CN109994377A - 一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用 - Google Patents

一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用 Download PDF

Info

Publication number
CN109994377A
CN109994377A CN201910236361.9A CN201910236361A CN109994377A CN 109994377 A CN109994377 A CN 109994377A CN 201910236361 A CN201910236361 A CN 201910236361A CN 109994377 A CN109994377 A CN 109994377A
Authority
CN
China
Prior art keywords
aln
preparation
film
epitaxial film
nitridation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910236361.9A
Other languages
English (en)
Inventor
许福军
沈波
王明星
王嘉铭
康香宁
秦志新
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Peking University
Original Assignee
Peking University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Peking University filed Critical Peking University
Priority to CN201910236361.9A priority Critical patent/CN109994377A/zh
Publication of CN109994377A publication Critical patent/CN109994377A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/205—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
    • H01L21/2056—Epitaxial deposition of AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H01L21/3245—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering of AIIIBV compounds

Abstract

本发明涉及一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用。所述AlN外延薄膜的制备方法，包括：(1)对蓝宝石衬底进行氮化预处理；(2)对在氮化预处理后的蓝宝石上生长得到的AlN薄膜进行高温退火处理。本发明首次提出对蓝宝石衬底进行氮化预处理的构想，采用这一工序可使衬底表面形成特殊的微观结构，同时配合高温退火技术的使用，不仅使所得的AlN外延薄膜的位错密度得到有效降低，而且改善了AlN薄膜的应力状态，使其从张应力状态转变为压应力状态，解决了AlN薄膜外延过程中的开裂行为，最终获得表面平整、位错密度低、无裂纹的高质量AlN外延薄膜。本发明提供的AlN外延薄膜的制备方法具有效率高、重复性好的特点，适合大力推广。

Description

一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及一种兼具低位错密度、原子级别平整特点的AlN外延薄膜及其制备方法和应用，属于III族氮化物半导体制备技术领域。
背景技术
目前，AlGaN基高性能紫外光源被认为是替代准分子灯和汞灯的最佳选择。AlGaN基高性能紫外光源具有高效、环保的独特优势；并且基于AlGaN的量子结构，其还具有可在紫外光谱波长范围210-355nm内，通过调整Al组分实现不同波长的特性。基于此，AlGaN基高性能紫外光源具有广泛的应用前景，如水/空气净化、非视距通信、表面改性、生物/化学分析等。
为了保证AlGaN基高性能深紫外光器件的独特优势，关键基础之一是制备出高质量的AlN外延薄膜。由于缺少价格低廉的AlN同质衬底，适用于深紫外光电器件的AlN外延薄膜是通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上进行异质外延生长得到的。但由于晶格和热膨胀系数的大匹配，导致这种AlN外延薄膜中往往有很高的贯穿位错密度(109-1010cm-2)，且应力严重；特别是这些贯穿位错一般会延伸到器件有源区内。这些缺陷可作为非辐射复合点或泄漏电流通路，对器件的性能(如效率、可靠性和寿命)造成不利影响。因而如何在蓝宝石衬底上制备相对较低位错密度的AlN外延薄膜对于保证AlGaN基高性能深紫外光器件的独特优势具有极为重要的意义。
目前，常用的制备AlN外延薄膜的技术路线主要有以下几种：一是采用在平整的蓝宝石衬底上，通过调整低温成核和高温外延工艺参数的方法；二是采用脉冲III族金属源或V族源的方法；三是采用多层交替生长的方法，如低温-高温交替生长；四是采用图形衬底的方法；五是采用二维材料的方法，如石墨烯、BN缓冲层等新途径。这些方法虽然在一定程度上提升了AlN外延薄膜的晶体质量，但往往很难同时保证高可重复性地获得原子级别平整且低位错密度的AlN外延薄膜。此外，在经济成本和时间成本方面也面临较大的压力。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是如何高可重复性地获得原子级别平整且低位错密度的AlN外延薄膜。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题，本发明首次提出对蓝宝石衬底进行氮化预处理工艺，再结合高温退火技术，获得无裂纹、原子级平整且位错密度低的AlN外延薄膜。
本发明是采用如下方案实现的。
一种AlN外延薄膜的制备方法，包括：
(1)对蓝宝石衬底进行氮化预处理；
(2)对在氮化预处理后的蓝宝石上生长得到的AlN薄膜进行高温退火处理。
所述氮化预处理是指，利用NH3对蓝宝石表面进行预处理。
在所述氮化预处理过程中，本领域技术人员可根据专业常识依据衬底的面积选择合适的NH3流量；优选地，所述NH3的流量为2-160sccm/每平方厘米衬底；进一步优选地，NH3流量为15-80sccm/每平方厘米衬底；更进一步优选，NH3流量为30-50sccm/每平方厘米衬底。例如：以处理3个2英寸样品为例，NH3流量为100-10000sccm，优选为1000-5000sccm，进一步优选为2000-3000sccm。
在采用合适的NH3流量前提下，氮化预处理的时间对后续AlN外延薄膜的位错密度影响较大，选择合适的氮化预处理时间成为本发明的关键技术之一。通过实验验证，所述氮化预处理的时间以1-600s为宜，优选为2-60s，进一步优选为4-12s。在此处理时间范围内，衬底表面能够形成特殊的微观结构，更有利于后续AlN薄膜的外延生长。
此外，在合适的温度条件下，能够进一步提升氮化预处理的效果；本发明中所述氮化预处理的温度以500-1100℃为宜，优选800-1050℃，进一步优选为900-1000℃。
本发明所述AlN薄膜采用两步生长法制得。所得AlN薄膜的厚度是实现本发明所述效果的另一关键因素。为了获得更理想的AlN外延薄膜，本发明将所述AlN薄膜的厚度控制在300-800nm之间，优选400-700nm，进一步优选为500-600nm。
所述两步生长法包括步骤如下：
S101、首先在氮化预处理的蓝宝石上生长低温AlN成核层(buffer层)；其厚度为10-30nm；生长温度同氮化预处理的温度；
S102、将温度升高至1150-1500℃，利用外延生长方法制得AlN薄膜。其中，生长压力应尽可能低，如30-100mbar；所述外延生长方法选自金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、氢化物气相外延(HVPE)、分子束外延(MBE)等。
虽然高温退火工艺为现有技术，但为了获得更理想的效果，本发明还对高温退火的工艺条件进行优化，使其与前述氮化预处理技术更适配。所述高温退火的工艺条件为：温度1400-1800℃，优选1650-1750℃；气氛为氮气。
作为本发明的优选实施方式，所述AlN外延薄膜的制备方法，包括：
(1)利用NH3对蓝宝石衬底进行氮化预处理；
所述氮化预处理的时间为1-600s，优选为2-60s，进一步优选为4-12s；
(2)采用两步生长法在氮化预处理后的蓝宝石上生长得到的AlN薄膜；
所述AlN薄膜采用两步生长法步骤如下：
S101、首先在氮化预处理的蓝宝石上生长低温AlN成核层，其厚度为10-30nm；
S102、利用外延生长方法制得AlN薄膜，其厚度控制在300-800nm之间，优选400-700nm，进一步优选为500-600nm；
(3)对步骤(2)所得AlN薄膜进行高温退火处理；
所述高温退火的工艺条件为：温度1400-1800℃，优选1650-1750℃。
本发明还提供上述制备方法得到的AlN外延薄膜。所述AlN外延薄膜具有无裂纹、原子级平整且位错密度低的特点；其表面平整度达到0.1nm以下；位错密度低于1×109cm-2。
本发明还提供上述AlN外延薄膜在深紫外发光、探测等光电器件研制、生产领域中的应用。
(三)有益效果
本发明通过对蓝宝石进行氮化预处理，并结合高温退火技术及进一步优化条件，使衬底表面生长的AlN薄膜的位错密度有效降低；而且通过对AlN薄膜进行高温退火处理，还可以有效改善AlN薄膜的应力状态，使其从张应力状态转变为压应力状态，从而有效解决了AlN薄膜外延过程中的开裂行为，最终获得表面平整、位错密度低、无裂纹的高质量AlN外延薄膜。本发明提供的AlN外延薄膜的制备方法具有效率高、重复性好的特点，适合大力推广。
附图说明
图1为实施例1所述AlN外延薄膜的制备方法的流程图。
具体实施方式
以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
如图1所示，本发明所述AlN外延薄膜的制备的核心思路主要有三个重要步骤：
一是氮化预处理蓝宝石衬底；
二是两步法生长制备一定厚度AlN薄膜；
三是对AlN薄膜进行高温退火。
具体包括以下步骤：
步骤S1：氮化预处理蓝宝石衬底；工艺条件为：
在采用合适的NH3流量前提下，所述氮化预处理的时间以1-600s为宜，优选为2-60s，进一步优选为4-12s。氮化处理温度为500-1100℃，优选800-1050℃，进一步优选为900-1000℃。
步骤S2：所述AlN薄膜的制备采用两步生长法实现，方法如下：
第一步，在氮化处理的蓝宝石衬底上，生长低温AlN buffer层，其厚度为10-30nm；生长温度与氮化预处理的温度相同；
第二步，将温度升高至1150-1500℃，利用外延生长方法制得AlN薄膜；所述AlN薄膜的厚度为300-800nm，优选400-700nm，进一步优选为500-600nm；其生长压力尽量低，如50-100mbar；所述外延生长方法中所采用的氨气和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)，须根据MOCVD配置调整。
步骤S3：对所得AlN薄膜进行高温退火处理，退火的温度范围为1400-1800℃，优选1650-1750℃，气氛优选为氮气，退火的时间需要根据所使用的温度进行优化，以实现最好的晶体质量。
本发明首次提出了将蓝宝石氮化预处理与高温退火处理技术相结合制备高质量的AlN外延薄膜的思路。相比现有蓝宝石铝化预处理与高温退火技术相结合的思路，本发明能够更有效的提升AlN外延薄膜的晶体质量。
进一步地，本发明还通过优化氮化预处理的时间和流量关系、控制AlN薄膜生长厚度以及高温退火条件，实现最佳工艺条件的匹配。
在氮化预处理过程中，NH3的处理时间是获得高质量AlN外延薄膜的关键点之一。在两步法制备AlN薄膜的过程中，AlN薄膜厚度的准确控制是另一个关键因素。在前两者改进手段基础上，通过对高温退火温度的优化，能够更有效提升AlN外延薄膜的晶体质量，同时改善AlN外延薄膜的应力；最终高可重复性地获得原子级别平整且低位错密度的AlN外延薄膜。
实施例1一种AlN外延薄膜的制备方法
步骤如下：
S1：在MOCVD设备(3×2”Aixtron CCS FP-MOCVD)反应室中放入蓝宝石衬底，通入H2，升温到930℃下，稳定50秒，仅通入NH3,流量为2800sccm，持续时间10s后关闭NH3。
S2：在S1步骤的条件下(930℃)，通入三甲基铝(TMAl)和氨气，并保持其V/III摩尔比为1500，生长15nm厚的AlN成核层，然后继续通入氨气，关掉TMAl；
然后升温至在1250℃下，稳定50秒，保持反应室压力为50mbar，通入TMAl和氨气并保持其V/III摩尔比为450，高温1250℃生长AlN薄膜至300nm厚度，关掉TMAl停止生长，降温。
S3：将AlN薄膜放入高温退火炉的石墨托上，保持炉内气氛为N2，压力为一个大气压，以每分钟4℃的速度缓慢升温至1750℃，并保持1750℃退火1个小时，降温；得到AlN外延薄膜。
对比例1采用铝化预处理与高温退火技术相结合制备AlN外延薄膜
步骤如下：
S1：在MOCVD设备(3×2”Aixtron CCS FP-MOCVD)反应室中放入蓝宝石衬底，通入H2，升温到930℃下，稳定50秒，仅通入TMAl预处理,流量为40sccm，持续时间10s后关闭TMAl。
S2：在S1步骤的条件下(930℃)，通入三甲基铝(TMAl)和氨气，并保持其V/III摩尔比为1500，生长15nm厚的AlN成核层，然后继续通入氨气，关掉TMAl；
然后升温至在1250℃下，稳定50秒，保持反应室压力为50mbar，通入TMAl和氨气并保持其V/III摩尔比为450，高温1250℃生长AlN薄膜至300nm厚度，关掉TMAl停止生长，降温。
S3：将AlN薄膜放入高温退火炉的石墨托上，保持炉内气氛为N2，压力为一个大气压，以每分钟4℃的速度缓慢升温至1750℃，并保持1750℃退火1个小时，降温；得到AlN外延薄膜。
实施例2一种AlN外延薄膜的制备方法
步骤如下：
S1：在MOCVD设备(3×2”Aixtron CCS FP-MOCVD)反应室中放入蓝宝石衬底，通入H2，升温到930℃下，稳定50秒，仅通入NH3,流量为2400sccm，持续时间60s后关闭NH3。
S2：在S1步骤的条件下(930℃)，通入三甲基铝(TMAl)和氨气，并保持其V/III摩尔比为1500，生长15nm厚的AlN成核层，然后继续通入氨气，关掉TMAl；
然后升温至在1250℃下，稳定50秒，保持反应室压力为50mbar，通入TMAl和氨气并保持其V/III摩尔比为450，高温1250℃生长AlN薄膜至300nm厚度，关掉TMAl停止生长，降温。
S3：将AlN薄膜放入高温退火炉的石墨托上，保持炉内气氛为N2，压力为一个大气压，以每分钟4℃的速度缓慢升温至1750℃，并保持1750℃退火1个小时，降温；得到AlN外延薄膜。
效果验证
将实施例1、对比例1和实施例2所得AlN外延薄膜按本领域常用检测方法进行测试：
(1)光学显微镜检测：实施例1、对比例1和实施例2所得AlN外延薄膜均无裂纹；
(2)原子力显微镜检测：实施例1、对比例1和实施例2所得AlN外延薄膜均具有原子级平整表面，表面平整度达到0.1nm以下(3微米×3微米)；
(3)X射线衍射仪或透射电子显微镜检测：
实施例1所得AlN外延薄膜的XRD(002)和(102)面双轴晶ω摇摆曲线半高宽分别为65和295arcsec,对应的位错密度9.7×108cm-2。
对比例1所得AlN外延薄膜的XRD(002)和(102)面双轴晶ω摇摆曲线半高宽分别为554和832arcsec,对应的位错密度7×109cm-2；
实施例2所得AlN外延薄膜的XRD(002)和(102)面双轴晶ω摇摆曲线半高宽分别为78和421arcsec,对应的位错密度2×109cm-2。
有上述检测结果可知，实施例1和实施例2相比采用铝化预处理的对比例1具有更低的位错密度。
虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施方案对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。

Claims (10)

1.一种AlN外延薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
(1)对蓝宝石衬底进行氮化预处理；
(2)对在氮化预处理后的蓝宝石上生长得到的AlN薄膜进行高温退火处理。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氮化预处理是利用NH3对蓝宝石表面进行预处理。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述NH3的处理时间为1-600s；优选处理时间为2-60s；进一步优选处理时间为4-12s。
4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述NH3的流量的选择须依据待处理衬底的面积而定；
优选地，所述NH3的流量为2-160sccm/每平方厘米衬底；
进一步优选地，NH3流量为15-80sccm/每平方厘米衬底；
更进一步优选，NH3流量为30-50sccm/每平方厘米衬底。
5.根据权利要求1-3任一所述的制备方法，其特征在于，所述AlN薄膜的厚度控制在300-800nm之间，优选400-700nm，进一步优选为500-600nm。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述AlN薄膜采用两步生长法制得，包括：
S101、首先在氮化预处理的蓝宝石上生长低温AlN成核层；
S102、采用外延生长法在所述AlN成核层上形成AlN薄膜。
7.根据权利要求1-6任一所述的制备方法，其特征在于，所述高温退火的工艺条件为：温度1400-1800℃，优选1650-1750℃。
8.权利要求1-7任一所述制备方法得到的AlN外延薄膜。
9.根据权利要求8所述的AlN外延薄膜，其具有原子级平整表面，表面平整度达到0.1nm以下；位错密度低于1×109cm-2。
10.权利要求8或9所述AlN外延薄膜在深紫外发光、探测光电器件研制、生产领域中的应用。
CN201910236361.9A 2019-03-27 2019-03-27 一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用 Pending CN109994377A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910236361.9A CN109994377A (zh) 2019-03-27 2019-03-27 一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910236361.9A CN109994377A (zh) 2019-03-27 2019-03-27 一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109994377A true CN109994377A (zh) 2019-07-09

Family

ID=67131515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910236361.9A Pending CN109994377A (zh) 2019-03-27 2019-03-27 一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109994377A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111676451A (zh) * 2020-06-28 2020-09-18 中国科学院半导体研究所 极性可控的高质量AlN模板制备方法
CN111710595A (zh) * 2020-06-28 2020-09-25 中国科学院半导体研究所 高质量AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法
CN114875482A (zh) * 2022-03-21 2022-08-09 北京大学 一种高质量n型AlGaN的制备方法及应用
CN115323475A (zh) * 2021-11-19 2022-11-11 北京大学 一种高指数晶面六方氮化硼薄膜的制备方法
CN115341277A (zh) * 2022-10-17 2022-11-15 至芯半导体(杭州)有限公司 一种AlN薄膜及其制备方法和应用
CN116867347A (zh) * 2023-09-01 2023-10-10 北京中博芯半导体科技有限公司 一种调节AlN异质外延面内应力的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060249741A1 (en) * 2005-04-25 2006-11-09 Cao Group, Inc. GaN semiconductor devices with A1N buffer grown at high temperature and method for making the same
CN103052739A (zh) * 2010-07-14 2013-04-17 住友金属矿山株式会社 氮化铝晶体的制造方法
CN104319234A (zh) * 2014-10-14 2015-01-28 北京大学 一种高晶体质量AlN外延层的生长方法
CN105543969A (zh) * 2016-01-25 2016-05-04 南通同方半导体有限公司 一种改善AlN薄膜晶体质量的生长方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060249741A1 (en) * 2005-04-25 2006-11-09 Cao Group, Inc. GaN semiconductor devices with A1N buffer grown at high temperature and method for making the same
CN103052739A (zh) * 2010-07-14 2013-04-17 住友金属矿山株式会社 氮化铝晶体的制造方法
CN104319234A (zh) * 2014-10-14 2015-01-28 北京大学 一种高晶体质量AlN外延层的生长方法
CN105543969A (zh) * 2016-01-25 2016-05-04 南通同方半导体有限公司 一种改善AlN薄膜晶体质量的生长方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111676451A (zh) * 2020-06-28 2020-09-18 中国科学院半导体研究所 极性可控的高质量AlN模板制备方法
CN111710595A (zh) * 2020-06-28 2020-09-25 中国科学院半导体研究所 高质量AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法
CN115323475A (zh) * 2021-11-19 2022-11-11 北京大学 一种高指数晶面六方氮化硼薄膜的制备方法
CN114875482A (zh) * 2022-03-21 2022-08-09 北京大学 一种高质量n型AlGaN的制备方法及应用
CN115341277A (zh) * 2022-10-17 2022-11-15 至芯半导体(杭州)有限公司 一种AlN薄膜及其制备方法和应用
CN116867347A (zh) * 2023-09-01 2023-10-10 北京中博芯半导体科技有限公司 一种调节AlN异质外延面内应力的方法
CN116867347B (zh) * 2023-09-01 2023-12-19 北京中博芯半导体科技有限公司 一种调节AlN异质外延面内应力的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109994377A (zh) 一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用
CN107611004B (zh) 一种制备自支撑GaN衬底材料的方法
CN109065438B (zh) AlN薄膜的制备方法
CN100549243C (zh) 一种在蓝宝石衬底材料上外延生长AlxGa1-xN单晶薄膜的方法
CN101847578B (zh) 基于m面Al2O3衬底上半极性GaN的生长方法
CN110911270B (zh) 一种高质量氧化镓薄膜及其同质外延生长方法
CN112242459B (zh) 一种具有原位SiN位错湮灭层的AlGaN薄膜及其外延生长方法
CN108428618A (zh) 基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法
CN102820211A (zh) 制备非极性A面GaN薄膜的方法
CN111477534A (zh) 氮化铝模板及其制备方法
CN105648524A (zh) 一种异质衬底表面改性调控基片弯曲度的方法
CN108511322B (zh) 一种在二维石墨衬底上制备GaN薄膜的方法
WO2023079880A1 (ja) ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法
CN110791805A (zh) 一种衬底、外延片及其生长方法
CN115986008A (zh) 一种外延片及其制备方法
Hageman et al. Growth of GaN epilayers on Si (111) substrates using multiple buffer layers
CN110517950B (zh) 一种在金刚石衬底上制备闪锌矿GaN薄膜的方法
CN108878265B (zh) 一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法
CN115132565A (zh) 一种高晶体质量AlN薄膜及其制备方法和应用
CN113089091A (zh) 氮化硼模板及其制备方法
JP7120598B2 (ja) 窒化アルミニウム単結晶膜及び半導体素子の製造方法
CN115360272B (zh) 一种AlN薄膜的制备方法
CN111415858A (zh) AlN或AlGaN薄膜材料的制备方法及应用
CN113308741B (zh) 一种氮化镓单晶材料、其制备方法及应用
CN1396642A (zh) 异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190709

RJ01 Rejection of invention patent application after publication