JP2009105369A - 金属キャパシタ及びその製造方法 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 238
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 238
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 178
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 64
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 43
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 17
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 11
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N niobium monoxide Chemical compound [Nb]=O BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- XNMUCIILODALDI-UHFFFAOYSA-N nickel phosphoric acid Chemical compound [Ni].P(O)(O)(O)=O XNMUCIILODALDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q triazanium;borate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]B([O-])[O-] WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 15
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N aluminum lead Chemical compound [Al].[Pb] IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003811 curling process Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910000159 nickel phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- JOCJYBPHESYFOK-UHFFFAOYSA-K nickel(3+);phosphate Chemical compound [Ni+3].[O-]P([O-])([O-])=O JOCJYBPHESYFOK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/08—Housing; Encapsulation
- H01G9/10—Sealing, e.g. of lead-in wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
- H01G9/045—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material based on aluminium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
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Abstract
【解決手段】形成部,第1・第2電極引き出し部を有する端子増加型金属部材11と、該金属部材に形成される金属酸化層12と、金属部材の溝形成部に形成された多数個の溝が埋まるように溝形成部に形成される複数のメーン電極層14と、第1・第2電極引き出し部が外部に露出されるようにメーン電極層と金属部材に形成される絶縁層15と、第1・第2電極引き出し部と直交するようにメーン電極層と絶縁層に形成されメーン電極層を連結する多数個の導電性連結層16と、第1・第2電極引き出し部に選択的に連結される第1のリード端子21と、メーン電極層に連結される第2のリード端子22と、前記各リード端子が連結された金属部材を前記各リード端子が外部に露出されるように密封させる密封部材30を具備する金属キャパシタ。
【選択図】図3
Description
以下、本発明の第1実施例による金属キャパシタの構成を添付された図面を参照して説明する。
図1は本発明の第1実施例による金属キャパシタの斜視図で、図2は図1に示された金属キャパシタのA1―A2線の切断面図で、図3は図1に示された金属キャパシタのB1―B2線の切断面図である。本発明の金属キャパシタ10は図1乃至図3に示されたように、端子増加型金属部材11、金属酸化層12、多数個のシード電極層13、多数個のメーン電極層14、絶縁層15、多数個の導電性連結層16、第1のリード端子21、第2のリード端子22及び密封部材30で構成されるが、前記シード電極層13は使用者によって適用しない場合もある。
本発明の第1実施例による金属キャパシタ10の製造方法は、まず図4A及び図4Bに示された金属材質の膜やホイル(foil)のような母材1が用意した後、プリンティング方式インクや物理的なスクラッチを用いてパターン(図示せず)を形成するか又はナノ針で傷をつかせる。そして、前記母材1をDC(Direct Current)食刻方法を用いて母材1の両面にそれぞれ多数個の溝11dが配列される溝形成部11aを形成して一側と他側に第1及び第2電極引き出し部11b,11cが一体に形成された端子増加型金属部材11を形成する。
本発明の第1実施例による金属キャパシタ10を構成する非貫通型金属部材10aを用いた無極性の有する金属キャパシタ110を、添付された図面を用いて説明する。
本発明の第2実施例による金属キャパシタ110は、図5に示されたように多数個の非貫通型金属部材10a、導電性接着層17、第3のリード端子23、第4のリード端子24及び密封部材30で構成されて、それぞれの構成を順次に説明すると次のようだ。
本発明の第1実施例による金属キャパシタ10を構成する非貫通型金属部材10aを用いた本発明の第3実施例による金属キャパシタ120を、添付された図6を参照して説明する。
Claims (19)
- 多数個の溝が形成される溝形成部と、前記溝形成部にそれぞれ形成される第1及び第2電極引き出し部を有する端子増加型金属部材と、
前記端子増加型金属部材に形成される金属酸化層と、
前記端子増加型金属部材の溝形成部に形成された多数個の溝が埋まるように溝形成部に形成される多数個のメーン電極層と、
前記端子増加型金属部材の第1及び第2電極引き出し部が外部に露出されるように多数個のメーン電極層と端子増加型金属部材に形成される絶縁層と、
前記端子増加型金属部材の第1及び第2電極引き出し部と直交するように前記多数個のメーン電極層と前記絶縁層に形成され前記多数個のメーン電極層を連結する多数個の導電性連結層と、
前記端子増加型金属部材の第1及び第2電極引き出し部に選択的に連結される第1のリード端子と、
前記端子増加型金属部材のメーン電極層に連結される第2のリード端子と、
前記第1及び第2のリード端子が連結された端子増加型金属部材を第1及び第2のリード端子が外部に露出されるように密封させる密封部材と、で構成されることを特徴とする金属キャパシタ。 - 多数個の溝が形成される溝形成部と、前記溝形成部にそれぞれ形成される第1及び第2電極引き出し部を有する端子増加型金属部材と、
前記端子増加型金属部材に形成される金属酸化層と、
前記端子増加型金属部材の溝形成部の両面に形成された金属酸化層にそれぞれ形成される多数個のシード電極層と、
前記端子増加型金属部材の溝形成部に形成される多数個の溝が埋まるように溝形成部に形成された多数個のシード電極層にそれぞれ形成される多数個のメーン電極層と、
前記端子増加型金属部材の第1及び第2電極引き出し部が外部に露出されるように多数個のメーン電極層と端子増加型金属部材に形成される絶縁層と、
前記端子増加型金属部材の第1及び第2電極引き出し部と直交するように前記多数個のメーン電極層と前記絶縁層に形成され前記多数個のメーン電極層を連結する多数個の導電性連結層と、
前記端子増加型金属部材の第1及び第2電極引き出し部に選択的に連結される第1のリード端子と、
前記端子増加型金属部材のメーン電極層に連結される第2のリード端子と、
前記第1及び第2のリード端子が連結された端子増加型金属部材を第1及び第2のリード端子が外部に露出されるように密封させる密封部材と、で構成されることを特徴とする金属キャパシタ。 - 請求項2において、前記端子増加型金属部材はアルミニウム(Al)、ニオビウム(Nb)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)及びジルコニウム(Zr)のうちいずれか一つが適用されることを特徴とする金属キャパシタ。
- 請求項2において、前記端子増加型金属部材の溝形成部に形成される多数個の溝は円形や多角形で形成されることを特徴とする金属キャパシタ。
- 請求項2において、前記金属酸化層はアルミナ(Al2O3)、酸化ニオビウム(Nb2O5)、一酸化ニオビウム(NbO)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化チタン(TiO2)及び酸化ジルコニウム(ZrO2)のうちいずれか一つが適用されることを特徴とする金属キャパシタ。
- 請求項2において、前記シード電極層と前記メーン電極層及び導電性連結層はそれぞれアルミニウム(Al)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、錫(Sn)、インジウム(In)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、コバルト(Co)、ルテニウム(Ru)及び金(Au)のうちいずれか一つが適用されることを特徴とする金属キャパシタ。
- 請求項2において、前記多数個のメーン電極層のうち一つは前記第2のリード端子を連結するための導電性接着層がさらに具備されることを特徴とする金属キャパシタ。
- 請求項2において、前記密封部材はモールディング材質や内部の空いたカバー部材が適用されることを特徴とする金属キャパシタ。
- 多数個の溝が配列され形成される溝形成部と、前記溝形成部にそれぞれ形成される第1及び第2電極引き出し部を有する端子増加型金属部材と、前記端子増加型金属部材に形成される金属酸化層と、前記端子増加型金属部材の溝形成部に形成される多数個の溝が埋まるように溝形成部に形成される多数個のメーン電極層と、前記端子増加型金属部材の第1及び第2電極引き出し部が外部に露出されるように多数個のメーン電極層と端子増加型金属部材に形成される絶縁層と、前記端子増加型金属部材の第1及び第2電極引き出し部と直交するように前記多数個のメーン電極層と前記絶縁層に形成され前記多数個のメーン電極層を連結する多数個の導電性連結層と、からなり、それぞれ順次に積層される非貫通型金属部材と、
前記多数個の非貫通型金属部材のメーン電極層の間にそれぞれ設置され多数個の非貫通型金属部材を接着させる導電性接着層と、
前記積層された多数個の非貫通型金属部材のうち奇数番目に位置した多数個の非貫通型金属部材の第1電極引き出し部にそれぞれ連結される第3のリード端子と、
前記積層された多数個の非貫通型金属部材のうち偶数番目に位置した非貫通型金属部材の第2電極引き出し部にそれぞれ連結される第4のリード端子と、
前記第3及び第4のリード端子が連結された多数個の非貫通型金属部材を第3及び第4のリード端子が外部に露出されるように密封させる密封部材と、で構成されることを特徴とする金属キャパシタ。 - 請求項9において、前記金属キャパシタは端子増加型金属部材の溝形成部の両面に形成された金属酸化層に形成される多数個のシード電極層をさらに含むことを特徴とする金属キャパシタ。
- 多数個の溝が配列され形成される溝形成部と、前記溝形成部にそれぞれ形成される第1及び第2電極引き出し部を有する端子増加型金属部材と、前記端子増加型金属部材に形成される金属酸化層と、前記端子増加型金属部材の溝形成部の両面に形成された金属酸化層にそれぞれ形成される多数個のシード電極層と、前記端子増加型金属部材の溝形成部に形成される多数個の溝が埋まるように溝形成部に形成された多数個のシード電極層にそれぞれ形成される多数個のメーン電極層と、前記端子増加型金属部材の第1及び第2電極引き出し部が外部に露出されるように多数個のメーン電極層と端子増加型金属部材に形成される絶縁層と、前記端子増加型金属部材の第1及び第2電極引き出し部と直交するように前記多数個のメーン電極層と前記絶縁層に形成され前記多数個のメーン電極層を連結する多数個の導電性連結層と、からなり、それぞれ順次に積層される非貫通型金属部材と、
前記多数個の非貫通型金属部材のメーン電極層の間にそれぞれ設置され多数個の非貫通型金属部材を接着させる導電性接着層と、
前記積層された多数個の非貫通型金属部材の第1電極引き出し部にそれぞれ連結される第1の極性リード端子と、
前記非貫通型金属部材のうち一つのメーン電極層に連結される第2の極性リード端子と、
前記積層された多数個の非貫通型金属部材の第2電極引き出し部にそれぞれ連結される第3の極性リード端子と、
前記第1乃至第3の極性リード端子が連結された多数個の非貫通型金属部材を第1乃至第3の極性リード端子が外部に露出されるように密封させる密封部材と、から構成されることを特徴とする金属キャパシタ。 - 請求項11において、前記第2の極性リード端子が連結される多数個の非貫通型金属部材のうち一つのメーン電極層には導電性接着層がさらに具備されることを特徴とする金属キャパシタ。
- 母材にプリンティング方式インク、物理的なスクラッチ、ナノ針を用いてパターンや溝を形成する過程と、
DC食刻方法を用いて母材の両面にそれぞれ多数個の溝が配列される溝形成部を形成して、その一側と他側に第1及び第2電極引き出し部を一体に形成する端子増加型金属部材を形成する過程と、
前記端子増加型金属部材に溝形成部と第1及び第2電極引き出し部が一体に形成されると陽極酸化方法を用いて端子増加型金属部材に金属酸化層を形成する化成過程と、
前記端子増加型金属部材の第1及び第2電極引き出し部が外部に露出されるようにCVD方法を用いて多数個のメーン電極層と端子増加型金属部に絶縁層を形成する過程と、
前記電解メッキや無電解メッキ方法を用いて端子増加型金属部の溝形成部に多数個のシード電極層を形成する過程と、
前記多数個のシード電極層に電解メッキや無電解メッキ方法を用いて多数個のシード電極層を媒介として前記端子増加型金属部材の溝形成部に形成された多数個の溝が埋没されるように多数個のメーン電極層を形成する過程と、
端子増加型金属部材の第1及び第2電極引き出し部と直交するように前記多数個のメーン電極層と前記絶縁層に多数個のメーン電極層を連結する導電性連結層を形成する過程と、
前記端子増加型金属部材の前記メーン電極層に第2のリード端子を連結させて前記第1及び第2電極引き出し部にそれぞれ第1のリード端子を選択的に連結させる過程と、
前記第1及び第2のリード端子が連結されると端子増加型金属部材の第1及び第2のリード端子が外部に露出されるように前記端子増加型金属部材を密封部材で密封させる過程と、で構成されることを特徴とする金属キャパシタの製造方法。 - 請求項13において、前記化成過程の陽極酸化方法は脱イオン水で加熱工程を行って、ホウ酸とホウ酸アンモニウムの混合物で混合物の濃度と電圧を変化させながら複数回酸化を進行させるように工程を行って、熱処理、再化成を繰り返し行う工程を行って、再化成の際発生された副産物を除去するために副産物処理を行って、ホウ酸やリン酸を拭き取るための洗浄工程を行うことを特徴とする金属キャパシタの製造方法。
- 請求項13において、前記金属酸化層に多数個のシード電極層を形成する過程で活性剤として硫酸パラジウム水溶液を適用して所定の時間浸積した後、再び所定の時間浸積洗浄して表面の活性剤を除去することを特徴とする金属キャパシタの製造方法。
- 請求項13において、前記メーン電極層を形成する過程で電解メッキは硫酸ニッケルや塩化ニッケル水溶液をpH1から5にして、温度は30〜70℃で維持して、電流密度は20〜120mA/cm2のDC電流を印加して実施することを特徴とする金属キャパシタの製造方法。
- 請求項13において、前記メーン電極層を形成する過程で無電解メッキは70〜90℃の間のニッケルリン酸水溶液をpH5〜7の間に調節してここにシード電極層が形成された素材を10〜30分間無電解メッキを行って、表面のメッキ液成分を除去するための洗浄と100℃以下の乾燥を進行することを特徴とする金属キャパシタの製造方法。
- 請求項13において、前記溝形成部と溝形成部の一側と他側に第1及び第2電極引き出し部を一体に形成する過程で溝形成部に形成される多数個の溝は円形や多角形で形成されて、円形の溝の径は1μm乃至100μmになるように形成して、その深さが両面で0.5未満になるように形成されることを特徴とする金属キャパシタの製造方法。
- 請求項13において、前記導電性連結層を形成する過程と前記第1及び第2のリード端子を連結させる過程の間には第1及び第2のリード端子の接着力を改善させるために第2のリード端子が連結されるメーン電極層に導電性接着層を形成する過程がさらに具備されて、前記導電性接着層の形成は金属接着剤やソルダーペーストを塗布する方法、電解メッキ方法及び無電解メッキ方法のうちいずれか一つが適用されることを特徴とする金属キャパシタの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20070105716 | 2007-10-19 | ||
KR1020080048003A KR101012930B1 (ko) | 2008-05-23 | 2008-05-23 | 금속 커패시터 제조방법 |
Publications (2)
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JP2009105369A true JP2009105369A (ja) | 2009-05-14 |
JP4664396B2 JP4664396B2 (ja) | 2011-04-06 |
Family
ID=40490399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008157762A Active JP4664396B2 (ja) | 2007-10-19 | 2008-06-17 | 金属キャパシタ及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
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US (3) | US7626802B2 (ja) |
JP (1) | JP4664396B2 (ja) |
DE (1) | DE102008028691B4 (ja) |
TW (1) | TWI408711B (ja) |
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JP4664396B2 (ja) | 2011-04-06 |
DE102008028691A1 (de) | 2009-04-30 |
US7626802B2 (en) | 2009-12-01 |
US20100046136A1 (en) | 2010-02-25 |
US20100046145A1 (en) | 2010-02-25 |
US7826195B2 (en) | 2010-11-02 |
DE102008028691B4 (de) | 2021-07-15 |
TW200919510A (en) | 2009-05-01 |
US7821769B2 (en) | 2010-10-26 |
US20090103235A1 (en) | 2009-04-23 |
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