TW200932038A - Manufacturing method of display apparatus and manufacturing apparatus - Google Patents

Description

200932038 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種顯示裝置的製造方法及用以進行 該製造方法之製造裝置，特別是有關於一種具備具有有機 電致發光（Organic Electro-Luminescent)元件等的發光兀件 之顯示像素之顯示裝置的製造方法及製造裝置。 【先前技術】 近年來，已知行動電話及攜帶式音樂播放機等電子機 Θ 器的顯示器有應用將有機電致發光元件（以下略記爲「有機 EL元件」二維配列而成的顯示面板（有機EL顯示面板）。 特別是在應用主動矩陣驅動方式而成之有機EL顯示面 板，與正廣泛普及之液晶顯示裝置比較，具有顯示響應速 度較快且視野角依存性亦較低之優良的顯示特性，同時具 有不需要如液晶顯示裝置的背光板或導光板之特徵。因 此，被期待能夠應用於今後各式各樣的電子機器。 如眾所周知地，有機EL元件槪略地係藉由具有在玻璃 基板等基板的一面側，依照順序積層陽極（anode)電極、有 機EL層（發光功能層）及陰極（cathode)電極而成之元件結 構，並對有機EL層以大於發光臨界値的方式在陽極電極施 加正電壓，且在陰極電極施加負電壓，在有機EL層內，基 於被注入的電洞與電子進行再結合時所產生的能量而放射 光線（激發光）者。 在此，在基板的一面側形成有機EL元件（發光元件）而 成之顯示面板，藉由將透過上述有機EL層而相向形成的一 200932038 對電極（陽極電極、陰極電極）的任一者’使用具有光透射 性的電極材料形成，並使用具有光反射性的電極材料來形 成另外一方，已知有在基板的一面側放射光線之頂部發光 (top emission)型及在基板的另一面側放射光線之底部發光 (bottom emission)型的發光結構。在頂部發光型的顯示面 板，具有在一面側所設置的發光元件所發出的光線係未透 射基板而反射並從一面側放射之發光結構。另一方面，底 部發光型的顯示面板，具有在發光元件所發出的光線係透 0 射基板而從他面側放射之發光結構。 但是在具有如上述的發光結構之顯示面板，在發光層 所發出的光線透過係具有光透射性的電極直接被放射至視 野側（基板的一面側或他面側）之同時，在具有光反射特性 的電極反射，且該反射光係透過發光層及具有光透射性的 電極被放射至上述視野側。藉此，直接被放射至視野側的 放射光與從在具有光反射特性的電極反射而被放射至視野 g 側之放射光之間產生膜厚度程度的光路差異。而且，起因 於由該光路差異所產生的干涉效果會造成色度偏移或發光 亮度（發光強度）的偏差，而產生影像的暈開及模糊等的顯 示特性變差。 【發明內容】 本發明係有關於一種具備具有發光元件的顯示影像之 顯示裝置之製造方法，及用以進行該製造方法之製造裝 置’具有能夠抑制色度偏移或發光亮度的偏差，來製造無 -4- 200932038 影像的暈開及模糊之顯示特性優良的顯示裝置之優點。 爲了得到上述優點，本發明的顯示裝置之製造方法， 其係將具備發光元件（具有任何用以進行彩色顯示的複數 發光色）的複數顯示像素沿著基板上的複數行及複數列配 列而成之顯不裝置之製造方法，其中包含塗布步驟，其係 將用以形成前述各發光色的前述發光元件的發光功能層之 發光材料溶液’塗布在前述基板上的複數列的形成前述發 光元件之發光元件形成區域，而且前述塗布步驟包含以不 連續塗布前述發光材料於前述複數列中鄰接列之前述發光 元件形成區域的順序，以對應於前述發光色所設定之塗布 量，塗布前述發光材料溶液的步驟。 ’ 爲了得到上述優點’本發明之製造裝置，係製造將具 備發光元件（具有用以進行彩色顯示的複數發光色之任一 者）的複數顯示像素沿著基板上的複數行及複數列配列而 成之顯示.裝置之製造裝置，其中具備：塗布裝置，其係至 少具有一個用以將形成前述各發光色的發光元件的發光功 能層之發光材料溶液吐出之噴嘴；及移動裝置，其係將前 述塗布裝置或前述基板之任一者往前述基板的行及列方向 移動’而且前述移動裝置係將前述塗布裝置往行方向移 動’並使其相對於前述基板上的前述複數列的各個分開的 列移動且使其沿著各列的延伸方向移動；而且前述塗布裝 置係在藉由前述移動裝置而沿著各列的延伸方向移動時， 從前述噴嘴將前述發光材料溶液以對應前述各發光色而設 200932038 定之吐出量吐出，而在用以形成前述基板上的各列的前述 發光元件之發光元件形成區域，依照所定順序塗布前述發 光材料溶液，且前述塗布順序係設定爲不連續塗布前述發 光材料溶液於前述複數列中鄰接之前述發光元件形成區域 的順序。 藉由以下的詳細說明及附加圖式，能夠充分地理解本 發明，但是該等完全是爲了說明，本發明的範圍未限定於 該等。 【實施方式】 以下，基於圖式所示之實施形態，詳細地說明本發明 之顯示裝置及其製造方法。1 <顯示面板> 首先說明在本發明之顯示裝置所應用的顯示面板（有 機EL顯示面板）及顯示像素。 第1圖係在本發明的顯示裝置所應用的顯示面板的像 素配列狀態之一個例子之槪略平面圖。 第2圖係在本發明的顯示裝置的顯示面板之二維配列 而成的各顯示像素（發光元件及像素驅動電路）的電路結構 例之等效電路圖。 又，在第1圖所示之平面圖，爲了說明上的方便，只 有顯示自視野側（一面側；有機EL元件的形成側）所觀察到 之設置於各顯示像素之像素電極的配置與各配線層的配設 結構之關係，及與劃定各顯示像素的形成區域之擋堤（隔壁） 200932038 的配置關係，省略了顯示用以發光驅動各顯示像素的有機 EL元件而在各顯示像素設置之如第2圖所示之像素驅動電 路內的電晶體等。 又’在第1圖，爲了瞭解像素電極及各配線層、擋堤 的配置，權宜地施加影線。 如第1圖所示，本發明之顯示裝置（顯示面板10)在玻 璃基板等的絕緣性基板1 1的一面側具備：複數選擇線Ls， 其係在配設在行方向（圖式的左右方向）；複數電源電壓線 (例如陽極線）Lv，其係配設在與該選擇線Ls並行之行方 向；及複數資料線Ld，其係配設在與選擇線Ls及電源電 壓線Lv正交乏列方向（圖式上下方向）。而且，在包含選擇 線Ls與資料線Ld的各交點之區域，配置有各顯示像素 PIX⑽像素 PXr、PXg、PXb)。 在此，具備上述顯示面板10之顯示裝置係對應彩色顯 示。此時如第1圖所示，例如紅（R)、綠（G)、藍（B)之3色 各自的副像素（以下，方便地記載爲「色像素」）PXr、PXg、 PXb係在行方向（圖式左右方向）重複配列，同時在列方向 (圖式上下方向）係複數配列有同一色的色像素PXr、PXg、 PXb。此時，將在行方向（圖式左右方向）鄰接之RGB3色的 色像素PXr、PXg、PXb作爲一組而成爲1個顯示像素PIX。 又，在第1圖所示之顯示面板10，配設有具有從絕緣 性基板11的一面側突出，且具有柵狀或格子狀的平面圖案 之擋堤（隔壁）17。藉由該擋堤17，將配列於列方向之同一 200932038 色的複數色像素PXr、PXg或PXb的像素形成區域（更具體 地係各色像素的有機EL元件的形成區域）劃定。又，在各 色像素PXr、PXg或PXb的像素形成區域，形成有像素電 極（例如陽極電極；第1電極）15。 顯示像素PIX的各色像素PXr、PXg、PXb係例如第2 圖所示，在絕緣性基板1 1上具有電路結構，該電路結構具 備：像素驅動電路DC，其具有複數電晶體（例如非晶矽薄 膜電晶體等）；及有機EL元件（發光元件）〇LED，其係藉由 從該像素驅動電路DC生成的發光驅動電流供給至上述像 素電極15來進行發光動作。 具體地，像素驅動電路DC係如第2圖所示，具備：電 晶體（選擇電晶體）Trl 1、電晶體（驅動電晶體）Trl2及電容器 Cs，該電晶體（選擇電晶體）Trl 1係各自在選擇線Ls連接閘 極端子、在資料線Ld連接汲極端子、在接點Nil連接源極 端子而成；該電晶體（驅動電晶體）Tr 1 2係各自在接點N 1 1 連接閘極端子、在電源電壓線Lv連接汲極端子、在接點 N 12連接源極端子而成；而該電容器Cs係連接電晶體Tr 12 之閘極端子及源極端子間而成。 在此，電晶體Trll、Trl2係任一者都可應用η通道型 的電場效果型電晶體（薄膜電晶體）。電晶體Trll、Trl2亦 可以是P通道型，此時，源極端子及汲極端子係互相相反。 又，電容器Cs係在電晶體Trl2之閘極-源極間所形成 的寄生電容或在該閘極-源極間所附加設置的輔助電容，或 200932038 是由該等寄生電容與輔助電容所構成的電容成分。電晶體 Trl2爲p通道型時，電容器Cs的一方係連接於電源電壓線 Lv側。 有機EL元件OLED之陽極端子（成爲陽極電極之像素 電極15)係連接上述像素驅動電路DC的接點N12’而陰極 端子（陰極電極）係與相對電極19整體形成且直接或間接地 連接所定的基準電壓Vcom(例如接地電位Vgnd)。在此’相 對電極19係對在絕緣性基板11上二維配列而成的複數顯 示像素PIX的像素電極15，以共同相向的方式由單一的電 極層（全面電極）形成。藉此，能夠共同地將上述基準電壓 Vcom施加在複數顯示像素PIX上。 又，如第1、2圖所示之選擇線Ls係連接於省略圖式 之選擇驅動器，且以所定的時序（timing)施加選擇信號 Ssel，用以將配列在顯示面板10的行方向之複數顯示像素 PIX(色像素PXr、PXg、PXb)設定爲選擇狀態。又，資料線 Ld係連接在省略圖式之資料驅動器，並以與上述顯示像素 PIX的選擇狀態同步之時序被施加按照顯示資料之灰階信 號Vpix。在此，灰階信號Vpix係設定有機EL元件OLED 的發光亮度灰階之電壓信號。 又，電源電壓線Lv係例如直接或間接地連接所定的高 電位電源，並被施加比施加在有機EL元件OLED的相對電 極19之基準電壓Vcom更高電位的規定高電壓（電源電壓 Vdd)，用以在設置在各顯示像素PIX(色像素PXr、PXg、PXb) 200932038 之有機EL元件OLED的像素電極15流動按照顯示資料之 發光驅動電流。 亦即，在如第2圖所示之像素驅動電路DC，在各顯示 像素PIX，在串聯連接而成之電晶體Trl2與有機EL元件 OLED的一組之兩端（電晶體Trl2的汲極端子及有機EL元 件0LED的陰極端子）係各自被施加電源電壓Vdd及基準電 壓Vcom，且對有機EL元件OLED賦予順偏壓來使有機EL 元件OLED成爲能夠發光的狀態。而且，按照灰階信號Vpix 〇 而控制在有機EL元件OLED流動的發光驅動電流的電流 値。 而且，在具有此種電路結構的顯示像素PIX之驅動控 制動作’係首先藉由從選擇驅動器對選擇線LS，在所定的 選擇期間施加選擇位準（導通位準；例如高位準）的選擇信 號Ssel ’電晶體Trll進行導通動作而被設定爲選擇狀態。 然後’與該時序同步，以從資料驅動器對資料線Ld施加具 〇 有按照顯示資料的電壓値之灰階信號Vpix來進行控制。藉 此’能夠透過電晶體Trll對接點Nl 1 (亦即，電晶體Tr 12 的閘極端子）施加按照灰階信號Vpix之電位。 在具有第2圖所示的電路結構之像素驅動電路DC，在 電晶體Trl2的汲極-源極間電流（亦即，在有機EL元件 OLED流動的發光驅動電流）的電流値係取決於汲極-源極 間電位差及閘極-源極間的電位差。在此，因爲施加於電晶 體Trl2的汲極端子（汲極電極）之電源電壓vdd，及施加於 -10- 200932038 有機EL元件OLED的陰極瑞子（陰極電極）之基準電壓Vcom 係固定値，所以藉由電源電壓Vdd及基準電壓Vcom能夠 預先固定電晶體Tr 12的汲極-源極間之電位差。而且，藉 由灰階信號Vpix能夠唯一地決定電晶體Trl2的閘極-源極 間之電位差。藉此，藉由灰階信號Vpix，能夠控制在電晶 體Trl2的汲極-源極間流動電流之電流値。 如此，電晶體Tr 12按照接點Nil的電位之導通狀態（亦 即，按照灰階信號Vpix之導通狀態）而進行導通動作，並 藉由從高電位側的電源電壓Vdd透過電晶體Trl2及有機 EL元件OLED而在低電位側的基準電壓Vcom(接地電位 Vgnd)，流動具有規定電流値之發光驅動電流，肴機EL元 件OLED以按照灰階信號Vpix(亦即顯示資料）的亮度灰階 來進行發光動作。又，此時，基於施加在接點Nil之灰階 信號Vpix，電荷被積蓄（充電）在電晶體Trl2的閘極-源極間 的電容器Cs。 接著，在上述選擇期間結束後的非選擇期間，藉由對 選擇線Ls施加非選擇位準（不導通位準；例如低位準）的選 擇信號Ssel，顯示像素PIX的電晶體Trll進行不導通動作 而被設定爲非選擇狀態。藉此資料線Ld與像素驅動電路 DC(具體上係接點Nil)被電性遮斷。此時，藉由保持在上 述電容器Cs所積蓄的電荷，在電晶體Trl2的閘極端子能 夠成爲保持相當於灰階信號Vpix的電壓（亦即，能夠保持 閘極-源極間的電位差）之狀態。 -11 - 200932038 因此，與上述選擇狀態之發光動作同樣地，從電源電 壓Vdd透過電晶體Trl2而在有機EL元件OLED流動所定 的發光驅動電流，發光動作狀態能夠繼續。 該發光動作狀態係例如能夠以繼續一個畫面（frame)期 間的方式來控制，直至施加下一個灰階信號Vpix(寫入）爲 止。而且，藉由將如此的驅動控制動作，對在顯示面板10 二維配列而成之全部的顯示像素PIX (各色像素PXr、PXg、 PXb)，依照順序在各行每行實行，能夠實行顯示需要的影 α 像資訊之影像顯示動作。 又，在第2圖，在顯示像素ΡΙΧ所設置之像素驅動電 路DC，係顯示藉由調整（指定）接照顯示資料而在各顯示像 素PIX (具體上係像素驅動電路DC的電晶體Trl2之閘極端 子；接點Nil)寫入的灰階信號Vpix之電壓値，控制在有機 EL元件OLED流動的發光驅動電流之電流値，而以需要的 亮度灰階來使其進行發光動作之對應電壓指定型的灰階控 D 制方式之電路結構。但是，亦可以是藉由調整（指定）按照 顯示資料而供給至各顯示像素PIX的（寫入）電流之電流 値，控制在有機EL元件OLED流動之發光驅動電流之電流 値’而以需要的亮度灰階來使其進行發光動作之具有電流 指定型的灰階控制方式之電路結構。 又’在第2圖所示之像素驅動電路DC，係顯示應用2 個η通道型的電晶體Tr 11、Tr 12而成之電路結構。但是本 發明之顯示面板未限定於此，亦可以是應用具有3個以上 -12- 200932038 的電晶體而成之其他的電路結構。又，亦可以是只有應用 ρ通道型的電晶體作爲電路元件而成者，或是具有η通道 型及Ρ通道型的雙方的通道極性之電晶體混合而成者。在 此’如第2圖所示’只有應用η通道型的電晶體作爲像素 驅動電路DC時，能夠使用製造技術已經確立之非晶矽半 導體製造技術’而簡易地製造動作特性安定的電晶體，能 夠實現經抑制上述顯示像素的發光特性變異而成之像素驅 動電路。 <顯示像素的元件結構> 接著’說明具有如上述的電路結構之顯示像素（像素驅 動電路及有機Ell元件）的具體的元件結構（平面布置及剖面 結構）。 在此’說明應用具有頂部發光（top emission)型的發光 結構之有機EL元件時之元件結構。 第3圖係在本發明的顯示裝置（顯示面板）能夠應用之 顯示像素的平面布置的一個例子之圖。 在此，如第1圖所示之顯示像素PIX的紅（R)、綠（G)、 藍（B)的各色像素PXr、PXg、pxb之中的特定一個色像素之 平面布置。 又’在第3圖’係以形成有像素驅動電路DC的各電晶 體及配線層等之層爲中心來顯示，爲了明瞭各配線層及各 電極的配置平面形狀，而方便地施加影線。 又，第4圖係沿著在第3圖所示具有平面布置的顯示 -13- 200932038 像素之IVA-IVA線（在本說明書係方便地使用「IV」作爲對 應第3圖所示羅馬數字的「4」之記號）的剖面之剖面圖。 第5A及5B圖係沿著在第3圖所示具有平面布置的顯 示像素之VB-VB線（在本說明書係方便地使用「V」作爲對 應第3圖所示羅馬數字的「5」之記號）、VC-VC線的剖面 之剖面圖。 第2圖所示之顯示像素（色像素）PIX係具體上例如第3 圖所示，在絕緣性基板1 1的一面側所設定的像素形成區域 Rpx，在圖式上方及下方的邊緣區域，以延伸於行方向（圖 式左右方向）的方式各自配設有選擇線Ls及電源電壓線 “。而且，以與該等的線Ls、Lv正交的方式，且在上述圖 式左方的邊緣區域，以延伸於列方向（圖式上下方向）的方 式各自配設有資料線Ld。又，在上述平面布置的右方的邊 緣區域’係以跨及右側鄰接的顯示像素（色像素）而延伸於 列方向（圖式上下方向）的方式配設有擋堤17。 在此，例如第3圖〜第5A、B圖所示，在比選擇線Ls 及電源電壓線Lv更下層側（絕緣性基板1 1側）設置有資料 線Ld，藉由將用以形成電晶體Tr 11、Tr 12的閘極電極 T r 1 1 g、T r 1 2 g之閘極金屬層加以圖案化，能夠在與該閘極 電極Trllg、Trl2g同一步驟形成。 又，資料線Ld係透過設置在以被覆其上面的方式形成 的閘極絕緣膜12之接觸洞CH11，而連接至電晶體Tr 11的 汲極電極Tr11 -14- 200932038 選擇線Ls及電源電壓線Lv係設置在比資料線Ld或閘 極電極Trl lg、Trl2g更上層側。選擇線Ls及電源電壓線 Lv係藉由將用以形成電晶體Trll、Trl2的源極電極Trlls、 Trl 2s、汲極電極Trl Id、Trl2d之源極、汲極金屬層加以圖 案化而形成，能夠在與該源極電極Trl Is' Trl 2s、汲極電 極Trlld、Trl2d同一步驟形成。 在此，在電源電壓線Lv延伸之線方向，除了與資料線 Ld平面地（平面觀察）重疊的區域以外，在閘極絕緣膜12設 β 置有接觸洞CH15。 選擇線Ls係透過設置在位於電晶體Trll的閘極電極 Trllg兩端的閘極絕緣膜12之接觸洞CH 12,而連接至閘極 電極Trllg。又，電源電壓線Lv係與電晶體Trl2的汲極電 極Trl2d整體形成。 在此，選擇線Ls及電源電壓線Lv係例如第5A、B圖 所示，亦可以具有積層下層配線層Lsl、Lvl及上層配線層 g Ls2、Lv2而成之配線結構，用以謀求低電阻化。例如下層 配線層Lsl、Lvl係與電晶體Trl 1、Trl2的閘極電極Trllg、 Trl2g同層，且藉由將用以形成該閘極電極Trllg、Trl2g 之閘極金屬層加以圖案化，能夠在與該閘極電極Tr 1 1 g、 Trl2g同一步驟形成。 又，上層配線層Ls2、Lv2係如上述’任一者均是與電 晶體Trl 1、Trl2的源極電極Trl Is、Trl2s及汲極電極 Trl Id、Trl 2d同層，且藉由將用以形成該源極電極Trl Is、 -15- 200932038

Trl2s及汲極電極Trlld、Trl2d之源極、汲極金屬層加以 圖案化而形成，能夠在與該源極電極Tr 11s、Tr 12s及汲極 電極Trlld、Trl2d同一步驟形成。 而且，下層配線層Lsl、Lvl亦可以是由鋁單體（A1)或 鋁-鈦（AlTi)、鋁-钕-欽(AINdTi)等的鋁合金、銅（Cu)等的低 電阻金屬的單層或合金層形成者，用以降低配線電阻，亦 可以是具有在上述低電阻金屬層的下層設置過渡金屬層而 成的積層結構者，用以降低鉻（Cr)或鈦（Ti)等的遷移 — (migration)。 又，上層配線層Ls2、Lv2亦可以是具有設置過渡金屬 層及低電阻金屬層而成之積層結構者，該過渡金屬層係用 以降低鉻（Cr)或鈦（Ti)等的遷移；而該低電阻金屬層係位於 該過渡金屬層的下層用以降低鋁單體或鋁合金等的配線電 阻。 而且，更具體地，像素驅動電路DC係如第3圖所示， p 第2圖所示的電晶體Trll係以在行方向延伸的方式配置， 又’電晶體Tr 1 2係以沿著列方向延伸的方式配置。在此， 各電晶體Tr 11、Tr 12具有眾所周知的電場效果型的薄膜電 晶體結構。亦即，各電晶體Tr 1 1、Tr 1 2係各自例如具有閘 極電極Trllg、Trl2g、半導體層SMC及源極電極Trlls、 Trl2s和汲極電極Trl Id、Trl2d之逆交錯結構，其中該閘 極電極Trllg、Trl2g係形成於絕緣性基板11上；該半導體 層SMC係透過以被覆該閘極電極Trl lg、Trl 2g的方式形成 -16- 200932038 的閘極絕緣膜12而形成於對應各閘極電極Trllg、Trl2g之 區域；而該源極電極Trlls、Trl2s和汲極電極Trlld、Trl2d 係以延伸於該半導體層SMC的通道之兩側部的方式形成。 又，在各電晶體Trl 1、Trl2的源極電極Trl Is、Trl2s 與汲極電極Tr lid、Trl 2d係兩端部相向配置而成之半導體 SMC的通道上，形成有氧化矽或氮化矽等的通道保護層（阻 擋層）BL，用以防止在製程對該半導體SMC產生蝕刻損傷。 又，在源極電極Trl Is、Trl2s及汲極電極Trl Id、Trl2d接 觸之半導體層SMC的通道之兩端部上，形成有不純物層 OHM，用以實現該半導體層SMC與源極電極Tr 11s、Tr 12s 及與汲極電極Trlld、Trl2d之歐姆連接。 ’ 而且’以對應第2圖所示之像素驅動電路DC的電路結 構方式，電晶體Trll係如第3圖所示，閘極電極Trl lg係 透過設置於閘極絕緣膜12之接觸洞CH12而連接至選擇線 Ls。又’該汲極電極Tr lid係透過設置於閘極絕緣膜12之 接觸洞CH11而連接至資料線Ld。 電晶體Trl2係如第3圖、第4圖所示，閘極電極Trl2g 係透過設置於閘極絕緣膜12之接觸洞CH13而連接至上述 電晶體Trll的源極電極Trlls。又，汲極電極Trl2d係與 電源電壓線Lv整體形成。源極電極Trl 2s係透過設置於保 護絕緣膜13及平坦化膜14之接觸洞CH 14而弯接至有機 EL元件OLED的像素電極15。 又’電容器Cs係如第3圖、第4圖所示，在絕緣性基 -17- 200932038 板1 1上，電極Eca與電極Ecb係以透過閘極絕緣膜12而 相向的方式設置，該電極Eca係與電晶體Tr 12的閘極電極 Trl2g整體形成；而該電極Ecb係在閘極絕緣膜12上與電 晶體Trl2的源極電極Trl2s整體形成。 又，如上述，在電極Ecb上的保護絕緣膜13及平坦化 膜14係設置有接觸洞CH 14,且透過該接觸洞CH14而連接 至有機EL元件OLED的像素電極15。 有機EL元件OLED係如第3圖〜第5A、B圖，其係設 ® 置於以被覆上述電晶體Trll、Trl2的方式形成的保護絕緣 膜13及平坦化膜14之上面。而且，有機EL元件OLED係 依照順序積層像素電極（例如陽極亀極）15、有機EL層（發光 功能層）18及相對電極（例如陰極電極）19來形成。 像素電極15係由具有光反射性的材料所構成，且透過 貫穿保護絕緣膜13及平坦化膜14而設置的接觸洞CH 14 而連接至電晶體Tr 1 2的源極電極Tr 1 2s，來供給所定的發 D 光驅動電流。 有機EL層1 8係在上述平坦化膜14上，其係例如由電 洞輸送層18a及電子輸送性發光層18b所構成且係形成於 由層間絕緣膜16及擋堤17所劃定（被擋堤17包圍之區域） 之EL元件形成區域Rel，該層間絕緣膜16係形成於與鄰接 顯示像素PIX的像素電極15之間的區域（境界區域）；而該 擋堤1 7係在該層間絕緣膜1 6上連續地突出而配設。 相對電極19係由使用具有光透射特性的材料之單一 -18- 200932038 電極層（全面電極）所構成，且對於在絕緣性基板11上二維 配列而成的各顯示像素PIX的像素電極15，以共同相向的 方式設置。 在此，相對電極19係以不只有在各EL元件形成區域 Rel且亦延伸於劃定該EL元件形成區域Rel之擋堤17上之 方式設置。 又，在EL元件形成區域Rel的周圍，在第3圖所示之 平面布置的左右方向，在與鄰接顯示像素（色像素）PIX的 EL元件形成區域Rel之境界區域形成有擋堤17»而且，選 擇線Ls及電源電壓線Lv的一部分及電晶體Trll、Trl2係 與擋堤17平面地（％面觀察）重疊。因此，擋堤17係緩和形 成於該擋堤17上之上述相對電極19對寄生電容的影響。 在此，對於資料線Ld，基於相同的目的，亦可以將資料線 Ld配置在擋堤17的下方。 又，在第3圖〜第5A、B圖所示之面板結構，係將選 擇線Ls及電源電壓線Lv作爲積層配線結構，藉由將用以 形成電晶體Trl 1、Trl2的源極電極Trl Is、Trl2s及汲極電 極Tr lid、Trl 2d之源極、汲極金屬層加以圖案化來形成上 層配線層Ls2、Lv2。又，將選擇線Ls透過接觸洞CH12而 連接至電晶體Trll的閘極電極Trllg，並將電源電壓線Lv 與電晶體Tr 12的汲極電極Trl 2d整體地成形。又，將用以 形成電晶體Trl 1、Trl2的閘極電極Trl lg、Trl2g之閘極金 屬層加以圖案化來形成資料線Ld。而且，透過接觸洞CH11 -19-

Ο 200932038 而連接至電晶體Trll的汲極電極Trlld。 在此，接觸洞CH12係在選擇線Ls的延伸方向 於除了設置有電晶體Trll的閘極電極Trllg的區域 有資料線Ld的區域以外。因此，選擇線Ls係如第 圖所示，在具有接觸洞CH12的區域，係由下層配鋪 及上層配線層Ls2所構成，在與資料線Ld重疊的區 有由上層配線層Ls2所構成，而未形成於設置有閘 Trl lg之區域，並且連接至電晶體Trl 1的閘極電極 之兩端。 而且，接觸洞CH15在電源電壓線Lv的延伸方 設銳在除了設置有資料線Ld的區域以外。 因此，電源電壓線Lv係如第5A、5B圖所示， 接觸洞CH15的區域’係由下層配線層Lvl及上層 Lv2所構成’且在與資料線Ld重疊的區域係只有由 線層Lv2所構成。 又’選擇線Ls及電源電壓線Lv的配線結構不 於上述結構。例如’亦可藉由將上述閘極金屬層加 化而形成於閘極絕緣膜12的下層，並藉由將上述源 極金屬層加以圖案化而在閘極絕緣膜丨2的上層形 線Ld ’未設置接觸涧CH1丨及CH1 2且將選擇線Ls 電極Trlld整體地設置，又，將資料線Ld與汲極電卷 整體地設置的方式來進行。 又，作爲電性連接像素電極丨5與像素驅動電族 ，設置 及設置 5A、5B [層 L s 1 域係只 極電極 ；Trllg 向，係 在具有 配線層 上層配 必限定 以圖案 極 '汲、 成資料 與閘極 ^ Trl1d ^ DC的 -20- 200932038 電晶體Tr 12的汲極電極Tr 12s(或是電容器Cs的另一側的 電極Ecb)之結構，如第4圖所示，亦可藉由在貫穿保護絕 緣膜13及平坦化膜14設置而成的接觸洞CH14,埋入用以 形成像素電極15之電極材料，來直接連接像素電極15與 源極電極Trl2s者。 又，亦可以藉由在接觸洞CH14係埋入由與像素電極 15不同的導電性材料所構成的接觸金屬（省略圖式），透過 該接觸金屬來連接像素電極15與源極電極Tr 12s者。 擋堤17係在二維配列於顯示面板1〇之複數顯示像素 (色像素）PIX相互的境界區域（具體上，係各像素電極15 間的區域），配設於顯示面板10的列方向（顯示面板10全體 係如第1圖所示，具有包圍複數的像素電極15之柵狀、或 包圍各像素電極15之格子狀的平面圖案）。 在此，如第3、4圖所示，上述境界區域之中，在顯示 面板10(絕緣性基板11)的列方向，上述電晶體Trl2係延伸 Q 而形成，而擋堤1 7係例如大略地被覆例如該電晶體Tr 1 2， 且在形成於各像素形成區域Rpx的像素電極1 5間所形成的 層間絕緣膜16上，以連續地從絕緣性基板11表面往高度 方向突出的方式形成。藉此，被擋堤17包圍的區域，亦即 包含配列於列方向（第1圖的上下方向）之複數顯示像素PIX 的像素電極15之區域，在後述之製造方法，係在形成有機 EL層18(例如電洞輸送層18a及電子輸送性發光層18b) 時，被規定作爲有機化合物含有液或懸浮液的溶劑（含有機 -21- 200932038 化合物的液體）之塗布區域（亦即，EL元件形成區域Rel)。 又，擋堤17係例如使用感光性的樹脂材料來形成，在 形成上述有機EL層18時，至少其表面（側面及上面）係以 對塗布於EL元件形成區域Rel的有機化合物含有液具有撥 液性的方式被施加表面處理。 而且，在上述像素驅動電路DC、有機EL元件OLED 及形成有擋堤1 7之絕緣性基板1 1的一面側全域，例如如 第4圖、第5A、B圖所示，具有作爲保護絕緣膜（passiration film)的功能之密封層20係以被覆絕緣性基板11的一面側 全域之方式形成。而且，亦可以是以與絕緣性基板1 1相向 的方式接合由省略圖式的玻璃基板等所構成之密封基板 者。 而且，在本實施形態之顯示面板，特別是在形成於EL 元件形成區域Rel的像素電極15上之有機EL層18之中， 其特徵係在R、G、B的每一各色像素PXr、PXg、PXb，以 成爲不同的特定膜厚度的方式，來形成電洞輸送層18&的 膜厚度。 具體上，有機EL層（發光功能層）18係除了上述的電洞 輸送層18a及電子輸送性發光層18b以外，亦使中間 (interlayer)層介於電洞輸送層18a與電子輸送性發光層18b 之間而成之層結構，係在各色像素PXr、PXg、PXb，以10 奈米的膜厚度形成中間層、以70奈米的膜厚度形成電子輸 送性發光層18b作爲共同層結構時，在具有紅（R)色的發光 -22- 200932038 爲 ， 奈 輸 透 規 間 示 示 15 19 各 透 B 反 光 光 中 射 層 色之色像素PXr，係將電洞輸送層18a的膜厚度大致設定 15奈米±10奈米，在具有綠（G)色的發光色之色像素PXg 係將電洞輸送層18a的膜厚度大致設定爲95奈米±20 米，而在具有藍（B)色的發光色之色像素PXb，係將電洞 送層18a的膜厚度大致設定爲90奈米±20奈米， 在此種顯示面板10(顯示像素PIX)，藉由基於按照 過資料線Ld而供給的顯示資料之灰階信號Vpix，具有 定電流値之發光驅動電流在電晶體Tr 12的源極-汲極之 流動，並供給至有機EL元件OLED的像素電極1 5，各顯 像素（色像素）PIX的有機EL元件OLED係以按照上述顯 資料之需要的亮度灰階來進行發光動作。 a 在此，在本實施形態之顯示面板10，藉由像素電極 具有光反射特性（對可見光具有高反射率），且相對電極 具有光透射特性（對可見光具有高透射率），能夠實現在 顯示像素PIX的有機EL層18發出的光線係透過具有光 射特性的相對電極1 9而直接往視野側（第4圖、第5A、 圖的上方）射出，同時在具有光反射特性的像素電極15 射，且透過相對電極1 9往視野側射出之頂部發光型的發 結構。 在該發光結構，在電子輸送性發光層18b所發出的 線係透過相對電極1 9而直接往視野側射出，同時，透過 間層及具有特定膜厚度之電洞輸送層18a而在具有光反 特性之像素電極15表面反射，並再次透過上述電洞輸送 -23- 200932038 18a及中間層、進而電子輸送性發光層18b、相對電極19 而往視野側射出。此時，如上述，藉由使在R、G、B的各 色像素PXr、PXg、PXb的EL元件形成區域Rel所形成之 有機EL層18(電洞輸送層18a)的膜厚度以對應R、G、B的 各色而有不同的特定膜厚度的方式設定，利用在電子輸送 性發光層1 8b所發出的光線直接往視野側射出的光線、與 在具有光反射特性的像素電極1 5表面反射而往視野側射 出的光線之光線干涉效果，能夠調節色度或發光強度，能 ® 夠抑制色度偏移或亮度變異而實現無影像暈開及模糊等之 良好的顯示特性。 又，在本實施形態之顯示面板1〇 ’因爲具有頂部發光 型的發光結構，所以能夠將在絕緣性基板11上所形成之像 素驅動電路DC的各電路元件或配線層’以與形成於保護 絕緣膜1 3及平坦化膜1 4上之有機EL元件OLED平面地重 疊之方式配置，能夠提高像素開口率來謀求降低消耗電力 g 或面板壽命的長期化，同時能夠提高像素電路的布置設計 之自由度。 <顯示面板之製造方法> 接著，說明本實施形態之顯示面板之製造方法。 第6A、6B、6C〜10圖係本實施形態的顯示裝置（顯示 面板）之製造方法的一個例子之步驟剖面圖。 在此，沿著在第4圖、第5A圖所示IVA-IVA線及VB-VB 線之顯示面板的剖面結構之中’係顯示方便地挑選出各自 -24- 200932038 一部分（電晶體Trl2、電容器Cs、有機EL元件OLED、選 擇線Ls、電源電壓線Lv等）之結構，來說明上述顯示面板 之製造方法之槪略。 上述的顯示面板之製造方法，係首先如第6A圖所示， 在玻璃基板等的絕緣性基板1 1的一面側（圖式上面側）所設 定的顯示像素（色像素）PIX的像素形成區域Rpx，形成像素 驅動電路DC的電晶體Trll、Tr12或電容器Cs、資料線Ld 或選擇線Ls、電源電壓線Lv等的配線層（參照第3圖〜第 5A、B 圖）。 具體上，係在絕緣性基板1 1上，將同一閘極金屬層加 以圖案化來同時形成、極電極Trllg、Trl2g及與該閘極電 極Trl2g整體形成的電容器Cs的一方側之電極Eca、資料 線Ld、選擇線Ls的下層配線層Lsl、電源電壓線Lv的下 層配線層Lvl。隨後，以被覆絕緣性基板11的全域之方式 形成閘極絕緣膜12。 又，如第3圖所示，在資料線Ld與選擇線Ls及電源 電壓線Lv交叉的區域，係例如以未形成選擇線Ls的下層 配線層Lsl及電源電壓線Lv的下層配線層Lvl的方式進 行，來使互相未電性連接（被絕緣）。 接著，在上述資料線Ld上的閘極絕緣膜12的所定區 域形成接觸洞CH11。又，在選擇線Ls的下層配線層Lsl 上的閘極絕緣膜12形成接觸洞CH12。在電源電壓線Lv之 下層配線層Lvl上的閘極絕緣膜12形成接觸洞CH15。在 -25- 200932038 電晶體Trl2的閘極電極Trl2g上的閘極絕緣膜12的所定 區域形成接觸洞CH13。 接著，在對應閘極絕緣膜12上的各閘極電極Trllg、 Tr 1 2g之區域，例如形成由非晶矽或多晶矽等所構成之半導 體層SMC及由氮化矽等所構成之通道保護層BL，且在該 半導體層SMC (通道）的兩端部，透過用以歐姆連接的不純 物層OHM來形成源極電極Tr 11s、Tr 12s及汲極電極Tr lid、 Trl2d 。 在此，如第2圖、第3圖所示，電晶體Trll的汲極電 極Tr lid係透過形成於閘極絕緣膜12之接觸洞CH11而連 接至餐料線Ld。又，源極電極Tr 11s係透過形成於閘極絕 緣膜12之接觸洞CH13而連接至電晶體Tr 12的閘極電極 Tr12 g ° 又，此時，藉由將同一源極、汲極金屬層加以圖案化， 來同時形成連接於源極電極Trl2s之電容器Cs的另一側電 極Ecb、上述選擇線Ls的上層配線層Ls2及電源電壓線Lv 的上層配線層Lv2。 在此，選擇線L s的上層配線層L s 2係以透過形成於閘 極絕緣膜12之溝狀的接觸洞（開口部）CH12而電性連接上 述選擇線Ls的下層配線層Lsl的方式形成。又，電源電壓 線Lv的上層配線層Lv2係透過形成在閘極絕緣膜12之溝 狀的接觸洞（開口部）CH 15而電性連接上述電源電壓線Lv 的下層配線層Lvl的方式形成。藉此，能夠形成具有由上 -26- 200932038 層配線層Ls2及下層配線層Lsl所構成的積層配線結構之 選擇線Ls，以及具有由上層配線層Lv2及下層配線層Lvl 所構成的積層配線結構之電源電壓線Lv。 又，爲了降低配線電阻且降低遷移之目的’上述的電 晶體Trll、Trl2的源極電極Trlls、Trl2s及汲極電極

Trlld、Trl2d、電容器Cs的另一側的電極Ecb、選擇線Ls 的上層配線層Ls2、電源電壓線Lv的上層配線層Lv2亦可 以是具有由例如鋁-鈦（AlTi)或鋁-銨-鈦（AINdTi)等的鋁合 〇 金層與鉻（Cr)等的過渡金屬層所構成的積層配線結構者。 接著，如第6B所示，以被覆包含上述電晶體Trll、

Trl2、電容器Cs、選擇線Ls的上層配線層Ls2及電源電壓 線Lv的上層配線層Lv2之絕緣性基板1 1的一面側全域的 方式形成由氮化矽（SiN)等所構成的保護絕緣膜13，而且在 其上面，積層形成平坦化膜1 4。在此，平坦化膜1 4係緩和 由形成於絕緣性基板11上之上述像素驅動電路DC的電晶 八 體Tr 11、Tr 12或各配線層所造成之表面段差，能夠適當地 〇 設定膜材料或其厚度用以提升該平坦化膜1.4表面的平坦 性。在本實施形態能夠應用的平坦化膜材料具體上，能夠 良好地應用具有熱固性的有機材料（例如丙烯酸系樹脂、環 氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂等）。 接著，如第6C圖所示，使用光微影法蝕刻上述平坦化 膜14及保護絕緣膜13，來形成至少電晶體Trl2的源極電 極Tr 12s(或電容器Cs的另一側之電極Ecb)的上面露出之接 -27- 200932038 觸洞CH14。 接著，在含有上述接觸洞CH14之平坦化膜14上，使 用濺鍍法等形成由銀（Ag)或鋁（A1)等的金屬材料、或鋁-銨_ 鈦（AINdTi)等的合金材料所構成之具有光反射特性（更具體 地，係對可見光區域具有高反射率）之金屬薄膜。隨後將該 金屬薄膜圖案化，如第7A圖所示，在接觸洞CH 14內部與 電晶體Tr 12的源極電極Tr 12s電性連接，並且形成具有對 應各顯示像素PIX的EL元件形成區域Rel之平面形狀且延 伸於平坦化膜1 4上之反射層1 5 a。 接著，在含有上述反射層15a之平坦化膜14上，使用 濺鍍法等形成由錫摻雜氧化銦（Indium Tin Oxide ; ITO)或鋅 摻雜氧化銦（Indium Zinc Oxide; IZ0)、鎢摻雜氧化銦（Indium Tungsten Oxide; IW0)、鎢-鋅摻雜氧化銦（Indium Tungsten Zinc Oxide ; IWZO)等的透明電極材料所構成（具有光透射特 性）之導電性氧化金屬層。隨後，將該導電性氧化金屬層圖 案化’如第7B圖所示，被覆至少上述反射層15a的上面及 端面（側面）’來形成具有對應各EL元件形成區域Rel的平 面形狀之透明電極層15b。 藉此’能夠形成具有反射層15a及透明電極層15b，且 具有透過接觸洞CH 14而電性連接電晶體Tr 12的源極電極 Trl2s之積層電極構造的像素電極15。 在該像素電極15的形成製程，因爲在各el元件形成 區域Rel所形成的反射層i5a，其上面及側面係完全地被成 -28- 200932038 爲透明電極層15b之導電性氧化金屬層所被覆而呈未露出 的狀態，透明電極層15b的圖案化係藉由將該導電性氧化 金屬層蝕刻來進行，所以能夠防止在導電性氧化金屬（ITO 等）與反射層15a之間發生電池反應，同時能夠防止反射層 1 5a被過度蝕刻、或蒙受到蝕刻損傷。 接著，在含有上述像素電極15的平坦化膜14上，使 用化學氣相成長法（CVD法）等，形成例如由矽氧化膜或矽 氮化膜等的無機絕緣性材料所構成的絕緣層後進行圖案 ® 化，如第4圖及第8A圖所示，形成被覆鄰接顯示像素（色 像素）PIX的境界區域（亦即，鄰接像素電極15間之區域）、 同時在各像素形成區域Rpx具有各像素電極15上面係鎗出 的開口部之層間絕緣膜1 6。 接著，如第8B圖所示，在鄰接顯示像素PIX(像素電 極1 5 )間的境界區域所形成的上述層間絕緣膜1 6上，係形 成例如由聚醯亞胺系或丙烯酸系等的感光性樹脂材料所構 1 成之擋堤17。具體上，係藉由將以被覆包含上述層間絕緣 膜16及像素電極15之絕緣性基板11的一面側全域的方式 形成之感光性樹脂層加以圖案化，如第1圖所示，在行方 向鄰接顯示像素PIX間的境界區域形成有擋堤17,該擋堤 17具有包含延伸於顯示面板10的列方向的區域之柵狀平 面形狀且在高度方向連續地突出。藉此，配列在顯示面板 10的列方向之同一色的複數顯示像素（色像素）PIX的EL元 件形成區域Rel係被擋堤1 7及層間絕緣膜1 6包圍而被劃 -29- 200932038 定’且在該EL元件形成區域Rel內，各顯示像素PIX的像 素電極15的上面係露出。 接著’以純水洗淨絕緣性基板i丨後，例如藉由施行氧 電漿處理或UV臭氧處理等，來將在EL元件形成區域Rei 所露出的各像素電極15的表面，施行對後述電洞輪送材料 或電子輸送性發光材料的有機化合物含有液之親液化處 理。接著，在擋堤17的表面施行CF4電漿處理，來將擋堤 17的表面施行對有機化合物含有液之撥液化處理。又，只 要使形成擋堤17之樹脂材料本身預先含有氟原子，則不一 定必須進行上述撥液化處理。 藉此，在同一絕緣性基板11上，’因爲只有在擋堤17 的表面進行撥液化處理，所以在由該擋堤1 7所劃定的各像 素形成區域Rpx所露出的像素電極15的表面係保持未被撥 液化的狀態（親液性）。藉此，即使在塗布有機化合物含有 液來形成有機EL層18(電子輸送性發光層18b)時，亦能夠 防止有機化合物含有液漏出至或越過至鄰接的EL元件形 成區域Rel，能夠抑制鄰接像素互相混色而能夠分開塗布紅 (R)、綠（G)、藍（B)。 又，在本實施形態所使用的「撥液性」係指在基板上 等滴下含有成爲後述電洞輸送層18a之有機化合物含有 液、或含有成爲電子輸送性發光層18b之電子輸送性發光 材料之有機化合物含有液、或該等溶液所使用的有機溶劑 來進行接觸角測定時，規定該接觸角成爲50°以上的狀 -30- 200932038 態。又’對立於「撥液性」之「親液性」係指在本實施形 態’規定上述接觸角成爲40。以下’以成爲1〇。以下的狀 態爲佳。 接著，對被上述擋堤17包圍的（劃定的）各色EL元件 形成區域Rel，適用製程控制性或生產性優良的噴墨法或噴 嘴印刷法等’塗布由高分子系的有機材料所構成之電洞輸 送材料的溶液或分散液。隨後，使其加熱乾燥而以r、G、 B的每一各色像素pxr、pxg、pxb具有不同的特定膜厚度 ® 的方式，來形成電洞輸送層18a。接著，在每一各色像素 PXr、PXg、PXb的上述電洞輸送層18a上，塗布由對應R、 G、B的發光色之高分宇系的有機材料所構成之電子輸送性 發光材料的溶液或分散液。隨後，使其加熱乾燥而形成電 子輸送性發光層18b。藉此，如第9圖所示，在像素電極 15上積層形成至少具有電洞輸送層18a及電子輸送性發光 層18b之有機EL層18。又，關於有機EL層18的成膜製 p 程，將在後面詳述。 隨後，如第10圖所示，在至少含有各顯示像素PIX的 EL元件形成區域Rel的絕緣性基板1 1上，形成具有光透射 性之導電層（透明電極層），且透過上述有機EL層18 (電洞 輸送層18a及電子輸送性發光層18b)而形成與各顯示像素 PIX的像素電極15相向之共同的相對電極（例如陰極電 極）1 9。 具體上，相對電極19係例如能夠應用藉由蒸鍍法等形 -31 - 200932038 成由成爲電子注入層之鋇、鎂、鋰等的金屬材料所構成之 薄膜後，在其上層藉由濺鍍法積層形成ITO等的透明電極 層而成之在厚度方向透明的膜結構。在此’相對電極19係 被形成作爲單一的導電層（全面電極）’不只在與上述像素 電極15相向的區域，且延伸至劃定各EL元件形成區域Rel 之擋堤1 7上爲止。 接著，在形成上述相對電極19後，使用CVD法等在 絕緣性基板11的一面側全域形成由矽氧化膜或矽氮化膜 ® 等所構成的密封層20作爲保護絕緣膜（passivation film)。 藉此，完成具有如第4圖、第5A、B圖所示的剖面結構之 顯示面10。又，省略了圖式，除了如第4圖、第5A、B 圖所示的面板結構以外，亦可以是進而以與絕緣性基板11 相向的方式接合由玻璃基板等所構成的密封蓋或密封基板 而成者。 <發光功能層的成膜製程、製造裝置> D 接著，詳細地說明在上述顯示面板的製造方法，有機 EL層18(發光功能層）的成膜製程及用以實施該製造方法之 製造裝置。 (成膜製程、製造裝置的第1構成） 第11A、B圖、第13A、B圖係用以說明在本實施形態 的顯示裝置（顯示面板）之製造方法，使用第1構成的成膜 製程及製造裝置之電洞輸送層的成膜製程之圖。 第12A、B圖係用以實施在本實施形態的顯示裝置之製 -32- 200932038 造方法的第1構成之製造裝置的構成之一個例子之圖。 第14 A、B圖、第15 A、B圖係用以說明在本實施形 態的顯示裝置（顯示面板）之製造方法，使用第1構成的成 膜製程及製造裝置之電子輸送性發光層的成膜製程之圖。 在此，對經印墨塗布處理之各線（列）方便地施加影線，用 以使圖式明確。 在本構成之有機EL層的成膜製程，在上述顯示面板之 製造方法，在被擋堤17劃定的EL元件形成區域Re 1露出 ® 之像素電極15(透明電極層15b)上，首先，將例如聚乙烯二 氧基噻吩/聚乙烯磺酸水溶液（PEDOT/PSS ;使係導電性聚合 物的聚乙烯二氧基噻吩PEDOT及係摻雜劑的聚乙烯磺酸 PSS分散於水系溶劑而成之分散液）作爲含有機高分子系的 電洞輸送材料之有機化合物含有液，使用噴嘴印刷成膜裝 置塗布。隨後，進行加熱乾燥處理而除去溶劑。藉此，使 有機局分子系的電洞輸送材料固定於該像素電極15上，來 p 形成具有所定膜厚度的載體輸送層的電洞輸送層18a。 如第11A圖等所不，本構成之製造裝置係具備：噴嘴 印刷成膜裝置，其係具有一個印刷頭PH;及移動裝置，其 係使噴嘴印刷成膜裝置的印刷頭PH或基板丨丨的{壬_胃& 基板1 1的列方向及行方向移動，其構成係能夠藉由印刷頭 PH依照所定順序而對各列進行塗布。 用以實施該第1構成的成膜製程之製造裝置，具體上 其構成係例如如第1 2 A圖或第1 2 B圖所示。 -33- 200932038 第12A圖所示之製造裝置具備：基板載物台20, 載置基板11;載物台移動機構部21，其能夠將此基板 台20在XY方向（XY方向係指與基板載物台20的載置 行的方向）移動；印刷頭部22 ’其具一個印刷頭PH ; 制部23。而且，控制部23係透過基板載物台移動控 24,來控制使用基板載物台移動機構部21之基板載物 的移動方向、移動量及移動速度等。又，製造裝置係 具備用以檢測設置在基板1 1上的位置對準記號之位

D 準檢測部2 5，控制部2 3係基於使用位置對準檢測部 檢測結果，來控制使用基板載物台移動機構部21之基 物台20的移動量等。又，控制部23係控制從印刷頭 的印刷頭PH吐出的流體之量。在此，印刷頭部22及 部23係構成噴嘴印刷成膜裝置，而基板載物台20、控 23、基板載物台移動機構部21、基板載物台移動控制 及位置對準檢測部25係構成移動裝置。 g 又，第12B圖所示之製造裝置具備：基板載物台 其係載置基板1 1 ;印刷頭部22，其具備一個印刷頭 印刷頭移動機構部26 ;其能夠將該印刷頭部22在χγ (XY方向係指與基板載物台20的載置面平行的方丨 動；及控制部23。而且，控制部23係透過印刷頭移動 部27 ’來控制使用印刷頭移動機構部26之印刷頭部 移動方向、移動量及移動速度等。又，具備與第12A 樣的位置對準檢測部25，控制部23係基於使用位置對 其係 載物 面平 及控 制部 台20 例如 置對 25之 板載 部22 控制 制部 部24 20， PH ； 方向 句）移 控制 22的 圖同 準檢 -34- 200932038 測部2 5之檢測結果，來控制使用印刷頭移動機構部26之 印刷頭部22的移動量等。在此，印刷頭部22係構成噴嘴 印刷成膜裝置，而基板載物台20、控制部23、印刷頭移動 機構部26、印刷頭移動控制部27及位置對準檢測部25係 構成本發明的移動裝置。 該製造裝置在第12A圖、12B圖任一者的構成，均是 能夠藉由將印刷頭PH相對於基板1 1移動至相對的規定位 置，並一邊從印刷頭PH吐出流體一邊使其移動，能夠在基 板11上的規定位置塗布流體者。 使用該製造裝置之含有電洞輸送材料的有機化合物含 有液之塗布方法係從噴嘴印刷成膜裝置的印刷頭PH的口土 出口，將上述PEDOT/PSS以成爲規定量的液流狀之方式吐 出，藉由載物台移動機構部21或印刷頭部移動機構部26, 對配列同一色的色像素（例如紅（R)色的色像素PXr)之列的 EL元件形成區域Rel，依照規定速度、順序一邊使該印刷 頭PH移動（掃描）一邊進行塗布。此時，如上述，因爲擋堤 1 7的表面係被施加撥液化處理，所以即便在EL元件形成 區域Rel所塗布的PEDOT/PSS的液流滴著在擋堤上時亦會 被排斥，而親合擴展至經施行親液化處理之各像素電極1 5 上。 又，藉由控制部 23來控制從印刷頭 PH吐出的 PEDOT/PSS之流量，例如可藉由控制噴嘴印刷成膜裝置的 吐出泵的轉數（吐出量）來調整，亦可以藉由使印刷頭PH的 -35- 200932038 吐出口大小（噴嘴徑）變化來調整。 以下，說明本構成之有機EL層的成膜製程，在以下的 說明，構成製造裝置之各部的動作係藉由控制部23來控 制。 在本構成之有機EL層的成膜製程，具體上係如第11A 圖所示，將印刷頭PH對在噴嘴印刷成膜裝置的基板載物台 20上所載置的絕緣性基板11，沿著顯示面板1〇的例如第1 列配列紅（R)色的色像素PXr的第1線L1並一邊使其在相 對列方向（在第1圖所示之顯示面板1 0，則變成圖式上下方 向，但是在第11A、B圖，在圖式的情況上，則變成圖式左 右方向）掃描，一邊將PEDOT/PSS以第1流量且成爲液流狀 之方式吐出，而在第1線L1的EL元件形成區域Rel連續 地塗布（以下，方便地記載爲「電洞層（紅）第1掃描」）。 接著，如第11B圖所示，將基板載物台20(絕緣性基板 1 1)在相對於印刷頭PH的掃描方向（列方向）正交的方向（行 方向；圖式上方），使其相對地移動3線（3列）分。使印刷 頭PH移動至對應顯示面板1〇之配列第4列的紅（R)色的色 像素PXr的第4線L4之位置後，與上述電洞層（紅）第1掃 描同樣地，一邊使印刷頭PH相對地在列方向掃描，一邊將 PEDOT/PSS以第1流量且成爲液流狀之方式吐出，而在第 4線L4的EL元件形成區域Rei連續地塗布（以下，方便地 記載爲「電洞層（紅）第2掃描」）。 一邊使此種印刷頭 PH在列方向掃描一邊塗布 -36- 200932038 PEDOT/PSS後’如第UB圖所示，依照順序重複進行使印 刷頭PH在行方向移動所定間距（3線分）而塗布PED〇T/PSS 之一系列的動作’在配列第7線（第7列）L7、第1 0線（第 10列）L10、第13線（第13列）L13、· ·.的紅（R)色的色像 素PXr之EL元件形成區域Rel，亦塗布PED〇T/PSS(電洞層 (紅）第3掃描〜）。 接著’如第13A圖所示，使基板載物台20(絕緣性基板 1 1)在相對於印刷頭PH之行方向相對地移動，並將印刷頭 PH對絕緣性基板1 1，使其移動至對應顯示面板1 〇之配列 第2列的綠（G)色的色像素PXg的第2線L2之位置。隨後， 一邊使印刷頭PH相對地列方向掃描，一邊將PED0T/PSS 以第2流量且成爲液流狀之方式吐出，而在第2線L2的 EL元件形成區域Rel連續地塗布（以下，方便地記載爲「電 洞層（綠）第1掃描」）。 此時，以上述電洞層（紅）第1掃描塗布在顯示面板 10(絕緣性基板11)的第1線（第1列）L1的EL元件形成區域 Rel之PED0T/PSS，係藉由將載置絕緣性基板11之基板載 物台20加熱控制至規定溫度，而在實行上述電洞層（紅）第 2掃描以後的塗布動作時間中，充分地進行加熱乾燥，能 夠在包含像素電極15(透明電極15b)上之紅（R)色的色像素 PXr的EL元件形成區域Rel內，形成電洞輸送材料係薄膜 狀地固定而成之電洞輸送層18a。在此，在紅（R)色的色像 素PXr的像素電極15(透明電極15b)上所形成的電洞輸送層 -37- 200932038 18a的膜厚度，在將上述印刷頭PH的掃描速度（塗布速度） 或基板載物台 20的加熱溫度等的各種條件設定爲固定 値，且只有任意地設定PEDOT/PSS的流量時，係依存於從 印刷頭PH所吐出的PEDOT/PSS之流量（第1流量；相當於 塗布量）而決定，例如形成數十奈米等級的膜厚度。 接著，與上述的電洞層（紅）第2掃描同樣地，使基板 載物台20(絕緣性基板1 1)在相對於印刷頭PH的掃描方向 (列方向）之正交方向（行方向）相對地移動3線（3列）分。而 ◎ 且’使印刷頭P Η移動至對應顯示面板1 〇之配列第5列的 綠（G)色的色像素PXg的第5線L5之位置後，與上述電洞 層（綠）第1掃描同樣地，一邊使印刷頭p Η相對地在列方向 掃描’ 一邊將PEDOT/PSS以上述第2流量且成爲液流狀之 方式吐出，而在第5線L5的EL元件形成區域Rel連續地 塗布（以下，方便地記載爲「電洞層（綠）第2掃描」）。 以下’與上述電洞層（紅）第3掃描以後同樣地，一邊 Q 使印刷頭PH在列方向掃描一邊塗布pedOT/PSS。隨後，依 照順序重複進行使印刷頭PH在行方向移動所定間距（3線 分）而塗布PEDOT/PSS之一系列的動作，在配列第8線（第 8 列）L8、第 11 線（第 11 列）L11、第 14 線（第 14 列）L14、· · · 的綠（G)色的色像素PXg之EL元件形成區域Rel，亦塗布 PED0T/PSS(電洞層（綠）第3掃描〜）。 而且’如第13B圖所示，對配列藍（B)色的色像素pxb 之各線，亦即，第3線（第3列）L3、第6線（第6列）L6、第 -38- 200932038 9線（第9列）L9、· · ·，亦與在配列上述的紅（R)、綠（G) 色的色像素ΡχΓ、PXg之EL元件形成區域Rel同樣地，一 邊使印刷頭PH在列方向掃描，一邊將pedOT/PSS以第3 流量且成爲液流狀之方式吐出、塗布。隨後，依照順序重 複進行使印刷頭PH在行方向移動所定間距（3線分）而塗布 PEDOT/PSS之一系歹丨J的動作，在配列藍（b)色的色像素PXb 之EL元件形成區域Rel，亦塗布pED〇T/pss(電洞層（藍）第 1掃描〜）。 ❹ 藉此’在配列綠（G)色的色像素PXg及藍（B)色的色像 素PXb之各EL元件形成區域Rei露出的像素電極15(透明 電極層15b)上，從印刷頭ph吐出的PEDOT/PSS之流量， 亦即’依存於第2流量及第3流量而形成具有所定膜厚度 之電洞輸送層18a。在此，在綠（G)色的色像素PXg及藍（B) 色的色像素PXb的像素電極15上所形成的電洞輸送層 18a’任一者都是形成例如數十〜丨〇〇奈米左右的膜厚度。 Q 接著’在每一各色像素PXr、PXg、PXb形成電洞輸送 層18a之EL元件形成區域Rel，例如將含有聚對伸苯基伸 乙烯基系或聚莽系等共軛雙鍵聚合物對應紅（R)、綠（G)、 藍（B)的各發光色之發光材料溶解於四氫萘、四甲苯、三甲 苯（mesitylene)、二甲苯等的有機溶劑或水成的溶液（以下， 記載爲「發光材料溶液」），塗布在上述電洞輸送層18a上。 隨後，藉由進行加熱乾燥處理而除去溶劑，使有機高分子 系的電子輸送性發光材料固定於上述電洞輸送層18a上， -39- 200932038 來形成載體輸送層且是發光層之電子輸送性發光層18b。 在此，含有電子輸送性發光材料的有機化合物含有液 之塗布方法，係與上述形成電洞輸送層 18a時之塗布 PEDOT/PSS (含有電洞輸送材料的有機化合物含有液）之塗 布方法同樣地，使從噴嘴印刷成膜裝置的印刷頭的吐出口 之對應各發光色而成的發光材料溶液，以成爲液流狀的方 式吐出，且對配列同一色的色像素（例如紅（R)色的色像素 PXr)之列的EL元件形成區域Rel，使該印刷頭依照順序一 〇 邊掃描一邊塗布。此時，如上述，因爲擋堤17的表面係被 施加撥液化處理，所以即便在EL元件形成區域Rel所塗布 的發光材料溶液的液流滴著在擋堤17上時亦會被排斥而 親合擴展至具有親液性之上述電洞輸送層18a上。 具體上，如第14A圖所示，首先，將吐出對應紅（R) 色發光色的發光材料溶液之印刷頭Per，對在噴嘴印刷成膜 裝置的基板載物台20上所載置的絕緣性基板1 1，沿著顯示 Q 面板10的第1列配列紅（R)色的色像素PXr的第1線L1並 一邊使其相對地在列方向（圖式左右方向）掃描，一邊將發 光材料溶液以規定流量且成爲液流狀之方式吐出，而在第 I線L1的EL元件形成區域Rel連續地塗布（以下，方便地 記載爲「發光層（紅）第1掃描」）。 接著，將基板載物台20(絕緣性基板11)相對於印刷頭 PEr的掃描方向（列方向）之正交方向（行方向；圖式上方）， 使其相對地移動3線（3列）分。使印刷頭PEr移動至對應顯 -40- 200932038 示面板10之配列第4列的紅（R)色的色像素PXr的第4線 L4之位置後，與上述發光層（紅）第1掃描同樣地，一邊使 印刷頭PEr相對地在列方向掃描，一邊將發光材料溶液以 上述規定流量且成爲液流狀之方式吐出，而在第4線L4的 EL元件形成區域Rel連續地塗布（發光層（紅）第2掃描）。 以下同樣地，如第14B圖所示，一邊使印刷頭PEr沿 著顯示面板10的第7、10、13· ·.列之線掃描，一邊在 該各線的EL元件形成區域Rel依照順序塗布發光材料溶液 (發光層（紅）第3掃描〜）。亦即，在成爲同色的每隔3線之 EL元件形成區域Rel塗布發光材料溶液。

接著，如第15A圖所示，使印刷頭PEg對絕緣性基板 11，移動至對應顯示面板10之配列第2列的綠（R)色的色 像素Pg的第2線L2之位置，隨後，與上述發光層（紅n掃 描以後同樣地，一邊使印刷頭PEg在列方向掃描一邊塗布 發光材料溶液。隨後，使印刷頭PEg在行方向移動所定間 距（3線分）而依照順序重複進行塗布發光材料溶液之—系 列的動作，在配列第2線（第2列）L2、第5線（第5列）L5、 第8線（第8列）L8、· · ·的綠（G)色的色像素pXg之EL 元件形成區域Rel，塗布發光材料溶液（發光層（綠）第1掃 描〜）。 而且，如第15B圖所示，對顯示面板1〇之配列藍（b) 色的色像素PXb的第3線（第3列）L3、第6線（第6列）L6、 第9線（第9列）L9、· · ·的EL元件形成區域Rel，亦與 -41 - 200932038 上述發光層（紅）第1掃描同樣地，一邊使印刷頭PEb相對 地在列方向掃描，一邊塗布發光材料溶液。隨後，使印刷 頭PEb在行方向移動所定間距（3線分）而依照順序重複進行 塗布發光材料溶液之一系列的動作。 藉此，在配列紅（R)、綠（G)、藍（B)色的各色像素pxr、 PXg、PXb之各EL元件形成區域Rel的電洞輸送層18a上， 能夠形成具有所定膜厚度之電子輸送性發光層18b。在此， 在各色的色像素PXr、PXg、PXb所形成的電子輸送性發光 層18b係任一者都是形成例如數十〜100奈米左右的膜厚 度。 因此，藉由此種有機EL層的成膜製程'如第4圖、第 5A、B圖、第9圖所示，在顯示面板10之配列各色像素PXr、 PXg、PXb之EL元件形成區域Rel，能夠形成至少具有電 洞輸送層18a及電子輸送性發光層18b之有機EL層18,該 電洞輸送層18a係具有紅（R)、綠（G)、藍（B)的每一各色爲 不同膜厚度之電洞輸送層18a，而該電子輸送性發光層18b 係具有對應紅（R)、綠（G)、藍（B)的各發光色之所定膜厚度。 (成膜製程、製造裝置之第2構成） 第1 6A、B圖係用以說明在本實施形態的顯示裝置之製 造方法，使用第2構成的成膜製程及製造裝置之電洞輸送 層的成膜製程之圖。 第17A、B圖係用以實施在本實施形態的顯示裝置之製 造方法的第2構成之製造裝置的構成之一個例子之圖。 -42- 200932038 在上述之成膜製程及製造裝置的第1構成，其構成係 噴嘴印刷成膜裝置係具有1個印刷頭PH，並基於基板11 的RGB各色的配列’使印刷頭ph每隔3線（列）移動並在顯 示面板10的每隔3線進行塗布。相對於此，第2構成之成 膜製程及製造裝置的噴嘴印刷成膜裝置係具備2個或比其 更多的複數印刷頭PH’其不同之處係具備同時塗布配置相 同色的色像素之複數線（列）之構成。 本構成的製造裝置係如第16A圖所示，噴嘴印刷成膜 裝置係具有例如在對應顯示面板10的每隔2線（列）的2線 (列）而設置之2個印刷頭PH。藉此，能夠同時塗布顯示面 板1 0之配列同色的色像素乏2線（列）。 用於實施該第2構成的成膜製程之製造裝置，具體上 係例如在第17A圖或17B圖所示之構成。 在第17A圖或第17B圖所示之構成，相對於上述第12A 圖或12B圖所示之構成，不同之處係印刷頭部22具備2個 印刷頭PH，且控制部23係控制從各印刷頭PH吐出的流體 之量。因爲此外的構成係與上述第12A、12B圖所示之構成 相同，在此省略其說明。 該製造裝置在第17A、17B圖之任一者的構成’均可以 將2個印刷頭PH對基板11，使其相對地移動至規定位置’ 且藉由使其一邊從2個印刷頭PH吐出流體一邊使其移動， 能夠在基板11上的規定2個位置同時塗布流體。 又，在第16A、B圖、第17A、B圖，噴嘴印刷成膜裝 -43- 200932038 置的印刷頭部22係作成具有2個印刷頭PH者，但是本發 明未限定於此，印刷頭部22亦可以具有比2更多之複數印 刷頭PH，而同時塗布與印刷頭部22的印刷頭PH相同數的 複數線（列）。 以下，說明藉由本構成的噴嘴印刷成膜裝置構成之有 機化合物含有液之塗布方法，構成製造裝置之各部的動作 係藉由控制部2 3來控制。 藉由本構成的噴嘴印刷成膜裝置構成之有機化合物含 〇 有液之塗布方法係首先如第16A圖、16B圖所示，將2個 印刷頭PH對在噴嘴印刷成膜裝置的基板載物台20上所載 置的絕緣性’基板1 1，沿著配列顯示面板10的例如紅（R)色 的色像素PXr之第1線L1及第4線L4，一邊相對地在列 方向掃描一邊將PEDOT/PSS以第1流量且成爲液流狀之方 式吐出，而在第1線L1及第4線L4的EL元件及形成區域 Rel連續地同步塗布（第1掃描）。 p 接著，如第16B圖所示，將基板載物台20(絕緣性基板 11)在相對於印刷頭PH的掃描方向（列方向）之正交方向（行 方向；圖式上方），使其相對地移動3線（3列）分。藉此， 使2個印刷頭PH移動至對應_示面板10之配列紅（R)色的 色像素PXr的第7線L7及第10線L10之位置。隨後，與 上述第1掃描同樣地，一邊使2個印刷頭PH相對地在列方 向掃描，一邊將PEDOT/PSS以第1流量且成爲液流狀之方 式吐出，而在顯示面板10的第7線L7及第10線L10的 -44 - 200932038 EL元件形成區域Rel連續地同時塗布（第2掃描）。 重複此種一系列的動作而在顯示面板10之配列紅（R) 色的色像素 PXr之各列的 EL元件形成區域 Rel塗布 PEDOT/PSS。 以下，與上述第1掃描及第2掃描同樣地，使各印刷 頭PH對顯示面板10之配列綠（G)色的色像素PXg之各線 (列）掃描，並從各印刷頭PH將PEDOT/PSS以第2流量且成 爲液流狀之方式吐出，而在EL元件形成區域Rel連續地塗 布。接著，使各印刷頭PH對顯示面板10之配列藍（B)色的 色像素 PXb之各線（列）掃描，並從各印刷頭 PH將 PEDOT/PSS以第3流量且成爲液流狀之方式吐出，而在EL 元件形成區域Rel連續地塗布。 接著，與上述第14A、B圖及第15A、B圖同樣地，藉 由各印刷頭PH在顯示面板10之配列各色像素PXr、PXg、 PXb之形成有各列的電洞輸送層18a的EL元件形成區域 Rel，塗布含對應色的電子輸送性發光材料之有機化合物含 有液。 藉此，與上述第1實施形態的成膜製程的情況同樣 地，在顯示面板10之配列各色像素PXr、PXg、PXb之EL 元件形成區域Rel ’形成至少具有電洞輸送層18a及電子輸 送性發光層18b之有機EL層18,該電洞輸送層18a係具有 紅（R)、綠（G)、藍（B)的每一各色爲不同的膜厚度；而該電 子輸送性發光層18b係具有對應紅（R)、綠（G)、藍（B)的各 -45- 200932038 發光色之規定厚度。 在本實施形態，噴嘴印刷成膜裝置藉由具有複數印刷 頭PH，能夠同時地塗布顯示面板1〇的同色複數線（列），相 對於具有1個印刷頭PH之第1實施形態之情況，能夠縮短 塗布顯示面板10的全部線所需要的時間。 <製造方法的驗證> 在此，顯示實驗結果來詳細地說明依照上述的成膜製 程之作用效果。 第18A、B圖係顯示在本實施形態的顯示裝置之製造方 法（有機EL層的成膜製程）的作用效果之驗證結果之槪略 圖。 在此，第18A圖係對面板基板之印墨塗布方法之槪略 平面圖。第18B圖係沿著在第18A圖所示的平面圖之 XVB-XVB線及XVCNXVC線（在本說明書，係方便地使用 「XV」作爲對應第18A、B圖中所示羅馬數字的「15」之 記號）的剖面之槪略剖面形狀圖。又，在第1 8A圖，爲了使 圖式明確，係對實行有機化合物含有液的塗布處理之線施 加影線。 在此，對應在上述實施形態所示之顯示裝置（顯示面板） 之實驗趣式，係如第18A圖所示，對包含在載置於噴嘴印 刷成膜裝置的基板載物台STG上且被固定的面板基板 PSB(對應上述絕緣性基板11)的一面側所設定之各色的EL 元件形成區域Rel之線（列）之中，對互相鄰接的線，例如從 -46- 200932038 在圖式上側的線往圖式下方向，連續地依照順序實行高分 子系的有機化合物含有液（相當於上述PEDOT/PSS或發光 材料溶液）的塗布處理時（圖中EX1)，及只有對特定的1線 實行上述有機化合物含有液的塗布處理而未對鄰接線進行 塗布處理時（圖中EX2)之膜厚度及膜剖面形狀（輪廓）進行 驗證。 又，實驗型式係應用像素（pixel)密度爲80ppi(pixels per inch)且塗布有上述有機化合物含有液之設定線數爲420 ® 線、線間距爲3 1 8微米之顯示面板，對在加熱至40°C的基 板載物台STG上所載置之面板基板PSB，進行驗證藉由上 述成膜製程所示的塗布方法塗布有機化合物含有液之情 況。 在前者的塗布處理（EX1)，成膜於各線的EL元件形成 區域Rel之有機膜（相當於上述電洞輸送層18a或電子輸送 性發光層18b)的膜厚度及膜剖面的形狀，係如在第18B圖 p 以虛線作爲XVB-XVB剖面所示，因爲藉由在未圖式之第 18B圖所示線的左側的線塗布有機化合物含有液後，連續 地在第18B圖所示線塗布有機化合物含有液，由於先塗布 的線之有機化合物含有液與下次塗布的線之有機化合物含 有液的乾燥時序不同，在鄰接線方向（第18B圖的左方向） 所產生局部性溶劑環境不均勻性，對有機化合物含有液的 乾燥特性造成影響，致使有機化合物含有液的堆積物在鄰 接線方向的膜厚度不均勻。亦即，確認在先塗布的線側的 -47- 200932038 隔壁側（第1 8B圖的左方側），膜表面係較大地在壁面往上 堆’而在另一方的隔壁側（同圖右方側），在壁面往上堆被 抑制爲較小而使膜剖面形狀產生重大的偏靠一側現象。 相對於此，在後者的塗布處理（EX2)之有機膜的膜厚度 及膜剖面的形狀係如以第1 8 B圖之實線作爲X V C - X V C剖面 所示，在特定的線塗布有機化合物含有液後，下次的塗布 處理未對鄰接線實行。因此，清楚明白不會影響有機化合 物含有液的乾燥特性，能夠使塗布在上述特定的線之有機 f| U 化合物含有液充分地乾燥而使膜厚度大略均勻，同時能夠 使膜剖面的形狀大略均勻。 亦即，特定的線（列），及在該線塗布處it有機化合物 含有液後，接著進行塗布處理的線，係具有不會互相影響 有機化合物含有液的乾燥特性程度之分開距離，且對鄰接 特定的線之線進行塗布處理時，藉由以在上述特定的線所 塗布的有機化合物含有液係經過充分地乾燥程度的時間之 q 方法來設定製造條件，能夠使在各顯示像素的EL元件形成 區域R el所形成的有機膜（電洞輸送層18a或電子輸送性發 光層18b)的膜厚度或膜剖面形狀的均勻性提高。 特別是藉由應用此種製造方法，在具有塗布高分子系 的有機化合物含有液形成有機EL層18而成的有機EL元件 0LED之顯示裝置（顯示面板），能夠將RGB的每一各色的電 洞輸送層18a以具有均勻膜厚度且良好的平坦性之方式形 成，同時藉《由控制塗布量，能夠正確地控制其膜厚度而設 -48- 200932038 定爲需要的値。 而且’在上述的實施形態所示之製造方法（有機EL層 的成膜製程），已說明基於RGB各色的配列而每隔3線（列） 塗布PEDOT/PSS或發光材料溶液等的有機化合物含有液之 情況，但是本發明未限定於此，亦可基於所塗布之有機化 合物含有液的乾燥容易性或在上述成膜製程之面板基板的 溫度等的製造條件’在成爲3的整數倍之每任意線（例如每 6線或每12線）上塗布上述有機化合物含有液。 又’在上述的成膜製程，已說明按照從印刷頭吐出的 有機化合物含有液（PEDOT/PSS或發光材料溶液）的流量， 來調整（控制）電洞輸送層或ΐί子輸送性發光層的膜厚度之 情形，但是本發明未限定於此。 例如’亦可以使上述流量爲一定，並改變印刷頭的掃 描速度（相對於基板載物台STG之相對移動速度且對應塗 布速度）來調整膜厚度。 亦可藉由適當地設定上述流量與掃描速度的雙方來調 整膜厚度。 又，例如亦可以使上述流量或掃描速度爲一定而改變 對各線的塗布次數（印刷頭的掃描次數）（亦即，2回塗布、3 回塗布等）來調整膜厚度。 而且，亦可將該等組合而使用。 <顯示裝置的驗證> 接著，對使用上述的製造方法所製造的顯示裝置（顯示 -49- 200932038 面板）的作用效果顯示實驗結果而進行驗證。 第19A、B圖係在本實施形態的顯示裝置（顯示面板） 所形成有機EL元件的元件結構之一個例子（實驗型式）之模 式圖及用以說明干涉效果之圖。在此，實驗型式係發出藍 色光線之有機EL元件的元件結構。 第20A、B圖、第21A、B圖係在本實施形態的顯示裝 置（顯示面板）所形成發出藍色光的有機EL元件之電洞輸送 層的膜厚度及色度之關係之色度圖。 ® 在此，關於改變電洞輸送層的膜厚度時之色度，係顯 示實際地製造具有第19A圖所示的元件結構之有機EL元件 並觀測的結果\觀測結果；圖中以黑圓標記）及基於該元件 結構的各種參數之模擬實驗的結果（模擬結果；圖中以白圓 標記）之雙方。 又，第22A、B圖係在本實施形態的顯示裝置（顯示面 板）所形成發出綠色光及紅色光的有機EL元件之電洞輸送 q 層的膜厚度及色度之關係之色度圖。 第23圖係在本實施形態的顯示裝置（顯示面板）所形成 有機EL元件之電洞輸送層的膜厚度及發光色度之關係之 色度圖。 在此，關於改變電洞輸送層的膜厚度時之色度’係顯 示基於第19A圖所示之有機EL元件的元件結構的各種參數 之模擬實驗的結果（模擬結果）。 在上述的實施形態的顯示裝置的作用效果之驗證，如 -50- 200932038 第19A圖所示，係應用有機EL元件OLED來觀測發光動作 時所射出的光線之色度，該有機EL元件OLED係在由矽氮 化膜所構成的平坦化膜1 4上具有依照順序層積以下而成 之元件結構，包含：像素電極15,其具有由鋁（A1)及銀（Ag) 所構成的反射層15a及由被覆該反射層15a的ITO所構成 之透明電極層15b;電洞輸送層18a，其係塗布PED0T/PSS 而形成；中間層（介在層）18c，其具有電子阻擋（blocking) 性；發光層（或電子輸送性發光層）18b，其係塗布對應藍色 ® 發光的發光材料溶液而形成；電子注入層19a，其係由鈣（Ca) 的薄膜所構成；透明電極層19b，其係由ITO所構成；及 密封膜（passivation film)20，其係由砂氮化膜所構成。 在此，在第19A圖所示之實驗型式係槪略地依照如以 下的製程來製造。 首先，在省略圖式之絕緣性的基板（絕緣性基板11)上 形成由矽氮化膜所構成之平坦化膜14，並在其上面形成鋁 p (A1)的薄膜後，氧（〇2)電漿洗淨該鋁薄膜的表面，並在其上 以100奈米的膜厚度真空蒸鍍銀（Ag)。藉此，能夠形成表 面具有由銀所產生的金屬光澤（亦光反射特性）之反射層 1 5 a 〇 接著，依照相向靶濺鍍法在上述反射層15a上以25奈 米的膜厚度形成IT0膜，而形成被覆反射層15a表面之透 明導電層1 5 b。 接著，將上述透明電極層15b的表面施行UV臭氧洗淨 -51- 200932038 而親液化後，依照旋轉塗布法塗布PEDOT/PSS並使其乾 燥，來將每一各色具有不同膜厚度之電洞輸送層18a成膜。 而且，在上述的實施形態，在絕緣性基板1 1的一面側 設定有複數塗布線（相當於由被擋堤.17所包圍之複數EL元 件形成區域Rel所構成之區域）時，係如上述，藉由噴嘴印 刷成膜裝置使有機化合物含有液成爲液流狀而連續地塗 布，來形成電洞輸送層1 8a。但是在此，係顯示方便地依照 旋轉塗布法塗布PED0T/PSS，來使每一各色具有任意膜厚 度的電洞輸送層18a成膜之情況來作爲實驗型式。 具體上，在如第19A圖所示之有機EL元件0LED ’係 將用以形成膜厚度爲25奈米的電洞輸送層18a之成膜條件 設定如下，PED0T/PSS的固體成分濃度爲1.4%’基板的轉 數爲800rpm且5秒，進而轉數爲4500rpm且20秒。又’ 將用以形成膜厚度爲50奈米的電洞輸送層18a之成膜條件 設定如下，PED0T/PSS的固體成分濃度爲1.4%，基板的轉 數爲800rpm且5秒，進而轉數爲2000rpm且20秒。又’ 將用以形成膜厚度爲90奈米的電洞輸送層18a之成膜條件 設定如下，PED0T/PSS的固體成分濃度爲2.8%’基板的轉 數爲800rpm且5秒，進而轉數爲3000rpm且20秒。又’ 將用以形成膜厚度爲110奈米的電洞輸送層丨8&之成膜條 件設定如下，PED0T/PSS的固體成分濃度爲2·8% ’基板的 轉數爲800rpm且5秒，進而轉數爲2000rpm且20秒。 接著，依照旋轉塗布法將濃度爲〇.5wt %的二甲苯溶液 -52- 200932038 滴下至電洞輸送層18a上，並以轉數爲8 00rpm且5秒，進 而轉數爲2000rpm且20秒的成膜條件，來將膜厚度爲10 奈米的中間層18c成膜。 接著，依照旋轉塗布法將濃度爲l.Owt%的二甲苯溶液 滴下至中間層18c上，並以轉數爲800rpm且5秒，進而轉 數爲2000rpm且20秒的成膜條件，來將膜厚度爲70奈米 的藍色發光（或電子輸送性發光層）1 8b成膜。 接著，依照真空蒸鍍法在上述藍色發光層18b上，將 Θ 鈣（Ca)以膜厚度15奈米成膜來形成電子注入層19a後，依 照相向靶濺鍍法將ITO以50奈米的膜厚成膜來形成透明電 極層1 9b。 而且，依照相向靶濺鍍法將氮化矽以600奈米的膜厚 度成膜而形成密封層20作爲保護膜。

在積層具有如上述的膜厚度的各層而成之有機EL元 件，檢討發光時的色度特性（色度座標）。 p 將電洞輸送層18a的膜厚度設定爲25奈米時，如第20 A 圖所示，觀測結果之 CIE(Commission International del’ Eclairage ;國際照明委員會）xy色度座標爲 CIE(0.207, 0.3 80)，模擬結果之CIExy色度座標爲CIE(0.1 63, 0.3 92)。 又，將電洞輸送層18a的膜厚設定爲50奈米時，如第 20B圖所示，觀測結果之CIExy色度座標爲 CIE(0.230, 0.452)，模擬結果之CIExy色度座標爲CIE(0.1 86, 0.474)。 亦即，清楚明白將電洞輸送層18a的膜厚度設定爲25 -53- 200932038 奈米、50奈米之任一者時，發光色度均會大幅偏離藍（B) 色的色度區域脫離，無法進行良好的藍色發光。 另一方面，將電洞輸送層18a的膜厚度設定爲90奈米 時，如第 21A圖所示，觀測結果之 CIExy色度座標爲 CIE(0.1 45, 0.0 85)，模擬結果之 CIExy 色度座標爲 CIE(0.133, 0.083)。 又，將電洞輸送層18a的膜厚設定爲110奈米時，如 第21B圖所示，觀測結果之CIExy色度座標爲CIE(CK138, ® 0.101)，模擬結果之CIExy色度座標爲CIE(0.128，0.103)。 亦即，清楚明白將電洞輸送層1 8a的膜厚度設定爲90 奈米、110奈米之任一者時，均是顯示藍（6)色知色度區域 內的鮮明的藍色之座標，能夠進行良好的藍色發光》 依照此種電洞輸送層18的膜厚度之發光色度的變 化，在第19A圖所示之元件結構，如第19B圖所示，係基 於起因於光線RY1及光線RY2的光路差異（光學長度不同） p 之干涉效果而產生者。在此，光線RY1係未透過電洞輸送 層18a而射出的光線，係在藍色發光層（電子輸送性發光 層）1 8b內的發光點發光，並在厚度方向透過由透明的電子 注入層19a及透明電極層19b所構成的相對電極19而直接 往視野側（圖式上方）射出之光線。又，光線RY2係透過使 膜厚度變化後的電洞輸送層18a而射出的光線，係重複地 在發光點的上方之相對電極19表面或密封層20表面、及 發光點的下方之像素電極15之透明電極15b表面或反射層 -54- 200932038 15a表面反射（多重反射）後，往視野側（圖式上方）射出之光 線。因此，藉由適當地調整電洞輸送層18a的膜厚度，能 夠在CIE色度圖上設定最適當的發光色度。 又，如第20A ' B圖、第21A、B所示，使電洞輸送層 18a的膜厚度在25〜110奈米的範圍變化時之CIExy色度座 標，清楚明白實際地製造有機EL元件時的觀測結果與基於 該有機EL元件的各種參數之模擬結果極爲近似。由此，清 楚明白基於有機EL元件的各種參數，能夠以較高的精確度 來確定發光時的色度特性（色度座標）。 以下，係對發出綠色光線及紅色光線之有機EL元件在 發光時的色度特性（色度座標）/說明只有基於各種參數之 模擬結果。在此，與發出上述藍色光之有機EL元件時同樣 地，係具有如第1 9 A圖所示之元件結構者。 對發出綠色光之有機EL元件，檢討發光時的色度特性 (模擬結果）時，如第22A圖所示’將電洞輸送層18a的膜 厚度設定爲 25奈米時，CIExy色度座標爲 CIE(0.439, 0.551)，膜厚度設定爲11〇奈米時’ CIExy色度座標爲 CIE(0_241， 0.771)。 又，如第22B圖所示，對發光紅色光之有機EL元件， 檢討發光時的色度特性（模擬結果）時’將電洞輸送層18a 的膜厚度設定爲25奈米時’ CIExy色度座標爲CIE(0.688, 0.310)，膜厚度設定爲奈米時’ CIExy色度座標爲 CIE(0.426， 〇_288)。 -55- 200932038 如此，清楚明白即使在發出綠色光及紅色光之有機el 元件，亦是與上述發出藍色光之有機el元件時同樣地，發 光色度係按照電洞輸送層18a的膜厚度而變化。 基於此種情形，在具有如上述第19A圖所示元件結構 之有機EL元件，藉由適當地調整電洞輸送層18a的膜厚 度，如第23圖所示，能夠在CIE色度圖上設定藍色光、綠 色光及紅色光之最適當的發光色度。 具體上，電洞輸送層18a的膜厚度之一個例子，在發 出藍色光之有機EL元件，藉由設定爲90奈米’能夠將色 度座標設定爲CIE(0.133, 0.083)。在發出綠色光之有機EL 元件，藉由設k爲 95奈米，能夠將色度座標設定爲 CIE(0.1 79, 0.744)。在發出紅色光之有機EL元件，藉由設 定爲15奈米，能夠將色度座標設定爲CIE(0.69 1, 0.307)。 清楚明白該等係各自在藍（B)色、綠（G)色及紅（R)色的各色 度區域內顯示鮮明的發光色之座標，能夠進行良好的藍色 發光、綠色發光及紅色發光。 如此，依照本實施形態之顯示裝置及其製造方法，因 爲能夠依照各發光色每色將電洞輸送層設定爲任意膜厚 度，且將該電洞輸送層以具有均勻的膜厚度且良好的平坦 性之方式形成，能夠依照各發光色每色最適當地調整從發 光點射出的光線之光學長度，能夠抑制基於干涉作用所產 生的色度偏移或發光亮度的變異，且能夠簡易地進行發光 色的色度調節或發光強度的調整。因此，能夠實現無影像 -56- 200932038 暈開及模糊之顯示特性優良的顯示裝置。 又，如第19A、B圖〜第22A、B圖所示，因爲藉由改 變形成有機EL層18之特定層（電洞輸送層）的膜厚度’能 夠實現CIE色度圖上的任意座標之發光色’例如在發出綠 色光之有機EL元件’藉由調整電洞輸送層的膜厚度’能夠 藉由干涉效果強化長波長區域的成分’以使其發出紅色光 的方式來使其改變色調。 或者，在具有特定的發光色之有機EL元件，例如藉由 〇 調整發出白色光之有機EL元件中’電洞輸送層的膜厚度’ 能夠以在具有同一色的發光層之有機EL元件使其發出紅 光或綠色光、藍色光的方式來改變其色調。 而且，在上述的實施形態，係說明了有機EL層1 8係 依照RGB的每一各色，由不同膜厚度的電洞輸送層18a及 具有所定膜厚度的電子輸送性發光層18b所構成’且用以 形成電洞輸送層 18a之有機化合物含有液係應用 八 PEDOT/PSS，而且用以形成電子輸送性發光層18b之有機化 〇 合物含有液係應用含有聚伸苯基乙烯基系聚合物之發光材 料溶液之情況。但是本發明未限定於此。亦即，使其依照 每一各色而不同膜厚度之層’並未限定於上述電洞輸送層 18a，只要是從成爲發光點之發光層所放射的光線會透射 (亦即位於光路上）之層，則亦可以是例如應用於第1 9A圖 所示的中間層18c、或電洞輸送層18a及中間層18c之複數 層者。又，有機EL層18亦可以是例如具有只有由依照每 -57- 200932038 一各色而不同膜厚度的電洞輸送兼電子輸送性發光層者’ 或是具有電洞輸送性發光層及依照每一各色而不同膜厚度 之電子輸送層者。亦可以是適當地使上述的中間層以外的 載體輸送層介於各層間者。而且，用以形成有機EL層18 之有機化合物含有液係含有電洞輸送性材料或電子輸送性 發光材料等之溶液，只要是可以塗布者，即使具有其他組 成，亦能良好地應用。 又’在上述的實施形態，係說明了將像素電極15作爲 ® 有機EL元件的陽極電極，並將相對電極19作爲陰極電極， 且在像素電極1 5側形成電洞輸送層1 8a，又，在相對電極 1 9側形成電子輸送性發光層1 8b的情況。但是本發明未限 定於此，亦可以是將像素電極15作爲有機EL元件的陰極 電極，將相對電極19作爲陽極電極者。此時，係成爲在像 素電極15側形成電子輸送性發光層18b，又，在相對電極 1 9側形成電洞輸送層1 8a之元件結構。 p 又，在上述的實施形態，係說明了具有使來自發光層 的光線不透射絕緣性基板，而在絕緣性基板的一面側的視 野側射出之頂部發光型的發光結構之顯示面板。但是，本 發明未限定於此，亦可以是具有使來自發光層的光線透射 絕緣性基板，而在絕緣性基板的另一面側的視野側射出之 底部發光型的發光結構者。此種情況，只要是像素電極係 由ITO等具有光透射特性之導電性材料所形成，且相對電 極係由鋁或鉻等具有光反射特性之導電性材料所形成即 -58- 200932038 可 ° 包含說明書、申請專利範圍、圖式及摘要之2007年12 月28所提出之日本國特許出願2 00 7-340226號的揭示內容 全部，只要在本國際申請所指定國家或選擇的選擇國家的 國內法令許可，係以直接引用的方式倂入本文。 上述已顯示並說明了各種典型的實施形態，但是本發 明未限定於該等的實施形態。因此，本發明的範圍只有由 以下的申請專利範圍所限定。 ® 【圖式簡單說明】 第1圖係在本發明的顯示裝置所應用的顯示面板的像 素配列狀態之一個例子之槪略平面圖。 第2圖係在本發明的顯示裝置的顯示面板之二維配列 而成的各顯示像素的電路結構例之等效電路圖。 第3圖係在本發明的顯示裝置（顯示面板）能夠應用之 顯示像素的平面布置的一個例子之圖。 U 第4圖係沿著第3圖的IVA-IVA線的剖面之剖面圖。 第5A、B圖係沿著第3圖的VB-VB線、VC-VC線的剖 面之剖面圖。 第6 A、B、C圖係本實施形態的顯示裝置（顯示面板） 之製造方法的一個例子之步驟剖面圖（其1)。 第7A、B圖係本實施形態的顯示裝置（顯示面板）之製 造方法的一個例子之步驟剖面圖（其2)。 第8A、B圖係本實施形態的顯示裝置（顯示面板）之製 -59- 200932038 造方法的一個例子之步驟剖面圖（其3)。 第9圖係本實施形態的顯示裝置（顯示面板）之製造方 法的一個例子之步驟剖面圖（其4)。 第10圖係本實施形態的顯示裝置（顯示面板）之製造方 法的一個例子之步驟剖面圖（其5)。 第11A、B圖係用以說明在本實施形態的顯示裝置（顯 示面板）之製造方法，使用第1構成的成膜製程及製造裝置 之電洞輸送層的成膜製程之圖（其1)。 9 第12 A、B圖係用以實施在本實施形態的顯示裝置之 製造方法的第1構成之製造裝置的構成之一個例子之圖。 第13A、B圖係用以說明在本實施形態的顯未裝置（顯 示面板）之製造方法，使用第1構成的成膜製程及製造裝置 之電洞輸送層的成膜製程之圖（其2)。 第1 4 A、B圖係用以說明在本實施形態的顯示裝置（顯 示面板）之製造方法，使用第1構成的成膜製程及製造裝置 0 之電子輸送性發光層的成膜製程之圖（其1)。 第15A、B圖係用以說明在本實施形態的顯示裝置（顯 示面板）之製造方法，使用第1構成的成膜製程及製造裝置 之電子輸送性發光層的成膜製程之圖（其2)。 第16A、B圖係用以說明在本實施形態的顯示裝置（顯 示面板）之製造方法，使用第2構成的成膜製程及製造裝置 之電洞輸送層的成膜製程之圖。 第17A、B圖係用以實施在本實施形態的顯示裝置之製 -60- 200932038 造方法的第2構成之製造裝置的構成之一個例子之圖。 第1 8A、B圖係用以說明在本實施形態的顯示裝置之製 造方法（有機EL層的成膜製程）的作用效果之驗證結果之槪 略圖。 第19A、B圖係在本實施形態的顯示裝置（顯示面板） 所形成有機EL元件的元件結構之一個例子（實驗型式）之模 式圖及用以說明干涉效果之圖。 第20A ' B圖係在本實施形態的顯示裝置（顯示面板） ❹ 所形成發出藍色光的有機EL元件之電洞輸送層的膜厚度 及色度之關係之色度圖（其1)。 第2 1 A、B圖係在本實施形_的顯示裝置（顯示面板） 所形成發出藍色光的有機EL元件之電洞輸送層的膜厚度 及色度之關係之色度圖（其2)。 第22 A、B圖係在本實施形態的顯示裝置（顯示面板） 所形成發出綠色光及紅色光的有機EL元件之電洞輸送層 Q 的膜厚度及色度之關係之色度圖。 第23圖係在本實施形態的顯示裝置（顯示面板）所形成 有機EL元件之電洞輸送層的膜厚度及發光色度之關係之 色度圖。 【主要元件符號說明】 顯示面板 絕緣性基板 閘極絕緣膜 10 11 12 61- 200932038

13 保護絕緣膜 14 平坦化膜 15 像素電極 15a 反射層 15b 透明電極層 16 層間絕緣層 17 擋堤（隔壁） 18 有機EL層 18a 電洞輸送層 18b ， 電子輸送性發光層 18c 中間層（介在層） 19 相對電極 19a 電子注入層 1 9b 透明電極層 20 密封層 21 基板載物台移動機構部 22 印刷頭部 23 控制部 24 基板載物台移動控制部 25 位置對準檢測部 26 印刷頭部移動機構部 27 印刷頭部移動控制部 62- 200932038

PIX 顯 示 像 素 PXr、 PXg ' PXb 副 像 素 Lv 電 源 電 壓線 Ls 培 擇 線 Ld 資 料 線 Tr 1 1、 Trl 2 電 晶 體 DC 像 素 驅 動電路 OLED 有 機 EL元件 V c o m 基 準 電 位 V g n d 接 地 電 位 Vdd 電 源 電 壓 Vpix 灰 階 信 號 S s e 1 々BB 进 擇 信 號 Nil、 N12 接 點 Cs 電 容 器 Tr 1 1 d 、Trl2d 汲 極 電 極 Tr 1 1 s 、Trl2s 源 極 電 極 Trl lg 、Trl2g 閘 極 電 極 Eca、 E c b 電 極 CH11、CH12、CH13、CH14、CH15 接 觸 洞 Rel EL元件形成區域 Rpx 像 素 形 成區域 OHM 不 純 物 層 63- 200932038 BL 通 道 保 護 層 Ls2、 Lv2 上 層 配 線 層 Lsl、 Lvl 下 層 配 線 層 PEr、 PEb ' PEg 印 刷 頭 LI ~ L 1 2 第 1 -12 線 STG 基 板 載 物 台 PSB 面 板 基 板 PH 印 刷 頭 EX1 、EX2 塗 布 處 理 RY1 ' RY2 光 線 SMC 半 導 體 層 BL 通 道 保 護 層 〇 64 -

Claims (1)

1. 200932038 七、申請專利範圍： 1. 一種顯示裝置之製造方法，係將具備具有任何用以進行 彩色顯示的複數發光色之發光元件的複數顯示像素，沿 著基板上的複數行及複數列配列而成之顯示裝置之製造 方法， 具有塗布步驟，係將用以形成該各發光色的該發光元 件的發光功能層之發光材料溶液，塗布在用以形成該基 板上的複數列的該發光元件之發光元件形成區域， 〇 該塗布步驟包含以下步驟：以不連續塗布該發光材料 溶液於該複數列中鄰接列之該發光元件形成區域的順 序，以對應於該各發光色所設定之塗布量，塗布該發光 材料溶液。 2. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中 該塗布步驟包含以下步驟：將用以形成相同的該發光 色的該發光元件的發光功能層之該發光材料溶液同時塗 0 布在該基板上分開且預先設定數目之列之該發光元件形 成區域。 3. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中 該塗布步驟包含以下步驟：將用以形成至少二種不同 發光色的該發光元件的該發光功能層之該發光材料溶液 的塗布量設定爲不同的値。 4. 如申請專利範圍第3項之製造方法，其中 該塗布步驟包含以下步驟：將該發光材料溶液，沿著 該列的延伸方向連續地塗布在一列的該發光元件形成區 -65- 200932038 域。 5_如申請專利範圍第4項之製造方法，其中 該塗布步驟具有以下步驟：在該各列的該發光元件形 成區域’沿著各列的延伸方向以一定速度塗布該發光材 料溶液， 塗布該發光材料溶液之步驟具有以下步驟：針對形成 至少二種不同發光色的該發光元件之該發光功能層的該 發光材料溶液，將塗布該發光材料溶液之每單位時間的 量設定爲不同的値。 6.如申請專利範圍第4項之製造方法，其中 該塗布步驟具有以下步驟：將塗布在該各列的該發光 元件形成區域之該發光材料溶液的每單位時間的量設定 爲一定的値，並沿著各列的延伸方向塗布該發光材料溶 液， 塗布該發光材料溶液之步驟具有以下步驟··針對形成 至少二種不同發光色的該發光元件之該發光功能層的該 發光材料溶液，將塗布該發光材料溶液於各列的延伸方 向之速度設定爲不同的速度。 7 ·如申請專利範圍第4項之製造方法，其中 該塗布步驟具有以下步驟：針對該各列之該發光元件 形成區域，將用以形成至少二種不同發光色的該發光元 件的該發光功能層之該發光材料溶液，進行1次或重複 數次不同次數之塗布。 8.如申請專利範圍第1項之製造方法，其中 該發光功能層含有由電洞輸送性或電子輸送性之任何 -66- 200932038 層所構成之載體輸送層，而且 該塗布步驟包含以下步驟·以將至少二種不同發光色 的該發光元件的該發光功能層之該載體輸送層的膜厚度 設爲不同値的方式’來設定該發光材料溶液之該載體輸 送層形成用液體的塗布量。 9.如申請專利範圍第1項之製造方法， 該發光功能層含有具有電子阻擋（bl〇cking)性之介在 層， 該塗布步驟含有以下步驟：以將至少二種不同發光色 的該發光元件的該發光功能層之該介在層的膜厚度設爲 不同値的方式’來設定該發光材料溶液之該介在層形成 用液體的塗布量。 1 ίο.如申請專利範圍第1項之製造方法，其中 該複數列係分割爲由分開的複數列所構成之複數列 群， 該塗布步驟包含： 特定色塗布步驟’係在該基板上的該複數列群的任一 特定列群的各列之該發光元件形成區域，塗布用以形成 該複數發光色的任一特定發光色的該發光元件的該發光 功能層之該發光材料溶液；及 重複步驟’係針對全部列群而重複以下動作：每當藉 由該特定色塗布步驟對該特定列群的全部列之該發光元 件形成區域塗布該發光材料溶液結束，將該特定列群變 更爲其他列群’將該特定發光色變更爲其他發光色，實 行該特定色塗布步騾。 -67- 200932038 11. 一種製造裝置，係製造將具備具有任何用以進行彩色顯 示的複數發光色之發光元件的複數顯示像素，沿著基板 上的複數行及複數列予以配列之顯示裝置之製造裝置， 其具備： 塗布裝置，係具有至少一個用以將形成該各發光色的 發光元件的發光功能層之發光材料溶液吐出之噴嘴；及 移動裝置，係使該塗布裝置或該基板之任一者往該基 板的行及列方向移動， g 該移動裝置係使該塗布裝置往行方向移動，使其針對 該基板上該複數列之各個分開的列移動，使其沿著各列 的延伸方向移動； 該塗布裝置係在藉由該移動裝置而沿著各列的延伸 方向移動時，以對應於該各發光色所設定之吐出量將該 發光材料溶液從該噴嘴吐出，以指定的塗布順序將該發 光材料溶液塗布在用以形成該基板上的各列的該發光元 件之發光元件形成區域， & 該塗布順序係設定爲不連續塗布該發光材料溶液於 該複數列中鄰接列之該發光元件形成區域的順序。 12. 如申請專利範圍第π項之製造裝置，其中 該塗布裝置係具有2個或更多的預先設定數目之該噴 嘴’該個噴嘴係對應該基板上各個分開的列而予以配 列，而將用以形成相同的該發光色之該發光元件的發光 功能層之該發光材料溶液同時塗布在該基板上之對應該 噴嘴的數目的該間離列之該發光元件形成區域。 1 3 .如申請專利範圍第11項之製造裝置，其中 -68- 200932038 該複數列係分割爲由分開的複數列所構成之複數列 群， 該移動裝置，係使該塗布裝置往該基板上的該複數列 群的任一特定列群的各列移動，藉由該塗布裝置，對各 列的該發光元件形成區域，塗布用以形成該複數發光色 的任一特定發光色的該發光元件的該發光功能層之該發 光材料溶液， 該移動裝置，係針對全部列群而重複以下動作：每當 q 藉由該塗布裝置而對該特定列群的全部列之該發光元件 形成區域塗布該發光材料溶液結束，使該塗布裝置移動 至與該特定列群不同之其他列群，藉由該塗布裝置，在 <) 該列群的各列之該發光元件形成區域，塗布形成與該特 定發光色不同的其他發光色的該發光元件的該發光功能 層之發光材料溶液。 14. 如申請專利範圍第11項之製造裝置，其中 藉由該塗布裝置，從該噴嘴吐出的該發光材料溶液的 每單位時間的量，係針對形成至少二種不同發光色的該 發光元件的該發光功能層之該發光材料溶液，而設定爲 不同的値， 將藉由該移動裝置而使該塗布裝置沿著各列的延伸 方向移動之速度設定爲一定。 15. 如申請專利範圍第11項之製造裝置，其中 將藉由該塗布裝置而從該噴嘴吐出的該發光材料溶 液的每單位時間的量設定爲一定値， 藉由該移動裝置而使該塗布裝置沿著各列的延伸方 -69- 200932038 向移勛之速度，係針對形成至少二種不同發光色的該發 光元件的該發光功能層之該發光材料溶液，而設定爲不 同的値。 如申請專利範圍第11項之製造裝置，其中 該移動裝置，係以使該塗布裝置對同一列的該發光元 件形成區域重複移動1次或複數次，並對各列的該發光 元件形成區域塗布該發光材料溶液1次或複數次的方式 予以設定， 將該發光材料溶液塗布於各列的該發光元件形成區 域之次數，係針對形成至少二種不同發光色的該發光元 件的該發光功能層之該發光材料溶液，而設定爲不同的 値。 -70-