パネル10の下層(有機EL素子OELの絶縁性基板11側の層)に設けられたトランジスタTr11、Tr12等の機能素子、選択ラインLsや信号ラインLd、供給電圧ライン(アノードライン)La等の配線層からなる画素駆動回路DCにおいて、信号ラインLdを介して供給された表示データに応じた階調信号Vpixに基づいて、所定の電流値を有する発光駆動電流がトランジスタTr12のソース−ドレイン間に流れ、当該トランジスタTr12(ドレイン電極Tr12d)からコンタクトホールHLa(コンタクトメタルMTL)を介して、有機EL素子OELの画素電極15に供給されることにより、各表示画素PIX(各色画素PXr、PXg、PXb)の有機EL素子OELが上記表示データに応じた所望の輝度階調で発光動作する。
このとき、本実施形態に示した表示パネル10において、画素電極15が光反射特性を有し、対向電極17が光透過性を有することにより(すなわち、有機EL素子OELがトップエミッション型の発光構造を有することにより)、各表示画素PIX(各色画素PXr、PXg、PXb)の有機EL層16において発光した光は、光透過性を有する対向電極17を介して直接、あるいは、光反射特性を有する画素電極15で反射して、絶縁性基板11(表示パネル)の一面側(図4、図5の図面上方)に出射される。
(表示装置の製造方法)
次に、上述した表示装置(表示パネル)の製造方法について説明する。
図6乃至図9は、本実施形態に係る表示装置(表示パネル)の製造方法の一例を示す工程断面図である。ここでは、図4に示したA−A断面及び図5に示したB−B断面のパネル構造のうち、一部を抜き出してその製造工程について説明する。また、図10は、本実施形態に係る表示装置(表示パネル)に形成される有機EL素子OELの素子構造を示す模式図である。
上述した表示装置(表示パネル)の製造方法は、まず、図6(a)に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板11の一面側(図面上面側)に設定された表示画素PIX(各色画素PXr、PXg、PXb)の形成領域(画素形成領域)Rpxごとに、上述した画素駆動回路(図2、図3参照)DCのトランジスタTr11、Tr12、選択ラインLsや信号ラインLd(信号配線層Ldxを含む)等の配線層を形成する(図4、図5参照)。具体的には、絶縁性基板11上に、ゲート電極Tr11g、Tr12g、及び、ゲート電極Tr11gと一体的に形成される選択ラインLs(図5参照)を同一のゲートメタル層をパターニングすることによって同時に形成し、その後、絶縁性基板11の全域にゲート絶縁膜12を被覆形成する。
次いで、ゲート絶縁膜12上の各ゲート電極Tr11g、Tr12gに対応する領域に、例えばアモルファスシリコンやポリシリコン等からなる半導体層SMC、及び、酸化シリコン又は窒化シリコン等からなるブロック層BLを形成し、当該半導体層SMCの両端部にオーミック接続のための不純物層OHMを介してソース電極Tr11s、Tr12s及びドレイン電極Tr11d、Tr12dを形成する。このとき、同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによってソース電極Tr11sと接続された信号ラインLd及び信号配線層Ldx(図4、図5参照)を同時に形成する。
なお、上述したトランジスタTr11、Tr12のソース電極Tr11s、Tr12s及びドレイン電極Tr11d、Tr12d、選択ラインLs、信号ラインLd(信号配線層Ldxを含む)は、配線抵抗を低減し、かつ、マイグレーションを低減する目的で、例えばアルミニウム合金層と遷移金属層からなる積層配線構造を有しているものであってもよい。
次いで、図6(b)に示すように、上記トランジスタTr11、Tr12、選択ラインLs及び信号ラインLdを含む絶縁性基板11の一面側全域を被覆するように、窒化シリコン(SiN)等からなる保護絶縁膜13及び感光性の有機材料等からなる平坦化膜14を順次形成した後、平坦化膜14を露光現像してパターニングし、当該平坦化膜14をマスクとして用いて保護絶縁膜13をエッチングして、トランジスタTr12のドレイン電極Tr12dの上面が露出するコンタクトホールHLa、及び、トランジスタTr12のソース電極Tr12sの上面が露出し、かつ、供給電圧ラインLaの配線パターンに対応した配線溝HLbを形成する。
次いで、図6(c)に示すように、上記コンタクトホールHLa及び配線溝HLbにメッキ法等を用いて金属材料を埋め込み、コンタクトホールHLaにコンタクトメタルMTLを形成するとともに、配線溝HLbに厚膜配線構造を有する供給電圧ラインLaを形成する。
ここで、図6(b)、(c)においては、絶縁性基板11上に積層形成された保護絶縁膜13及び平坦化膜14に開口されたコンタクトホールHLa及び配線溝HLbに金属材料を埋め込んでコンタクトメタルMTL及び供給電圧ラインLaを形成する場合について説明したが、このような製造方法を用いた場合に平坦化膜14の上面の平坦性が充分に確保することができない場合には他の製造方法を適用するものであってもよい。例えば、絶縁性基板11上の全面にスパッタリング法等により金属層を形成し、上記コンタクトメタルMTL及び供給電圧ラインLaに対応するようにパターニングした後、スピンコート法やドライフィルムにより平坦化膜を形成する製造方法を適用するものであってもよい。
また、図6(b)、(c)に示した製造工程において、平坦化膜14として非感光性の絶縁材料を用いるものであってもよく、この場合にあっては、例えば平坦化膜上にスパッタリング法等によりアルミニウム(Al)やクロム(Cr)等からなる金属膜を形成した後、金属膜をフォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、当該金属膜をマスクとして用いて平坦化膜14及び保護絶縁膜13をドライエッチング法を用いてエッチングして、コンタクトホールHLa及び配線溝HLbを形成した後、ウェットエッチング法により金属膜を除去するものであってもよい。
さらに、図6(b)、(c)に示した製造工程においては、絶縁性基板11上に保護絶縁膜13及び平坦化膜14からなる2層の絶縁層を積層する場合について説明したが、上述したように平坦化膜一層のみからなるものであってもよいし、3層以上の複数層を積層するものであってもよい。
次いで、図6(c)に示したように、平坦化膜14及び保護絶縁膜13にコンタクトメタルMTL及び供給電圧ラインLaを埋め込み形成した後、図7(a)に示すように、各画素形成領域Rpx(各色画素PXr、PXg、PXbの形成領域)ごとに、コンタクトメタルMTLに電気的に接続された画素電極15を形成する。
ここで、画素電極15は、具体的には、スパッタリング法等によりアルミニウム(Al)、クロム(Cr)、銀(Ag)、パラジウム銀(AgPd)系の合金等の光反射特性を有する反射金属膜を薄膜形成し、フォトリソグラフィ法を用いて所定の形状にパターニングすることによりコンタクトメタルMTLに電気的に接続された下層の反射金属層15aを形成する。
その後、当該反射金属層15aを含む絶縁性基板11の一面側全域を被覆するように、錫ドープ酸化インジウム(Indium Thin Oxide;ITO)や亜鉛ドープ酸化インジウム(Indium Zinc Oxide;IZO)等の透明電極材料からなる(光透過特性を有する)導電性の酸化金属膜を薄膜形成し、上記反射金属層15aの上面や端面が露出しないようにパターニングすることにより上層の導電性の酸化金属層(正孔注入層)15bを形成する。
このように、上層の酸化金属膜をパターニングする際に、下層側の反射金属層15aが露出しないようにすることにより、酸化金属膜と反射金属層15aとの間で電池反応を引き起こさないようにすることができるとともに、下層側の反射金属層15aがオーバーエッチングされたり、エッチングダメージを受けたりすることを防止することができる。
なお、画素電極15の下層の反射金属層15aは、本実施形態に示したように平坦化膜14上に形成したパネル構造に限定されるものではなく、平坦化膜14又は保護絶縁膜13の下層に形成するものであってもよいが、この場合には、平坦化膜14の膜厚や光学特性(屈折率等)に起因して、後述する有機EL層16で放射された光の経路(光軸)にずれが生じて、画像情報に視差が発生する可能性があるため、図7(a)に示したように、画素電極15の各層を平坦化膜14上に形成することが好ましい。
次いで、反射金属層15a及び酸化金属層15bからなる上記画素電極15を含む絶縁性基板11の一面側全域を被覆するように、化学気相成長法(CVD法)等を用いて、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機の絶縁性材料からなる絶縁層を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、図4、図5、図7(b)に示すように、隣接する表示画素PIXに形成された画素電極15との間の領域(すなわち、隣接する表示画素PIXとの境界領域)の行方向に後述するバンクBKxの下層となる層間絶縁膜18bを形成するとともに、列方向に後述するバンクBKyの下層となる層間絶縁膜18aを形成する。これにより、各画素形成領域Rpxに画素電極15(酸化金属層15b)の上面が露出する開口部が形成される。
次いで、図8(a)に示すように、層間絶縁膜18a上に例えば感光性のポリイミド樹脂やノボラック樹脂等からなる絶縁性バンク部18cを表示パネル10の列方向に形成して、積層構造を有するバンクBKyを形成し、一方、層間絶縁膜18b上に例えば少なくとも表面が銅(Cu)や銀(Au)又はこれらを主成分とした金属単体又は合金等の低抵抗の金属材料からなる導電性バンク部18dを表示パネル10の行方向に形成して、積層構造を有するバンクBKxを形成する。
絶縁性バンク部18cは、具体的には、上記層間絶縁膜18aを含む絶縁性基板11の一面側全域を被覆するように形成された感光性ポリイミド膜に対して、露光現像処理を施し、層間絶縁膜18a上に所定のパターンを有して残留させるようにパターニングすることにより形成する。
また、導電性バンク部18dは、具体的には、上記層間絶縁膜18bを含む絶縁性基板11の一面側全域を被覆するようにメッキ法等を用いて形成された銅等の金属膜を、フォトリソグラフィ法を用いて、層間絶縁膜18b上に所定のパターンを有して残留させるようにパターニングすることにより形成する。
ここで、絶縁性バンク部18c及び導電性バンク部18dは、いずれを先に形成するものであってもよい。また、バンクBKxを形成する導電性バンク部18dは、表示パネル10に2次元配列された各表示画素PIXに共通電圧Vcomを印加するための共通電圧ラインLcとして兼用される。
これにより、表示パネル10に配列された各表示画素PIXの画素形成領域(有機EL素子OELの有機EL層16の形成領域)がバンクBKx及びBKyにより囲まれて画定され、隣接する他の色の表示画素PIX(有機EL素子OEL)の画素形成領域Rpxと隔離されるので、後述する有機EL層16を形成する発光層(電子輸送性発光層16b)を形成する際に、当該発光材料の溶液又は分散液(液状材料)を塗布する場合であっても、隣接する表示画素PIX(色画素PXr、PXg、PXb)間で発光材料が混合することがなく、隣接する色画素間での混色を防止することができる。
なお、本実施形態においては、表示パネル10の行方向に配設されるバンクBKxとして、層間絶縁膜18b及び導電性バンク部18dからなる積層構造を適用し、また、表示パネル10の列方向に配設されるバンクBKyとして、層間絶縁膜18a及び絶縁性バンク部18cからなる積層構造を適用したパネル構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばバンクBKxとして層間絶縁膜及び絶縁性バンク部からなる積層構造を適用し、バンクBKyとして層間絶縁膜及び導電性バンク部からなる積層構造を適用するものであってもよいし、バンクBKx及びBKyの双方を層間絶縁膜及び導電性バンク部からなる積層構造により形成して、共通電圧ラインLcとなる導電性バンク部を絶縁性基板11上に格子状に配設し、表示パネル10の各表示画素PIXの画素形成領域Rpxを画定するようにしてもよい。
さらには、バンクBKx及びBKyの双方を層間絶縁膜及び絶縁性バンク部からなる積層構造により形成して、絶縁性基板11上に共通電圧ラインLcを配設することなく、絶縁性基板11の略全域に平面電極(べた電極)として形成された対向電極17に所定の共通電圧Vcomを印加するものであってもよい。このようなパネル構造は、例えば複数の表示画素PIXが配列された表示パネルにおいて、各表示画素(発光素子)の発光駆動動作時に必要とされる電流量が小さい場合に良好に適用することができる。
次いで、上記バンクBKx及びBKyにより画定された各表示画素PIXの画素形成領域Rpx(有機EL素子OELの形成領域)に対して、有機高分子系の正孔輸送材料を含む有機化合物含有液を塗布し、加熱乾燥して、少なくとも正孔輸送層、発光層及び電子輸送層からなる有機EL層16を形成する。なお、本実施形態においては、図8(b)、図9(a)に示すように、有機EL層16として正孔輸送層16a及び電子輸送性発光層16bの2層からなる素子構造を有している場合について説明する。
まず、図8(b)に示すように、有機高分子系の正孔輸送材料(電荷輸送性材料)を含む有機化合物含有液として、例えばポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸水溶液(PEDOT/PSS;導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェンPEDOTと、ドーパントであるポリスチレンスルホン酸PSSを水系溶媒に分散させた分散液)を、インクジェット法又はノズルコート法等を適用して、上記画素電極15(酸化金属層15b)上に塗布した後、加熱乾燥処理を行って溶媒を除去することにより、当該画素電極15上に有機高分子系の正孔輸送材料を定着させて、電荷輸送層である正孔輸送層16aを形成する。
次いで、図9(a)に示すように、有機高分子系の電子輸送性発光材料(電荷輸送性材料)を含む有機化合物含有液として、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料を、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒或いは水に溶解した溶液を、上記と同様にインクジェット法又はノズルコート法等を適用して、上記正孔輸送層16a上に塗布した後、加熱乾燥処理を行って溶媒を除去することにより、正孔輸送層16a上に有機高分子系の電子輸送性発光材料を定着させて、電荷輸送層であり発光層でもある電子輸送性発光層16bを形成する。
これにより、画素電極15上に正孔輸送層16a及び電子輸送性発光層16bからなる有機EL層(発光機能層)16が積層形成される。
なお、本実施形態においては、有機EL層16として正孔輸送層16a及び電子輸送性発光層16bの2層からなる素子構造を有している場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば正孔輸送兼電子輸送性発光層の一層のみからなるものであってもよく、正孔輸送性発光層及び電子輸送層からなるものであってもよく、また、個別の正孔輸送層、発光層及び電子輸送層からなるものであってもよく、さらに、例えば図10に示すように、正孔輸送層103aと発光層(又は電子輸送性発光層)103cの間に電子ブロッキング性を有するインタレイヤ103bが介在しているものであってもよい。なお、図10に示した模式図おいて、101は平坦化膜14に相当し、102は画素電極15に相当し、103は有機EL層16に相当し、104は後述する電子注入層に相当し、105は後述する対向電極17に相当し、106はパッシベーション膜19に相当する。
また、上述した正孔輸送層16aの形成に先立って、各表示画素PIXの画素形成領域(有機EL素子OELの形成領域)Rpxに露出する画素電極15(酸化金属層15b)表面を、正孔輸送材料や電子輸送性発光材料の有機化合物含有液に対して親液性を有するように(なじみやすくするために)、例えば酸素プラズマ処理やUVオゾン処理等により親液化処理を施すものであってもよいし、さらに、バンクBKx及びBKyの表面を、正孔輸送材料や電子輸送性発光材料等の有機化合物含有液に対して撥液性を有するように(はじくように)、フッ素系化合物の被膜を形成することにより撥液化処理を施すものであってもよい。
その後、図9(b)に示すように、少なくとも各画素形成領域Rpxを含む絶縁性基板11上に光透過性を有する導電層(透明電極層)を形成し、上記有機EL層16(正孔輸送層16a及び電子輸送性発光層16b)を介して各画素電極15に対向する共通の対向電極(例えばカソード電極)17を形成する。
ここで、本実施形態においては、図10に示す模式図のように、対向電極105(17)は、例えば蒸着法やスパッタリング法等により電子注入層(電荷注入層)104となるバリウム(Ba)、マグネシウム(Mg)、フッ化リチウム(LiF)、カルシウム(Ca)等の金属材料(アルカリ又はアルカリ土類金属)からなる薄膜を形成した後、その上層にスパッタリング法等によりITO等の透明な導電層を積層形成した電極構造を有し、特に、透明な導電層が酸素濃度の異なる複数の層(個別の導電層)から形成されている。
具体的には、図10に示すように、まず、上記電子注入層104の酸化防止のために、酸素欠乏状態となるITO等のインジウム合金の酸化物からなる第2の導電層(酸素欠乏層)105bを形成する。ここで、第2の導電層105bの成膜条件として、例えばITO又はタングステン−亜鉛ドープ酸化インジウム(Indium Tungsten-Zinc Oxide;IWZO)をターゲットとした対向ターゲットスパッタリング法において、スパッタリング時の雰囲気ガスとしてアルゴン(Ar)を用い、圧力を100mPaに設定して、50nm(500Å)の膜厚で成膜した。
なお、本願発明者による検証の結果、上記電子注入層104の酸化を防止し、かつ、内部応力(残留応力)による膜特性の劣化を抑制するためには、第2の導電層(酸素欠乏層)105bを形成するためのスパッタリング時の雰囲気ガスの圧力を概ね200mPa以下であって、膜厚を概ね10nm(100Å)〜75nm(750Å)に設定する必要があり、特に、上述したように雰囲気ガスの圧力を100mPa以下、膜厚を50nm(500Å)に設定した場合、より好ましい結果が得られることが判明した。ここで、雰囲気ガスの圧力は100mPa以下の極力低い方が、導電層の電気抵抗を低くすることができるという利点を有するものの、当該圧力が極端に低くなると、光透過性(透明性)が低下するという問題が生じるため、概ね数十mPaから上述した100mPa程度に設定することが適切であるという結論に至った。
次いで、図10に示すように、酸素欠乏状態で極めて薄く(例えば膜厚50nm)成膜された上記第2の導電層105bの圧縮応力を緩和又は打ち消すために、酸素圧力を高めたITO等のインジウム合金の酸化物からなる第1の導電層(応力緩和層)105aを形成する。ここで、第1の導電層105aの成膜条件として、例えばITO又はIWZOをターゲットとした対向ターゲットスパッタリング法において、スパッタリング時の雰囲気ガス(アルゴン)の圧力を500mPaに設定して、50nm(500Å)の膜厚で成膜した。
なお、本願発明者による各種検証によれば、上記第2の導電層105bの内部応力(圧縮応力)を緩和するためには、第1の導電層(応力緩和層)105aを形成するためのスパッタリング時の雰囲気ガスの圧力を概ね500mPa以上であって、膜厚を概ね50nm(500Å)以上に設定する必要があり、特に、上述したように雰囲気ガスの圧力を500mPa〜2000mPa、膜厚を50nm(500Å)〜200nm(2000Å)に設定した場合、より好ましい結果が得られることが判明した。
また、図9(b)に示すように、対向電極17は、上記画素電極15に対向する領域のみならず、各画素形成領域Rpx(有機EL素子OELの形成領域)を画定するバンクBKx及びBKy上にまで延在する単一の導電層(平面電極;べた電極)として形成されるとともに、バンクBKxを形成する導電性バンク部18dに電気的に接続されるように接合される。これにより、導電性バンク部18dを各表示画素PIXに共通に接続された共通電圧ライン(カソードライン)Lcとして適用することができる。このように、各表示画素PIX(有機EL素子OEL)間に、対向電極17と等電位の導電性バンク部18dを配設することにより、カソード全体のシート抵抗を低減し、表示パネル10全体で均一な表示特性を実現することができる。
なお、本実施形態においては、図10に示したような第2の導電層105b及び第1の導電層105aを成膜する方法として、インジウム合金の酸化物をターゲットとした対向ターゲットスパッタリング法を用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば希ガス雰囲気中に酸素を添加した状態でインジウム合金をスパッタする反応性スパッタリング法を適用するものであってもよい。
次いで、上記対向電極17を形成した後、CVD法等を用いて絶縁性基板11の一面側全域にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなるパッシベーション膜(保護膜)19を形成することにより、図4、図5に示したような断面構造を有する表示パネル10が完成する。なお、上記パッシベーション膜19上に、UV硬化又は熱硬化接着剤等を用いて、ガラス等からなる封止蓋や封止基板がさらに接合されたパネル構造を有するものであってもよい。
以上説明したように、本実施形態に係る表示装置及びその製造方法においては、表示パネル10に2次元配列される各表示画素PIXに形成される有機EL素子OELの対向電極17(図10では105)として、酸素濃度の異なる複数(図10では2層)の透明な導電層を積層することにより、当該対向電極17の透明性を確保しながら膜厚を大きく形成することができるので、外部から有機EL素子OELや表示パネル10に侵入する水分等を充分に遮ることができるパッシベーション性を実現することができる。
また、このような電極構造を有する対向電極17を適用した場合、当該対向電極17をスパッタリング法を用いて膜厚を大きく形成した場合であっても、電子注入層との密着性を十分確保することができるとともに、スパッタ成膜した導電層に生じる内部応力(残留応力)を充分緩和することができるので、対向電極にクラックや層間剥離が生じる現象を抑制することができる。加えて、スパッタリング法により形成されたITO等からなる導電層によれば、ガスバリヤ性を向上させることもできる。
さらに、有機EL層16となる高分子系の有機材料をインクジェット法等を用いて塗布する際に、各画素形成領域(有機化合物含有液の塗布領域)Rpxを画定するために、連続的なバンクBKx、BKyが配設された絶縁性基板11において、当該バンクBKx、BKyによる段差(絶縁性基板表面の凹凸)がある場合であっても、対向電極17を比較的厚く形成することができるので、当該バンクBKx、BKyの段差による断線を抑制することができるとともに、共通電圧ラインLcとなる導電性バンク部18dとの良好な電気的な接続を実現することができる。また、対向電極17を厚く形成することができることにより、充分な電気伝導性を実現することもできる。
なお、本実施形態においては、画素電極15をアノード電極とし、対向電極17をカソード電極とした場合について説明したが、これに限らず画素電極15をカソード電極とし、対向電極17をアノード電極とするものであってもよい。この場合、有機EL層16は、画素電極15に接する電荷輸送層が電子輸送性の層であればよい。
次いで、上述した実施形態に特有の作用効果について、さらに詳しく説明する。ここでは、有機EL素子の対向電極として、上述した実施形態にしたように、異なる酸素濃度を有する複数の導電層を積層形成した電極構造を有する場合と、単一の酸素濃度からなる単一の導電層からなる場合(以下、便宜的に「比較例」と記す)とを比較して本願発明の有効性を説明する。
まず、対向電極を単一の酸素濃度からなる単一の導電層により形成した場合(比較例)について説明する。
一般にスパッタリング法を用いて導電層を成膜した場合、成膜時の反応圧力(雰囲気ガスの圧力)が低いと、圧縮応力を有する膜が形成されることが知られている。
一方、有機EL素子(有機EL層)や表示パネルのパッシベーション性(外的環境に対する保護性)を向上させるためには、対向電極となる導電層を厚く形成することが必要となるが、この場合、上述したような膜特性を有する導電層を用いると、上記圧縮応力が増大するため、導電層にクラックが生じたり、下層の電子注入層との間で剥離が生じたりするという問題を有している。
具体的には、上述した実施形態と同様に、ITO又はIWZOをターゲットとした対向ターゲットスッパタリング法を用いて、雰囲気ガスの圧力を100mPa、ガス流量を5ccm、放電電流を4Aとして比較例となる導電層を成膜した場合、当該導電層(対向電極)上に形成されるパッシベーション膜の膜厚にもよるが、例えば0.5〜1.0μmの膜厚でパッシベーション膜を積層形成する場合について検証した結果、導電層の膜厚が概ね50nm(500Å)よりも厚くなると、クラックや層間剥離が生じるとともに、光透過性(透明性)が低下して、良好な発光特性を実現することができなくなることが判明した。
そこで、本実施形態においては、対向電極として酸素濃度の異なる複数の導電層(少なくとも酸素欠乏層と応力緩和層)を積層した電極構造を適用している。すなわち、上述したように、スパッタ成膜された導電層(例えばITO膜)は、一般にスパッタリング時の反応圧力が低いと圧縮応力が大きい膜が形成されるが、当該反応圧力を増加するにしたがって、圧縮応力が減少し、ある程度高い圧力で圧縮応力が0となり、やがて引張応力を有するようになるという特性に基づいて、第2の導電層として低圧(200mPa以下)で成膜した酸素欠乏層と、第1の導電層として高圧(500〜2000mPa)で成膜した応力緩和層とを積層した電極構造を有している。
ここで、電子注入層の酸化を防止するために形成される第2の導電層(酸素欠乏層)は、2000mPa以下の低圧で比較的薄く(75nm以下)スパッタ成膜されるため、高い圧縮応力を有している。これに対して、第2の導電層上に形成される第1の導電層(応力緩和層)は、500mPa以上の高圧で比較的厚く(50nm以上)スパッタ成膜されるため、圧縮応力及び引張応力とも低く抑えられている。
これにより、第2の導電層(酸素欠乏層)が有する高い圧縮応力は、積層形成される第1の導電層(応力緩和層)により緩和されることにより、電子注入層との界面に印加される応力を緩和してクラックや層間剥離の発生を抑制することができ、加えて、圧縮応力が高い第2の導電層を比較的薄く形成することにより、充分な光透過性を確保することができるので、良好な発光特性を実現することができる。
なお、対向電極として、本実施形態に示したような応力緩和層のみを形成した電極構造を適用することも考えられるが、この場合、応力緩和層は上述したように、高圧の雰囲気ガス中でスパッタ成膜されるため、酸素濃度が高く(酸素リッチで)酸化力が強くなる。そのため、電子注入層に用いられているアルカリ又はアルカリ土類金属(フッ化リチウムやカルシウム等)を酸化させてしまい、素子寿命が極端に短くなってしまう問題を有している。したがって、本実施形態に示したように、酸素濃度の高い応力緩和層と電子注入層との間に、酸素濃度の低い酸素欠乏層を介在させる必要がある。
また、本実施形態に示したように対向電極を複数の導電層を積層することにより、バンクの段差に対するステップカバレッジ性を向上させることができる。具体的には、対向電極として酸素欠乏層(膜厚50nm)のみを形成した電極構造を適用した表示パネルにおいては、有機EL素子の発光が全く観測されなかったのに対して、上述した実施形態に示したように、酸素欠乏層(膜厚50nm)と応力緩和層(膜厚50nm)からなる対向電極を備えた有機EL素子においては、表示パネルの全域で発光が観測された。
これは、酸素欠乏層のみでは膜厚が比較的薄いため(50nm)、画素形成領域を画定するバンクの段差により、例えば図11に示すように、有機EL素子OELとバンクBKxとの境界部分STにおいて断線が生じて、導電性バンク部18d(共通電圧ラインLc)と各表示画素PIX(有機EL素子OEL)の対向電極17との電気的接続が良好に確保されていないことによるものと考えられる。なお、図11は、本実施形態に係る表示装置におけるステップカバレッジ性を説明するための要部断面図である。なお、上述した実施形態と同等の構成については同一の符号を付して示した。
これに対して、酸素欠乏層と応力緩和層とを積層形成した対向電極においては、膜厚を比較的厚く形成することができるので(例えば100nm)、バンクの段差による断線の発生を防止することができ、共通電圧ライン(導電性バンク部)と、各表示画素(有機EL素子)の対向電極との良好な電気的接続を確保することができる。
ここで、ステップカバレッジ性を向上させるためには、対向電極として比較的厚く(例えば100nm)成膜された応力緩和層のみを適用することも考えられるが、この場合、上述したように、導電層中の酸素濃度が高くなることにより、電子注入層(アルカリ土類金属)の酸化を早めてしまい、製品の信頼性を低下させる問題を有しているため、適用することはできない。
なお、上述した実施形態においては有機EL素子の対向電極として、酸素欠乏層と応力緩和層の2層の導電層からなる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、3層以上の複数層からなるものであってもよいし、対向電極となる単一の導電層を形成する際に、酸素濃度(雰囲気ガスの圧力;成膜条件)を段階的もしくは連続的に変化させて成膜した層領域を有する電極構造からなるものであってもよい。
ここで、対向電極として3層以上の導電層からなる電極構造を有する場合にあっては、例えばアルカリ土類金属等からなる電子注入層上に、酸素欠乏層と中間層と応力緩和層(又は応力ゼロ層)とを順次積層したものを適用することができる。
すなわち、対向電極を酸素濃度の異なる複数の導電層により形成する場合、良好な発光特性(クラック等がなく、かつ、適度な光透過性を有し、良好なステップカバレッジ性を有する)を実現するためには、内部応力が存在しない比較的厚い導電層(応力ゼロ層)と、極薄い酸素欠乏層との2層からなる電極構造を有していることが理想的であるが、応力ゼロ層を実現するためには酸素濃度が極端に高くなる(酸素リッチである)ため、極薄い酸素欠乏層のピンホールを通じて電子注入層となるアルカリ土類金属を酸化してしまう可能性が高くなる。そこで、このような現象を防止するために、内部応力がある程度低く、かつ、酸素濃度も低い膜特性を有する中間層を介在させることにより、上述したような作用効果を十分に発揮させることができる。
一方、単一の導電層において酸素濃度を変化させた電極構造を適用する場合においても、上記複数の導電層からなる場合と同等の技術思想が適用される。
なお、上述した実施形態においては、各表示画素に設けられる画素駆動回路として、2個のトランジスタを用いた電圧階調指定方式の回路構成について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の回路構成を有するものであってもよいことはいうまでもない。特に、図2に示したような回路構成の場合、トランジスタ特性のバラツキやチャネル抵抗の経時変化等によって均一な発光特性を長期間維持することができなくなることが考えられ、このような現象を解決するための改良策が種々考案されている。
その一例として、3個以上のトランジスタを用いた電流階調指定方式の回路構成が知られている。この場合、トランジスタ数の増加に伴って平面レイアウト(図3参照)に占める遮光領域(トランジスタ及び配線層等の形成領域)の面積が増加するため、ボトムエミッション型の発光構造を適用した場合には、開口率が低下する可能性がある。このような観点からもトップエミッション型の発光構造を適用した方が高い開口率を確保することができるので、上述した実施形態に示したようなパネル構造を適用することにより、信頼性が高く、表示画質やパネル寿命に優れた表示装置を実現することができる。