JP5429392B2 - 固体電解コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 59
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 80
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 80
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 39
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 8
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1,2-dimethylbenzimidazole Chemical compound ClC1=CC=C2N(C)C(C)=NC2=C1 FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001741 Ammonium adipate Substances 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019293 ammonium adipate Nutrition 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- UZVGFAUPMODEBR-UHFFFAOYSA-L disodium;9,10-dioxoanthracene-1,2-disulfonate Chemical compound [Na+].[Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=C(S([O-])(=O)=O)C(S(=O)(=O)[O-])=CC=C3C(=O)C2=C1 UZVGFAUPMODEBR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
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Description
本発明は、固体電解コンデンサ、及びその製造方法に関する。
電子機器の小型、高性能化に伴って電子部品の一つである固体電解コンデンサは単位体積あたりの静電容量、すなわち体積容量比率が大きいものが求められている。この種の従来の固体電解コンデンサの構成を図１３に示す。
図１３に示された固体電解コンデンサ２０１は、表面に誘電体酸化皮膜２０２が形成された弁作用金属基体２０３が複数枚使用された積層体２０４で構成されている。弁作用金属基体２０３は、所定の位置に設けられた絶縁部２０５により陽極電極部２０６と陰極形成部２０７に区分されている。そして、陰極形成部２０７の誘電体酸化皮膜２０２の表面が導電性高分子層（図示しない）、カーボン層（図示しない）、銀ペースト層（図示しない）からなる陰極層２０８により被覆されている。また、陽極電極部２０６と陰極層２０８にはそれぞれ陽極端子２０９と陰極端子２１０が接続され、さらに積層体２０４は外装体２１１により被覆されている。このような固体電解コンデンサ２０１は、例えば特許文献１に開示されている。
ところで、固体電解コンデンサにおいて容量形成に寄与するのは、誘電体酸化皮膜に陰極層が被覆されている領域のみである。特許文献１に開示されている固体電解コンデンサ２０１の場合、図１３に示す弁作用金属基体２０３における絶縁部２０５より右側の領域を、陽極リード端子２０９と接続するための陽極電極部２０６として確保する必要がある。したがって、誘電体酸化皮膜２０２に陰極層２０７が被覆される領域、すなわち静電容量形成部は、図１３に示す、弁作用金属基体２０３における絶縁部２０５より左側に限定されてしまう。このため固体電解コンデンサ２０１の構造において体積容量比率を更に高めるには限界があるという問題があった。
そこで、本発明の目的は、体積容量比率を高めることができる固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供しようとすることである。
また、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、互いに対向する第１の主面及び第２の主面と、前記第１の主面及び第２の主面間を結ぶ少なくとも１つ以上の側面を有する弁作用金属基体を準備する弁作用金属基体準備工程と、前記弁作用金属基体の第１の主面、第２の主面、及び側面を覆うように誘電体酸化皮膜を形成する誘電体酸化皮膜形成工程と、前記弁作用金属基体の少なくとも第１の主面及び第２の主面上に形成された前記誘電体酸化皮膜を覆うように陰極層を形成する陰極層形成工程と、前記弁作用金属基体を複数積み重ねて積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体を積層方向に連通する、少なくとも１つ以上の連通穴を形成する連通穴形成工程と、前記連通穴内部における陰極層を加熱により絶縁化する陰極層絶縁化工程と前記弁作用金属基体を、前記連通穴部内に導電体を設けることにより互いに電気的に接続する電気的接続工程を有することを特徴としている。
本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法では、弁作用金属基体の主面の大部分が容量形成に寄与させることができ、体積容量比率が高い固体電解コンデンサを製造することができる。また、弁作用金属基体に形成された連通穴内部において、陰極層と導電体の接触部を容易に絶縁化することができる。
また、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法では、前記連通穴形成工程を、加熱を伴う手段により行うことが好ましい。
かかる場合には、製造工程をより簡略化することができる。
また、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法では、前記陰極層絶縁化工程と前記電気的接続工程の間に、前記連通穴内部における弁作用金属を研磨する研磨工程を設けることが好ましい。
かかる場合には、弁作用金属基体に形成された連通穴内部において、弁作用金属基体と導電体の接触部の接触抵抗をより低減することができる。
また、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法では、互いに対向する第１の主面及び第２の主面と、前記第１の主面及び第２の主面間を結ぶ少なくとも１つ以上の側面を有する弁作用金属基体を準備する弁作用金属基体準備工程と、前記弁作用金属基体の第１の主面、第２の主面、及び側面を覆うように誘電体酸化皮膜を形成する誘電体酸化皮膜形成工程と、前記弁作用金属基体に、少なくとも１つ以上の連通穴を形成する連通穴形成工程と、前記弁作用金属基体の少なくとも第１の主面及び第２の主面上に形成された前記誘電体酸化皮膜を覆うように陰極層を形成する陰極層形成工程と、前記連通穴内部における陰極層端面に絶縁体を設ける絶縁体形成工程と前記弁作用金属基体を複数積み重ねて積層体を形成する積層体形成工程と、前記弁作用金属基体を、前記連通穴部内に導電体を設けることにより互いに電気的に接続する電気的接続工程を有することを特徴としている。
本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法では、弁作用金属基体の主面の大部分が容量形成に寄与させることができ、体積容量比率が高い固体電解コンデンサを製造することができる。また、弁作用金属基体に形成された連通穴内部において、陰極部と導電体の接触部の絶縁性を高めることができる。
また、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法では、前記陰極層形成工程において、前記陰極層は、少なくとも連通穴の周囲を露出させるようにして形成することが好ましい。
かかる場合には、前記連通穴内部における陰極層端面に絶縁体を容易に設けることができる。
本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法では、弁作用金属基体の主面の大部分が容量形成に寄与させることができ、体積容量比率が高い固体電解コンデンサを製造することができる。また、弁作用金属基体に形成された連通穴内部において、陰極層と導電体の接触部を容易に絶縁化することができる。
（第１の実施形態）
以下に、本発明に係る固体電解コンデンサ及びその製造方法の第１の実施形態について図１、図２、図３、図４、図５に基づき詳細に説明する。ここで、図１は、固体電解コンデンサ１の外観を示す斜視図である。図２は、図１の線Ａ−Ａに沿う断面図である。図３、４、５は、固体電解コンデンサ１の製造工程を示す断面図である。
以下に、本発明に係る固体電解コンデンサ及びその製造方法の第１の実施形態について図１、図２、図３、図４、図５に基づき詳細に説明する。ここで、図１は、固体電解コンデンサ１の外観を示す斜視図である。図２は、図１の線Ａ−Ａに沿う断面図である。図３、４、５は、固体電解コンデンサ１の製造工程を示す断面図である。
図１に示すように、固体電解コンデンサ１は、連通穴２が設けられた積層体３を有している。そして、この積層体３は、図２に示すとおり、互いに対向する第１の主面５及び第２の主面６と、それらの間を結ぶ側面７を有する弁作用金属基体４が複数枚積み重ねられることにより作製される。
弁作用金属基体４の弁作用金属の一例としては、例えばタンタル、チタン、アルミニウム、ニオブおよびこれらを含む合金が挙げられる。
そして、弁作用金属基体４の第１の主面５、第２の主面６、側面７は、弁作用金属基体４の酸化物からなる誘電体酸化皮膜８により覆われており、さらに誘電体酸化皮膜８の表面は陰極層９により覆われている。
陰極層９の一例としては、チオフェン、ピロール、フラン、アニリンやその誘導体等をモノマーとする導電性高分子が挙げられる。
このようにして弁作用金属基体４の表面に誘電体酸化皮膜８及び陰極層９が形成され積層された積層体３には、連通穴２が形成されている。
この連通穴２は、積層体３の最上面と最下面に開口部を有し、積層体３の積層方向に連通するように設けられている。連通穴２の内部には、導電体１０が設けられており、この導電体１０によって、積層体３を構成する複数の弁作用金属基体４は互いに、電気的に接続されている。
なお、陰極層９と導電体１０とは、陰極層９の絶縁化物１１を介して絶縁されている。陰極層９の絶縁化物１１は、連通穴２内部における陰極層９を加熱することによって形成される。
このような構造の固体電解コンデンサ１では、連通穴２内部に設けられた導電体１０が陽極電極部として機能する。すなわち、弁作用金属基体４において陽極電極部として確保される領域は、連通穴２の開口部のみであり、連通穴２の開口部以外の領域に陰極層９の形成が可能となる。これによって、固体電解コンデンサ１は、従来の固体電解コンデンサより、単位体積あたりの容量形成寄与領域が大きくなり、それに伴い体積容量比率を高めることができる。
また、陰極層９と導電体１０との間に陰極層９の絶縁化物１１が設けられていることにより、陰極層９と導電体１０とが短絡する不具合を防止することができる。
次に固体電解コンデンサ１の製造方法の一例を説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、互いに対向する第１の主面５及び第２の主面６と、それらの間を結ぶ側面７を有する板状の弁作用金属基体４を準備する。
次に、図３（ｂ）に示すように弁作用金属基体４の第１の主面５、第２の主面６、及び側面７を覆うように誘電体酸化皮膜８を形成する。
誘電体酸化皮膜８は、図３（ｃ）に示すように、弁作用金属基体４をリン酸、ホウ酸やアジピン酸等の電解液１２に浸漬し、弁作用金属基体４を正極側、溶液中の対極１３を負極側として通電する陽極酸化法によって形成することができる。
次に、図４（ａ）に示すように誘電体酸化皮膜８の実質全面を覆うように陰極層９を形成する。
この実施形態では、陰極層９は導電性高分子層からなり、次のようにして形成する。すなわち、図４（ｂ）に示すように、誘電体酸化皮膜８が形成された弁作用金属基体４を、チオフェン、ピロール、フラン、アニリンその誘導体等のモノマー溶液１４に浸漬する。その後、モノマー溶液１４が塗布された状態の弁作用金属基体４を、モノマーの重合を開始させる酸化剤と陰極層に導電性を付与するドーパントの混合溶液１５に浸漬する、いわゆる化学酸化重合によって陰極層９を形成することができる。
次に、図５（ａ）に示すように、誘電体酸化皮膜８および陰極層９が形成された弁作用金属基体４を複数使用して積層体３を形成する。
次に、積層体３を積層方向に連通する連通穴２を形成する加工を施す。
連通穴２は、図５（ｂ）に示すように、誘電体酸化皮膜８および陰極層９が形成された複数の弁作用金属基体４からなる積層体３の所望の箇所へ、例えばレーザー１６を照射することによって、積層体３の最上面と最下面が開口するように形成する。レーザー１６によって連通穴２が形成されるのと同時に、連通穴２内部に露出した陰極層９が、レーザー１６照射時に発生する熱によって絶縁化し、絶縁化物１１となる。陰極層９が熱によって絶縁化するのは、例えば、陰極層９に導電性高分子を用いた場合は、ドーパントの脱離や高分子の分解によるものと考えられる。
次に、図５（ｃ）に示すように、連通穴２内部に導電体１０を設けて、連通穴２内部で、積層体３を構成する複数の弁作用金属基体４同士を電気的に接続する。
導電体１０は、例えば導電性ペーストを連通穴２内部に挿入し、固化することにより形成することができる。
このとき、陰極層９と導電体１０とは陰極層９の絶縁化物１１により絶縁されている。
なお、この実施形態において、誘電体酸化皮膜８および陰極層９が形成された弁作用金属基体４へレーザー１６を照射した際に、連通穴２内部における弁作用金属基体４の露出面に、熱により酸化物が形成されることがある。このような場合は、連通穴２内部に露出した弁作用金属基体４を研磨し、酸化物を除去すればよい。このようにすることによって、弁作用金属基体４と導電体１０の接触部の接触抵抗をより低減することができる。
（第２の実施形態）
本発明に係る固体電解コンデンサ及びその製造方法の第２の実施形態について図６、図７、図８に基づき詳細に説明する。
本発明に係る固体電解コンデンサ及びその製造方法の第２の実施形態について図６、図７、図８に基づき詳細に説明する。
図６は、この発明の第２の実施形態を説明するための図であって、第１の実施形態を説明した図２に対応する図である。また、図７、８は、固体電解コンデンサ１０１の製造工程を示す断面図である。図６、７，８において、第１の実施形態と共通する構成要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
図６に示す固体電解コンデンサ１０１において、絶縁化物１１１が陰極層９とは異なる材料で構成されている。なお、第１の実施形態では陰極層９自体を絶縁化させており、この点で異なっている。それ以外の構成要素は第１の実施形態と同一である。
次に固体電解コンデンサ１０１の製造方法の一例を説明する。
まず、第１の実施形態と同様の方法で、弁作用金属基体４の第１の主面５、第２の主面６、及び側面７を覆うように誘電体酸化皮膜８を形成する。
次に誘電体酸化皮膜８を覆うように導電性高分子からなる陰極層９を形成するが、陰極層９は、連通穴２の形成予定位置およびその周囲を露出させるようにして形成する。したがって、陰極層９の形状は、前述の第１の実施形態における陰極層９とは厳密には異なっている。
具体的には、図７（ａ）に示すように、陰極層９形成前に、連通穴２の形成予定位置１０２およびその周囲１０３を、スクリーン印刷等の方法により絶縁材料１１１で被覆する。この絶縁材料１１１は、第１の実施形態に示したモノマー溶液１４や酸化剤とドーパントの混合溶液１５のような陰極層９を形成するための前駆体を弾く性質のものを選択することが好ましい。このような絶縁材料１１１としては例えばポリイミド樹脂が挙げられる。また、絶縁性材料１１１は後に形成する陰極層９と実質同一の厚みになるように形成することが好ましい。
そして図７（ｂ）に示すように、第１の実施形態と同様の方法で陰極層９を形成する。このときに、モノマー溶液１４や酸化剤とドーパントの混合液１５は、絶縁材料１１１表面には塗布されないので、陰極層９は、連通穴２の形成予定位置１０２とその周囲１０３に形成された絶縁材料１１１を露出させるようにして形成される。
また、この時点で陰極層９の端面は絶縁材料１１１と接触した状態となっている。
次に、図８（ａ）に示すように、誘電体酸化皮膜８、陰極層９、絶縁材料１１１が形成された弁作用金属基体４を、複数積み重ねて積層体３を形成する。
次に、積層体３を積層方向に連通する連通穴２を形成する加工を施す。
連通穴２は、第１の実施形態同様、図８（ｂ）に示すように、誘電体酸化皮膜８および陰極層９が形成された弁作用金属基体４の、連通穴２の形成予定位置１０２へレーザー１６を照射することによって形成するが、このとき、レーザー１６は、連通穴２の形成予定位置１０２の周囲１０３に形成された絶縁材料１１１が残存するように照射する。
そして、第１の実施形態同様、図８（ｃ）に示すように、連通穴２内部に導電体１０を設けて、連通穴２内部で、積層体３を構成する複数の弁作用金属基体４同士を電気的に接続する。
このとき、陰極層９と導電体１０とは絶縁材料１１１により絶縁されている。
なお、第１の実施形態および第２の実施形態に示した固体電解コンデンサ及びその製造方法は一例であって、これ以外にも本発明の範囲内であれば種々の変形を行うことは差し支えない。
弁作用金属基体４は、箔状のものを用いることもできる。
また、積層体３を構成する弁作用金属基体４の枚数は、固体電解コンデンサの所望の静電容量、寸法によって適宜設定すればよい。
また、陰極層９の形成は、導電性高分子を用いる場合は、誘電体酸化皮膜８が形成された弁作用金属基体４を正極側、溶液中の対極１３を負極側として通電する電解重合や、誘電体酸化皮膜８が形成された弁作用金属基体４に導電性高分子重合体溶液を塗布、固化することによっても形成できる。
また、陰極層９は、二酸化マンガン等を用いることもできる。
また、陰極層９は、弁作用金属基体４の側面に形成された誘電体酸化皮膜８が露出するように形成しても良い。弁作用金属基体４は、弁作用金属基体の集合体から切り出されて使用されることが多い。このとき、弁作用金属基体４の側面は切断面となる。そして、切断面にはバリが存在することがありこのような部分に形成された誘電体酸化皮膜８には欠陥が生じやすくなり、これは固体電解コンデンサの耐電圧を低下させる要因となる。
このような場合、弁作用金属基体４の側面に形成された誘電体酸化皮膜８が陰極層９に被覆されていなければ、誘電体皮膜８の欠陥が生じやすい箇所が容量形成に寄与しなくなり、耐電圧低下を防止することができる。
また、陰極層９形成時に誘電体酸化皮膜８が損傷することがある。このような場合は、誘電体皮膜８および陰極層９が形成された弁作用金属基体４をリン酸、ホウ酸やアジピン酸等の電解液に浸漬し、弁作用金属基体４を正極側、溶液中の対極１３を負極側として通電する再酸化処理を行うことによって、誘電体酸化皮膜８を修復することができる。
また、連通穴２の形成は、弁作用金属基体４に誘電体酸化皮膜８を形成した後であれば、陰極層９や積層体３を形成する前に行っても良い。
また、連通穴２は、パンチング等の手段によっても形成可能である。パンチング等加熱を伴わない手段で連通穴２を形成した場合は、連通穴２形成後に、連通穴２内部に露出した陰極層９を、スポットヒーター等により局所加熱して絶縁化すれば、導電体１０と絶縁することができる。
また、連通穴２を、加熱を伴う手段で形成した場合においても、連通穴２形成後に連通穴２内部に露出した陰極層９を、スポットヒーター等により局所加熱すれば、より確実に絶縁することができる。
また、連通穴２の口径は、製造効率を妨げない程度に極力小さくすることが、固体電解コンデンサの体積容量効率を高める上で好ましい。
また、連通穴２は、第１の実施形態や第２の実施形態のように積層体３の最上面と最下面の双方で開口する必要は無い。連通穴２内部に設けられる導電体１０が、積層体３を構成する複数の弁作用金属基体４同士が電気的に接続されていれば、積層体３の最上面または最下面の少なくともどちらか一方から開口できるようになっていればよい。
また、固体電解コンデンサ１や１０１は、図９に示すように導電体１０と陰極層９にそれぞれ陽極端子１０４、陰極端子１０５を接続し、積層体３を陽極端子１０４と陰極端子１０５の実装面が露出するように外装体１０６で被覆しても良い。このとき、導電体１０と陽極端子１０４を接続する際、陽極端子１０４と陰極層９が接触しないように、陽極端子１０４と陰極層９との間に隙間ｄを設けるような接続を行う必要がある。
一方、図１０のように連通穴２の開口部周囲の陰極層９の表面を、レジスト１０７で被覆しておけば、図１１に示すように、陽極端子１０４と陰極層９との間に隙間ｄを設けなくても、陽極端子１０４を、陰極層９と接触することなく導電体１０に接続することができる。
なお、レジスト１０７の形成領域は、陽極端子１０４と陰極層９との接触が防止でき、陰極端子１０５と陰極層９が接続できるようになっている限り特に制限は無い。
また、図１２に示すように、積層体３を、陽極ビア電極１０８、陰極ビア電極１０９を有する基板１１０に実装し、基板１１０の下面が露出するように外装体１０６で被覆しても良い。
幅３．５ｍｍ、長さ１３ｍｍ、厚さ１１０μｍのアルミニウム箔を準備した。
次に、このアルミニウム箔をアジピン酸アンモニウム水溶液に浸漬し、アルミニウム箔を正極側、アジピン酸アンモニウム溶液中の対極を負極側とし、３．５Ｖの電圧を印加することによって、アルミニウム箔の表面に酸化アルミニウムからなる誘電体酸化皮膜を形成した。
さらに、酸化アルミニウムを形成したアルミニウム箔を、３,４−エチレンジオキシチオフェンを含むイソプロパノール溶液に浸漬した後に、過硫酸アンモニウムとアントラキノン２スルホン酸ナトリウムの混合溶液に浸漬する操作を２０回繰り返すことにより、酸化アルミニウムの表面に、ポリエチレンジオキシチオフェンからなる陰極層を形成した。
そして、酸化アルミニウムおよびポリエチレンジオキシチオフェンが形成されたアルミニウム箔を４枚積み重ね積層体を形成した。
次に、積層体に炭酸ガスレーザーを照射し、積層体を積層方向に連通する口径０．５ｍｍの連通穴を形成した。また、連通穴の形成と同時に炭酸ガスレーザー照射により生じる熱により、連通穴の周囲０．１ｍｍの範囲にあるポリエチレンジオキシチオフェンを絶縁化した。
そして、連通穴の内部に、銅ペーストを挿入し、固化させることによって、銅ビア電極を設け、積層体を構成するアルミニウム箔同士を電気的に接続した。
さらに、積層体上面の連通穴周囲のポリエチレンジオキシチオフェンをポリイミド樹脂で被覆した。
最後に、銅ビア電極と陽極端子を、ポリエチレンジオキシチオフェンと陰極端子をカーボンペーストおよび銀ペーストを介して接続し、陰極端子と陽極端子の実装面が露出するように、積層体をエポキシ樹脂で封止することによって固体電解コンデンサを作製した。
この固体電解コンデンサの、体積と静電容量を測定し、体積容量比率を算出した。その結果を、表１に示す。
（比較例）
幅３．５ｍｍ、長さ１３ｍｍ、厚さ１１０μｍのアルミニウム箔を準備した。このアルミニウム箔の先端から７ｍｍの領域に、上記実施例と同様の方法で、酸化アルミニウムからなる誘電体酸化皮膜およびそれを被覆するポリエチレンジオキシチオフェンを形成した。
（比較例）
幅３．５ｍｍ、長さ１３ｍｍ、厚さ１１０μｍのアルミニウム箔を準備した。このアルミニウム箔の先端から７ｍｍの領域に、上記実施例と同様の方法で、酸化アルミニウムからなる誘電体酸化皮膜およびそれを被覆するポリエチレンジオキシチオフェンを形成した。
そして、このアルミニウム箔を４枚積み重ね、アルミニウム箔における誘電体酸化皮膜およびポリエチレンジオキシチオフェンが形成されていない領域同士を、陽極端子を挟みこむように溶接した。
さらに、ポリエチレンジオキシチオフェンと陰極端子をカーボンペーストおよび銀ペーストを介して接続し、陰極端子と陽極端子の実装面が露出するように、積層体をエポキシ樹脂で封止することによって固体電解コンデンサを作製した。
この固体電解コンデンサの、体積と静電容量を測定し、体積容量比率を算出した。その結果を表１に示す。
表１に示すように、本発明に係る実施例の固体電解コンデンサは、比較例の固体電解コンデンサに対し、体積容量比率を高めることができた。
１、１０１、２０１ 固体電解コンデンサ
２ 連通穴
３、２０４ 積層体
４、２０３ 弁作用金属基体
５ 弁作用金属基体４の第１の主面
６ 弁作用金属基体４の第２の主面
７ 弁作用金属基体４の第１の主面と第２の主面を結ぶ側面
８、２０２ 誘電体酸化皮膜
９、２０８ 陰極層
１０ 導電体
１１ 陰極層９の絶縁化物
１２ 電解液
１３ 対極
１４ モノマー溶液
１５ 酸化剤とドーパントの混合溶液
１６ レーザー
１０２ 連通穴の形成予定位置
１０３ 連通穴形成予定位置の周囲
１０４、２０９ 陽極端子
１０５、２１０ 陰極端子
１０６、２１１ 外装体
１０７ レジスト
１０８ 陽極ビア電極
１０９ 陰極ビア電極
１１０ 基板
１１１ 絶縁材料
２０５ 絶縁部
２０６ 陽極電極部
２０７ 陰極電極部
２ 連通穴
３、２０４ 積層体
４、２０３ 弁作用金属基体
５ 弁作用金属基体４の第１の主面
６ 弁作用金属基体４の第２の主面
７ 弁作用金属基体４の第１の主面と第２の主面を結ぶ側面
８、２０２ 誘電体酸化皮膜
９、２０８ 陰極層
１０ 導電体
１１ 陰極層９の絶縁化物
１２ 電解液
１３ 対極
１４ モノマー溶液
１５ 酸化剤とドーパントの混合溶液
１６ レーザー
１０２ 連通穴の形成予定位置
１０３ 連通穴形成予定位置の周囲
１０４、２０９ 陽極端子
１０５、２１０ 陰極端子
１０６、２１１ 外装体
１０７ レジスト
１０８ 陽極ビア電極
１０９ 陰極ビア電極
１１０ 基板
１１１ 絶縁材料
２０５ 絶縁部
２０６ 陽極電極部
２０７ 陰極電極部
Claims (5)
- 互いに対向する第１の主面及び第２の主面と、前記第１の主面及び第２の主面間を結ぶ少なくとも１つ以上の側面を有する弁作用金属基体を準備する弁作用金属基体準備工程と、前記弁作用金属基体の第１の主面、第２の主面、及び側面を覆うように誘電体酸化皮膜を形成する誘電体酸化皮膜形成工程と、
前記弁作用金属基体の少なくとも第１の主面及び第２の主面上に形成された前記誘電体酸化皮膜を覆うように陰極層を形成する陰極層形成工程と、
前記弁作用金属基体を複数積み重ねて積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体を積層方向に連通する、少なくとも１つ以上の連通穴を形成する連通穴形成工程と、
前記連通穴内部における陰極層を加熱により絶縁化する陰極層絶縁化工程と
前記弁作用金属基体を、前記連通穴部内に導電体を設けることにより互いに電気的に接続する電気的接続工程を有することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 前記連通穴形成工程を、加熱を伴う手段により行うことを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 前記陰極層絶縁化工程と前記電気的接続工程の間に、前記連通穴内部における弁作用金属を研磨する研磨工程を設けることを特徴とする請求項１または２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 互いに対向する第１の主面及び第２の主面と、前記第１の主面及び第２の主面間を結ぶ少なくとも１つ以上の側面を有する弁作用金属基体を準備する弁作用金属基体準備工程と、前記弁作用金属基体の第１の主面、第２の主面、及び側面を覆うように誘電体酸化皮膜を形成する誘電体酸化皮膜形成工程と、
前記弁作用金属基体に、少なくとも１つ以上の連通穴を形成する連通穴形成工程と、
前記弁作用金属基体の少なくとも第１の主面及び第２の主面上に形成された前記誘電体酸化皮膜を覆うように陰極層を形成する陰極層形成工程と、
前記連通穴内部における陰極層端面に絶縁体を設ける絶縁体形成工程と
前記弁作用金属基体を複数積み重ねて積層体を形成する積層体形成工程と、
前記弁作用金属基体を、前記連通穴部内に導電体を設けることにより互いに電気的に接続する電気的接続工程を有することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 前記陰極層形成工程において、前記陰極層は、少なくとも連通穴の周囲を露出させるようにして形成することを特徴とする請求項４に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012536239A JP5429392B2 (ja) | 2010-09-29 | 2011-03-31 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010219175 | 2010-09-29 | ||
| JP2010219175 | 2010-09-29 | ||
| JP2012536239A JP5429392B2 (ja) | 2010-09-29 | 2011-03-31 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| PCT/JP2011/058243 WO2012042950A1 (ja) | 2010-09-29 | 2011-03-31 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2012042950A1 JPWO2012042950A1 (ja) | 2014-02-06 |
| JP5429392B2 true JP5429392B2 (ja) | 2014-02-26 |
Family
ID=45892433
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012536239A Expired - Fee Related JP5429392B2 (ja) | 2010-09-29 | 2011-03-31 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5429392B2 (ja) |
| WO (1) | WO2012042950A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019221046A1 (ja) * | 2018-05-16 | 2019-11-21 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
| MX2022009755A (es) * | 2020-02-06 | 2023-01-11 | Saras Micro Devices Inc | Condensadores de láminas metálicas modificadas y métodos para fabricar los mismos. |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135922A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Nichicon Capacitor Ltd | Method of producing laminated electrolytic condenser |
| JP2002289470A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2003243257A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
| JP2004158577A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Japan Carlit Co Ltd:The | 積層型大面積アルミ固体電解コンデンサの製造方法及び該方法によるコンデンサ |
| JP2008135427A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ形固体電解コンデンサの製造方法及びチップ形固体電解コンデンサ |
-
2011
- 2011-03-31 WO PCT/JP2011/058243 patent/WO2012042950A1/ja active Application Filing
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| JP2002289470A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2003243257A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
| JP2004158577A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Japan Carlit Co Ltd:The | 積層型大面積アルミ固体電解コンデンサの製造方法及び該方法によるコンデンサ |
| JP2008135427A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ形固体電解コンデンサの製造方法及びチップ形固体電解コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2012042950A1 (ja) | 2014-02-06 |
| WO2012042950A1 (ja) | 2012-04-05 |
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