JP4867981B2 - GaN結晶の成長方法 - Google Patents
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- C30B29/406—Gallium nitride
Description
B. Lucznik, 他6名 ,"Deposition of thick GaN layers by HVPE on the pressure grown GaN substrates", Journal of Crystal Growth, 281,(2005),pp38-46
図1を参照して、本実施形態において準備される第1のIII族窒化物結晶10は、アルカリ金属元素の濃度が1.0×1018cm-3未満である。かかる第1のIII族窒化物結晶10の主面10mの全面上には、1100℃より高い雰囲気温度においても、第2のIII族窒化物結晶20が成長する。
図1を参照して、本実施形態のIII族窒化物結晶の成長方法は、HVPE法により、1100℃より高い雰囲気温度で、第1のIII族窒化物結晶10の主面10m上に、第2のIII族窒化物結晶20を成長させる工程を備える。
1.第1のIII族窒化物結晶の準備
図2を参照して、直径2インチ(5.08cm)のGaNテンプレート基板(下地基板1)((0001)サファイア基板(基礎基板1b)上にMOCVD法により厚さ2000nmのGaN種結晶(III族窒化物種結晶1a)が形成されたもの。以下同じ。)を、その主面1mが露出するように、坩堝(成長容器210)内に配置した。次いで、純度99.9質量%の金属Ga(III族金属元素)を坩堝(成長容器210)内に配置した。ここで、金属Gaの質量は、金属Gaが融解して融液13となったときに、融液13の表面13mからGaNテンプレート基板(下地基板1)の主面1mまでの深さが5mmとなる質量とした。
図1を参照して、自立GaN結晶A(第1のIII族窒化物結晶10)を反応室110内の結晶ホルダ119上に配置した。原料ガス導入部の雰囲気温度(GaClガス(III族金属元素原料ガス)生成温度に相当)が850℃、結晶成長部の雰囲気温度(結晶成長温度に相当)が1120℃、HClガス21の流量が100ml/min、NH3ガス(窒素原料ガス25)の流量が250ml/min、キャリアガスはN2ガスを用いて総ガス流量4000ml/minの条件を7時間保持して、自立GaN結晶A(第1のIII族窒化物結晶10)の主面10m上に厚さ1400μmのGaN結晶A(第2のIII族窒化物結晶20)を成長させた。結晶成長速度は200μm/hであった。
1.第1のIII族窒化物結晶の準備
実施例1と同様にして厚さ600μmの板状の自立GaN結晶B(第1のIII族窒化物結晶10)を得た。意図的に成長条件などを変更しておらず、結晶中に混入したアルカリ金属元素の濃度差の原因は明確はではない(おそらく金属Ga中に不純物として含まれるアルカリ金属元素濃度のバラツキに由来するものと思われる)が、得られた自立GaN結晶B(第1のIII族窒化物結晶10)のアルカリ金属元素の濃度は5.0×1016cm-3であった。
上記の自立GaN結晶B(第1のIII族窒化物結晶10)の主面10m上に、実施例1と同様にして、厚さ1400μmのGaN結晶B(第2のIII族窒化物結晶20)を成長させた。結晶成長速度は200μm/hであった。自立GaN結晶B(第1のIII族窒化物結晶10)の主面10mの全面上にGaN結晶B(第2のIII族窒化物結晶20)が成長していた。また、成長したGaN結晶B(第2のIII族窒化物結晶20)の結晶成長表面には、一部に粗い部分があり、成長異常結晶領域が5箇所認められた。
1.第1のIII族窒化物結晶の準備
実施例1と同様にして厚さ600μmの板状の自立GaN結晶C(第1のIII族窒化物結晶10)を得た。意図的に成長条件などを変更しておらず、結晶中に混入したアルカリ金属元素の濃度差の原因は明確はではない(おそらく金属Ga中に不純物として含まれるアルカリ金属元素濃度のバラツキに由来するものと思われる)が、得られた自立GaN結晶C(第1のIII族窒化物結晶10)の元素の濃度は7.0×1017cm-3であった。
上記の自立GaN結晶C(第1のIII族窒化物結晶10)の主面10m上に、実施例1と同様にして、厚さ1400μmのGaN結晶C(第2のIII族窒化物結晶20)を成長させた。結晶成長速度は200μm/hであった。自立GaN結晶C(第1のIII族窒化物結晶10)の主面10mの全面上にGaN結晶C(第2のIII族窒化物結晶20)が成長していた。また、成長したGaN結晶C(第2のIII族窒化物結晶20)の結晶成長表面には、一部に粗い部分があり、成長異常結晶領域が28箇所認められた。
1.第1のIII族窒化物結晶の準備
実施例1と同様にして厚さ600μmの板状の自立GaN結晶D(第1のIII族窒化物結晶10)を得た。意図的に成長条件などを変更しておらず、結晶中に混入したアルカリ金属元素の濃度差の原因は明確はではない(おそらく金属Ga中に不純物として含まれるアルカリ金属元素濃度のバラツキに由来するものと思われる)が、得られた自立GaN結晶D(第1のIII族窒化物結晶10)のアルカリ金属元素の濃度は1.1×1018cm-3であった。
上記の自立GaN結晶D(第1のIII族窒化物結晶10)の主面10m上に、実施例1と同様にして、厚さ1400μmのGaN結晶D(第2のIII族窒化物結晶20)を成長させた。結晶成長速度は200μm/hであった。自立GaN結晶D(第1のIII族窒化物結晶10)の主面10m上にGaN結晶D(第2のIII族窒化物結晶20)が成長していないことを肉眼で確認できる結晶非成長領域が3箇所認められた。かかる結晶非成長領域は1mm〜10mm程度の直径を有していた。また、成長したGaN結晶D(第2のIII族窒化物結晶20)の結晶成長表面には、一部に粗い部分があり、成長異常結晶領域が60箇所認められた。
1.第1のIII族窒化物結晶の準備
比較例1と同様にして厚さ600μmの板状の自立GaN結晶E(第1のIII族窒化物結晶10)を得た。得られた自立GaN結晶E(第1のIII族窒化物結晶10)のアルカリ金属元素の濃度は1.1×1018cm-3であった。
上記の自立GaN結晶E(第1のIII族窒化物結晶10)の主面10m上に、結晶成長部の雰囲気温度(結晶成長温度に相当)が1080℃の条件としたこと以外は、実施例1と同様にして、厚さ1400μmのGaN結晶E(第2のIII族窒化物結晶20)を成長させた。結晶成長速度は200μm/hであった。自立GaN結晶E(第1のIII族窒化物結晶10)の主面10mの全面上にGaN結晶E(第2のIII族窒化物結晶20)が成長していた。また、成長したGaN結晶B(第2のIII族窒化物結晶20)の結晶成長表面は、全面が鏡面であり、成長異常結晶領域は認められなかった。
1.第1のIII族窒化物結晶の準備
実施例1と同様にして厚さ600μmの板状の自立GaN結晶F(第1のIII族窒化物結晶10)を得た。得られた自立GaN結晶F(第1のIII族窒化物結晶10)のアルカリ金属元素の濃度は8.0×1015cm-3。
上記の自立GaN結晶F(第1のIII族窒化物結晶10)の主面10m上に、キャリアガスとしてH2ガスを用い、保持時間(結晶成長時間に相当)を14時間の条件としたこと以外は、実施例1と同様にして、厚さ1400μmのGaN結晶F(第2のIII族窒化物結晶20)を成長させた。結晶成長速度は100μm/hであった。自立GaN結晶F(第1のIII族窒化物結晶10)の主面10mの全面上にGaN結晶F(第2のIII族窒化物結晶20)が成長していた。また、成長したGaN結晶F(第2のIII族窒化物結晶20)の結晶成長表面は、全面が鏡面であり、成長異常結晶領域は認められなかった。
Claims (3)
- 二次イオン質量分析により測定される主面におけるアルカリ金属元素の濃度が1.0×1018cm-3未満の第1のGaN結晶を準備する工程と、
HVPE法により、1100℃より高い雰囲気温度で、前記第1のGaN結晶の主面上に、第2のGaN結晶を成長させる工程と、を備えるGaN結晶の成長方法。 - 前記第1のGaN結晶の前記アルカリ金属元素の濃度が1.0×1016cm-3未満である請求項1に記載のGaN結晶の成長方法。
- 前記第1のGaN結晶は、Gaの融液に窒素を溶解させた溶液を用いる溶液法により得られた結晶である請求項1または請求項2に記載のGaN結晶の成長方法。
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