JP2008308401A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008308401A5
JP2008308401A5 JP2008129077A JP2008129077A JP2008308401A5 JP 2008308401 A5 JP2008308401 A5 JP 2008308401A5 JP 2008129077 A JP2008129077 A JP 2008129077A JP 2008129077 A JP2008129077 A JP 2008129077A JP 2008308401 A5 JP2008308401 A5 JP 2008308401A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group iii
iii nitride
nitride semiconductor
plane
producing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2008129077A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2008308401A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2008129077A priority Critical patent/JP2008308401A/ja
Priority claimed from JP2008129077A external-priority patent/JP2008308401A/ja
Publication of JP2008308401A publication Critical patent/JP2008308401A/ja
Publication of JP2008308401A5 publication Critical patent/JP2008308401A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

JP2008129077A 2007-05-17 2008-05-16 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体基板および半導体発光デバイス Withdrawn JP2008308401A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008129077A JP2008308401A (ja) 2007-05-17 2008-05-16 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体基板および半導体発光デバイス

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007131955 2007-05-17
JP2008129077A JP2008308401A (ja) 2007-05-17 2008-05-16 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体基板および半導体発光デバイス

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010135667A Division JP4586936B2 (ja) 2007-05-17 2010-06-15 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法
JP2010135668A Division JP5282766B2 (ja) 2007-05-17 2010-06-15 Ｉｉｉ族窒化物半導体基板および半導体発光デバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008308401A JP2008308401A (ja) 2008-12-25
JP2008308401A5 true JP2008308401A5 (enExample) 2010-02-12

Family

ID=40031868

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008129077A Withdrawn JP2008308401A (ja) 2007-05-17 2008-05-16 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体基板および半導体発光デバイス
JP2010135668A Active JP5282766B2 (ja) 2007-05-17 2010-06-15 Ｉｉｉ族窒化物半導体基板および半導体発光デバイス
JP2010135667A Active JP4586936B2 (ja) 2007-05-17 2010-06-15 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法
JP2013111253A Active JP5725086B2 (ja) 2007-05-17 2013-05-27 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体基板および半導体発光デバイス

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010135668A Active JP5282766B2 (ja) 2007-05-17 2010-06-15 Ｉｉｉ族窒化物半導体基板および半導体発光デバイス
JP2010135667A Active JP4586936B2 (ja) 2007-05-17 2010-06-15 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法
JP2013111253A Active JP5725086B2 (ja) 2007-05-17 2013-05-27 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体基板および半導体発光デバイス

Country Status (5)

Country Link
US (3) US8269251B2 (enExample)
EP (1) EP2154272A4 (enExample)
JP (4) JP2008308401A (enExample)
KR (1) KR101488545B1 (enExample)
WO (1) WO2008143166A1 (enExample)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9064706B2 (en) 2006-11-17 2015-06-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Composite of III-nitride crystal on laterally stacked substrates
JP5332168B2 (ja) 2006-11-17 2013-11-06 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
WO2009110436A1 (ja) 2008-03-03 2009-09-11 三菱化学株式会社 窒化物半導体結晶とその製造方法
JP5461859B2 (ja) * 2008-03-28 2014-04-02 Ｊｆｅミネラル株式会社 ＡｌＮバルク単結晶及び半導体デバイス並びにＡｌＮ単結晶バルクの製造方法
US9404197B2 (en) * 2008-07-07 2016-08-02 Soraa, Inc. Large area, low-defect gallium-containing nitride crystals, method of making, and method of use
US20110179993A1 (en) * 2009-03-06 2011-07-28 Akira Inoue Crystal growth process for nitride semiconductor, and method for manufacturing semiconductor device
JP5641506B2 (ja) * 2009-04-03 2014-12-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 窒化物半導体の結晶成長方法および半導体装置の製造方法
KR20120036816A (ko) * 2009-06-01 2012-04-18 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 질화물 반도체 결정 및 그 제조 방법
JP5789929B2 (ja) 2010-08-03 2015-10-07 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の成長方法
WO2012058524A1 (en) * 2010-10-29 2012-05-03 The Regents Of The University Of California Ammonothermal growth of group-iii nitride crystals on seeds with at least two surfaces making an acute, right or obtuse angle with each other
EP2634294B1 (en) * 2010-10-29 2020-04-29 Tokuyama Corporation Method for manufacturing optical element and optical element multilayer body
JP5480169B2 (ja) 2011-01-13 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101877396B1 (ko) * 2011-09-07 2018-08-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자
WO2013039003A1 (ja) * 2011-09-12 2013-03-21 三菱化学株式会社 発光ダイオード素子
WO2013042297A1 (ja) * 2011-09-20 2013-03-28 パナソニック株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそれを用いた光源装置
KR101668541B1 (ko) * 2012-01-11 2016-10-21 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸 Iii족 질화물 결정의 제조 방법, iii족 질화물 결정 및 반도체 장치
KR102130289B1 (ko) 2012-03-30 2020-07-08 미쯔비시 케미컬 주식회사 주기표 제 13 족 금속 질화물 결정 및 주기표 제 13 족 금속 질화물 결정의 제조 방법
JP2013209274A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Mitsubishi Chemicals Corp 周期表第１３族金属窒化物結晶
JP6004550B2 (ja) * 2012-12-20 2016-10-12 日本碍子株式会社 種結晶基板、複合基板および機能素子
WO2014129544A1 (ja) 2013-02-22 2014-08-28 三菱化学株式会社 周期表第１３族金属窒化物結晶およびその製造方法
JP6032099B2 (ja) * 2013-03-29 2016-11-24 三菱化学株式会社 周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造方法
JP2015013791A (ja) * 2013-06-06 2015-01-22 三菱化学株式会社 周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造方法及び周期表第１３族金属窒化物半導体結晶
US9708733B2 (en) * 2013-06-10 2017-07-18 Tokuyama Corporation Method for manufacturing aluminum-based group III nitride single crystal by hydride vapor phase epitaxy
KR102320083B1 (ko) * 2013-08-08 2021-11-02 미쯔비시 케미컬 주식회사 자립 ＧａＮ 기판, ＧａＮ 결정, ＧａＮ 단결정의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP2015199631A (ja) * 2014-04-09 2015-11-12 古河機械金属株式会社 接合基板、接合基板の製造方法、及び、ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法
WO2016125890A1 (ja) * 2015-02-06 2016-08-11 三菱化学株式会社 ＧａＮ単結晶およびＧａＮ単結晶製造方法
JP6135954B2 (ja) 2015-10-22 2017-05-31 ウシオ電機株式会社 窒化物半導体発光素子
JP6365992B2 (ja) * 2016-03-25 2018-08-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶製造方法及びｒａｍｏ４基板
JP6861490B2 (ja) * 2016-09-07 2021-04-21 株式会社サイオクス 窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板
JP7046496B2 (ja) 2017-03-28 2022-04-04 古河機械金属株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体基板、及び、バルク結晶
CN109423690B (zh) * 2017-08-21 2022-09-16 株式会社Flosfia 用于制造结晶膜的方法
JP7182262B2 (ja) 2018-12-10 2022-12-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｒａｍｏ４基板およびその製造方法、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体
JP7228467B2 (ja) * 2019-05-27 2023-02-24 信越化学工業株式会社 Ｉｉｉ族化合物基板の製造方法及びｉｉｉ族化合物基板

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335750A (ja) 1997-06-03 1998-12-18 Sony Corp 半導体基板および半導体装置
JP3968968B2 (ja) * 2000-07-10 2007-08-29 住友電気工業株式会社 単結晶ＧａＮ基板の製造方法
JP2004262755A (ja) 2000-08-24 2004-09-24 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法と窒化物半導体基板
JP3556916B2 (ja) * 2000-09-18 2004-08-25 三菱電線工業株式会社 半導体基材の製造方法
JP3927218B2 (ja) 2000-09-18 2007-06-06 三菱電線工業株式会社 半導体基材
JP2002169104A (ja) 2000-12-01 2002-06-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 光デバイス
JP2002293697A (ja) 2001-03-29 2002-10-09 Sumitomo Electric Ind Ltd ＧａＮエピタキシャル層の成長方法
US20080006201A1 (en) * 2001-09-19 2008-01-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of growing gallium nitride crystal
US7556687B2 (en) * 2001-09-19 2009-07-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Gallium nitride crystal substrate and method of producing same
JP3864870B2 (ja) * 2001-09-19 2007-01-10 住友電気工業株式会社 単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法
JP4573049B2 (ja) 2001-09-19 2010-11-04 住友電気工業株式会社 窒化ガリウム結晶、窒化ガリウム基板及び半導体レーザデバイス
US20070280872A1 (en) * 2001-09-19 2007-12-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of growing gallium nitride crystal and gallium nitride substrate
US7303630B2 (en) * 2003-11-05 2007-12-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of growing GaN crystal, method of producing single crystal GaN substrate, and single crystal GaN substrate
US7105865B2 (en) * 2001-09-19 2006-09-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. AlxInyGa1−x−yN mixture crystal substrate
PL374180A1 (en) 2001-10-26 2005-10-03 Ammono Sp.Z O.O. Nitride semiconductor laser element, and production method therefor
CA2464083C (en) * 2001-10-26 2011-08-02 Ammono Sp. Z O.O. Substrate for epitaxy
JP2003218043A (ja) 2002-01-28 2003-07-31 Nikko Materials Co Ltd ＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法
US7208393B2 (en) * 2002-04-15 2007-04-24 The Regents Of The University Of California Growth of planar reduced dislocation density m-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US7091514B2 (en) * 2002-04-15 2006-08-15 The Regents Of The University Of California Non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices
EP1576210B1 (en) 2002-12-11 2010-02-10 AMMONO Sp. z o.o. A substrate for epitaxy and a method of preparing the same
KR101372698B1 (ko) * 2002-12-16 2014-03-11 독립행정법인 과학기술진흥기구 수소화합물 기상 성장법에 의한 평면, 비극성 질화 갈륨의 성장
US7323256B2 (en) * 2003-11-13 2008-01-29 Cree, Inc. Large area, uniformly low dislocation density GaN substrate and process for making the same
JP4340866B2 (ja) 2003-11-14 2009-10-07 日立電線株式会社 窒化物半導体基板及びその製造方法
KR100718188B1 (ko) * 2004-05-07 2007-05-15 삼성코닝 주식회사 비극성 ａ면 질화물 반도체 단결정 기판 및 이의 제조방법
JP2006016294A (ja) * 2004-05-31 2006-01-19 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶の成長方法、ｉｉｉ族窒化物結晶基板および半導体デバイス
JP4581490B2 (ja) * 2004-05-31 2010-11-17 日立電線株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体自立基板の製造方法、及びｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体の製造方法
WO2005121415A1 (en) * 2004-06-11 2005-12-22 Ammono Sp. Z O.O. Bulk mono-crystalline gallium-containing nitride and its application
JP2005060227A (ja) 2004-09-30 2005-03-10 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体及び半導体基板
JP4551203B2 (ja) 2004-12-08 2010-09-22 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物の結晶製造方法
JP4997744B2 (ja) * 2004-12-24 2012-08-08 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子及びその製造方法
JP4735949B2 (ja) 2005-04-08 2011-07-27 日立電線株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体結晶の製造方法およびｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体基板の製造方法
JP4915128B2 (ja) * 2005-04-11 2012-04-11 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体ウエハ及びその製造方法
TW200703463A (en) * 2005-05-31 2007-01-16 Univ California Defect reduction of non-polar and semi-polar III-nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO)
JP2007048869A (ja) 2005-08-09 2007-02-22 Sony Corp ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法
JP5026271B2 (ja) * 2005-09-05 2012-09-12 パナソニック株式会社 六方晶系窒化物単結晶の製造方法、六方晶系窒化物半導体結晶及び六方晶系窒化物単結晶ウエハの製造方法
EP1801855B1 (en) * 2005-12-22 2009-01-14 Freiberger Compound Materials GmbH Processes for selective masking of III-N layers and for the preparation of free-standing III-N layers or of devices
JP2008285364A (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Sumitomo Electric Ind Ltd ＧａＮ基板、それを用いたエピタキシャル基板及び半導体発光素子
WO2009110436A1 (ja) 2008-03-03 2009-09-11 三菱化学株式会社 窒化物半導体結晶とその製造方法
KR20120036816A (ko) 2009-06-01 2012-04-18 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 질화물 반도체 결정 및 그 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008308401A5 (enExample)
US8269251B2 (en) Method for producing group III nitride semiconductor crystal, group III nitride semiconductor substrate, and semiconductor light-emitting device
JP3888374B2 (ja) ＧａＮ単結晶基板の製造方法
JP2008285364A (ja) ＧａＮ基板、それを用いたエピタキシャル基板及び半導体発光素子
CA2884169C (en) Aluminum nitride substrate and group-iii nitride laminate
JP5830973B2 (ja) ＧａＮ自立基板および半導体発光デバイスの製造方法
JP5056299B2 (ja) 窒化物半導体下地基板、窒化物半導体積層基板および窒化物半導体下地基板の製造方法
JP4856792B2 (ja) 窒化物半導体素子の製造方法
JP5957179B2 (ja) 炭化アルミニウム薄膜、炭化アルミニウム薄膜を形成した半導体基板及びそれらの製造方法
JP2013035711A (ja) 六角棒状ＧａＮ系半導体結晶およびその製造方法
JP5146697B2 (ja) 窒化物半導体
JP4479706B2 (ja) ＧａＮ自立基板の製造方法
JP3749454B2 (ja) ＧａＮ単結晶の製造方法
JP2013173652A (ja) 自立基板の製造方法
JP2006306722A (ja) ＧａＮ単結晶基板の製造方法及びＧａＮ単結晶基板
Al-Zuhairi Enhanced indium adsorption and surface evolution of semi-polar (11-22) LED via a strain periodic alternating superlattice (SPAS-L)
JP6013743B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4605513B2 (ja) 埋め込み基板結晶製造方法
JP2008100859A (ja) サファイア単結晶基板およびｉｉｉ族窒化物系化合物半導体
JP2013035696A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体単結晶の製造方法
JP2013116841A (ja) 周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造方法、周期表第１３族金属窒化物半導体基板および周期表第１３族金属窒化物半導体結晶
JP2013199412A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法
JP2008100861A (ja) サファイア単結晶基板およびｉｉｉ族窒化物系化合物半導体
JP2012136418A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体基板とその製造方法
JP2010168277A (ja) 半導体発光装置