JP2008066704A - 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導電性基板と、第1の金属層と、第2の導電型半導体層と、発光層と、第1の導電型半導体層と、をこの順で含む窒化物半導体発光素子であって、さらに絶縁層を有し、前記絶縁層は、少なくとも、前記第2の導電型半導体層、前記発光層および前記第1の導電型半導体層の側面を覆っていることを特徴とする窒化物半導体発光素子、およびその製造方法。本発明の窒化物半導体発光素子は、さらに第2の金属層を含んでもよい。
【選択図】図1
Description
(第1の実施形態)
図1は、本発明の好ましい実施形態の窒化物半導体発光素子を示す概略断面図である。図1に示すように、本実施形態の窒化物半導体発光素子は、導電性基板101と、第1の金属層102と、第2の導電型半導体層103と、発光層104と、第1の導電型半導体層105と、をこの順で含み、さらに絶縁層106を有し、当該絶縁層106は、第2の導電型半導体層103、発光層104および第1の導電型半導体層105の側面、ならびに、第1の金属層102に接する側における第2の導電型半導体層103の表面の一部をさらに覆っていることを特徴とする。また、本実施形態の窒化物半導体発光素子は、第1の導電型半導体層105上に形成された外部接続用の第1の電極107と、導電性基板101の第1の金属層102とは反対側の面に形成された外部接続用の第2の電極108を有する。
本実施形態の窒化物半導体発光素子において、導電性基板101に用いられる材料は、メッキにより層形成ができない材料である。そのような材料としては、たとえばSi、GaP、GaAs、SiC、導電性ダイヤモンド等を挙げることができる。
本実施形態における第1の金属層102は、上記のように、第1のオーミック層111、共晶接合層112、拡散防止層113、反射層114および第2のオーミック層115をこの順で含む。以下、各層について説明する。なお、「第1の金属層」は、後述する「第2の金属層」とは、窒化物半導体発光素子中の形成位置において区別されるものである。本明細書中において、「第1の金属層」とは、第1の導電型半導体層、発光層、第2の導電型半導体層とは異なる層であって、絶縁層からみて、第2の導電型半導体層とは反対側に位置している金属層をいう。これに対し、「第2の金属層」とは、第1の導電型半導体層、発光層、第2の導電型半導体層とは異なる層であって、絶縁層からみて、第2の導電型半導体層側に位置している金属層をいう。
本実施形態において第1の金属層102は、導電性基板101とオーミックコンタクトになる金属、合金または導電性酸化物の単層構造または多層構造からなる第1のオーミック層111を含む。第1のオーミック層111を設けることにより、半導体発光素子の駆動電圧を低減することができる。
本実施形態において第1の金属層102は、共晶接合金属を含む、金属または合金の単層構造または多層構造からなる共晶接合層112を含む。共晶接合層112を設けることにより、共晶結合によって、導電性基板101と窒化物半導体層との接着強度が保たれ、信頼性の高い窒化物半導体発光素子を提供することが可能となる。
本実施形態において第1の金属層102は、金属の拡散を防止するための金属または合金の単層構造または多層構造からなる拡散防止層113を含む。拡散防止層113を設けることにより、金属が相互拡散することによる接合強度の低下、半導体中に金属が拡散することによる素子特性の低下を防ぐことができ、信頼性の高い窒化物半導体発光素子を提供することが可能となる。
本実施形態において第1の金属層102は、半導体発光素子の主たる発光波長に対して高反射率を有する金属または合金の単層構造または多層構造からなる反射層114を含む。発光層104から放射した光は、直接第1の導電型半導体層105を通って半導体素子外部に取り出される以外に、一旦第1の金属層102側に放射され、当該第1の金属層102により反射された後に半導体素子外部に取り出されるものもあるが、第1の金属層102に反射層114を設けることにより、光取り出し効率が向上し、高発光効率の窒化物半導体発光素子を提供することが可能となる。なお、「高反射率を有する」とは、半導体発光素子の主たる発光波長に対して70〜100%程度の反射率を有することを意味する。
本実施形態において第1の金属層102は、第2の導電型半導体層103とオーミックコンタクトになる金属、合金または導電性酸化物の単層構造または多層構造からなる第2のオーミック層115を含む。第2のオーミック層115を設けることにより、半導体発光素子の駆動電圧をさらに低減することができる。
本実施形態における第2の導電型半導体層103は、p型AlGaN層109とp型GaN層110の2層からなる。これらp型AlGaN層109とp型GaN層110の層の厚さは特に限定されるものではなく、たとえば、それぞれ10〜100nm、50〜1000nmとすることができる。
本実施形態における発光層104は、GaNからなるバリア層とInqGa1-qN(0<q<1)からなるウェル層を含む。これらバリア層とウェル層の厚さは特に限定されるものではなく、たとえば、それぞれ3〜30nm、0.5〜5nmとすることができる。
本実施形態における第1の導電型半導体層105は、n型GaN層からなる。第1の導電型半導体層105の厚さは特に限定されるものではなく、たとえば、2〜10nmとすることができる。
本実施形態における絶縁層106は、上記第2の導電型半導体層103、発光層104および第1の導電型半導体層105の側面を覆っている。このような構成により、PN接合部が保護されるため、端面リークが発生せず、歩留まりが向上する。また、長期の通電においてもPN接合部での金属の周り込みなどが認められず、信頼性の高い窒化物半導体発光素子が提供される。
本実施形態の窒化物半導体発光素子は、第1の導電型半導体層105上に形成された外部接続用の第1の電極107と、導電性基板101の第1の金属層102側とは反対側の面に形成された外部接続用の第2の電極108を有する。すなわち、第1の電極107は、第1の導電型半導体層105の、発光層104とは反対側の面に形成されており、第2の電極108は、導電性基板101の、第1の金属層102側とは反対側の面に形成されている。このように、本実施形態の窒化物半導体発光素子は、絶縁層106が当該素子の中に設けられているにもかかわらず、チップの上下から電極を取り出すことを可能としている。チップの上下面に外部接続用電極を形成することにより、実装時のチップの取り扱いが容易となり、実装歩留まりを向上させることができる。
(2)積層された層の露出表面に、略一定間隔で、少なくとも第1の導電型半導体層の前記発光層側表面に達する深さを有する複数の凹部を形成する工程(B)、
(3)凹部の側壁および底面を含む、積層された層の露出表面全体に絶縁層を形成する工程(C)、
(4)絶縁層の一部を除去して、当該絶縁層に接する層の表面の一部を露出させる工程(D)、
(5)露出表面全体に、第1の金属層および第2の基板をこの順に積層する工程(E)、
(6)第1の基板の全部または一部を除去する工程(H)、
(7)凹部の底面が露出するように、前記第1の導電型半導体層の一部を除去する工程(I)、
(8)チップ分割を行なうことにより複数の窒化物半導体発光素子を得る工程(F)。
図3は、本発明の別の好ましい実施形態の窒化物半導体発光素子を示す概略断面図である。図3に示すように、本実施形態の窒化物半導体発光素子は、導電性基板301と、第1の金属層302と、第2の導電型半導体層303と、発光層304と、第1の導電型半導体層305と、をこの順で含み、さらに絶縁層306を有し、当該絶縁層306は、第2の導電型半導体層303、発光層304および第1の導電型半導体層305の側面、ならびに、第1の金属層302に接する側における第2の導電型半導体層303の表面の一部をさらに覆っていることを特徴とする。また、本実施形態の窒化物半導体発光素子は、第1の導電型半導体層305上に形成された第1の電極307を有する。本実施形態においては、外部接続用の第2の電極は、導電性基板301自体となる。
本実施形態の窒化物半導体発光素子において、導電性基板301に用いられる材料は、メッキにより層形成が可能である材料である。そのような材料としては、たとえばNi、Cu、Sn、Au、Agのいずれかを主成分とする金属または合金を挙げることができる。導電性基板301に、メッキにより層形成が可能である材料を用いることにより、上記第1の実施形態の窒化物半導体発光素子を製造する場合のように、導電性基板上および第2の導電型半導体層上にそれぞれ共晶接合層を形成して接合することにより導電性基板を導入するという方法を用いることなく、直接導電性基板を素子に導入することができる。
本実施形態における第1の金属層302は、上記のように、メッキ下地層310、反射層311およびオーミック層312をこの順で含む。以下、メッキ下地層310について説明する。なお、オーミック層312は、第1の実施形態の第2のオーミック層115に相当するものであり、第2の導電型半導体層303とオーミックコンタクトになる。
(2)積層された層の露出表面に、略一定間隔で、少なくとも第1の導電型半導体層の前記発光層側表面に達する深さを有する複数の凹部を形成する工程(B)、
(3)凹部の側壁および底面を含む、積層された層の露出表面全体に絶縁層を形成する工程(C)、
(4)絶縁層の一部を除去して、当該絶縁層に接する層の表面の一部を露出させる工程(D)、
(5)露出表面全体に、第1の金属層および第2の基板をこの順に積層する工程(E)、
(6)第1の基板の全部または一部を除去する工程(H)、
(7)凹部の底面が露出するように、前記第1の導電型半導体層の一部を除去する工程(I)、
(8)チップ分割を行なうことにより複数の窒化物半導体発光素子を得る工程(F)。
図5は、本発明の別の好ましい実施形態の窒化物半導体発光素子を示す概略断面図である。図5に示すように、本実施形態の窒化物半導体発光素子は、導電性基板501と、第1の金属層502と、第2の金属層515と、第2の導電型半導体層503と、発光層504と、第1の導電型半導体層505と、をこの順で含み、さらに絶縁層506を有し、当該絶縁層506は、第2の金属層515、第2の導電型半導体層503、発光層504および第1の導電型半導体層505の側面、ならびに、第1の金属層502に接する側における第2の金属層515の表面の一部を覆っていることを特徴とする。また、本実施形態の窒化物半導体発光素子は、第1の導電型半導体層505上に形成された外部接続用の第1の電極507と、導電性基板501の第1の金属層502側とは反対側の面に形成された外部接続用の第2の電極508を有する。
本実施形態における第1の金属層502は、上記のように、第1のオーミック層511、共晶接合層512、拡散防止層513、反射層514をこの順で含む。第1のオーミック層511は、第1の実施形態の窒化物半導体発光素子における第1のオーミック層111に相当するものであり、導電性基板501とオーミックコンタクトになる。
本実施形態における第2の金属層515は、第2の導電型半導体層503のp型GaN層510とオーミックコンタクトになるオーミック層を含む。当該オーミック層には、たとえばPd、Ni、Pt、Ag、これらを含む合金などを用いることができる。オーミック層の厚さは特に限定されるものではなく、たとえば0.5〜100nmとすることができる。なお、反射率が低い物質の場合には薄くし、反射率が高い物質の場合には厚くすることが好ましい。
本実施形態における絶縁層506は、上記第2の金属層515、第2の導電型半導体層503、発光層504および第1の導電型半導体層505の側面を覆っている。このような構成により、PN接合部が保護されるため、端面リークが発生せず、歩留まりが向上する。また、長期の通電においてもPN接合部での金属の周り込みなどが認められず、信頼性の高い窒化物半導体発光素子が提供される。
(2)第2の金属層を積層する工程(G)、
(3)積層された層の露出表面に、略一定間隔で、少なくとも第1の導電型半導体層の前記発光層側表面に達する深さを有する複数の凹部を形成する工程(B)、
(4)凹部の側壁および底面を含む、積層された層の露出表面全体に絶縁層を形成する工程(C)、
(5)絶縁層の一部を除去して、当該絶縁層に接する層の表面の一部を露出させる工程(D)、
(6)露出表面全体に、第1の金属層および第2の基板をこの順に積層する工程(E)、
(7)第1の基板の全部または一部を除去する工程(H)、
(8)凹部の底面が露出するように、前記第1の導電型半導体層の一部を除去する工程(I)、
(9)チップ分割を行なうことにより複数の窒化物半導体発光素子を得る工程(F)。
図8は、本発明の別の好ましい実施形態の窒化物半導体発光素子を示す概略断面図である。図8に示すように、本実施形態の窒化物半導体発光素子は、第2の実施形態の窒化物半導体発光素子に、第3の実施形態において採用した第2の金属層を設けてなる。すなわち、本実施形態の窒化物半導体発光素子は、導電性基板801と、第1の金属層802と、第2の金属層812と、第2の導電型半導体層803と、発光層804と、第1の導電型半導体層805と、をこの順で含み、さらに絶縁層806を有し、当該絶縁層806は、第2の金属層812、第2の導電型半導体層803、発光層804および第1の導電型半導体層805の側面、ならびに、第1の金属層802に接する側における第2の金属層812の表面の一部を覆っていることを特徴とする。また、本実施形態の窒化物半導体発光素子は、第1の導電型半導体層805上に形成された外部接続用の第1の電極807を有する。本実施形態においては、外部接続用の第2の電極は、導電性基板801自体となる。
(2)第2の金属層を積層する工程(G)、
(3)積層された層の露出表面に、略一定間隔で、少なくとも第1の導電型半導体層の前記発光層側表面に達する深さを有する複数の凹部を形成する工程(B)、
(4)凹部の側壁および底面を含む、積層された層の露出表面全体に絶縁層を形成する工程(C)、
(5)絶縁層の一部を除去して、当該絶縁層に接する層の表面の一部を露出させる工程(D)、
(6)露出表面全体に、第1の金属層および第2の基板をこの順に積層する工程(E)、
(7)第1の基板の全部または一部を除去する工程(H)、
(8)凹部の底面が露出するように、前記第1の導電型半導体層の一部を除去する工程(I)、
(9)チップ分割を行なうことにより複数の窒化物半導体発光素子を得る工程(F)。
窒化物半導体発光素子を以下の方法により作製した。なお、説明をわかりやすくするため、図2を参照して説明する。まず、第1の基板201として、サファイア基板を用意し、当該第1の基板201上に、常法にしたがって、50nm厚のAlrGa1-rN(0≦r≦1)からなるバッファ層202、5μm厚のn型GaN層である第1の導電型半導体層203、GaNからなるバリア層およびInqGa1-qN(0<q<1)からなるウェル層を含む、100nm厚の発光層204、30nm厚のp型AlGaN層205および200nm厚のp型GaN層206からなる第2の導電型半導体層207をこの順に成長させた(工程(A))。
窒化物半導体発光素子を以下の方法により作製した。なお、説明をわかりやすくするため、図4を参照して説明する。工程(E)における反射層410を形成までは、実施例1と同様に行なった。続いて、図4(a)に示されるように、メッキ下地層411としてAuを200nmの厚さで蒸着した。次に、図4(a)に示されるように、無電解メッキ法を用いて、メッキ下地層411の上に第2の基板412としてのNiを70μmの厚さで形成した。
窒化物半導体発光素子を以下の方法により作製した。なお、説明をわかりやすくするため、図6を参照して説明する。まず、第1の基板601として、サファイア基板を用意し、当該第1の基板601上に、常法にしたがって、50nm厚のAlrGa1-rN(0≦r≦1)からなるバッファ層602、5μm厚のn型GaN層である第1の導電型半導体層603、GaNからなるバリア層およびInqGa1-qN(0<q<1)からなるウェル層を含む、100nm厚の発光層604、30nm厚のp型AlGaN層605および200nm厚のp型GaN層606からなる第2の導電型半導体層607をこの順に成長させた(工程(A))。次に、第2の導電型半導体層607表面全体に、第2の金属層608としてPdを1.5nm蒸着した(工程(G))。
窒化物半導体発光素子を以下の方法により作製した。なお、説明をわかりやすくするため、図9を参照して説明する。工程(E)における反射層910の形成までは、実施例3と同様に行なった。続いて、図9(a)に示されるように、メッキ下地層911としてAuを200nmの厚さで蒸着した。次に、図9(a)に示されるように、無電解メッキ法を用いて、メッキ下地層911の上に第2の基板912としてのNiを70μmの厚さで形成した。
窒化物半導体発光素子を以下の方法により作製した。なお、説明をわかりやすくするため、図10を参照して説明する。図10は、本実施例の方法を説明するための概略工程図である。まず、第1の基板1001として、サファイア基板を用意し、当該第1の基板1001上に、常法にしたがって、50nm厚のAlrGa1-rN(0≦r≦1)からなるバッファ層1002、5μm厚のn型GaN層である第1の導電型半導体層1003、GaNからなるバリア層およびInqGa1-qN(0<q<1)からなるウェル層を含む、100nm厚の発光層1004、30nm厚のp型AlGaN層1005および200nm厚のp型GaN層1006からなる第2の導電型半導体層1007をこの順に成長させた(工程(A))。次に、p型GaN層1006上に、直径100μm、厚さ100nmのTiからなる電流阻止層1015を350μmのピッチで形成した。Tiは、p型GaN層1006に対してショットキー接触になる。次に、表面全体に、第2の金属層1008としてPdを1.5nm蒸着し、ついで第2の金属層1008としてAgNd層を100nmの厚さでスパッタにより形成した(工程(G))。ここで、Pd層は、p型GaN層1006とオーミック接合を形成する。また、AgNd層は反射層である。次に、高減圧下、500℃で3分間熱処理することにより、第1の導電型半導体層1003、発光層1004および第2の導電型半導体層1007からなる半導体層と合金化させてオーム性接触にした。
窒化物半導体発光素子を以下の方法により作製した。なお、説明をわかりやすくするため、図6を参照して説明する。まず、実施例3と同様の方法により、工程(G)まで行い、第2の金属層608のエッチングを行なった。次に、第2の金属層608のエッチングに用いたフォトレジストマスクをそのまま用いて、ドライエッチングによりフォトレジストが覆っていない部分について、第2の導電型半導体層607、発光層604、第1の導電型半導体層603を除去して、フォトレジストマスクの一定のピッチに応じた略一定の間隔で、略逆台形状の凹部を複数形成した(工程(B))。当該凹部の深さは、発光層604の第1の導電型半導体層603側の表面から4.8μmであった。これにより、凹部底面から第1の導電型半導体層603の、バッファ層602側の表面までの距離は、約0.3μmとなる。
窒化物半導体発光素子を以下の方法により作製した。なお、説明をわかりやすくするため、図11を参照して説明する。図11は、本実施例の方法を説明するための概略工程図である。まず、第1の基板1101として、サファイア基板を用意し、当該第1の基板1101上に、常法にしたがって、50nm厚のAlrGa1-rN(0≦r≦1)からなるバッファ層1102、5μm厚のn型GaN層である第1の導電型半導体層1103、GaNからなるバリア層およびInqGa1-qN(0<q<1)からなるウェル層を含む、100nm厚の発光層1104、30nm厚のp型AlGaN層1105および200nm厚のp型GaN層1106からなる第2の導電型半導体層1107をこの順に成長させた(工程(A))。
窒化物半導体発光素子を以下の方法により作製した。図12は、本実施例の方法を説明するための概略工程図である。まず、第1の基板1201として、サファイア基板を用意し、当該第1の基板1201上に、常法にしたがって、50nm厚のAlrGa1-rN(0≦r≦1)からなるバッファ層1202、5μm厚のn型GaN層である第1の導電型半導体層1203、GaNからなるバリア層およびInqGa1-qN(0<q<1)からなるウェル層を含む、100nm厚の発光層1204、30nm厚のp型AlGaN層1205および200nm厚のp型GaN層1206からなる第2の導電型半導体層1207をこの順に成長させた(工程(A))。
窒化物半導体発光素子を以下の方法により作製した。図14は、本実施例の方法を説明するための概略工程図である。まず、第1の基板1401として、サファイア基板を用意し、当該第1の基板1401上に、常法にしたがって、50nm厚のAlrGa1-rN(0≦r≦1)からなるバッファ層1402、5μm厚のn型GaN層である第1の導電型半導体層1403、GaNからなるバリア層およびInqGa1-qN(0<q<1)からなるウェル層を含む、100nm厚の発光層1404、30nm厚のp型AlGaN層1405および200nm厚のp型GaN層1406からなる第2の導電型半導体層1407をこの順に成長させた(工程(A))。
Claims (36)
- 導電性基板と、第1の金属層と、第2の導電型半導体層と、発光層と、第1の導電型半導体層と、をこの順で含む窒化物半導体発光素子であって、
さらに絶縁層を有し、
前記絶縁層は、少なくとも、前記第2の導電型半導体層、前記発光層および前記第1の導電型半導体層の側面を覆っていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 前記絶縁層は、前記第1の金属層に接する側における前記第2の導電型半導体層の表面の一部をさらに覆っていることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第1の金属層に接する側における第2の導電型半導体層の表面が前記絶縁層により覆われる面積は、前記第1の金属層に接する側における第2の導電型半導体層の表面全体の1〜50%であることを特徴とする請求項2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 導電性基板と、第1の金属層と、第2の金属層と、第2の導電型半導体層と、発光層と、第1の導電型半導体層と、をこの順で含む窒化物半導体発光素子であって、
さらに絶縁層を有し、
前記絶縁層は、少なくとも、前記第2の金属層、前記第2の導電型半導体層、前記発光層および前記第1の導電型半導体層の側面を覆っていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 前記絶縁層は、前記第1の金属層に接する側における前記第2の金属層の表面の一部をさらに覆っていることを特徴とする請求項4に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第1の金属層に接する側における第2の金属層の表面が前記絶縁層により覆われる面積は、前記第1の金属層に接する側における第2の金属層の表面全体の1〜99%であることを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第2の導電型半導体層、前記発光層および前記第1の導電型半導体層は、素子端部近傍において逆テーパ−構造であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記発光層に接する側とは反対側における前記第1の導電型半導体層の表面は、凹凸形状を有していることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第1の導電型半導体層上に形成された第1の電極と、前記第1の金属層に接する側とは反対側における前記導電性基板の表面に形成された第2の電極とを有することを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第1の金属層は、前記導電性基板とオーミックコンタクトになる第1のオーミック層および/または前記第2の導電型半導体層とオーミックコンタクトになる第2のオーミック層を含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第1の金属層は、共晶接合層を含むことを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第1の金属層は、拡散防止層を含むことを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第1の金属層は、反射層を含むことを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第1の金属層は、メッキ下地層を含むことを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第2の金属層は、前記第2の導電型半導体層とオーミックコンタクトになるオーミック層を含むことを特徴とする請求項4〜14のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第2の金属層は、反射層、拡散防止層、共晶接合層、メッキ下地層のいずれか1種以上を含む請求項4〜15のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第2の導電型半導体層に接する側における前記第2の金属層の長さは、前記第2の金属層に接する側における前記第2の導電型半導体層の長さと同じであるか、またはこれより短いことを特徴とする請求項4〜16のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記発光層に接する側とは反対側における前記第2の導電型半導体層の表面の一部に、電流阻止層が形成されていることを特徴とする請求項1〜17のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記電流阻止層は、前記発光層に接する側とは反対側における前記第2の導電型半導体層の表面上であって、前記第1の電極が設置される位置の概略真下に当たる位置に形成されることを特徴とする請求項18に記載の窒化物半導体発光素子。
- 第1の基板上に第1の導電型半導体層、発光層、第2の導電型半導体層をこの順に積層する工程(A)と、
積層された層の露出表面に、略一定間隔で、少なくとも第1の導電型半導体層の前記発光層側表面に達する深さを有する複数の凹部を形成する工程(B)と、
前記凹部の側壁および底面を含む、積層された層の露出表面全体に絶縁層を形成する工程(C)と、
前記絶縁層の一部を除去して、前記絶縁層に接する層の表面の一部を露出させる工程(D)と、
露出表面全体に、第1の金属層および第2の基板をこの順に積層する工程(E)と、
チップ分割を行なうことにより複数の窒化物半導体発光素子を得る工程(F)と、を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記工程(A)と前記工程(B)の間に、さらに第2の金属層を積層する工程(G)を含むことを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 前記工程(B)と前記工程(C)の間に、さらに第2の金属層を積層する工程(G)を含むことを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 前記工程(E)の後に、前記第1の基板の全部または一部を除去する工程(H)を含むことを特徴とする請求項20〜22のいずれかに記載の方法。
- 前記工程(H)の後に、前記凹部の底面が露出するように、前記第1の導電型半導体層の一部を除去する工程(I)を含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記工程(I)において、前記第1の導電型半導体層の一部を除去するとともに、前記第1の導電型半導体層の表面に凹凸を形成することを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 前記工程(H)における前記第1の基板の除去および前記工程(I)における前記第1の導電型半導体層の除去は、レーザー光の照射により行なわれることを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 前記工程(H)における前記第1の基板の除去、前記工程(I)における前記第1の導電型半導体層の除去および前記第1の導電型半導体層の表面への凹凸の形成は、レーザー光の照射により行なわれることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記工程(F)において、チップ分割する位置は、前記凹部の底面上のいずれかの位置であることを特徴とする請求項20〜27のいずれかに記載の方法。
- 前記工程(B)における前記凹部の形成は、エッチングにより行なわれることを特徴とする請求項20〜28のいずれかに記載の方法。
- 前記工程(E)における前記第2の基板の積層は、前記第1の金属層に含まれる第1の共晶接合層と、前記第2の基板上に形成された第2の共晶接合層とを接合することにより行なわれることを特徴とする請求項20〜29のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の共晶接合層と前記第2の共晶接合層との接合は、280〜400℃で行なわれることを特徴とする請求項30に記載の方法。
- 前記第1の共晶接合層と前記第2の共晶接合層との接合は、10Pa以下の減圧下で行なわれることを特徴とする請求項30または31に記載の方法。
- 前記工程(E)における前記第2の基板の積層は、メッキ法により行なわれることを特徴とする請求項20〜29のいずれかに記載の方法。
- 前記第2の基板は、50μm以上の厚さを有する金属または合金からなることを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 前記工程(D)において、前記第2の金属層は、エッチングストップ層として機能することを特徴とする請求項21〜34に記載の方法。
- 前記工程(E)において、前記第1の金属層は、略一定の間隔で、断続的に形成されることを特徴とする請求項20〜35に記載の方法。
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