TWI554658B - Production method of aluminum nitride crystal - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 111
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 73
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 43
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 5
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 91
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 90
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
- C30B9/04—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/12—Liquid-phase epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
- C30B19/04—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux the solvent being a component of the crystal composition
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
- C30B9/04—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
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- C30B9/10—Metal solvents
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
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- H01L21/02455—Group 13/15 materials
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- H01L21/02521—Materials
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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- H01L33/005—Processes
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Description
本發明係關於一種以液相成長法(LPE)使AlN磊晶成長之氮化鋁結晶的製造方法。本申請案係以在日本國2010年7月14日所申請之日本專利申請案編號特願2010-159973、2010年1月25日所申請之日本專利申請案編號特願2011-012770、及2011年3月8日所申請之日本專利申請案編號特願2011-050415為基礎而主張優先權者,藉由參照此申請,於本申請案所授用。
紫外線發光元件係被廣泛著眼作為螢光燈之替代、高密度DVD、生化學用雷射、以光觸媒分解有毒物質、He-Cd雷射、水銀燈的替代等次世代的光源。此紫外線發光元件係由被稱為線路間隙半導體之AlGaN系氮化物半導體所構成,被層合於如表1所示之藍寶石、4H-SiC、GaN等之異種基板上。
但,藍寶石係因與AlGaN之格子不整合大,存在許多之貫通移位,成為非發光再結合中心而明顯降低內部量子效率。又,4H-SiC及GaN係格子整合性高,但昂貴。又,4H-SiC及GaN係分別吸收波長380nm及365nm以下之紫外線。
然而,AlN係格子常數與AlGaN接近,至200nm之紫外線區域為透明,故不吸收所發光之紫外線,可有效率地取出紫外光至外部。亦即,藉由使用AlN單結晶作為基板而使AlGaN系發光元件準均質磊晶成長,可製作抑制結晶之缺陷密度至很低之紫外光發光元件。
現在,藉HVPE法(氫化物氣相成長法)、液相成長法、昇華再結晶法等之方法嘗試製作AlN之塊體單結晶。例如,於專利文獻1中係已揭示一種在III族氮化物結晶之液相成長法中,為增加氮對助焊劑之溶解量,施加壓力,於助焊劑中添加鈉等之鹼金屬。又,於專利文獻2中係已揭示於Al融液中注入含有氮原子之氣體,製造AlN微結晶之方法。
但,使用上述專利文獻1、2之技術而製造AlN結晶時,必須為高的成長溫度,無法得到滿足有關成本及結晶品質者。
[專利文獻1]特開2004-224600號公報
[專利文獻2]特開平11-189498號公報
本發明係有鑑於如此之習知情況所提出者,提供一種廉價且品質佳之氮化鋁結晶的製造方法。
本案發明人等係經專心研究之結果,發現藉由使用Ga-Al合金融液作為液相成長法之助焊劑,AlN可以低溫結晶成長,可得到可承繼基板表面之結晶性且具有Al極性之良好的AlN結晶。
亦即,本發明之氫化鋁結晶之製造方法,其特徵係於Ga-Al合金融液中導入含有N原子之氣體,於該Ga-Al合金融液中之結晶種基板上使氮化鋁結晶磊晶成長。
又,本發明之結晶基板,其特徵係於形成於氮化藍寶石基板之氮極性的氮化鋁膜上,使Al極性的氮化鋁結晶磊晶成長而成。
若依本發明,可使良質之AlN結晶以低溫成長,並可降低製造成本。又,若依本發明,可於具有氮極性之氮化藍寶石基板上使具有Al極性之AlN結晶成長。因此,對於目前所使用之具有Al極性的基板使用最適化之MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法的成長條件,可製作於LED(Light Emitting Diode)或LD(Laser Diode)裝置所需之多重量子井構造。
以下,一邊參照圖面,一邊以下述順序詳細說明本發明之實施形態。
本發明之概要
氮化鋁結晶之製造方法
實施例
〈本發明之概要〉
本案發明人等係報告在氮環境下之GaN的微分熱重量測定結果(清水圭一,平成14年東京工業大學大學院理工學研究科物質科學專攻碩士論文)。
圖1係表示GaN及GaN+Ga之氮環境中的重量變化之溫度依存性的圖表。微分熱重量測定係在N2(太陽東洋酸素公司製、純度99.99995Vol%)環境下進行。於試料中係使用GaN粉末(昭和化學公司製,純度99mass%)及GaN+Ga(Nilaco公司製、純度99.9999mass%),以溫度1075K至5K/分之昇溫速度進行測定。
從圖1所示之測定結果可知,在1300K左右之溫度中引起GaN之急劇重量減少。此重量減少係表示GaN試料分解成金屬Ga與氮氣。又,急劇之分解反應係在Ga+GaN試料時(b)較僅GaN試料時(a)低50K左右的溫度產生。
又,圖2係Ga與Al之二元合金狀態圖(參照H. Okamoto,Desk Handbook: Phase Diagrams for Binary Alloys,Asm International(2000)p31)。從圖2可知,使用Ga與Al之混合物之助焊劑,助焊劑的液相線溫度成為Al之融點(660℃)以下。
本案發明人等係依據如此之見識,發現使用Ga-Al合金融液作為液相成長法中之助焊劑,AlN可在低溫結晶成長,可得到承繼基板表面之結晶性的良好AlN結晶。
亦即,本實施形態之具體例所示的氮化鋁結晶之製造方法,其係於Ga-Al合金融液中導入含有N原子之氣體,於Ga-Al合金融液中之結晶種基板上使氮化鋁結晶磊晶成長。藉此,AlN可在低溫結晶成長,不須要具備特別耐熱設備之昂貴爐,故可降低製造成本。又,可承繼基板表面之良好結晶性且於氮極性之基板上使具有Al極性之良好的AlN結晶成長。
〈2.氮化鋁結晶之製造方法〉
其次,說明有關本實施形態之氮化鋁結晶的製造方法。
圖3係表示AlN結晶製造裝置的構成例之圖。此AlN結晶製造裝置係具備氣體導入管1、坩鍋2、加熱坩鍋2內之晶種基板3及Ga-Al合金融液4之加熱器5、排氣管6、與熱電偶7。
氣體導入管1係可上下移動,前端可插入於坩鍋2內之Ga-Al合金融液4中。亦即,可以含氮的氣體使Ga-Al合金融液4起泡。坩鍋2係可使用耐高溫性者,可使用例如氧化鋁、氧化鋯等之陶瓷。
晶種基板3係與AlN結晶格子不整合率小之格子整合基板,可使用例如使AlN薄膜形成於表面之氫化藍寶石基板、SiC基板、GaN基板等。其中,藉由使用氮化藍寶石基板,可使承繼表面良好之結晶性的AlN均質磊晶成長。氮化藍寶石基板係可藉由例如特開2005-104829號公報、特開2006-213586號公報、特開2007-39292號公報等所揭示之方法來得到。具體地係例如以氮分壓0.9atm/CO分壓0.1atm保持c面藍寶石基板1小時後,以氮分壓1atm保持5小時,可得到AlN薄膜的結晶性優異之氮化藍寶石基板。此氮化藍寶石基板係表面之AlN膜為c軸配向單結晶膜且具有以氮封端之氮極性。
又,於晶種基板3使用氮化藍寶石基板時,宜預先以900℃以上1500℃以下之溫度進行氮化藍寶石基板的退火處理。進行退火處理,即使於AlN薄膜存在旋轉區域時,亦可促進區域之再排列,成為c軸配向之單區域。
Ga-Al合金融液4係Ga與Al之莫耳比率為在99:1~1:99的範圍。其中,從低溫成長及結晶性之觀點,宜Ga與Al之莫耳比率為在98:2~40:60的範圍者,更宜在98:2~50:50的範圍者。
含氮之氣體係可使用N2、NH3等,但從安全性之觀點,宜使用N2。又,含氮之氣體之氮氣分壓一般為0.01MPa以上、1MPa以下。
繼而,說明有關AlN結晶之製造方法。首先,Ga及Al在不形成化合物之環境(例如氬氣)中開始昇溫,達到Al之融點後,於Ga-Al合金融液4中注入含氮之氣體。繼而,使坩鍋2內之Ga-Al合金融液4的溫度保持於1000℃以上1500℃以下,使晶種基板3浸漬於Ga-Al合金融液4中,於晶種基板3上生成AlN結晶。
於晶種基板3使用氮化藍寶石基板時係使氮化藍寶石基板浸漬於Ga-Al合金融液4中之前,保持在融液4正上方,可使氮化藍寶石基板之退火處理在AlN結晶製造裝置內實施。退火處理時之基板溫度係在融液4正上方保持基板,故與融液4同等。
此處,藉由使Ga-Al合金融液4之溫度為1000℃以上,所注入之氮氣與融液中之鎵及鋁分別化合所生成之GaN及AlN之微結晶中,GaN微結晶解離,分解成鎵與氮。因此,不阻礙AlN結晶成長。又,AlN結晶之融點為2000℃以上,1500℃以下係安定。
又,AlN結晶係即使在1氣壓之常壓條件亦可成長,氮的溶解度小時係亦可加壓。
經過特定時間後,從Ga-Al合金融液4取出晶種基板3,進行徐冷。或,使晶種基板3浸漬於Ga-Al合金融液4中直接進行徐冷至鋁單體之融點660℃,徐冷中亦可生成AlN結晶。
如以上說明般,於液相成長法之助焊劑使用低融點且高沸點之鎵與鋁,於助焊劑中注入氬氣,可以遠低於氮化鋁之融點的溫度,使AlN結晶液相成長。
又,若依此AlN結晶製造方法,不須要此等之氣體精製、排氣處理等之設備,又,不須要加壓反應容器,裝置構成很簡單,故可謀求成本刪減。又,鎵已知為容易回收之元素,以回收助焊劑,對節省能源及環境保護亦有貢獻。
又,此AlN結晶製造方法係不須要以MOVPE(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)法所使用之昂貴有機金屬氣體、或HVPE(Halide Vapor Phase Epitaxy)法所使用之氯氣或氯化氫氣體作為原料,故很安全。
〈3.實施例〉
以下,使用量施例而說明本發明,但本發明係不限定於此等之實施例。
[實施例1]
首先,以氮分壓0.9atm/CO分壓0.1atm保持c面藍寶石基板1小時後,以氮分壓1.0 atm保持5小時,可得到氮化藍寶石基板。對於已c軸配向之AlN結晶,傾斜成分(垂直於結晶試料面之方向的結晶面之擺動)之結晶性係以AlN結晶(002)面之X線繞射擺動曲線(rocking curve)的半寬值表示,扭轉成分(於結晶試料面之旋轉方向的擺動)之結晶性係以AlN結晶(102)面之擺動曲線的半寬值表示。AlN結晶(002)面傾斜之半寬值為83arcsec,AlN結晶(102)面扭轉係407arcsec。
其次,使由鎵與鋁之莫耳比率為70:30的Ga-Al合金融液所構成之助焊劑在氬氣中昇溫,達到鋁之融點後,於助焊劑中以20cc/分之流速吹入0.1MPa之氮氣。繼而,使坩鍋內之助焊劑的溫度保持於1300℃,在常壓下使上述氮化鋁基板浸漬於助焊劑中。經過29小時後,使上述氮化藍寶石基板浸漬於助焊劑中直接進行徐冷,生成氮化鋁結晶。
圖4係表示X線繞射之測定結果的圖表。觀察AlN(002)面與藍寶石(006)面之c面譜峯,但起因於GaN及金屬Ga之譜峯未被觀察到。AlN結晶(002)面傾斜之半寬值為288arcsec,(102)面扭轉之半寬值係670arcsec。
又,圖5係表示磊晶成長後之晶種基板截面的SEM觀察照片。
AlN結晶之膜厚為2μm,可使承繼氮化藍寶石基板上之氮化膜的品質之配向性高的良好AlN結晶磊晶成長1μm以上。
圖6A係以透過電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope)觀察氮化藍寶石基板與磊晶成長之AlN結晶的截面之照片。又,圖6B係放大藍寶石氮化層與LPE層之界面的TEM觀察照片。於氮化藍寶石基板上係觀察藉由使基板氮化所形成之AlN膜,進一步於其上磊晶成長之AlN膜。
對於此等之AlN膜,可確認出藉CBED(Covergent-beam electron diffraction)法判定極性後,藉由使藍寶石基板氮化所形成之AlN膜係具有氮極性,但於其上磊晶成長之AlN膜係Al極性。亦即,可知在氮化藍寶石基板之AlN膜與已磊晶成長之AlN膜之界面極性反轉。
[實施例2]
除使用AlN結晶(002)面傾斜之半寬值為36arcsec、(102)面扭轉之半寬值為461arcsec之氮化藍寶石基板,在常壓下使此氮化鋁基板浸漬於助焊劑中5小時以外,其餘係與實施例1同樣做法而生成氮化鋁結晶。AlN結晶(002)面傾斜之半寬值為79arcsec、(102)面扭轉之半寬值為576arcsec。又,AlN之結晶之膜厚為0.7μm。又,判定已磊晶成長之AlN膜的極性之結果為Al極性。
[實施例3]
除使用AlN結晶(002)面傾斜之半寬值為36arcsec、(102)面扭轉之半寬值為461arcsec之氫化藍寶石基板,在常壓下使此氮化鋁基板浸漬於鎵與鋁之莫耳比率為60:40之助焊劑中5小時以外,其餘係與實施例1同樣做法而生成氮化鋁結晶。AlN結晶(002)面傾斜之半寬值為50arcsec、(102)面扭轉之半寬值為544arcsec。又,AlN之結晶之膜厚為1.0μm。又,判定已磊晶成長之AlN膜的極性之結果為Al極性。
[實施例4]
除使用AlN結晶(002)面傾斜之半寬值為54arcsec、(102)面扭轉之半寬值為439arcsec之氮化藍寶石基板,在常壓下使此氮化鋁基板浸漬於鎵與鋁之莫耳比率為50:50之助焊劑中5小時以外,其餘係與實施例1同樣做法而生成氮化鋁結晶。AlN結晶(002)面傾斜之半寬值為68arcsec、(102)面扭轉之半寬值為698arcsec。又,AlN之結晶之膜厚為0.3μm。又,判定已磊晶成長之AlN膜的極性之結果為Al極性。
[實施例5]
除使用AlN結晶(002)面傾斜之半寬值為43arcsec、(102)面扭轉之半寬值為443arcsec之氮化藍寶石基板,在常壓下使此氮化鋁基板浸漬於鎵與鋁之莫耳比率為40:60之助焊劑中5小時以外,其餘係與實施例1同樣做法而生成氮化鋁結晶。AlN結晶(002)面傾斜之半寬值為374arcsec、(102)面扭轉之半寬值係896arcsec。又,AlN之結晶之膜厚為1.2μm。又,判定已磊晶成長之AlN膜的極性之結果為Al極性。
[實施例6]
使鎵與鋁之莫耳比率為98:2之助焊劑在氬氣中昇溫,達到鋁之融點後,於爐內以20cc/分之流速吹入0.1MPa之氮氣。繼而,使坩鍋內之助焊劑的溫度保持於1200℃,在常壓下使AlN結晶(002)面傾斜之半寬值為57arcsec、(102)面扭轉之半寬值為392arcsec之氮化藍寶石基板浸漬於助焊劑中。經過6小時後,使氮化鋁基板浸漬於助焊劑中取出進行徐冷,生成氮化鋁結晶。使AlN結晶(002)面傾斜之半寬值為238arcsec、(102)面扭轉之半寬值為417arcsec。又,AlN結晶之膜厚為1.2μm。又,判定已磊晶成長之AlN膜的極性之結果為Al極性。
於表2中表示實施例1~6之實驗條件及AlN結晶膜的評估一覽。從此等之結果,藉由使用Ga與Al之莫耳比為98:2~40:60的Ga-Al合金融液作為助焊劑,AlN可在低溫結晶成長,且於承繼基板表面之結晶性且氮極性之基板上可得到具有Al極性之良好的AlN結晶。尤其,若依Ga與Al之莫耳比為98:2~50:50的範圍之助焊劑,可得到AlN結晶(002)面傾斜之半寬值為300arsec以下之優異的AlN結晶。又,可知藉由於助焊劑中注入(起泡)氮氣,即使在常壓亦可得到優異的AlN結晶。
[實施例7]
其次,就磊晶成長之AlN膜的評估而言,進行移位解析及極性判定。於移位之觀察及極性判定的試料中,使用Ga與Al之莫耳比為60:40的Ga-Al合金融液作為助焊劑,使用以1300℃、5小時於氮化藍寶石基板上成長的AlN膜。藉X線搖擺曲線測定評估此AlN膜之結晶性的結果,X線之搖擺曲線之半寬值就0002繞射為50arcsec,就10-12繞射為590arcsec。
AlN之螺旋及刃狀移位的布格向量(Burgers Vector)係分別表示為bs=[0001]、be=1/3[11-20]。若使繞射面之逆格子向量作為g,g‧bs=0、及g‧be=0時,分別可得到螺旋及刃狀移位之對比度未顯現的像。在本實施例中係為激發g=[0002]繞射線,僅使電子束之入射角從試料之[11-20]方向稍傾斜,在2波條件下取得明視野像。同樣地,g=[10-10]及g=[10-12]繞射線之2波條件下亦取得明視野像,比較此等之像,以決定移位種。
又,以CBED法進行AlN膜之極性判定係電子束從試料之[11-20]方向入射。極性係與依模擬所得到之圖型比較進行判定。
於圖7A中使用g=[0002]、圖7B中使用g=[10-10]及圖7C中使用g=[10-12]之繞射線的2波條件下顯示明視野像。於圖7B及圖7C可看到之貫通移位線在圖7A之像中完全消失。從此比較,於圖7A~圖7C之視野內可看到的移位係全部為刃狀移位,螺旋移位相較於刃狀移位,可知極少。此係與從XRC之半寬值所推測的結果一致。
又,於圖8A及圖8B一併表示於實驗所得到之CBED圖型與模擬圖型。圖8A係使依藍寶石氮化法所得到之AlN層、圖8B係表示依LPE(液相磊晶)而成長之AlN層的像。此結果,可知藍寶石氮化層係氮極性,但LPE層係極性反轉,成為Al極性。
[實施例8]
使氮化鋁基板浸漬於Ga與Al之莫耳比率為60:40之助焊劑前,在Ga-Al合金融液之正上方3cm的位置保持2小時以外,其餘係與實施例3同樣做法而生成氮化鋁結晶。保持於Ga-Al合金融液之正上方的氮化鋁基板之溫度為1300℃。
於氮化鋁基板上成長之AlN結晶(002)面傾斜之半寬值為208arcsec、(102)面扭轉之半寬值為668arcsec。又,AlN結晶之膜厚為1.0μm。又,判定已磊晶成長之AlN膜的極性之結果係Al極性,以於實施例3可看到之c軸作為軸之約1度偏移的旋轉區域係不存在。認為藉退火效果,氮化鋁基板之AlN薄膜已進行單區域化者。
1...氣體導入管
2...坩堝
3...晶種基板
4...Ga-Al溶融液
5...加熱器
6...排氣管
7...熱電偶
圖1係表示GaN及GaN+Ga之氮環境中的重量變化之溫度依存性之圖表。
圖2係Ga與Al之二元合金狀態圖。
圖3係表示AlN結晶製造裝置的構成例之圖。
圖4係表示X線繞射之測定結果的圖表。
圖5係表示磊晶成長後之晶種基板截面的SEM觀察照片。
圖6A係表示藍寶石氮化層與LPE層之截面的TEM觀察照片。圖6B係放大藍寶石氮化層與LPE層之界面的TEM觀察照片。
圖7A係表示使用逆格子向量g=[0002]的繞射線之2波條件下的藍寶石氮化層與LPE層之截面的明視野像TEM觀察照片。圖7B係表示使用逆格子向量g=[10-10]的繞射線之2波條件下的藍寶石氮化層與LPE層之截面的明視野像TEM觀察照片。圖7C係表示使用逆格子向量g=[10-12]的繞射線之2波條件下的藍寶石氮化層與LPE層之截面的明視野像TEM觀察照片。
圖8A係使依藍寶石氮化法所得到之AlN層的CBED圖形及模擬圖型一併表示之模式圖。圖8B係表示依LPE(液相磊晶)而成長之AlN層的CBED圖形及模擬圖型一併表示之模式圖。
1...氣體導入管
2...坩堝
3...晶種基板
4...Ga-Al溶融液
5...加熱器
6...排氣管
7...熱電偶
Claims (11)
- 一種氮化鋁結晶之製造方法,其係於Ga-Al合金融液中導入含有N原子之氣體,於該Ga-Al合金融液中之結晶種基板上使氮化鋁結晶磊晶成長。
- 如申請專利範圍第1項之氮化鋁結晶之製造方法,其中前述結晶種基板為氮化藍寶石基板。
- 如申請專利範圍第2項之氮化鋁結晶之製造方法,其中使前述氮化藍寶石基板以900℃以上1500℃以下之溫度退火處理。
- 如申請專利範圍第2或3項之氮化鋁結晶之製造方法,其中於前述氮化藍寶石基板所形成之氮極性的氮化鋁膜上,使Al極性的氮化鋁結晶磊晶成長。
- 如申請專利範圍第4項之氮化鋁結晶之製造方法,其中一邊於前述Ga-Al合金融液中注入N2氣體,一邊使氮化鋁結晶磊晶成長。
- 如申請專利範圍第5項之氮化鋁結晶之製造方法,其中使前述Ga-Al合金融液之溫度為1000℃以上1500℃以下,使氮化鋁結晶磊晶成長。
- 如申請專利範圍第6項之氮化鋁結晶之製造方法,其中前述Ga-Al合金融液之Ga與Al之莫耳比為在98:2~40:60的範圍。
- 如申請專利範圍第2項之氮化鋁結晶之製造方法,其中一邊於前述Ga-Al合金融液中注入N2氣體,一邊使氮化鋁結晶磊晶成長。
- 如申請專利範圍第8項之氮化鋁結晶之製造方法,其中使前述Ga-Al合金融液之溫度為1000℃以上1500℃以下,使氮化鋁結晶磊晶成長。
- 如申請專利範圍第8或9項之氮化鋁結晶之製造方法,其中前述Ga-Al合金融液之Ga與Al之莫耳比為在98:2~40:60的範圍。
- 一種結晶基板,其係於藉由導入含有N原子之氣體而形成於氮化藍寶石基板之氮極性的氮化鋁膜上,使Al極性的氮化鋁結晶磊晶成長而成。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010159973 | 2010-07-14 | ||
JP2011012770 | 2011-01-25 | ||
JP2011050415A JP5656697B2 (ja) | 2010-07-14 | 2011-03-08 | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201221708A TW201221708A (en) | 2012-06-01 |
TWI554658B true TWI554658B (zh) | 2016-10-21 |
Family
ID=45469540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100124976A TWI554658B (zh) | 2010-07-14 | 2011-07-14 | Production method of aluminum nitride crystal |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8735905B2 (zh) |
EP (1) | EP2594666B1 (zh) |
JP (1) | JP5656697B2 (zh) |
KR (1) | KR101733838B1 (zh) |
CN (1) | CN103052739B (zh) |
TW (1) | TWI554658B (zh) |
WO (1) | WO2012008545A1 (zh) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5865728B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2016-02-17 | 住友金属鉱山株式会社 | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 |
JP6235398B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2017-11-22 | 住友金属鉱山株式会社 | 窒化アルミニウム結晶の製造方法及び製造装置 |
JP6189664B2 (ja) * | 2013-07-29 | 2017-08-30 | 住友金属鉱山株式会社 | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 |
JP6159245B2 (ja) * | 2013-12-18 | 2017-07-05 | 住友金属鉱山株式会社 | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 |
US10100426B2 (en) * | 2014-03-18 | 2018-10-16 | Ricoh Company, Ltd. | Method for producing gallium nitride crystal |
JP6373615B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2018-08-15 | 住友金属鉱山株式会社 | 窒化アルミニウム結晶の製造方法及び製造装置 |
JP6362378B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2018-07-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 |
JP6491488B2 (ja) * | 2015-01-30 | 2019-03-27 | 住友金属鉱山株式会社 | エピタキシャル成長用基板及びその製造方法 |
JP6362555B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2018-07-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 |
USD768694S1 (en) | 2015-02-27 | 2016-10-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display screen or portion thereof with animated graphical user interface |
TWI576311B (zh) * | 2015-10-14 | 2017-04-01 | 國立清華大學 | 一種生產氮化鋁的鐵介質熔湯法及其生產設備 |
USD791828S1 (en) | 2015-12-23 | 2017-07-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display screen or portion thereof with graphical user interface |
CN105489723B (zh) * | 2016-01-15 | 2018-08-14 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 氮化物底层及其制作方法 |
CN107305918B (zh) * | 2016-04-21 | 2019-04-12 | 元鸿(山东)光电材料有限公司 | 用于紫外光发光二极管的基板及该基板的制造方法 |
WO2019189378A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム板 |
CN109994377A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-07-09 | 北京大学 | 一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用 |
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KR102345481B1 (ko) | 2019-12-30 | 2022-01-03 | 주식회사 씽크풀 | 인공지능 기반의 종목연관 키워드 결정방법 및 그 시스템 |
KR102517743B1 (ko) | 2019-12-30 | 2023-04-05 | 주식회사 씽크풀 | 인공지능 기반의 투자지표 결정방법 및 그 시스템 |
KR102686760B1 (ko) | 2020-11-26 | 2024-07-19 | 주식회사 씽크풀 | 인공지능 기반의 이슈 금융종목 결정방법 및 그 시스템 |
KR20230078153A (ko) | 2021-11-26 | 2023-06-02 | 주식회사 씽크풀 | 인공지능 기반의 예약주문 관리방법 및 그 시스템 |
CN114318502A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-12 | 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 | AlGaN材料的生长方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3533938B2 (ja) | 1997-06-11 | 2004-06-07 | 日立電線株式会社 | 窒化物結晶の製造方法、混合物、液相成長方法、窒化物結晶、窒化物結晶粉末、および気相成長方法 |
US6270569B1 (en) * | 1997-06-11 | 2001-08-07 | Hitachi Cable Ltd. | Method of fabricating nitride crystal, mixture, liquid phase growth method, nitride crystal, nitride crystal powders, and vapor phase growth method |
JP2004224600A (ja) | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Iii族窒化物基板の製造方法および半導体装置 |
CN100368604C (zh) * | 2003-03-17 | 2008-02-13 | 财团法人大阪产业振兴机构 | 第ⅲ族元素氮化物单晶的制备方法和其中使用的设备 |
US7338555B2 (en) * | 2003-09-12 | 2008-03-04 | Tokuyama Corporation | Highly crystalline aluminum nitride multi-layered substrate and production process thereof |
JP4481118B2 (ja) * | 2003-09-12 | 2010-06-16 | 株式会社トクヤマ | 高結晶性窒化アルミニウム積層基板の製造方法 |
US20080008642A1 (en) * | 2004-08-24 | 2008-01-10 | Osaka University | Process For Producing Aluminum Nitride Crystal And Aluminum Nitride Crystal Obtained Thereby |
CN100582324C (zh) * | 2004-09-16 | 2010-01-20 | 日本碍子株式会社 | Ain单晶的制造方法以及ain单晶 |
JP4441415B2 (ja) * | 2005-02-07 | 2010-03-31 | 国立大学法人東京工業大学 | 窒化アルミニウム単結晶積層基板 |
JP4591183B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2010-12-01 | 住友金属工業株式会社 | AlN単結晶の製造方法 |
JP4877712B2 (ja) | 2005-08-04 | 2012-02-15 | 国立大学法人東北大学 | 窒化アルミニウム単結晶積層基板および窒化アルミニウム単結晶膜の製造方法 |
JP2008266607A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-11-06 | Nippon Shokubai Co Ltd | イソインドール類重合体の製造方法 |
JP5224713B2 (ja) * | 2007-04-19 | 2013-07-03 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 |
JPWO2009090821A1 (ja) * | 2008-01-16 | 2011-05-26 | 国立大学法人東京農工大学 | Al系III族窒化物単結晶層を有する積層体の製造方法、該製法で製造される積層体、該積層体を用いたAl系III族窒化物単結晶基板の製造方法、および、窒化アルミニウム単結晶基板 |
JP5467328B2 (ja) | 2009-01-06 | 2014-04-09 | パナソニック株式会社 | 流量計測装置 |
JP5522625B2 (ja) | 2009-08-31 | 2014-06-18 | 株式会社ニデック | 眼内レンズ |
JP2011012770A (ja) | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Aisin Ai Co Ltd | トランスミッションのリバースアイドラギヤ |
-
2011
- 2011-03-08 JP JP2011050415A patent/JP5656697B2/ja active Active
- 2011-07-14 KR KR1020137003253A patent/KR101733838B1/ko active IP Right Grant
- 2011-07-14 EP EP11806875.8A patent/EP2594666B1/en active Active
- 2011-07-14 TW TW100124976A patent/TWI554658B/zh active
- 2011-07-14 CN CN201180034602.3A patent/CN103052739B/zh active Active
- 2011-07-14 WO PCT/JP2011/066146 patent/WO2012008545A1/ja active Application Filing
- 2011-07-14 US US13/809,261 patent/US8735905B2/en active Active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2594666A1 (en) | 2013-05-22 |
US8735905B2 (en) | 2014-05-27 |
EP2594666A4 (en) | 2014-04-09 |
WO2012008545A1 (ja) | 2012-01-19 |
JP2012167001A (ja) | 2012-09-06 |
KR101733838B1 (ko) | 2017-05-08 |
CN103052739B (zh) | 2015-08-19 |
TW201221708A (en) | 2012-06-01 |
US20130187170A1 (en) | 2013-07-25 |
CN103052739A (zh) | 2013-04-17 |
EP2594666B1 (en) | 2017-05-10 |
KR20140003377A (ko) | 2014-01-09 |
JP5656697B2 (ja) | 2015-01-21 |
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