KR100958458B1 - 금속 커패시터 및 그의 제조방법 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 199
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 199
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 130
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 8
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 8
- BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N niobium monoxide Chemical compound [Nb]=O BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract description 6
- -1 member Substances 0.000 abstract 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 15
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N aluminum lead Chemical compound [Al].[Pb] IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0036—Formation of the solid electrolyte layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/08—Housing; Encapsulation
- H01G9/10—Sealing, e.g. of lead-in wires
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
Description
Claims (18)
- 다수개의 관통홀이 배열되어 형성되는 관통홀 형성부와, 상기 관통홀 형성부에 각각 형성되는 제1 및 제2전극인출부를 갖는 단자증가형 금속부재와;상기 단자증가형 금속부재에 형성되는 금속산화층과;상기 단자증가형 금속부재의 관통홀 형성부에 형성된 금속산화층에 형성되는 시드전극층과;상기 단자증가형 금속부재의 관통홀 형성부에 형성되는 다수개의 관통홀이 채워지도록 관통홀 형성부에 형성된 시드전극층에 형성되는 메인전극층과;상기 단자증가형 금속부재의 제1 및 제2전극인출부가 외부로 노출되도록 메인전극층과 단자증가형 금속부재에 형성되는 절연층과;상기 메인전극층에 형성되는 도전성 접착층과;상기 단자증가형 금속부재의 제1 및 제2전극인출부에 각각 연결되는 제1리드단자와;상기 메인전극층에 상기 도전성 접착층으로 연결되는 제2리드단자와;상기 제1 및 제2리드단자가 연결된 단자증가형 금속부재를 제1 및 제2리드단자가 외부로 노출되도록 밀봉시키는 밀봉부재로 구성되며,상기 단자증가형 금속부재는 다수개의 관통홀이 배열되어 형성되는 관통홀 형성부와 상기 관통홀 형성부의 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 및 제2전극인출부가 일체로 형성되며, 상기 절연층은 상기 단자증가형 금속부재의 제1 및 제2전극인출부가 외부로 노출되도록 메인전극층의 측면 가장자리를 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 단자증가형 금속부재는 알루미늄(Al), 니오븀(Nb), 탄탈(Ta), 티탄늄(Ti) 및 지르코늄(Zr)중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 단자증가형 금속부재의 관통홀 형성부에 형성되는 다수개의 관통홀은 원형이나 다각형으로 형성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 금속산화층은 알루미나(Al2O3), 산화 니오븀(Nb2O5), 일산화 니오븀(NbO), 산화 탄탈(Ta2O5), 산화 티탄늄(TiO2) 및 산화 지르코늄(ZrO2)중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 시드전극층과 상기 메인전극층은 각각 알루미늄(Al), 구리(Cu), 아연(Zn), 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 코발트(Co), 루테늄(Ru) 및 금(Au)중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 밀봉부재는 몰딩재질이나 내부가 빈 커버부재가 적용됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 삭제
- 다수개의 관통홀이 배열되어 형성되는 관통홀 형성부와, 상기 관통홀 형성부에 각각 형성되는 제1 및 제2전극인출부를 갖는 단자증가형 금속부재와, 상기 단자증가형 금속부재에 형성되는 금속산화층과, 상기 단자증가형 금속부재의 관통홀 형성부에 형성된 금속산화층에 형성되는 시드전극층과, 상기 단자증가형 금속부재의 관통홀 형성부에 형성되는 다수개의 관통홀이 채워지도록 관통홀 형성부에 형성된 시드전극층에 형성되는 메인전극층과, 상기 단자증가형 금속부재의 제1 및 제2전극인출부가 외부로 노출되도록 메인전극층과 단자증가형 금속부재에 형성되는 절연층으로 이루어지며, 각각 순차적으로 적층되는 다수개의 관통형 금속부재와;상기 다수개의 관통형 금속부재의 메인전극층 사이에 각각 설치되어 다수개의 관통형 금속부재를 접착시키는 도전성 접착층과;상기 적층된 다수개의 관통형 금속부재의 제1전극인출부에 각각 연결되는 제1극성 리드단자와;상기 관통형 금속부재중 하나의 메인전극층에 연결되는 제2극성 리드단자와;상기 적층된 다수개의 관통형 금속부재의 제2전극인출부에 각각 연결되는 제3극성 리드단자와;상기 제1 내지 제3극성 리드단자가 연결된 다수개의 관통형 금속부재를 제1 내지 제3극성 리드단자가 외부로 노출되도록 밀봉시키는 밀봉부재로 구성되며,상기 단자증가형 금속부재는 다수개의 관통홀이 배열되어 형성되는 관통홀 형성부와 상기 관통홀 형성부의 일측과 타측에 각각 형성되는 제1 및 제2전극인출부가 일체로 형성되며, 상기 절연층은 상기 단자증가형 금속부재의 제1 및 제2전극인출부가 외부로 노출되도록 메인전극층의 측면 가장자리를 따라 형성되며,상기 제1극성 리드단자와 상기 제3극성 리드단자는 각각 상기 제2극성 리드단자가 캐소드 전극으로 적용되는 경우에 애노드 전극으로 적용되는 것을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 삭제
- 제10항에 있어서, 상기 제2극성 리드단자는 상기 제1극성 리드단자와 상기 제3극성 리드단자가 각각 캐소드 전극으로 적용되는 경우에 애노드 전극으로 적용되며, 제1극성 리드단자와 상기 제3극성 리드단자가 각각 애노드 전극으로 적용되는 경우에 캐소드전극으로 적용됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제10항에 있어서, 상기 제2극성 리드단자가 연결되는 다수개의 관통형 금속부재중 하나의 메인전극층에는 도전성 접착층이 더 구비됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- DC 식각 방법을 이용하여 부재에 각각 다수개의 관통홀이 배열되는 관통홀 형성부를 형성하여 제1 및 제2전극인출부가 일체로 형성되는 단자증가형 금속부재를 형성하는 과정과;상기 단자증가형 금속부재에 관통홀 형성부와 제1 및 제2전극인출부가 일체로 형성되면 양극산화방법을 이용하여 단자증가형 금속부재에 금속산화층을 형성하는 화성과정과;상기 금속산화층이 형성되면 전해 도금이나 무전해 도금방법을 이용하여 금속산화층에 침투되도록 상기 관통홀 형성부에 형성된 금속산화층에 시드전극층을 형성하는 과정과;상기 시드전극층이 형성되면 전해 도금이나 무전해 도금방법을 이용하여 시드전극층을 매개로 상기 단자증가형 금속부재의 관통홀 형성부에 형성된 다수개의 관통홀이 매몰되도록 메인전극층을 형성하는 과정과;상기 메인전극층이 형성되면 CVD 방법을 이용하여 상기 단자증가형 금속부재의 제1 및 제2전극인출부가 외부로 노출되도록 메인전극층과 단자증가형 금속부재에 절연층을 형성하는 과정과;상기 절연층이 형성되면 상기 단자증가형 금속부재의 상기 메인전극층에 제2리드단자를 연결시키고 상기 제1 및 제2전극인출부에 각각 제1리드단자를 연결시키는 과정과;상기 제1 및 제2리드단자가 연결되면 단자증가형 금속부재의 제1 및 제2리드단자가 외부로 노출되도록 상기 단자증가형 금속부재를 밀봉부재로 밀봉시키는 과정으로 구성되며,상기 절연층을 형성하는 과정에서 단자증가형 금속부재의 제1 및 제2전극인출부가 외부로 노출되도록 메인전극층의 측면 가장자리를 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 단자증가형 금속부재에 관통홀 형성부와 제1 및 제2전극인출부(11b,11c)를 일체로 형성하는 과정에서 관통홀 형성부에 형성되는 다수 개의 관통홀은 각각 지름이 1㎚ 내지 100㎛가 되도록 형성되며, 다수개의 관통홀은 DC 식각 방법 이외에 AC 식각, 습식 식각, 기계적인 드릴 및 레이저 드릴중 하나를 이용하여 형성할 수 있음을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 메인전극층과 단자증가형 금속부재에 절연층을 형성하는 과정과 상기 메인전극층에 제1리드단자를 연결시키고 상기 제1 및 제2전극인출부에 각각 제2리드단자를 선택적으로 연결시키는 과정사이에 제1 및 제2리드단자의 접착력을 개선하기 위해 제2리드단자가 연결되는 메인전극층에 도전성 접착층을 형성하는 과정이 더 구비되며, 상기 도전성 접착층의 형성은 금속 접착제이나 솔더 페이스트를 도포하는 방법, 전해 도금방법 및 무전해 도금방법중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 단자증가형 금속부재를 밀봉부재로 밀봉시키는 과정은 단자증가형 금속부재를 밀봉 시 몰딩재질이나 내부가 빈 커버부재로 밀봉됨을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 과정에서 절연층이 절연테이프로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20070105718 | 2007-10-19 | ||
KR1020070105718 | 2007-10-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090040198A KR20090040198A (ko) | 2009-04-23 |
KR100958458B1 true KR100958458B1 (ko) | 2010-05-18 |
Family
ID=40567540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080009819A KR100958458B1 (ko) | 2007-10-19 | 2008-01-30 | 금속 커패시터 및 그의 제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100958458B1 (ko) |
CN (1) | CN101414512B (ko) |
WO (1) | WO2009051295A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5603166B2 (ja) * | 2010-08-23 | 2014-10-08 | セイコーインスツル株式会社 | 電子デバイス、電子機器及び電子デバイスの製造方法 |
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JP2006222333A (ja) | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
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---|---|---|---|---|
US5469325A (en) * | 1993-03-22 | 1995-11-21 | Evans Findings Co. | Capacitor |
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-
2008
- 2008-01-16 WO PCT/KR2008/000269 patent/WO2009051295A1/en active Application Filing
- 2008-01-30 KR KR1020080009819A patent/KR100958458B1/ko active IP Right Grant
- 2008-06-17 CN CN2008101266789A patent/CN101414512B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101414512A (zh) | 2009-04-22 |
CN101414512B (zh) | 2012-01-18 |
KR20090040198A (ko) | 2009-04-23 |
WO2009051295A1 (en) | 2009-04-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
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GRNT | Written decision to grant | ||
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