JP2013541491A - 相互に対して鋭角、直角、または鈍角を成す少なくとも2つの表面を有する種におけるiii族窒化物結晶のアモノサーマル成長法 - Google Patents
相互に対して鋭角、直角、または鈍角を成す少なくとも2つの表面を有する種におけるiii族窒化物結晶のアモノサーマル成長法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013541491A JP2013541491A JP2013536861A JP2013536861A JP2013541491A JP 2013541491 A JP2013541491 A JP 2013541491A JP 2013536861 A JP2013536861 A JP 2013536861A JP 2013536861 A JP2013536861 A JP 2013536861A JP 2013541491 A JP2013541491 A JP 2013541491A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- seed
- group iii
- iii nitride
- degrees
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/38—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
- C30B7/10—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by application of pressure, e.g. hydrothermal processes
- C30B7/105—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by application of pressure, e.g. hydrothermal processes using ammonia as solvent, i.e. ammonothermal processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
Abstract
Description
本願は、同時係属および共通譲受人のSiddha Pimputkar、James S.Speck、Shuji Nakamura、およびShin−ichiro Kawabataによる米国仮特許出願第61/408,444号(名称「AMMONOTHERMAL GROWTH OF GROUP−III NITRIDE CRYSTALS ON SEEDS WITH AT LEAST TWO SURFACES MAKING AN ACUTE OR OBTUSE ANGLE WITH EACH OTHER」、2010年10月29日出願、代理人整理番号30794.397−US−P1(2011−228−1))の米国特許法第119条第(e)項の利益を主張し、この出願の開示は、その全体が本明細書に参照によって援用される。
本発明は、相互に対して鋭角、直角、または鈍角を成す、少なくとも2つの表面を有する種におけるIII族窒化物結晶のアモノサーマル成長法に関する。
III族窒化物、例えば、窒化ガリウム(GaN)のアモノサーマル成長法は、反応器容器内に、III族含有原料、III族窒化物種晶、および窒素含有流体またはガス、例えば、アンモニアを留置し、次いで、容器を密閉し、反応器が、高温(23°Cから1000°Cまで)および高圧力(1atmから、例えば、30,000atmまで)にあるような条件まで容器を加熱することを伴う。これらの温度および圧力下、窒素含有流体は、超臨界流体となり、通常、溶液中へのIII族窒化物材料の溶解度向上を呈する。
本発明は、相互に対して、1つ以上のIII族窒化物結晶の2つ以上の隣接する暴露結晶学的平面(すなわち、表面)を配列し、それによって、これらの平面が、アモノサーマル法を使用して、定常状態で成長することを可能にする。2つの隣接する暴露表面間の角度は、好ましくは、0度を上回り、180度未満であり、すなわち、鋭角、90度(直角)、または鈍角のいずれかであり、それによって、限定するものではないが、第3のより遅い成長平面が出現する可能性を低減させる。
a)アモノサーマルまたはソルボサーマル方法を使用して、全体的成長率を向上させ、かつ結晶塊を増加させ、電子/光電子市場において使用するための基板の生成効率の上昇およびコスト削減を可能にすること
b)持続的成長率において、結晶から側方に成長させることによって、結晶品質を改良すること
c)側方に成長させることによって、結晶の結晶学的平面の曲率を改良する(すなわち、曲率を低下させる)こと
d)異なる化学組成物、不純物濃度、およびドーピング濃度の結晶を生成すること
e)不純物、ドーピング剤、または合金化要素と考えられ得る、化学種の取り込みを修飾すること
f)化学種の取り込みの制御および/または欠陥形成の制御を通して、結晶の光学、電気、磁気特性を修飾すること
g)成長結晶内の欠陥の生成または組み込みを修飾する(欠陥は、先鋭、線形、延在、平面、または体積欠陥であり得る)こと
h)種増殖、すなわち、あるサイズの1つの高品質種が、利用可能である時、同じサイズの複数の種を急速に産生することができること
を提供する。
本発明は、単一GaN結晶のアモノサーマル成長法において見られる、結果として生じる定常状態ファセットと異なる平面上において、単一GaN結晶の継続的な定常状態成長を可能にすることによって、既存の最先端技術を改良する。これは、相互に対して0度を上回り、180度未満である角度、すなわち、鋭角、90度(直角)、または鈍角のいずれかである角度を成す少なくとも2つの表面を含むように、初期開始種晶または複数の種晶を幾何学的に修飾することによって行われる。
図5は、相互に対して0度を上回り、180度未満である、すなわち、鋭角、90度(直角)、または鈍角のいずれかの角度を成す少なくとも2つの暴露表面を有する少なくとも1つのIII族種晶上に成長させられる、III族窒化物結晶を備える結晶を加工するための方法を例示する、流れ図である。
・Si、Mg、Al、In、Fe等の異なる欠陥、不純物、または化学種濃度・転位、空孔、体積欠陥、または積層欠陥等、より低い欠陥濃度
・酸素、遷移金属、炭素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはハロゲン等、より低い化学物質または化学化合物濃度
・SiまたはMg等、より高い化学物質または化学化合物濃度
・電子または正孔を備えるより高い自由キャリア濃度・電子または正孔を備えるより低い自由キャリア濃度
・少なくとも1つの波長に対するより優れた吸収係数
・ある結晶学的平面に対するより大きな曲率半径
・種晶より高い結晶品質
・より少ない粒子
・同一環境における、拡大成長後のより高い成長率
を含む、開始種晶によって呈されるものとは異なるいくつかの特性を呈する。
本発明に対する多くの修正および変形例が可能である。本発明は、アモノサーマル法を使用するように示されるが、他のバルク結晶成長技法も、同様に使用されてもよい。例えば、ナトリウムフラックス法等、フラックスベースの技法が、使用されてもよい。
用語「窒化物」、「III窒化物」、または「III族窒化物」は、本明細書において使用されるように、化学式AlwBxGayInzN(ここで、0≦w≦l、0≦x≦l、0≦y≦l、およびO≦z≦l)を有する(Al,B,Ga,In)N半導体の任意の合金組成物を指す。これらの用語は、単一種、Al、B、Ga、およびInの個別の窒化物、ならびにそのようなIII族金属種の二価、三価、および四価組成物を含むように広義に解釈されることが意図される。故に、GaNおよびInGaN材料を参照する以下の本発明の議論は、種々の他の(Al,B,Ga,In)N材料種の形成にも適用可能であることを理解されるであろう。さらに、本発明の範囲内の(Al,B,Ga,In)N材料はさらに、微量のドーパントおよび/または他の不純物あるいは含有材料を含んでもよい。
以下の参考文献は、参照することによって本明細書に組み込まれる。
ここで、本発明の好ましい実施形態の説明を結論付ける。本発明の1つ以上の実施形態についての上述の説明は、例示および説明の目的のために提示されている。本発明を包括的または開示されるまさにその形態に限定することを意図するものではない。多くの修正例および変形例が、上述の教示に照らして可能である。本発明の範囲は、本発明を実施するための形態によってではなく、本明細書に添付の請求項によって限定されることが意図される。
Claims (33)
- 結晶であって、
該結晶は、少なくとも1つの開始種晶上に成長させられるIII族窒化物結晶を備え、該少なくとも1つの開始種晶は、相互に対して0度を上回り、180度未満である角度を成す少なくとも2つの暴露表面を有する、結晶。 - 前記暴露表面は、凹状表面を形成する、請求項1に記載の結晶。
- 前記開始種晶は、環構造を形成する、請求項1に記載の結晶。
- 前記暴露表面は、前記環構造のa−平面ファセットである、請求項3に記載の結晶。
- 前記暴露表面は、前記環構造の{11−22}、{11−20}、{10−11}、{10−1−1}、{11−21}、{11−2−2}、または{11−2−1}ファセットである、請求項3に記載の結晶。
- 前記暴露表面は、前記III族窒化物結晶内に合体される、請求項1に記載の結晶。
- 複数の開始種晶が存在し、該開始種晶の各々は、暴露表面を有し、該開始種晶は、該開始種晶のうちの隣接するものの暴露表面が、相互に対して0度を上回り、180度未満である角度を成すように配列される、請求項1に記載の結晶。
- 前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶と異なる欠陥濃度を含有する、請求項1に記載の結晶。
- 前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶と異なる不純物濃度を含有する、請求項1に記載の結晶。
- 前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶と異なる化学種濃度を含有する、請求項1に記載の結晶。
- 前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶と異なる自由キャリア濃度を有する、請求項1に記載の結晶。
- 前記III族窒化物結晶は、少なくとも1つの波長に対して、前記開始種晶と異なる吸収係数を有する、請求項1に記載の結晶。
- 前記III族窒化物結晶は、ある結晶学的平面に対して、前記開始種晶よりも大きな曲率半径を有する、請求項1に記載の結晶。
- 前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶よりも高い結晶品質を有する、請求項1に記載の結晶。
- 前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶より少ない粒子を有する、請求項1に記載の結晶。
- 前記III族窒化物結晶は、同一環境において、拡大成長後に、前記開始種晶よりも大きい成長率で成長させられる、請求項1に記載の結晶。
- 結晶を生成する方法であって、該方法は、
少なくとも1つの開始種晶上に成長させることによってIII族窒化物結晶を産生することを備え、該少なくとも1つの開始種晶は、相互に対して0度を上回り、180度未満である角度を成す少なくとも2つの暴露表面を有する、方法。 - 前記III族窒化物結晶は、アモノサーマル、フラックス、または他のバルク結晶成長技法を使用して産生される、請求項17に記載の方法。
- 前記暴露表面は、凹状表面を形成する、請求項17に記載の方法。
- 前記開始種晶は、環構造を形成する、請求項17に記載の方法。
- 前記暴露表面は、前記環構造のa−平面ファセットである、請求項20に記載の方法。
- 前記暴露表面は、前記環構造の{11−22}、{11−20}、{10−11}、{10−1−1}、{11−21}、{11−2−2}、または{11−2−1}ファセットである、請求項20に記載の方法。
- 前記暴露表面は、前記III族窒化物結晶内に合体される、請求項17に記載の方法。
- 複数の開始種晶が存在し、該開始種晶の各々は、暴露表面を有し、該開始種晶は、該開始種晶のうちの隣接するものの暴露表面が、相互に対して0度を上回り、180度未満である角度を成すように配列される、請求項17に記載の方法。
- 前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶と異なる欠陥濃度を含有する、請求項17に記載の方法。
- 前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶と異なる不純物濃度を含有する、請求項17に記載の方法。
- 前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶と異なる化学種濃度を含有する、請求項17に記載の方法。
- 前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶と異なる自由キャリア濃度を有する、請求項17に記載の方法。
- 前記III族窒化物結晶は、少なくとも1つの波長に対して、前記開始種晶と異なる吸収係数を有する、請求項17に記載の方法。
- 前記III族窒化物結晶は、ある結晶学的平面に対して、前記開始種晶よりも大きな曲率半径を有する、請求項17に記載の方法。
- 前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶よりも高い結晶品質を有する、請求項17に記載の方法。
- 前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶よりも少ない粒子を有する、請求項17に記載の方法。
- 前記III族窒化物結晶は、同一環境において、拡大成長後に、前記開始種晶よりも大きい成長率で成長させられる、請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US40844410P | 2010-10-29 | 2010-10-29 | |
US61/408,444 | 2010-10-29 | ||
PCT/US2011/058261 WO2012058524A1 (en) | 2010-10-29 | 2011-10-28 | Ammonothermal growth of group-iii nitride crystals on seeds with at least two surfaces making an acute, right or obtuse angle with each other |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013541491A true JP2013541491A (ja) | 2013-11-14 |
Family
ID=45994420
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013536861A Pending JP2013541491A (ja) | 2010-10-29 | 2011-10-28 | 相互に対して鋭角、直角、または鈍角を成す少なくとも2つの表面を有する種におけるiii族窒化物結晶のアモノサーマル成長法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9133564B2 (ja) |
EP (1) | EP2633103B1 (ja) |
JP (1) | JP2013541491A (ja) |
KR (1) | KR20140068793A (ja) |
CN (1) | CN103189548A (ja) |
WO (1) | WO2012058524A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9834859B2 (en) * | 2012-01-11 | 2017-12-05 | Osaka University | Method for producing group III nitride crystal, group III nitride crystal, and semiconductor device |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6256521B1 (en) * | 1997-09-16 | 2001-07-03 | Ut-Battelle, Llc | Preferentially oriented, High temperature superconductors by seeding and a method for their preparation |
US20010007238A1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-12 | Peter Krempl | Method for the growing of single crystals |
JP2004200523A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Showa Denko Kk | 発光素子、その製造方法およびledランプ |
US20040189184A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-09-30 | Showa Denko K.K. | Light-emitting device, method of fabricating the device, and LED lamp using the device |
WO2006057463A1 (en) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | Ammono Sp. Z O.O. | Nitride single crystal seeded growth in supercritical ammonia with alkali metal ion |
JP2006160568A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物の結晶成長方法およびiii族窒化物結晶および半導体デバイス |
JP2007053251A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Ngk Insulators Ltd | Iii族窒化物結晶の形成方法、積層体、およびエピタキシャル基板 |
JP2008308401A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-12-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | Iii族窒化物半導体結晶の製造方法、iii族窒化物半導体基板および半導体発光デバイス |
US20090081857A1 (en) * | 2007-09-14 | 2009-03-26 | Kyma Technologies, Inc. | Non-polar and semi-polar GaN substrates, devices, and methods for making them |
WO2009090821A1 (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-23 | National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology | Al系III族窒化物単結晶層を有する積層体の製造方法、該製法で製造される積層体、該積層体を用いたAl系III族窒化物単結晶基板の製造方法、および、窒化アルミニウム単結晶基板 |
JP2009167053A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の成長方法 |
US20090309105A1 (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Edward Letts | Methods for producing improved crystallinity group III-nitride crystals from initial group III-Nitride seed by ammonothermal Growth |
JP2010515655A (ja) * | 2007-01-09 | 2010-05-13 | モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド | 結晶性組成物、ウェハ及び半導体構造 |
JP2010222188A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Furukawa Co Ltd | Iii族窒化物半導体層の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4192966B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2008-12-10 | 住友電気工業株式会社 | 窒化ガリウムの結晶成長方法 |
US20070280872A1 (en) * | 2001-09-19 | 2007-12-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of growing gallium nitride crystal and gallium nitride substrate |
EP1518009B1 (en) | 2002-06-26 | 2013-07-17 | Ammono S.A. | Process for obtaining of bulk monocrystalline gallium-containing nitride |
-
2011
- 2011-10-28 EP EP11837148.3A patent/EP2633103B1/en not_active Not-in-force
- 2011-10-28 CN CN2011800525748A patent/CN103189548A/zh active Pending
- 2011-10-28 US US13/283,862 patent/US9133564B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-28 WO PCT/US2011/058261 patent/WO2012058524A1/en active Application Filing
- 2011-10-28 JP JP2013536861A patent/JP2013541491A/ja active Pending
- 2011-10-28 KR KR1020137013704A patent/KR20140068793A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6256521B1 (en) * | 1997-09-16 | 2001-07-03 | Ut-Battelle, Llc | Preferentially oriented, High temperature superconductors by seeding and a method for their preparation |
US20010007238A1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-12 | Peter Krempl | Method for the growing of single crystals |
JP2004200523A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Showa Denko Kk | 発光素子、その製造方法およびledランプ |
US20040189184A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-09-30 | Showa Denko K.K. | Light-emitting device, method of fabricating the device, and LED lamp using the device |
WO2006057463A1 (en) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | Ammono Sp. Z O.O. | Nitride single crystal seeded growth in supercritical ammonia with alkali metal ion |
JP2006160568A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物の結晶成長方法およびiii族窒化物結晶および半導体デバイス |
JP2007053251A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Ngk Insulators Ltd | Iii族窒化物結晶の形成方法、積層体、およびエピタキシャル基板 |
JP2010515655A (ja) * | 2007-01-09 | 2010-05-13 | モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド | 結晶性組成物、ウェハ及び半導体構造 |
JP2008308401A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-12-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | Iii族窒化物半導体結晶の製造方法、iii族窒化物半導体基板および半導体発光デバイス |
US20090081857A1 (en) * | 2007-09-14 | 2009-03-26 | Kyma Technologies, Inc. | Non-polar and semi-polar GaN substrates, devices, and methods for making them |
WO2009090821A1 (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-23 | National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology | Al系III族窒化物単結晶層を有する積層体の製造方法、該製法で製造される積層体、該積層体を用いたAl系III族窒化物単結晶基板の製造方法、および、窒化アルミニウム単結晶基板 |
JP2009167053A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の成長方法 |
US20090309105A1 (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Edward Letts | Methods for producing improved crystallinity group III-nitride crystals from initial group III-Nitride seed by ammonothermal Growth |
JP2010222188A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Furukawa Co Ltd | Iii族窒化物半導体層の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103189548A (zh) | 2013-07-03 |
EP2633103A4 (en) | 2014-06-11 |
EP2633103A1 (en) | 2013-09-04 |
WO2012058524A1 (en) | 2012-05-03 |
KR20140068793A (ko) | 2014-06-09 |
EP2633103B1 (en) | 2015-07-29 |
US9133564B2 (en) | 2015-09-15 |
US20120164386A1 (en) | 2012-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI554658B (zh) | Production method of aluminum nitride crystal | |
JP6333427B2 (ja) | Iii族窒化物結晶を成長させる方法 | |
JP5270348B2 (ja) | 有機金属化学気相成長法による半極性(Al,In,Ga,B)Nの成長促進法 | |
KR20060045834A (ko) | 비극성 a면 질화물 반도체 단결정 기판 및 이의 제조방법 | |
TWI604512B (zh) | 非極性三族氮化物膜、使用其製造之裝置及生長其之方法 | |
CN107338477B (zh) | 氮化物结晶基板的制造方法以及结晶生长用基板 | |
JP2015529190A5 (ja) | ||
JP5293591B2 (ja) | Iii族窒化物半導体の製造方法、およびテンプレート基板 | |
US9443727B2 (en) | Semi-polar III-nitride films and materials and method for making the same | |
KR20100067114A (ko) | 비극성 및 반극성 질화물 기판들의 면적을 증가하기 위한 방법 | |
JP6526811B2 (ja) | Iii族窒化物結晶を加工する方法 | |
JP5774476B2 (ja) | 六方晶系ウルツ鉱単結晶 | |
JP5293592B2 (ja) | Iii族窒化物半導体の製造方法およびテンプレート基板 | |
JP2013541491A (ja) | 相互に対して鋭角、直角、または鈍角を成す少なくとも2つの表面を有する種におけるiii族窒化物結晶のアモノサーマル成長法 | |
US20130099180A1 (en) | Use of alkaline-earth metals to reduce impurity incorporation into a group-iii nitride crystal grown using the ammonothermal method | |
US20120063987A1 (en) | Group-iii nitride crystal ammonothermally grown using an initially off-oriented non-polar or semi-polar growth surface of a group-iii nitride seed crystal | |
Li et al. | Evolution of V-pits in the ammonothermal growth of GaN on HVPE-GaN seeds | |
Wang et al. | Evolution of microstructure, stress and dislocation of AlN thick film on nanopatterned sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy | |
JP2013193915A (ja) | Iii族窒化物半導体単結晶の製造方法 | |
Li et al. | Defect reduction via selective lateral epitaxy of Gan on an innovative masked structure with serpentine channels | |
Teisseyre et al. | Characterization of the nonpolar GaN substrate obtained by multistep regrowth by hydride vapor phase epitaxy | |
KR101660734B1 (ko) | 질화물 반도체 박막 성장 방법 | |
KR101149041B1 (ko) | 질화갈륨 기판의 제조 장치 및 그 제조 방법 | |
WO2013010121A1 (en) | Method for improving the transparency and quality of group-iii nitride crystals ammonothermally grown in a high purity growth environment | |
JP2013199412A (ja) | Iii族窒化物半導体結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140812 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150203 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150420 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150728 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20151119 |