JP2006160568A - Iii族窒化物の結晶成長方法およびiii族窒化物結晶および半導体デバイス - Google Patents
Iii族窒化物の結晶成長方法およびiii族窒化物結晶および半導体デバイス Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、種結晶28のc面にIII族窒化物結晶29を成長させた後、該III族窒化物結晶29を種結晶28のc面の法線方向(0001)とは異なる方向<10−10>へさらに結晶成長させる。
【選択図】 図5
Description
本発明の第1の形態は、少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、種結晶上にIII族窒化物結晶を成長させた後、該III族窒化物結晶が結晶成長した種結晶の所定の結晶面の法線方向とは異なる方向へ、該III族窒化物結晶をさらに結晶成長させることを特徴としている。
本発明の第2の形態は、第1の形態のIII族窒化物の結晶成長方法において、種結晶のc面にIII族窒化物結晶を成長させた後、該III族窒化物結晶を種結晶のc面の法線方向とは異なる方向へさらに結晶成長させることを特徴としている。
本発明の第3の形態は、第2の形態のIII族窒化物の結晶成長方法において、種結晶のc面の法線方向とは異なる方向は、<10−10>方向であることを特徴としている。
本発明の第4の形態は、第1の形態のIII族窒化物の結晶成長方法において、種結晶の{10−10}面にIII族窒化物結晶を成長させた後、該III族窒化物結晶を種結晶の{10−10}面の法線方向とは異なる方向へさらに結晶成長させることを特徴としている。
本発明の第5の形態は、第4の形態のIII族窒化物の結晶成長方法において、種結晶の{10−10}面の法線方向と異なる方向は、[000−1]方向であることを特徴としている。
本発明の第6の形態は、第1乃至第5のいずれかの形態のIII族窒化物の結晶成長方法において、前記種結晶は、基板上に結晶成長して作製されたIII族窒化物単結晶であることを特徴としている。
本発明の第7の形態は、第1乃至第6のいずれかの形態のIII族窒化物の結晶成長方法で作製されたIII族窒化物結晶である。
本発明の第8の形態は、第7の形態のIII族窒化物結晶を用いた半導体デバイスである。
12 融液保持容器
13 ヒーター
14 ガス供給管
15,18,21 バルブ
16,19 圧力調整器
17 窒素供給管
20 アルゴン供給管
22 圧力計
23 内部空間
24 融液保持容器保持台
25 融液
26,28,30 GaN種結晶
27,29,31,33 成長したGaN結晶
32 テンプレート基板
40 n型GaN層
41 n型Al0.2Ga0.8Nクラッド層
42 n型GaN光ガイド層
43 In0.05Ga0.95N/In0.15Ga0.85N量子井戸活性層
44 p型GaN光ガイド層
45 p型Al0.2Ga0.8Nクラッド層
46 p型GaNキャップ層
47 絶縁膜
48 p側のオーミック電極
49 n側のオーミック電極
50 n型GaN基板
51 電流狭窄リッジ導波路構造
400 積層構造
401,402 光共振器面
411,412 レーザー光
Claims (8)
- 少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、種結晶上にIII族窒化物結晶を成長させた後、該III族窒化物結晶が結晶成長した種結晶の所定の結晶面の法線方向とは異なる方向へ、該III族窒化物結晶をさらに結晶成長させることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
- 請求項1記載のIII族窒化物の結晶成長方法において、種結晶のc面にIII族窒化物結晶を成長させた後、該III族窒化物結晶を種結晶のc面の法線方向とは異なる方向へさらに結晶成長させることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
- 請求項2記載のIII族窒化物の結晶成長方法において、種結晶のc面の法線方向とは異なる方向は、<10−10>方向であることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
- 請求項1記載のIII族窒化物の結晶成長方法において、種結晶の{10−10}面にIII族窒化物結晶を成長させた後、該III族窒化物結晶を種結晶の{10−10}面の法線方向とは異なる方向へさらに結晶成長させることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
- 請求項4記載のIII族窒化物の結晶成長方法において、種結晶の{10−10}面の法線方向と異なる方向は、[000−1]方向であることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のIII族窒化物の結晶成長方法において、前記種結晶は、基板上に結晶成長して作製されたIII族窒化物単結晶であることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載のIII族窒化物の結晶成長方法で作製されたIII族窒化物結晶。
- 請求項7記載のIII族窒化物結晶を用いた半導体デバイス。
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