JP6235398B2 - 窒化アルミニウム結晶の製造方法及び製造装置 - Google Patents
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Description
先ず、c面サファイア基板を窒素分圧0.9atm/CO分圧0.1atm、温度1500℃で1時間保持した後、窒素分圧1.0atmで5時間保持し、窒化サファイア基板を得た。
実施例2では、図4に示すようにガス導入管の保持部と、第1の押さえ部材及び保持プレートとの間にスペーサを介在させて傾斜角度が10度となるように保持プレートを傾けたこと以外は実施例1と同様にして窒化アルミニウム結晶を生成させた。結果、エピタキシャル成長したAlN結晶の膜厚は3.8μmであった。また、窒化サファイア基板上の窒化アルミニウム膜の品質を受け継いだ配向性の高い良好なAlN結晶をエピタキシャル成長させることが確認できた。
比較例1では、保持プレートを逆さまにせず、サファイア基板が上側となるように保持プレートを配置したこと以外は、実施例1と同様にして窒化アルミニウム結晶を生成させた。その結果、AlN結晶はシード基板上に1μm程度しか成長していなかった。
比較例2では、保持プレートを傾斜角度15度となるように大きく傾けたこと以外は実施例2と同様にして窒化アルミニウム結晶を成長させた。結果、AlN結晶はあまり成長せず、シード基板表面に侵食が見られた。
Claims (7)
- Ga−Al合金融液中において、N原子を含有するガスを供給する供給口より高い位置にシード基板が配置されるように該シード基板を保持プレートで下側に保持し、上記保持プレートを傾斜角度が0度より大きく15度未満となるように傾け、該シード基板上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする窒化アルミニウム結晶の製造方法。
- 上記保持プレートを回転させることを特徴とする請求項1に記載の窒化アルミニウム結晶の製造方法。
- 上記保持プレートの回転数は、40rpm以下であることを特徴とする請求項2に記載の窒化アルミニウム結晶の製造方法。
- Ga−Al合金融液を収容した坩堝と、
先端の供給口が上記Ga−Al合金融液に挿入され、該Ga−Al合金融液にN原子を含有するガスを供給するガス導入管と、上記ガス導入管の先端より高い位置にシード基板が配置されるように該シード基板を下側に保持した保持プレートとを有し、上記保持プレートは、傾斜角度が0度より大きく15度未満となるように傾けて上記ガス導入管に設けられていることを特徴とする窒化アルミニウム結晶の製造装置。 - 上記保持プレートは、円盤状に形成され、中心に上記ガス導入管が貫通し、該ガス導入管の供給口が該保持プレートよりも下に位置していることを特徴とする請求項4に記載の窒化アルミニウム結晶の製造装置。
- 上記保持プレートが上記ガス導入管に対して回転可能に取り付けられていることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の窒化アルミニウム結晶の製造装置。
- 上記ガス導入管は、先端に、円盤状に形成され、上記保持プレートを保持する保持部を有し、上記保持プレートに形成された凹部に嵌め込まれたシード基板を押さえる押さえ部材を介して、上記保持プレートが上記保持部材上に置かれていることを特徴とする請求項4乃至請求項6のいずれか1項に記載の窒化アルミニウム結晶の製造装置。
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