JP2003218043A - ＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法 - Google Patents
ＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法Info
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＧａＮ系化合物半導体結晶の成長工程におい
て、成長されたＧａＮ系化合物半導体結晶に割れが生じ
るのを有効に防止するＧａＮ系化合物半導体結晶の成長
方法を提供する。 【解決手段】１または２種類以上の希土類元素を含む希
土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶を基板としてそ
の表面にＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させる方法に
おいて、前記基板の厚さを２５０μｍ以下として、熱膨
張率の差によりＧａＮ厚膜結晶が基板から受ける応力が
小さくなるようにした。
て、成長されたＧａＮ系化合物半導体結晶に割れが生じ
るのを有効に防止するＧａＮ系化合物半導体結晶の成長
方法を提供する。 【解決手段】１または２種類以上の希土類元素を含む希
土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶を基板としてそ
の表面にＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させる方法に
おいて、前記基板の厚さを２５０μｍ以下として、熱膨
張率の差によりＧａＮ厚膜結晶が基板から受ける応力が
小さくなるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
に用いられるＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法に関
し、ＧａＮ系化合物半導体結晶の成長工程において割れ
が発生するのを有効に防止する技術に関する。
に用いられるＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法に関
し、ＧａＮ系化合物半導体結晶の成長工程において割れ
が発生するのを有効に防止する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、Ｉｎ
ＧａＡｌＮ等のＧａＮ系化合物半導体（ＩｎｘＧａｙＡ
ｌ１−ｘ−ｙＮ 但し０≦ｘ，ｙ；ｘ＋ｙ≦１）は、発
光デバイスやパワーデバイスなどの半導体デバイスの材
料として期待され、またその他種々の分野で応用可能な
材料として注目されている。
ＧａＡｌＮ等のＧａＮ系化合物半導体（ＩｎｘＧａｙＡ
ｌ１−ｘ−ｙＮ 但し０≦ｘ，ｙ；ｘ＋ｙ≦１）は、発
光デバイスやパワーデバイスなどの半導体デバイスの材
料として期待され、またその他種々の分野で応用可能な
材料として注目されている。
【０００３】従来、ＧａＮ系化合物半導体のバルク結晶
を成長させるのは困難であったため、上記電子デバイス
には、例えばサファイア等の異種結晶上へのヘテロエピ
タキシーによってＧａＮ等の薄膜単結晶を形成した基板
が用いられていた。ところが、サファイア結晶とＧａＮ
系化合物半導体結晶とは格子不整合性が大きいので、サ
ファイア結晶上に成長させたＧａＮ系化合物半導体結晶
の転位密度が大きくなり結晶欠陥が発生してしまうとい
う問題があった。さらに、サファイアは熱伝導率が小さ
く放熱しにくいので、サファイア結晶上にＧａＮ系化合
物半導体結晶を成長させた基板を消費電力の大きい電子
デバイス等に用いると高温になりやすいという問題があ
った。
を成長させるのは困難であったため、上記電子デバイス
には、例えばサファイア等の異種結晶上へのヘテロエピ
タキシーによってＧａＮ等の薄膜単結晶を形成した基板
が用いられていた。ところが、サファイア結晶とＧａＮ
系化合物半導体結晶とは格子不整合性が大きいので、サ
ファイア結晶上に成長させたＧａＮ系化合物半導体結晶
の転位密度が大きくなり結晶欠陥が発生してしまうとい
う問題があった。さらに、サファイアは熱伝導率が小さ
く放熱しにくいので、サファイア結晶上にＧａＮ系化合
物半導体結晶を成長させた基板を消費電力の大きい電子
デバイス等に用いると高温になりやすいという問題があ
った。
【０００４】そこで、熱伝導率が大きくＧａＮ系化合物
半導体結晶と格子整合する基板の必要性が一層高まり、
ハイドライド気相成長法（以下、ＨＶＰＥと略する）を
利用したＥＬＯ（Epitaxial lateral overgrowth）法等
の研究が急速に進められた。ここでＥＬＯ法とは、例え
ばサファイア基板上にマスクとなる絶縁膜を形成し、該
絶縁膜の一部に開口部を設けて絶縁膜をマスクとし、露
出しているサファイア基板面をエピタキシャル成長の種
として結晶性の高いＧａＮ系化合物半導体結晶を成長さ
せる方法である。この方法によれば、マスクに設けられ
た開口部内側のサファイア基板表面からＧａＮ系化合物
半導体結晶の成長が始まりマスク上に成長層が広がって
いくので、結晶中の転位密度を小さく抑えることがで
き、結晶欠陥の少ないＧａＮ系化合物半導体結晶を得る
ことができる。
半導体結晶と格子整合する基板の必要性が一層高まり、
ハイドライド気相成長法（以下、ＨＶＰＥと略する）を
利用したＥＬＯ（Epitaxial lateral overgrowth）法等
の研究が急速に進められた。ここでＥＬＯ法とは、例え
ばサファイア基板上にマスクとなる絶縁膜を形成し、該
絶縁膜の一部に開口部を設けて絶縁膜をマスクとし、露
出しているサファイア基板面をエピタキシャル成長の種
として結晶性の高いＧａＮ系化合物半導体結晶を成長さ
せる方法である。この方法によれば、マスクに設けられ
た開口部内側のサファイア基板表面からＧａＮ系化合物
半導体結晶の成長が始まりマスク上に成長層が広がって
いくので、結晶中の転位密度を小さく抑えることがで
き、結晶欠陥の少ないＧａＮ系化合物半導体結晶を得る
ことができる。
【０００５】しかし、ＥＬＯ法により得られたＧａＮ系
化合物半導体結晶は熱歪みが大きいため、ウェハ製造工
程のポリッシングによりサファイア基板を除去して単体
のＧａＮ系化合物半導体結晶ウェハを得ようとすると、
ＧａＮ系化合物半導体結晶ウェハが歪んでしまうという
問題があった。そこで本発明者等は、異種結晶基板の材
料の一つとして希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結
晶を用い、且つその｛０１１｝面または｛１０１｝面を
成長面としてＧａＮ系化合物半導体をヘテロエピタキシ
ーによって成長させる方法を提案した（ＷＯ９５／２７
８１５号）。なお、ここでいう｛０１１｝面または｛１
０１｝面とは、それぞれ（０１１）面、（１０１）面と
等価な面の組を表す。
化合物半導体結晶は熱歪みが大きいため、ウェハ製造工
程のポリッシングによりサファイア基板を除去して単体
のＧａＮ系化合物半導体結晶ウェハを得ようとすると、
ＧａＮ系化合物半導体結晶ウェハが歪んでしまうという
問題があった。そこで本発明者等は、異種結晶基板の材
料の一つとして希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結
晶を用い、且つその｛０１１｝面または｛１０１｝面を
成長面としてＧａＮ系化合物半導体をヘテロエピタキシ
ーによって成長させる方法を提案した（ＷＯ９５／２７
８１５号）。なお、ここでいう｛０１１｝面または｛１
０１｝面とは、それぞれ（０１１）面、（１０１）面と
等価な面の組を表す。
【０００６】前記先願の成長技術によれば、例えば希土
類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトの一つであるＮｄＧａ
Ｏ３を基板として、その｛０１１｝面または｛１０１｝
面にＧａＮを成長させた場合、格子不整合を１．２％程
度とすることができる。この格子不整合の値はサファイ
アやその代替品として用いられるＳｉＣを基板とした場
合の格子不整合の値に比較して極めて小さい。したがっ
て、結晶中の転位密度が低くなるので結晶欠陥の少ない
ＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させることができる。
類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトの一つであるＮｄＧａ
Ｏ３を基板として、その｛０１１｝面または｛１０１｝
面にＧａＮを成長させた場合、格子不整合を１．２％程
度とすることができる。この格子不整合の値はサファイ
アやその代替品として用いられるＳｉＣを基板とした場
合の格子不整合の値に比較して極めて小さい。したがっ
て、結晶中の転位密度が低くなるので結晶欠陥の少ない
ＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記先
願の成長方法を利用してＮｄＧａＯ３基板上にＧａＮ結
晶厚膜を成長させた場合、ＧａＮ結晶を成長させた後の
降温過程において、ＮｄＧａＯ３基板とＧａＮ結晶厚膜
との熱膨張差によりＧａＮ結晶中に割れが生じるおそれ
があるという問題があることが明らかになった。本発明
は、ＧａＮ系化合物半導体結晶の成長工程においてＧａ
Ｎ結晶厚膜に割れが生じるのを有効に防止することがで
きるＧａＮ系化合物半導体結晶の成長方法を提供するこ
とを目的とする。
願の成長方法を利用してＮｄＧａＯ３基板上にＧａＮ結
晶厚膜を成長させた場合、ＧａＮ結晶を成長させた後の
降温過程において、ＮｄＧａＯ３基板とＧａＮ結晶厚膜
との熱膨張差によりＧａＮ結晶中に割れが生じるおそれ
があるという問題があることが明らかになった。本発明
は、ＧａＮ系化合物半導体結晶の成長工程においてＧａ
Ｎ結晶厚膜に割れが生じるのを有効に防止することがで
きるＧａＮ系化合物半導体結晶の成長方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、１または２種類以上の希土類元素を含む
希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶を基板として
その表面にＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させる方法
において、前記基板の厚さを２５０μｍ以下としたもの
である。すなわち、基板の厚さを薄くすることにより、
ＧａＮ系化合物半導体結晶の厚膜を成長させた後の降温
過程における基板側の膨張量を小さくして、熱膨張率の
差によりＧａＮ系化合物半導体結晶が基板から受ける応
力が小さくなるようにした。これにより、割れのない高
品質なＧａＮ系化合物半導体結晶を効率的に製造するこ
とができる。例えば、ＮｄＧａＯ３を基板として、その
表面にＧａＮ結晶を成長させる場合、厚さが２５０μｍ
以下のＮＧＯ基板を用いたときは、ＧａＮ結晶厚膜に割
れが生じる確率は５０％以下にすることができる。
成するために、１または２種類以上の希土類元素を含む
希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶を基板として
その表面にＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させる方法
において、前記基板の厚さを２５０μｍ以下としたもの
である。すなわち、基板の厚さを薄くすることにより、
ＧａＮ系化合物半導体結晶の厚膜を成長させた後の降温
過程における基板側の膨張量を小さくして、熱膨張率の
差によりＧａＮ系化合物半導体結晶が基板から受ける応
力が小さくなるようにした。これにより、割れのない高
品質なＧａＮ系化合物半導体結晶を効率的に製造するこ
とができる。例えば、ＮｄＧａＯ３を基板として、その
表面にＧａＮ結晶を成長させる場合、厚さが２５０μｍ
以下のＮＧＯ基板を用いたときは、ＧａＮ結晶厚膜に割
れが生じる確率は５０％以下にすることができる。
【０００９】また、基板の厚さを薄くするほど膨張量を
小さくできるので、基板の厚さを薄くした方がＧａＮ結
晶厚膜に応力による割れが生じるのを防止するのに有効
である。例えば、厚さが１２０μｍの基板を用いること
により、ＧａＮ厚膜に割れが生じる確率をほぼ０％にす
ることができる。ただし、基板の扱い安さの面から基板
の厚さは１００μｍ以上とするのが望ましく、さらに望
ましくは１２０μｍ以上とするのがよい。
小さくできるので、基板の厚さを薄くした方がＧａＮ結
晶厚膜に応力による割れが生じるのを防止するのに有効
である。例えば、厚さが１２０μｍの基板を用いること
により、ＧａＮ厚膜に割れが生じる確率をほぼ０％にす
ることができる。ただし、基板の扱い安さの面から基板
の厚さは１００μｍ以上とするのが望ましく、さらに望
ましくは１２０μｍ以上とするのがよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を、ＮｄＧａＯ３結晶を基板としてＧａＮ化合物半導体
結晶を成長させる場合について説明する。まず、ＮｄＧ
ａＯ３のインゴットをスライスして結晶成長用の基板と
した。このとき、ＮｄＧａＯ３基板の大きさは２インチ
径で、厚さを１２０μｍとした。次に、鏡面研磨したＮ
ｄＧａＯ３基板をアセトン中で５分間超音波洗浄を行
い、続けてメタノールで５分間超音波洗浄を行った。そ
の後、Ｎ２ガスでブローして液滴を吹き飛ばしてから自
然乾燥させた。次に、洗浄したＮｄＧａＯ３基板を硫酸
系エッチャント（燐酸：硫酸＝１：３、８０℃）で５分
間エッチングした。
を、ＮｄＧａＯ３結晶を基板としてＧａＮ化合物半導体
結晶を成長させる場合について説明する。まず、ＮｄＧ
ａＯ３のインゴットをスライスして結晶成長用の基板と
した。このとき、ＮｄＧａＯ３基板の大きさは２インチ
径で、厚さを１２０μｍとした。次に、鏡面研磨したＮ
ｄＧａＯ３基板をアセトン中で５分間超音波洗浄を行
い、続けてメタノールで５分間超音波洗浄を行った。そ
の後、Ｎ２ガスでブローして液滴を吹き飛ばしてから自
然乾燥させた。次に、洗浄したＮｄＧａＯ３基板を硫酸
系エッチャント（燐酸：硫酸＝１：３、８０℃）で５分
間エッチングした。
【００１１】次に、このＮｄＧａＯ３基板をハイドライ
ドＶＰＥ装置内の所定の部位に配置した後、Ｎ２ガスを
導入しながら基板温度を６２０℃まで昇温し、Ｇａメタ
ルとＨＣｌガスから生成されたＧａＣｌと、ＮＨ３ガス
とをＮ２キャリアガスを用いてＮｄＧａＯ３基板上に供
給し、約１００ｎｍのＧａＮ保護層を形成した。ＮｄＧ
ａＯ３は８００℃以上の高温でＮＨ３やＨ２と反応して
ネオジウム化合物を生成してしまうので、本実施形態で
はキャリアガスとしてＮ２を用い、成長温度を６２０℃
の低温で保護層を形成することによりネオジウム化合物
が生成されないようにしている。
ドＶＰＥ装置内の所定の部位に配置した後、Ｎ２ガスを
導入しながら基板温度を６２０℃まで昇温し、Ｇａメタ
ルとＨＣｌガスから生成されたＧａＣｌと、ＮＨ３ガス
とをＮ２キャリアガスを用いてＮｄＧａＯ３基板上に供
給し、約１００ｎｍのＧａＮ保護層を形成した。ＮｄＧ
ａＯ３は８００℃以上の高温でＮＨ３やＨ２と反応して
ネオジウム化合物を生成してしまうので、本実施形態で
はキャリアガスとしてＮ２を用い、成長温度を６２０℃
の低温で保護層を形成することによりネオジウム化合物
が生成されないようにしている。
【００１２】次に、基板温度を１０００℃に昇温し、Ｇ
ａメタルとＨＣｌガスから生成されたＧａＣｌと、ＮＨ
３ガスとをＮ２キャリアガスを用いてＮｄＧａＯ３基板
上に供給した。このとき、ＧａＣｌ分圧が５．０×１０
−３ａｔｍ、ＮＨ３分圧が３．０×１０−１ａｔｍとな
るようにそれぞれのガス導入量を制御しながら約４０μ
ｍ／ｈの成長速度で３００分間ＧａＮ化合物半導体結晶
を成長させた。
ａメタルとＨＣｌガスから生成されたＧａＣｌと、ＮＨ
３ガスとをＮ２キャリアガスを用いてＮｄＧａＯ３基板
上に供給した。このとき、ＧａＣｌ分圧が５．０×１０
−３ａｔｍ、ＮＨ３分圧が３．０×１０−１ａｔｍとな
るようにそれぞれのガス導入量を制御しながら約４０μ
ｍ／ｈの成長速度で３００分間ＧａＮ化合物半導体結晶
を成長させた。
【００１３】その後、キャリアガスをＮ２ガスからＨ２
ガスに切り替え、ガス分圧がＨ２９０％、ＮＨ３１０％
となるように調整して、１１時間熱処理を行った。この
熱処理により厚さ３５０μｍのＮｄＧａＯ３基板を還元
分解してすべて除去することができた。その後、冷却速
度５．３℃／ｍｉｎで９０分間冷却して膜厚が約６００
μｍで、２インチ径の割れのないＧａＮ厚膜結晶を得る
ことができた。さらに、２インチ径で、厚さを１２０μ
ｍのＮｄＧａＯ３基板を用いて、繰り返しＧａＮ厚膜結
晶を成長させたところ、結晶成長後の冷却工程にける割
れの発生確率はほぼ０％であった。
ガスに切り替え、ガス分圧がＨ２９０％、ＮＨ３１０％
となるように調整して、１１時間熱処理を行った。この
熱処理により厚さ３５０μｍのＮｄＧａＯ３基板を還元
分解してすべて除去することができた。その後、冷却速
度５．３℃／ｍｉｎで９０分間冷却して膜厚が約６００
μｍで、２インチ径の割れのないＧａＮ厚膜結晶を得る
ことができた。さらに、２インチ径で、厚さを１２０μ
ｍのＮｄＧａＯ３基板を用いて、繰り返しＧａＮ厚膜結
晶を成長させたところ、結晶成長後の冷却工程にける割
れの発生確率はほぼ０％であった。
【００１４】一方、従来のＧａＮ厚膜結晶の製造に用い
られていた２インチ径で、厚さが３７０μｍのＮｄＧａ
Ｏ３基板を用いてＧａＮ厚膜結晶を成長させた場合は、
結晶成長後の冷却工程にける割れの発生確率は約９０％
であった。また、本実施例で得られたＧａＮ厚膜結晶の
面方位を制御し、さらに鏡面加工を施して、例えば厚さ
３５０μｍに加工して半導体素子用の基板とすることに
より、素子特性に優れた半導体素子を製造することがで
きた。
られていた２インチ径で、厚さが３７０μｍのＮｄＧａ
Ｏ３基板を用いてＧａＮ厚膜結晶を成長させた場合は、
結晶成長後の冷却工程にける割れの発生確率は約９０％
であった。また、本実施例で得られたＧａＮ厚膜結晶の
面方位を制御し、さらに鏡面加工を施して、例えば厚さ
３５０μｍに加工して半導体素子用の基板とすることに
より、素子特性に優れた半導体素子を製造することがで
きた。
【００１５】以上、本発明者によってなされた発明を実
施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施
の形態に限定されるものではない。例えば、ＧａＮ化合
物半導体結晶を成長させる場合に制限されず、例えば、
ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ等のＧａＮ系化合物半導体結晶
の成長方法に適用しても同様の効果を得ることができ
る。また、基板として用いられる希土類１３（３Ｂ）族
ペロブスカイト結晶はＮｄＧａＯ３結晶に制限されず、
例えば、ＮｄＡｌＯ３，ＮｄＩｎＯ３等を用いることが
できる。
施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施
の形態に限定されるものではない。例えば、ＧａＮ化合
物半導体結晶を成長させる場合に制限されず、例えば、
ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ等のＧａＮ系化合物半導体結晶
の成長方法に適用しても同様の効果を得ることができ
る。また、基板として用いられる希土類１３（３Ｂ）族
ペロブスカイト結晶はＮｄＧａＯ３結晶に制限されず、
例えば、ＮｄＡｌＯ３，ＮｄＩｎＯ３等を用いることが
できる。
【００１６】また、ＧａＮ系化合物半導体結晶の成長条
件としては、ＧａＣｌ分圧が１．０×１０−３〜１．０
×１０−２ａｔｍ、ＮＨ３分圧が１．０×１０−１〜
４．０×１０−１ａｔｍ、成長速度が３０〜１００μｍ
／ｈ、成長温度が９３０〜１０５０℃、冷却速度が４〜
１０℃／ｍｉｎであることが望ましい。
件としては、ＧａＣｌ分圧が１．０×１０−３〜１．０
×１０−２ａｔｍ、ＮＨ３分圧が１．０×１０−１〜
４．０×１０−１ａｔｍ、成長速度が３０〜１００μｍ
／ｈ、成長温度が９３０〜１０５０℃、冷却速度が４〜
１０℃／ｍｉｎであることが望ましい。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、１または２種類以上の
希土類元素を含む希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト
結晶（例えば、ＮｄＧａＯ３）を基板としてその表面に
ＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させる方法において、
前記基板の厚さを２５０μｍ以下として、熱膨張率の差
によりＧａＮ厚膜結晶がＮＧＯ基板から受ける応力を小
さくなるようにしたので、ＧａＮ厚膜結晶に割れが生じ
るのを防止でき、生産効率が向上するという効果を奏す
る。
希土類元素を含む希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト
結晶（例えば、ＮｄＧａＯ３）を基板としてその表面に
ＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させる方法において、
前記基板の厚さを２５０μｍ以下として、熱膨張率の差
によりＧａＮ厚膜結晶がＮＧＯ基板から受ける応力を小
さくなるようにしたので、ＧａＮ厚膜結晶に割れが生じ
るのを防止でき、生産効率が向上するという効果を奏す
る。
フロントページの続き
(72)発明者 佐藤 賢次
埼玉県戸田市新曽南３丁目17番35号 株式
会社日鉱マテリアルズ戸田工場内
Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE15 DB05 EA02 ED06
EE04 EF03 HA02 HA06 TA04
TA07 TB04 TC13 TK01 TK10
5F041 AA40 AA41 CA40 CA46 CA64
5F045 AA03 AA06 AB14 AC12 AC15
AD13 AF05 BB08 BB13 CA09
5F052 CA01 KA01
Claims (2)
- 【請求項１】 １または２種類以上の希土類元素を含む
希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶を基板として
その表面にＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させる方法
において、 前記基板の厚さを２５０μｍ以下とすることを特徴とす
るＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法。 - 【請求項２】 前記希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイ
ト結晶基板は、ＮｄＧａＯ３結晶であることを特徴とす
る請求項１に記載のＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002017929A JP2003218043A (ja) | 2002-01-28 | 2002-01-28 | ＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法 |
| PCT/JP2002/011772 WO2003065429A1 (fr) | 2002-01-28 | 2002-11-12 | Procede de fabrication de cristal semi-conducteur a base de compose gan |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002017929A JP2003218043A (ja) | 2002-01-28 | 2002-01-28 | ＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003218043A true JP2003218043A (ja) | 2003-07-31 |
Family
ID=27653455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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