JP6362555B2 - 窒化アルミニウム結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
1.窒化アルミニウム結晶の製造装置
2.窒化アルミニウム結晶の製造方法
先ず、本発明の一実施形態に係る窒化アルミニウム結晶の製造方法において用いられる窒化アルミニウム結晶の製造装置の構成例について説明する。
続いて、窒化アルミニウム結晶(AlN結晶)の製造方法について説明する。上述したようなAlN結晶製造装置1において、先ず、保持部2cに保持治具5の固定プレート22を取り付け、保持プレート23に押さえ部材27を介してシード基板4をセットし、支柱24、ボルト25、ナット26を用いて保持治具5を組み立て、先端に保持治具5が固定されたガス導入管2をGa−Al合金融液6上に待機させる。
実施例1では、先ず、c面サファイア基板を窒素分圧0.9atm/CO分圧0.1atm、温度1500℃で1時間保持した後、窒素分圧1.0atmで5時間保持し、窒化サファイア基板を得た。
実施例2では、基板保持治具として、実施例1で用いた治具の外周部にリング状の堰(高さ5mm)を設けた構造とした保持治具を用い、フラックスから治具を引き上げた後も基板が融液に浸漬された状態となるようにした。この治具を用いたこと、及び、5時間のAlN結晶成長工程が終了後、窒素含有ガスの供給口からの窒素ガス供給を停止するとともに、基板保持治具をフラックスから引き上げて徐冷を開始したこと以外は、実施例1と同様にしてAlN結晶を生成させた。
比較例では、5時間のAlN結晶成長工程が終了後、窒素含有ガスの供給口からの窒素ガス供給を停止するとともに、基板保持治具をフラックスから引き上げて徐冷を開始したこと以外は、実施例1と同様にしてAlN結晶を生成させた。
Claims (2)
- Ga−Al合金融液中の保持治具に保持された種結晶基板上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる液相成長法による窒化アルミニウム結晶の製造方法において、
上記保持治具は、窒素含有ガスを供給するガス導入管に固定される固定プレートと、該固定プレートと対向して設けられ、上記種結晶基板を上記ガス導入管側に保持する保持プレートと、上記固定プレートと上記保持プレートとの間に介在する支柱とを有し、上記固定プレートと上記保持プレートと上記支柱とによって囲まれた空間内の上記Ga−Al合金融液に上記窒素含有ガスを滞留させることができ、
上記種結晶基板の上面の対向する位置から上記窒素含有ガスを供給し、該種結晶基板を保持する上記保持治具により上記窒素含有ガスを一時的に滞留させながら上記窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させ、
上記窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させた後の上記基板の冷却を上記Ga−Al合金融液中で行うことを特徴とする窒化アルミニウム結晶の製造方法。 - 上記Ga−Al合金融液中での上記基板の冷却を該Ga−Al合金融液の温度が700〜800℃に低下するまで行い、その後、該Ga−Al合金融液から上記基板を引き上げて室温まで冷却することを特徴とする請求項1に記載の窒化アルミニウム結晶の製造方法。
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