JP4591183B2 - AlN単結晶の製造方法 - Google Patents
AlN単結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4591183B2 JP4591183B2 JP2005128206A JP2005128206A JP4591183B2 JP 4591183 B2 JP4591183 B2 JP 4591183B2 JP 2005128206 A JP2005128206 A JP 2005128206A JP 2005128206 A JP2005128206 A JP 2005128206A JP 4591183 B2 JP4591183 B2 JP 4591183B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aln
- single crystal
- seed crystal
- crystal substrate
- nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本発明は、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、およびNiから選択された1種以上からなる金属MとAlとからなるM−Al合金融液に、またはこれにさらにSiを添加したM−Si−Al合金融液に、溶解により該融液に窒素を供給する窒化物を接触させた状態で、AlNと格子整合性を有する種結晶基板を接触させ、前記種結晶基板上にAlNをエピタキシャル成長させることを特徴とする、AlN単結晶の製造方法である。
使用した結晶育成(成長)炉は高周波誘導加熱炉であり、これは、高周波コイルとの位置関係や断熱材を適宜使用することによって、融液表面近傍で50℃/cmの温度勾配が形成されるよう予め調整しておいた。高さ200mm、外径50mm、内径40mmの円筒形の黒鉛容器の中に、Si3N4焼結体で構成された、高さ40mm、外径39mm、内径30mmの内坩堝を挿入した。
単結晶育成炉として使用した高周波誘導加熱炉は、高周波コイルとの位置関係や断熱材を適宜使用することによって、融液表面近傍で均熱帯が形成されるよう予め調整しておいた。高さ200mm、外径50mm、内径40mmの円筒形黒鉛容器の底部にSi3N4焼結体から構成された径39mm、厚さ5mmの円盤を挿入した。
結晶育成炉として使用した高周波誘導加熱炉は、高周波コイルとの位置関係や断熱材を適宜使用することにより、融液表面近傍で50℃/cmの温度勾配が形成されるよう予め調整しておいた。高さ200mm、外径50mm、内径40mmの円筒形の黒鉛容器内に窒化物焼結体で構成されている径39mm、厚さ5mmの円盤を挿入した。ここで、窒化物焼結体としては、Si3N4、BN、AlN、またはTiNの焼結体を使用した。
結晶育成炉として使用した高周波誘導加熱炉は、高周波コイルとの位置関係や断熱材を適宜使用することにより、融液表面近傍で50℃/cmの温度勾配が形成されるよう予め調整しておいた。高さ200mm、外径50mm、内径40mmの円筒形の黒鉛容器内にSi3N4焼結体で構成された、高さ40mm、外径39mm、内径30mmの内坩堝を挿入した。
Claims (8)
- Cr、Mn、Fe、Co、Cu、およびNiから選択された1種以上からなる金属MとAlとからなるM−Al合金融液に、溶解により該融液に窒素を供給する窒化物を接触させた状態で、AlNと格子整合性を有する種結晶基板を接触させ、前記種結晶基板上にAlNをエピタキシャル成長させることを特徴とする、AlN単結晶の製造方法。
- Cr、Mn、Fe、Co、Cu、およびNiから選択された1種以上からなる金属MとAlとSiとからなるM−Al−Si合金融液に、溶解により該融液に窒素を供給する窒化物を接触させた状態で、AlNと格子整合性を有するSiC単結晶からなる種結晶基板を接触させ、前記種結晶基板上にAlNをエピタキシャル成長させることを特徴とする、AlN単結晶の製造方法。
- 前記合金融液中の金属Mの合計モル濃度を[M]、Alのモル濃度を[Al]とするとき、0.2≦[Al]/[M]≦1.0の関係を満たす、請求項1または2記載のAlN単結晶の製造方法。
- 前記合金融液中のSiのモル濃度を[Si]とするとき、0.13≦[Si]/[M]≦0.32の関係をさらに満たす、請求項2または3記載のAlN単結晶の製造方法。
- 前記窒化物が、Si3N4、AlN、BN、およびTiNから選択された1種以上である、請求項1〜4のいずれかに記載のAlN単結晶の製造方法。
- 前記合金融液の周囲雰囲気が窒素を含有する非酸化性雰囲気である、請求項1〜5のいずれかに記載のAlN単結晶の製造方法。
- 前記AlNのエピタキシャル成長が、合金融液に設けた温度勾配により達成される、請求項1〜6のいずれかに記載のAlN単結晶の製造方法。
- 前記AlNのエピタキシャル成長が、少なくとも種結晶基板周辺を均熱状態に保持しながら合金融液を冷却することにより達成される、請求項1〜6のいずれかに記載のAlN単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005128206A JP4591183B2 (ja) | 2005-04-26 | 2005-04-26 | AlN単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005128206A JP4591183B2 (ja) | 2005-04-26 | 2005-04-26 | AlN単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006306638A JP2006306638A (ja) | 2006-11-09 |
JP4591183B2 true JP4591183B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=37473960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005128206A Expired - Fee Related JP4591183B2 (ja) | 2005-04-26 | 2005-04-26 | AlN単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4591183B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4861953B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2012-01-25 | 日本碍子株式会社 | 窒化物単結晶の製造方法 |
JP5656697B2 (ja) | 2010-07-14 | 2015-01-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 |
JP5896470B2 (ja) * | 2012-11-16 | 2016-03-30 | 国立大学法人名古屋大学 | AlN単結晶の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60122797A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 |
JP2003505331A (ja) * | 1999-07-22 | 2003-02-12 | クリー インコーポレイテッド | 溶融体からの窒化アルミニウムのバルク単結晶の成長 |
JP2004189549A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 |
JP2005082439A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Sumitomo Metal Ind Ltd | AlN単結晶の製造方法 |
-
2005
- 2005-04-26 JP JP2005128206A patent/JP4591183B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60122797A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 |
JP2003505331A (ja) * | 1999-07-22 | 2003-02-12 | クリー インコーポレイテッド | 溶融体からの窒化アルミニウムのバルク単結晶の成長 |
JP2004189549A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 |
JP2005082439A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Sumitomo Metal Ind Ltd | AlN単結晶の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006306638A (ja) | 2006-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7637998B2 (en) | Method for producing single crystal silicon carbide | |
JP4853449B2 (ja) | SiC単結晶の製造方法、SiC単結晶ウエハ及びSiC半導体デバイス | |
JP4647525B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP5304793B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
US8287644B2 (en) | Method for growing silicon carbide single crystal | |
JP4100228B2 (ja) | 炭化珪素単結晶とその製造方法 | |
JP5068423B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶ウェハ及びその製造方法 | |
WO2011024931A1 (ja) | SiC単結晶ウエハーとその製造方法 | |
JP4561000B2 (ja) | 炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法 | |
US7520930B2 (en) | Silicon carbide single crystal and a method for its production | |
JP5218348B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
KR101152857B1 (ko) | 탄화규소 단결정의 성장방법 | |
JP2007261844A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP4595909B2 (ja) | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 | |
JP4591183B2 (ja) | AlN単結晶の製造方法 | |
JP2010077023A (ja) | 炭化珪素単結晶及びその製造方法 | |
JP4151528B2 (ja) | AlN単結晶の製造方法 | |
JP4089398B2 (ja) | AlN単結晶の製造方法 | |
WO2003087440A1 (fr) | Monocristal de carbure de silicium et procede de fabrication correspondant | |
JP2000256091A (ja) | 単結晶SiCの液相育成方法 | |
JP2006069861A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP4720672B2 (ja) | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 | |
RU2369669C2 (ru) | Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев нитрида галлия | |
WO2017086449A1 (ja) | SiC単結晶の製造方法及びSiC単結晶インゴット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070521 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090908 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100316 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100817 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100830 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4591183 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |